Wzmacniacz 70 W z tranzystorami MOSFET

Transkrypt

Wzmacniacz 70 W z tranzystorami MOSFET
5
z Qrasy zagranicznej
'
.
re
J
Wzmacniacz 70 W z tranzystorami MOSFET
W miesięczniku ,,Elektor” (RFN) zeszyt specjalny „plus nr 1”,
został zamieszczony opis nowoczesnego wzmacniacza m.cz., '
przeznaczonego przede wszystkim do aktywnych zespołów
głośnikowych, ale mogącego służyć także,-jako oddzielny
wzmacniacz hi-fi. Układ ten nazwany ,,Mini-Cresendo”, opracowany w laboratorium ww miesięcznika, może być odwzorowany z zastosowaniem elementów i tranzystorów krajowych z
wyjątkiem tranzystorów mocy typu MOSFET, które nie mają
krajowych odpowiedników.
_
. .. ._ .
z „,.
l
H
_
TT' 0
j1
T---.lu-=:ga:
Duża wartość napięcia zasilającego sprawia, że układ może
być łatwo uszkodzony. W związku z tym należy przestrzegać
następujących zaleceń dotyczących uruchomienia układu:
I
O sprawdzić starannie prawidłowość montażu (zakłada się,
że wszystkie elementy przed ich wmontowaniem zostały
sprawdzone);
1
1
,
\
ÍÍ
100fiäf
“
7.5
:L
' _gyqfi
53-"
l
ÍŹ
ä
5 855488
1
l
. of
¿
,
.
.
zi:
i
'
1`
'iw
Š
-
~
;
Ĺ 4/(7
,,
M
ß~
Š
l-'3200
"i\ S2: *xx
_
'
V1
zza
zsiisinzsffio
Hitachi'
Ä
_í|___'_ zí-matt
'77'
Jí
Ń (Q 88550:
"TT
jeżeli wszystko zachowuje się nor-
i
0.-msv)
Ümalme,
- to usuwa się
- rezystory 10 Q,
R6' LQ
zakłada bezpieczniki topikowe B1 i B2,
przyłącza głośnik i przystępuje do prób
dynamicznych wzmacniacza, doprowadzając do wejścia sinusoidalny sygnał z
generatora lub inny sygnał testowy;
1:3-zae Ęu
/00
_
C3
8 „Ÿ,Ś
O0
.
_E200
. zbadać, czy wzmacniacz nie wzbudza
się i nie pojawiają się na jego wyjściu
przebiegiw.cz
~
'fiøøß j
Ĺ?
91/ ;_ .az
W
l
¿;__
j
gl
l
aüą
1 52.0
fr!-'_'
Wzmacniacz modelowy jest zmontowany
na płytce montażowe] o wymiarach
3 n 0 -4530r l 160× 100 mm, do której przytwierdzono
___._..__l kątownik aluminiowy 40x40 mm. Tranzystory T8, T10, T11 i T12 są zmontowane
na tym kątowniku. Do tego kątownika,
prostopadle do płytki, jest przymocowany żebrowany radiator
0 wymiarach 120 ×100 mm. Warto dodać, żé montaż płytki
wzmacniacza prototypowego jest bardzo ciasny i w wypadku
użycia elementów krajowych warto zastosować płytkę o nieco
większych wymiarach. Cewka L1 ma 2 × 10 zwojów nawiniętych drutem nawojowym ø 1 mm na rezystorze R6. Tranzystory są zmontowane na radiatorze na podkładkach izolacyjnych
(mikowych).
_
ë
777
1
_
Ę, ßrfiga
.ziT..
,
<\,
H?
zi GB „ .
Jka*
if 2 'H
,
s
4W
J
_ŻW
Łatwo można zauważyć, że.jeżeIi tranzystory T7 i T9 pracują w
zakresie niewielkich wartości napięć, to amplituda przebiegu
zmiennego na kolektorach tranzystorów T8 i T10 może osiągać wartość do 40+45 V, zależnie od wartości napięcia
zasilającego wzmacniacz, impedancji obciążenia i wysterowania. Ze względu na znaczną wartość mocy traconej w
tranzystorach T8 i T10 są one umieszczone na wspólnym
radiatorze z tranzystorami mocy (T11 i T12). System diod
zabezpiecza tranzystory mocy przed przesterowaniem i uszkodzeniem.
