Rozdział 3. Rezystancyjne czujniki gazów na podłożu

Rozdział 3. Rezystancyjne czujniki gazów na podłożu

Rozdział 3. Rezystancyjne czujniki gazów na podłożu
mikromechanicznym
Połączenie własności mechanicznych krzemu z mikroelektroniką przyczyniło się do
powstania pod koniec lat 80 zintegrowanych mikrosystemów nazywanych w Ameryce
MEMS (ang. Micro-Electro-Mechanical-System), a w Europie MST (ang. Microsystem
Technology) [3.1]. Miniaturyzacja czujników wpłynęła na mniejszy pobór energii, a zatem
możliwe stało się zastosowanie zasilania bateryjnego. Drogi i zajmujący dużo miejsca
sprzęt
laboratoryjny
ustąpił
miejsca
niewielkim
urządzeniom
przenośnym.
Mikromechanika znalazła zastosowanie w technice sensorowej z powodu obniżenia
poboru mocy czujników mikromechanicznych, mniejszych wymiarów, jak również
korzystnych własności mechanicznych, przez co stała się konkurencyjna dla technologii
ceramicznych.
Najczęściej
spotykanym
w
sensorach
gazów
elementem
mikromechanicznym jest podłoże w kształcie membrany. Niskie przewodnictwo cieplne
membran Si3N4/SiO2 powoduje obniżenie poboru mocy urządzenia (poniżej 40 mW).
Zaletą jest mała masa przy dużej wytrzymałości mechanicznej, krótki czas odtworzenia
sygnału (do około 30 ms), możliwość budowy matryc sensorowych oraz możliwość
zastosowania takich czujników w urządzeniach przenośnych.
Niewątpliwą
zaletą
technologii
mikromechanicznej
jest
kompatybilność
z technologią wytwarzania układów scalonych, dlatego układy mikromechaniczne mogą
być integrowane z układami obróbki i przetwarzania sygnału, a przez to posiadać
niewielkie rozmiary.
3.1.
Wytwarzanie podłoży mikromechanicznych
Zasadniczymi etapami produkcji podłoży mikromechanicznych jest osadzanie
warstw, ich domieszkowanie, litografia i trawienie. Układy wytwarza się zwykle na podłożu
krzemowym, wcześniej pociętym na płytki oraz oczyszczonym. Na tak przygotowanych
podłożach osadza się warstwy SiO2, Si3N4, polikrzem oraz warstwy metali (Au, Al).
Dwutlenek krzemu SiO2 ze względu na niską przewodność cieplną i elektryczną,
podobnie jak w układach scalonych, również w strukturach mikromechanicznych
stosowany jest jako izolator (przerwa energetyczna 8 eV). Jest również mniej niż krzem
podatny na trawienie oraz sprężysty (moduł Younga 73 GPa), dlatego chętnie stosuje się go
do budowy belek lub membran.
Materiałem często używanym w technologii mikromechanicznej jest też azotek
krzemu Si3N4 chroniący przed zanieczyszczeniami przez jony. Materiał ten jest lepszym
51
cieplnym izolatorem niż polikrzem, ale gorszym niż SiO2. Nawet cienkie (250 nm)
membrany Si3N4 posiadają wysoką wytrzymałość mechaniczną przy dużych wstrząsach
[3.2]. Ponieważ Si3N4 wykazuje naprężenia rozciągające, a SiO2 naprężenia ściskające, to
poprzez zmianę grubości i konstrukcji wielowarstw SiO2 i Si3N4 można zredukować
wielkość tych naprężeń.
Potrzeba detekcji gazu w wysokich temperaturach skłania ośrodki naukowe do
poszukiwań nowych materiałów. Standardowe membrany wykonane są z Si3N4 lub SiO2,
dla których temperatura działania ograniczona jest do około 550oC. Do wyższych
temperatur (800oC) stosowany może być węglik krzemu SiC, zarówno jako grzejnik, jak
i struktura membrany [3.3]. Materiał ten stosuje się ze względu na twardość, wysoką
odporność termiczną, mechaniczną i stabilność w wysokich temperaturach.
