Układ komutacji zasilania linii rozmów wewnętrznych w zespołowym

121932
OPIS PATENTOWY
POLSKA
RZECZPOSPOLITA
LUDOWA
Patent dodatkowy
do patentu nr
Zgłoszono: 31.10.78
(P. 210646)
Int. Cl8.
H04M 19/00
Pierwszeństwo:
URZĄD
Zgłoszenie ogłoszono: 28.07.80
PATENTOWY
PR1
CZYTELNIA
Opis patentowy opublikowano: 09.12.1985
Twórcy wynalazku: Stanisław Kuta, Tadeusz Płatek, Tadeusz Gryba,
Ryszard Golański
Uprawniony z patentu: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława
Staszica, Kraków (Polska)
Układ komutacji zasilania linii rozmów wewnętrznych
w zespołowym aparacie telefonicznym
Przedmiotem wynalazku jest układ komutacji
zasilania linii rozmów wewnętrznych w zespoło¬
wym aparacie telefonicznym.
Stan techniki. Znany układ komutacji linii roz¬
mów wewnętrznych w zespołowych aparatach te¬
lefonicznych zawiera przekaźniki lub
kontaktrony, które pracują jako klucze. W systemie tym
każdy z aparatów zasilany jest oddzielnie poprzez
dławiki i rezystory ze źródła
stałego napięcia.
Sygnały zmienne przekazywane są z jednego apa¬
ratu do drugiego przy pomocy dwóch kondensa¬
torów, łączących układy rozmowne tych apara¬
tów. