Zagadnienia do zaliczenia wykladu

ELEMENTY i UKŁADY ELEKTRONICZNE
Zagadnienia do zaliczenia dla studentów na kierunku Mechatronika
1. Elementy i obwody elektroniczne.
1.1 Rezystory, kondensatory, indukcyjności, symbole, oznaczenia
1.2 Rezystancja, impedancja, admitancja, źródła zasilania dc, ac
1.3 I i II prawo Kirchhoffa. Analiza prostych obwodów.
2. Właściwości materiałów półprzewodnikowych (pp) i ich wykorzystanie
2.1 Budowa półprzewodników, nośniki ładunku elektrycznego
2.2 Półprzewodnik samoistny i domieszkowany, modele pasmowe
2.3 Prądy unoszenia i dyfuzji; generacja i rekombinacja nośników
2.4 Wpływ temperatury na parametry pp.; charakterystyki termistora
2.5 Wpływ oświetlenia na pp., krawędz absorpcji; fotorezystor
2.6 Wpływ pola magnetycznego na parametry pp.; hallotron
3. Złącze p-n, diody półprzewodnikowe, układy prostownika i stabilizatora napięcia
3.1 Model pasmowy złącza p-n, pojęcie bariery dyfuzyjnej
3.2 Model pasmowy złącza p-n przy różnych polaryzacjach zewnętrznych
3.3 Charakterystyka I-U złącza idealnego; wzór Shockleya
3.4 Diody rzeczywiste. Przebieg charakterystyki I-U diod z różnych półprzewodników
3.5 Parametry katalogowe (dopuszczalne i charakterystyczne) diody
3.6 Współczynniki temperaturowe charakterystyki I-U złącza p-n. Termometr diodowy.
3.7 Wpływ oświetlenia na złącze p-n; charakterystyki fotodiody i ogniwa słonecznego
3.8 Obwód prądu stałego z diodą. Wyznaczanie prostej pracy i punktu pracy
3.9 Model zastępczy diody dla małych sygnałów zmiennych
3.10 Złącza metal - pp.; dioda Schottky'ego – różnice odniesione do zł. p-n
3.11 Analiza pracy układów prostowników 1- i 2-połówkowych, także z filtrem C
3.12. Dioda Zenera. Stabilizator napięcia –zasada działania
3.13 Układy diod „obcinające” przebieg sinusoidalny
3.14 Polaryzacja (właściwy zakres charakterystyki I-U) wszystkich omawianych typów diod
4. Tranzystor bipolarny i układy wzmacniacza WE
4.1 Struktura fizyczna, symbole i oznaczenia tranzystora bipolarnego
4.2 Podstawowe rodzaje pracy i polaryzacji złącz tranzystora
4.3 Układy pracy aktywnej WE i WB oraz właściwa polaryzacja tranzyst. npn i pnp
4.4 Definicje wzmocnienia prądowego w układach WE, WB i WC
4.5 Charakterystyki wyjściowe tranzystora WE, definicja obszarów pracy.
4.6 Układ wzmacniacza WE – analiza prostej pracy i pkt. pracy na charakt. wyjściowych
4.7 Charakterystyki wejściowe i przejściowe tranzystora
4.8 Parametry dopuszczalne tranzystora, napięcia przebicia w układach WE i WB.
4.9 Tranzystor jako czwórnik liniowy, parametry małosygnałowe, model zastępczy [h]
4.10 Analiza wzmacniacza małych sygnałów w zakresie m.cz., cz
4.11 Wzmocnienie tranzystora w zakresie sygnałów w.cz.; częstotliwość fT.
4.12 Układ Darlingtona; wzmocnienie
4.13 Tranzystor bipolarny – klucz przełączający.
5. Tranzystory polowe (unipolarne): JFET, MOSFET i układy wzmacniaczy
5.1 Konstrukcja i zasada działania tranzystora polowego złączowego JFET
5.2 Charakterystyki wyjściowe i przejściowe I-U JFETa
5.3 Układ polaryzacji i punkt pracy wzmacniacz m.cz. z tranzystorem JFET
5.4 Tranzystory E-MOSFET i D-MOSFET, konstrukcja i zasada działania
5.5 Charakterystyki wyjściowe i przejściowe I-U MOSFETów
5.6 Zasada polaryzacji stałoprądowej i punkt pracy MOSFETa dla wzmacniacza m.cz.
5.7 Model zastępczy tranzystora FET dla małych sygnałów m.cz.
6. Przyrządy i układy przełączające i sterujące mocą: tyrystor, triak, diak, MOSFET
6.1 Zasada działania, charakterystyki prądowo-napięciowe i parametry tyrystora.
6.2 Układy pracy tyrystora i triaka regulujących moc w obciążeniu
6.3 Przebiegi prądów i napięć podczas pracy tyrystora i triaka układzie pracy.
6.4 Tranzystory przełączający mocy, wymagane parametry
6.5 Układ pracy przełącznika MOSFET
6.6 Tranzystor IGBT
7. Podstawowe układy scalone cyfrowe i analogowe
7.1 Cyfrowe układy scalone; parametry charakterystyczne tych układów.
7.2 Charakterystyka układów TTL. Parametry bramki NAND.
7.3 Charakterystyka układów CMOS; układ inwertera oraz bramki NAND
7.4 Porównanie ukladow cyfrowych wykonanych w technologiach TTL i CMOS
7.5 Pamięci półprzewodnikowe ROM, EEPROM
7.6 Ogólna charakterystyka pamięci SRAM i DRAM
7.7 Wzmacniacz operacyjny – parametry wzmacniacza idealnego i rzeczywistego
7.8 Podstawowe układy odwracający i nieodwracający. Wzmocnienie napięciowe.
7.9 Charakterystyka częstotliwościowa, pasmo przenoszenia.
7.10 Wzmacniacze klasy A i klasy B.