3.1.1. Tworzenie warstwy SiO2
Wytworzenie warstwy SiO2 następuje w procesie termicznego utleniania krzemu.
Utlenianie może odbywać się w atmosferze tlenu suchego lub wilgotnego (szybszy proces).
Funkcją warstw tlenkowych jest maskowanie oraz pasywowanie powierzchni krzemu, czyli
ochrona przed zanieczyszczeniami i zmniejszenie ilości stanów powierzchniowych [3.4].
Aby osadzić warstwy SiO2 na innym niż krzemowe podłożu, wykorzystuje się proces
zwany chemicznym osadzaniem z fazy gazowej CVD (ang. Chemical Vapor Deposition).
W procesie tym chemiczne składniki warstwy są dostarczane do reaktora jako mieszanina
gazów. Podłoże jest ogrzewane do temperatury, która wymusza reakcje pirochemiczne
i formowanie warstwy. Ze względu na warunki ciśnienia wyróżniamy dwa rodzaje
chemicznego osadzania. W systemach z ciśnieniem atmosferycznym (ang. Atmospheric
Pressure CVD) stopień wzrostu jest o wiele wyższy niż w systemach z niskim ciśnieniem
(ang. Low Pressure CVD), ale osadzane warstwy są mniej jednorodne. Proces CVD jest
także stosowany w celu osadzania grubych (>1.5 µm) warstw tlenku, lub kiedy podłoże nie
może być w prosty sposób utleniane termicznie. Poprzez CVD na warstwie SiO2 osadzony
może być też metal, polikrzem, Si3N4 i in. [3.5].
Specjalną odmianą techniki osadzania chemicznego CVD jest epitaksjalny wzrost
warstw. Epitaksja jest rozumiana jako wytwarzanie cienkiej warstwy półprzewodnika
monokrystalicznego na podłożu monokrystalicznym z zachowaniem ciągłości budowy
krystalicznej. Warstwy epitaksjalne mają identyczną orientację krystalograficzną co
podłoże, ale mogą mieć inne właściwości elektrofizyczne (np. różnego rodzaju
przewodnictwo typu „n” lub „p”, różną koncentrację domieszek) [3.4].
52
Wiele warstw nie jest termicznie stabilnych w temperaturach używanych zwykle
przy konwencjonalnym osadzaniu CVD. Aby zredukować temperaturę osadzania
wykorzystuje się proces zwany nanoszeniem chemicznym ze wspomaganiem plazmowym
PECVD (ang. Plasma-Enhanced CVD). W rezultacie uzyskuje się lepsze pokrycie warstwy.
Wadą warstw PECVD jest znaczący udział wodoru i mniejsza niż w procesie CVD gęstość
powstałych warstw. Degraduje to właściwości elektryczne i mechaniczne materiału [3.5].
Przygotowane podłoże krzemowe może posłużyć dalszym procesom wytwarzania podłoża
mikromechanicznego.
3.1.2. Domieszkowanie
W przypadku membran i belek mikromechanicznych istnieje potrzeba zmiany
właściwości
warstw
przez
wprowadzenie
odpowiednich
domieszek.
Proces
domieszkowania dokonywany jest poprzez dyfuzję termiczną lub implantację jonów.
Dyfuzja termiczna jest osiągana przez ogrzanie płytek krzemowych w piecu
wysokotemperaturowym (1000oC) i przepuszczenie strumienia gazu zawierającego
domieszki w poprzek powierzchni płytki Si. Wskutek chaotycznego ruchu cieplnego, atomy
domieszki dyfundują w głąb podłoża z obszarów o wyższej koncentracji do obszarów
o niższej koncentracji domieszki.
Implantacja jonów wprowadza domieszki poprzez bombardowanie płytki
krzemowej strumieniem jonów rozpędzonych w silnym polu elektrycznym. Proces ten nie
wymaga wysokich temperatur.
W przypadku czujników mikromechanicznych podłoże najczęściej domieszkuje się
borem. Ma to na celu powstanie warstwy domieszkowanej p+Si, w której proces trawienia
następuje wolniej niż w podłożu. Zjawisko to nazywane jest „stopowaniem trawienia”
i może służyć określaniu grubości membrany/belki.