Rezystory R4 i Ę5 powinny mieć bardzo małą indukcyjność.
Zaleca się zastosowanie równolegle połączonych rezystorów
1 Q (po 5 sztuk). Pętla ujemnego sprzężenia zwrotnego jest
utworzona z rezystorów F_i1 i R2 oraz dwóch kondensatorów
zamykających drogę dla składowej stałej napięcia. Stosunek
rezystancji tych rezystorów ustala głębokość ujemnego
sprzężenia zwrotnego we wzmacniaczu. Fiezystorem nastaw-
I
0
1,
Dane techniczne wzmacniacza modelowego
Moc znamionowa przy obciążeniu 8 Q:
Moc znamionowa przy obciążeniu 4 Q:
Współczynnik zawartości harmonicznych
w pasmie 20 Hz -:-20 kHz:
Pasmo przenoszenia:
.
Znamionowe napięcie wejściowe:
50 W (max 70 W)
70 W (max 90 W)
Ś, 0,03%
`
5 Hz-:-55 kHz (-3
dB i impedancji
żródła 600 Q)
ok. 0,6 V
A W
|
~
26
`
1
›
i
.-.-,gnou'1_nuş.h-1_n f|-'gqui.-şl'I|\łk
şŁ.
m:-_ş._.|l;'‹.4n-|t'ln-I|i4=l›|i_ ~_
a
l
Š:
5
*ëë
.
'Ż Q5:B4
sl
j
1
Ę
" IHJM6'
'ng'("50
l
. sprawdzić napięcie stałe na wyjściu
wzmacniacza - nie powinno ono mieć
wartości większej niż 15 mV;
Hł`fü'C!li`
1M148
.
'
11
"33 2209 Ê-"
Č Ê'
l
1
_
a
+
Ya
y y 22011
Ê
) I
2011
1
*arms 1
1
zsrur/vazsraa
`
ÍJŰQ
smsa*
¿›,-470
]~1i0fi _ ` ‹'- fzwzrw
1
ÍŰÜQ
7”
' ~
3.„
"_',” "'”¬'å-
rg
:Ü
N
1.509
1
E1'
JJÅ'
1
565458
M09
M
. przyłączyć woltomierz równolegle do
rezystora założonego zamiast bezpiecznika B1 i powoli pokręcać rezystorem
nastawnym R3, tak aby woltomierz wskazał 1 V, co odpowiada prądowi 100 mA
płynącemu przez tranzystory mocy;
ZA
ĹŻJV)
- -I»
Q
y
--¬,
,O
1
“wav
3
acrsør
lI'f
włączyć napięcia zasilające i sprawdzić prawidłość rozkłagu napięć w obwodach pierwszych dwóch stopni (powinna być
zachowana odpowiednia symetria);
Ł
Q3
77
88.5588
l
T
F001!
en-gz;
i
Q wyjąć bezpieczniki (B1 i B2) i zastąpić je rezystorami o
rezystancji 10 Q (moc 0,25 W) oraz ustawić rezystor nastawny
R3 na minimum rezystancji;
~~
L T
Š
Š
C:| ŰRĆÍ Í
. ‹.7Å'3
.
1
1
'-
nym R3 ustala się wartość spoczynkową prądu przepływającego przez tranzystory mocy.
_
'
Jak wynika ze schematu, układ jest symetryczny, zasilany ze
żródła o napięciu ok. ±50 V. Pierwszy stopień wzmacniacza
zawiera symetryczny wzmacniacz różnicowy (T1, T2, T3, T4) i
dwa źródła prądowe (T5 i T6). Następny stopień zapewnia
bardzo duże wzmocnienie napięciowe. Jest on utworzony z
kaskadowo połączonych tranzystorów (T7, T8 oraz T9, T10).
1, __
`
~
Fladioelektronik M1989