3.1.3. Litografia
Litografia jest techniką służącą wykonaniu wzoru projektowego na podłożu. Wzór
maski jest przenoszony na powierzchnię podłoża poprzez materiał promienioczuły.
Promieniowaniem mogą być fale optyczne, rentgenowskie, strumień elektronów lub
jonów. Kiedy nanoszenie wzoru odbywa się przy pomocy fal optycznych, wówczas materiał
światłoczuły potocznie nazywany jest fotorezystem, a cały proces fotolitografią. Emulsja
fotorezystu zostaje równomiernie rozłożona na powierzchni i wysuszona (rys.3.1a).
53
Rys.3.1. Procesy wytwarzania struktur mikromechanicznych (membrany) techniką
fotolitografii
Następnie powierzchnię naświetla się promieniowaniem UV przez specjalną maskę
kontaktową (płaszczyzna szklana pokryta chromową warstwą wzoru – rys.3.1b).
Po wywołaniu i utrwaleniu warstwa światłoczuła ochrania tylko część „maskowaną” - wzór
maski zostaje przeniesiony na fotorezyst. Kwas fluorowodorowy HF wytrawia tzw. „okna”
trawienia w odsłoniętej części warstwy SiO2 (rys.3.1c). Szerokość okna wpływa na kształt,
który zostanie wytrawiony. Dla wąskiego okna powstanie rowek typu V, podczas gdy dla
szerokiego okna może zostać utworzony otwór przelotowy bądź membrana w zależności od
obecności warstwy stopującej trawienie i czasu trawienia (rys.3.1e).
54
3.1.4. Trawienie
Trawienie anizotropowe (zależne od orientacji krystalograficznej) skutkuje
powstaniem pochyłych ścian (o kącie 54,74o), co w połączeniu z szerokością otwarcia
maski trawienia determinuje ostateczną wielkość otworu lub V-rowka (rys.3.1e).
Za grubość membrany odpowiada selektywnie zapobiegająca trawieniu warstwa stopująca
(ang. stop etching layer), jak również czas trawienia. Spotyka się trawienie suche lub
mokre (chemiczne). Najczęściej stosowanymi środkami chemicznego trawienia są HF dla
SiO2 oraz KOH, NaOH, EDP (Etylenodiamina-Pyrokatehol) dla warstwy Si [3.6].
Do trawienia suchego można zaliczyć fizyczne odparowanie, trawienie reaktywnymi
jonami RIE (ang. Reactive Ion Etching) oraz trawienie plazmą [3.5]. W odróżnieniu od
trawienia suchego, procesowi chemicznemu można poddać kilka płytek krzemowych
równolegle. Trawienie mokre cechuje wysoka selektywność, jest jednak trudniej je
kontrolować (przez domieszkowanie podłoża, jakość maski) i jest ono bardziej szkodliwe
dla środowiska.
3.2. Podział technologii mikromechanicznych
Technologie wytwarzanie układów mikromechanicznych można podzielić na
mikromechanikę objętościową i powierzchniową. Mikromechanika objętościowa została
rozwinięta w latach 70. jako rozszerzenie techniki układów scalonych w celu stworzenia
struktur 3D - procesy trawienia obejmują w niej podłoże, natomiast w mikromechanice
powierzchniowej trawione są jedynie cienkie warstwy nałożone na podłoże.
3.2.1. Mikromechanika objętościowa
Głównym problemem w integracji podłoży mikromechanicznych z czujnikami gazu
na bazie tlenków metali jest temperatura działania. Poszukiwano takiego konstrukcyjnego
rozwiązania podłoża, które zapewniałoby stosunkowo niewielki pobór mocy i optymalny
rozkład temperatury (jednorodny rozkład temperatury na niewielkiej powierzchni).
Semancik
[3.7]
rozwiązał
ten
problem
w
1993
roku
przez
zastosowanie
cienkowarstwowego włókna jako grzejnika na dielektrycznej membranie podwieszonej na
belkach i stworzył tym samym strukturę nazywaną membraną typu „hot-plate”
lub „spider” (rys.3.2). Zaletą tego rozwiązania jest kompatybilność z technologią CMOS,
bowiem procesy prowadzone są na wierzchniej stronie płytki krzemowej. Ponadto
membrany hot-plate z powodzeniem mogą być stosowane jako elementy matrycy
czujników gwarantując kontrolę dystrybucji ciepła na poszczególnych membranach
w sposób niezależny.
55
Rys.3.2. Budowa membrany typu „hot-plate”
Drugim rodzajem membrany jest konstrukcja zamknięta (rys.3.3). Rozwiązanie to
wymaga zastosowania fotolitografii i trawienia po dolnej stronie płytki krzemowej. Etapy
wytwarzania tego typu membrany ilustruje rys.3.1.
Rys.3.3. Budowa membrany typu zamkniętego
Grzejnik umieszczony w membranie wykonuje się najczęściej z platyny lub
polikrzemu. Czasami stosowane są dodatkowe warstwy z materiałów o dużej przewodności
cieplnej (np. Al lub Si) umieszczone na dolnej stronie membrany. Dzięki nim pole
rozkładu temperatury jest bardziej jednorodne.
W procesach mikromechaniki objętościowej wytwarzane mogą być również
elementy zwane mikrobelkami stosowane powszechnie w mikroskopach sił atomowych
AFM (ang. Atomic Force Miscroscope). Na rys.3.4 przedstawiono belkę podpartą
wytwarzaną w procesie anizotropowego głębokiego trawienia.
56
Rys.3.4. Etapy powstawania belki jednostronnie podpartej
W pierwszej fazie następuje utlenianie termiczne płytki w celu wytworzenia
warstwy SiO2 maskującej trawienie. Po wytworzeniu okna odpowiadającego długości belki
(fotolitografia I) płytka poddawana jest trawieniu (np. HF), a następnie silnemu
domieszkowaniu p+ w obszarze okna. Ponownie nakładana jest maska, tym razem nieco
przesunięta (fotolitografia II). Anizotropowe trawienie KOH powoduje uwolnienie belki.
3.2.2. Mikromechanika powierzchniowa
Proces wytwarzania w mikromechanice powierzchniowej nie obejmuje podłoża dotyczy jedynie osadzonych na podłożu cienkich warstw. Na krzem nałożona zostaje
warstwa poświęcona (ang. sacrificial layer) (rys. 3.5a), w której wytrawia się miejsce pod
„zaczep” belki. Następnie nanoszona jest warstwa strukturalna o długości belki (rys. 3.5b).
W
celu
rozpuszczenia warstwy poświęconej tlenku wykorzystywany jest kwas
fluorowodorowy HF powodujący uwolnienie belki (rys. 3.5c).
57
Rys.3.5. Schemat wytwarzania mikrobelki metodami mikromechaniki powierzchniowej
Najczęściej warstwą poświęcaną (trawioną) jest SiO2, a materiałem strukturalnym
polikrzem, jednak gdy zachodzi potrzeba izolacji jako belki używa się Si3N4. Istnieją
również rozwiązania, w których jako warstwa strukturalna stosowany jest Al, natomiast
fotorezyst jest warstwą poświęconą. W tym przypadku uwolnienie warstwy Al dokonane
zostaje przez usunięcie fotorezystu za pomocą trawienia plazmą.
Maksymalna grubość warstw strukturalnych w tradycyjnej mikromechanice
powierzchniowej jest ograniczona do 10 µm z powodu naprężeń, które mogą prowadzić do
uszkodzeń podczas procesów technologicznych. Co więcej, istnieją ograniczenia szybkości
procesu. Wolny stopień osadzania w tradycyjnych metodach, takich jak CVD można
zastąpić szybszym osadzaniem warstw dzięki technikom ablacji laserowej (ang. PLD Pulsed Laser Deposition) [3.5].
3.3. Pomiar koncentracji gazu metodą rezonansu i odchyleń
mikrobelki
Struktura belki może być wykorzystana jako podłoże dla wytworzenia czujnika
gazu. W rozwiązaniu takim zmiany częstotliwości rezonansowej (tryb dynamiczny) lub
odchylenia
belki
(tryb
statyczny)
spowodowane
będą
przyrostem
masy
belki
o zaadsorbowane cząstki gazu. Dla prostego czujnika na belkach o masie rzędu około 10-9–
10-6 g minimalna rozpoznawalna zmiana masy może być nawet rzędu 10-12 g [3.8].
W celu poprawienia odbicia wiązki lasera podczas pomiaru częstotliwości drgań
powierzchnię belki pokrywa się warstwą Cr/Au. Wyniki modelowania i symulacji w pracy
[3.9] pokazują, że częstotliwości rezonansowe maleją liniowo ze wzrostem adsorbowanej
58
masy. Dla mikrobelki o stałej sprężystości k, częstotliwość rezonansowa f0 jest odwrotnie
proporcjonalna do pierwiastka z masy efektywnej belki wg zależności:
f0 =
1
2π
k
.
meff
(17)
Masę efektywną wylicza się ze wzoru:
meff = n0 mb ,
(18)
gdzie n0 - współczynnik geometryczny, mb – masa belki.
Dla mikrobelki o przekroju prostokątnym o szerokości w, długości l, grubości d
i współczynniku geometrycznym n=0,24 częstotliwość rezonansowa wynosi:
f0 =
Ewd 3
,
4l 3 n0 mb
1
2π
(19)
gdzie E - moduł Younga belki.
Przyrost masy może być opisany poniższym równaniem:
∆m =
 1
1 

−
,
4π 2 n0  f 1 2 f 0 2 
k
(20)
gdzie f1- częstotliwość rezonansowa belki po adsorpcji gazu, f0- częstotliwość belki
nieobciążonej [3.10].
Oprócz rejestracji obecności gazu metodą rezonansową, można również dokonywać
pomiaru statycznego odchyleń mikrobelki. W metodzie tej rejestrowane jest ugięcie belki
na skutek adsorpcji gazu na materiale aktywnym umieszczonym na wierzchniej stronie, co
przedstawia rys.3.6. Typowe rozmiary mikrobelek w modzie statycznym (pomiar
odchylenia) to: grubość 0,2-1 µm, szerokość 20-100 µm i długość 100-500 µm.
Konstrukcje te pozwalają na pomiary naprężeń powierzchni w bardzo małym zakresie
rzędu mN/m. Metoda odchyleń jest dokładniejsza od metody rezonansowej. W dodatku
może być stosowana zarówno dla gazów, jak i dla cieczy. W przypadku cząstek lotnych
odchylenie może być rejestrowane na poziomie poniżej 10-10 m [3.11], dla cieczy
rozdzielczość pomiaru jest jeszcze większa.
59
Rys.3.6. Odchylenie mikrobelki na skutek adsorpcji gazu
Kiedy naprężenia po obu stronach belki będą różne ( σ 2 > σ 1 ) nastąpi ugięcie,
które może być charakteryzowane przez promień krzywizny R. Efekt powierzchniowych
naprężeń określa równanie Stoneya:
1 6(1 − v)
=
(σ 1 − σ 2 ) ,
R
Ed 2
(21)
gdzie v - współczynnik Poissona, E - moduł Younga belki, d – grubość belki.
Promień krzywizny przekłada się na odchylenie końcówki belki z=l2/2R, stąd:
z max
3l 2 (1 − v )
=
(σ 1 − σ 2 ) ,
Ed 2
(22)
gdzie: l – efektywna długość belki, σ – naprężenie.
Różnica
naprężeń
powierzchniowych
jest
w
pierwszym
przybliżeniu
proporcjonalna do liczby zaadsorbowanych cząstek, dlatego także do całkowitej dodanej
masy ∆m ,
∆σ = c1∆m
(23)
gdzie c1 – stała zależna od współczynnika lepkości adsorbowanych molekuł.
Maksymalne odchylenie zmax można wyrazić poprzez wzrost masy:
60
z max = c1
3l 2 (1 − v )
∆m
Ed 2
(24)
Ugięcie belki można mierzyć za pomocą pomiaru zmiany kąta odbicia promienia
laserowego od belki (metoda optyczna). W skład urządzenia pomiarowego wchodzi dioda
laserowa, system ogniskowania, filtry oraz detektor pozycji PSD (ang. Position Sensor
Detector) jak przedstawiono na rys.3.7.
Rys.3.7. Schematyczny układ do pomiaru wychylenia belki
Urządzeniem PSD jest najczęściej linijka fotodiod użyta do zbierania odbitego
światła lasera. Prąd wyjściowy fotodiody zależy liniowo od odchylenia mikrobelki. Filtr
optyczny umieszczony przed fotodiodą służy do selekcji oczekiwanej długości fali.
Odchylenie belki można wyrazić poprzez zmianę pozycji na detektorze PSD:
z max =
x
l,
h
(25)
gdzie h - odległość belki od fotodiody, x – przesunięcie strumienia światła na
fotodiodzie [3.11].
3.4. Realizacje czujników na podłożu mikromechanicznym w postaci
membran
Zasadniczo – z powodu złożonej aparatury pomiarowej – czujniki z belką ustępują
rozwiązaniu z membraną, przy czym membrana najczęściej służy jedynie zmniejszeniu
poboru mocy, a pomiar koncentracji dokonywany jest poprzez elektrody w sposób
61
klasyczny. Przykładem takiego rozwiązania jest sensor MGS 1100 firmy Motorola. Jest to
czujnik o budowie zamkniętej membrany (rys.3.8).
Rys.3.8. Czujnik MGS 1100 na membranie zamkniętej: (a) element mikromechaniczny
z warstwą aktywną, (b) przekrój przez obudowę
Impulsowo zasilany grzejnik polikrzemowy posiada w środku prostokątne wycięcie
stosowane w celu ujednorodnienia rozkładu ciepła. Warstwa gazoczuła SnO2 została
naniesiona w technologii RGTO. Filtr węglowy poprawia selektywność względem CO.
Pomiar odpowiedzi sensora dokonywany jest w omówionym wcześniej układzie
z dzielnikiem napięciowym.
Czujnik ten powstał na bazie licencji szwajcarskiej firmy Microsens, która również
może się poszczycić serią sensorów mikromechanicznych serii MSGS czułych na lotne
substancje organiczne, np. dym tytoniowy oraz CO/CH4 [3.12]. Istnieją zarówno
pojedyncze czujniki, jak również matryce złożone z czterech lub sześciu sensorów (rys.3.9).
62
a)
b)
Rys.3.9. Czujniki firmy Microsens: (a) pojedynczy czujnik MSGS 3000,
(b) MSGS 4000 z matrycą czterech sensorów [3.12]
Pierwszym w Polsce mikromechanicznym czujnikiem gazu wykorzystującym jako
podłoże membranę krzemową był sensor wytworzony we współpracy Katedry Elektroniki
AGH i Instytutu Technologii Elektronowej w Warszawie. Ogólny zarys czujnika
przedstawia rys.3.10.
Rys.3.10. Schemat ogólny mikromechanicznego czujnika wytworzonego we współpracy
AGH i ITE
Materiał gazoczuły został naniesiony na membranę krzemową (grubość membrany
rzędu kilku µm) w technologii cienkowarstwowej (grubość warstwy gazoczułej ok. 0,5 µm).
Kontakty
umieszczone
na
wierzchniej
stronie
zostały
połączone
bezpośrednio
z grzejnikiem Pt o rezystancji 18-22 Ω. Gotowe płytki krzemowe (rys.3.11a) zostały pocięte
piłą diamentową na pojedyncze układy (rys.3.11c), zamontowane w obudowie i poddane
testom. Rzeczywista pobierana moc dla temperatury 350°C wyniosła ok. 0.47 W
w powietrzu i ok. 0.31 W w próżni, co jest wynikiem korzystnym w stosunku do czujników
na podłożu ceramicznym [3.19].
63
Rys.3.11. Ostatni etap przygotowania czujnika w Katedrze AGH:
(a) Płytki krzemowe z gotowymi podłożami
(b) Membrany (widok od spodu płytki)
(c) Gotowy układ wycięty z płytki (widok od góry)
(d) Struktura podłoża zamontowana w obudowie TO5
Doświadczalnie
wykazano,
iż
aby
zapewnić
mały
pobór
mocy
należy
zminimalizować kontakt czujnika z obudową. Optymalnym rozwiązaniem byłoby
zawieszenie sensora na drutach, co z kolei zmniejszyłoby wytrzymałość mechaniczną
czujnika.
Źródła:
[3.1] http://memscyclopedia.org/Document/IntroMEMS.pdf.
[3.2] Brian Stark, MEMS Reliability Assurance Guidelines for Space Applications, Jet Propulsion
Laboratory, California Institute of Technology, Pasadena, JPL Publication 99-1,
chapter4:Material Properties,p.49-85
http://parts.jpl.nasa.gov/docs/JPL%20PUB%2099-1.pdf.
[3.3] Gregor Wiche, High Temperatur SiC Micro Hotplate for Gas Sensors
http://www-mat.ee.tu-berlin.de/files/research/start_research.htm.
[3.4] W.Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, s.78-85, WNT, Warszawa 1979.
64
[3.5] M. Mehregany and S. Roy, Microengineering Aerospace Systems, Chapter 1: Introduction to
MEMS, Microfabrication Laboratory, Electrical Engineering and Applied Physics, Case
Western Reserve University, Cleveland, Ohio
http://www.aero.org/publications/helvajian/helvajian-1.html.
[3.6] http://ece-classweb.ucsd.edu:16080/spring06/ece138L/etching_1_(general_&_wet).pdf.
[3.7] J. S. Suehle, R. E. Cavicchi, M. Gaitan, S. Semancik, Tin Oxide Gas Sensor Fabricated Using
CMOS Micro-Hotplates and In-Situ Processing, IEEE Electron Device Letters, 1993, 14, 3,
118-120.
[3.8] R. Berger, Microelectron Eng., 35, pp 373-379, 1997.
[3.9] Ijaz H. Jafri, Frank DiMeo Jr. , Experimental investigation, modeling, and simulations for
MEMS based gas sensor used for monitoring process chambers in semiconductor
manufacturing, National Institute of Standards and Technology Advanced Technology
Program, Cooperative Agreement Number 70NANB9H3018.
http://www.intellisensesoftware.com/papers/Experimental%20Investiga.pdf.
[3.10] Sarah S. Bedair, Gary K. Fedder, CMOS MEMS Oscilator fo gas chemical detection,
Department of Electrical & Computer Engineering and The Robotics Institute Carnegie
Mellon University, Pittsburgh USA
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?isnumber=30805&arnumber=1426330&coun
t=414&index=247.
[3.11] P.G. Datskos, Chemical Detection Based on Adsorption-Induced and Photo-Induced
Stresses in MEMS Devices, Oak Ridge National Laboratory, University of Tennessee
Knoxville
http://www.mnl.ornl.gov/Conferences/conf_4.pdf.
[3.12] http://www.microsens.ch/products.htm.
[3.13] http://download.siliconexpert.com/pdfs/quickdata/mot/mgs1100.rev2.pdf.
[3.14] http://metrology.hut.fi/courses/186/MEMS-Fujita.pdf.
[3.15] http://www.sameconference.org/same_2003/images/documents/tutorials/Tutorial_3_MEMS_P1.pdf.
[3.16] http://www.ktu.lt/lt/mokslas/zurnalai/mechanika/mech_52/Lendraitis252.PDF.
[3.17] http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk1/tape4/PQDD_0010/MQ60201.pdf.
[3.18] http://archiv.tu-chemnitz.de/pub/2006/0011/data/Stoney.pdf.
[3.19] W.Maziarz, Zintegrowany sensor gazów wytworzony w technologii mikromechanicznej,
Rozprawa doktorska, Katedra Elektroniki AGH, Kraków 2006 .
[3.20] Gardner, Julian W.; Varadan, Vijay K.; Awadelkarim, Osama O. Knovel, Microsensors,
MEMS, and Smart Devices, Publisher: John Wiley & Sons Copyright / Pub. Date: © 2001
ISBN: 978-0-471-86109-6 Electronic ISBN: 978-1-60119-081-9 No. Pages: 528
http://www.knovel.com/knovel2/Toc.jsp?BookID=1436&VerticalID=0.
65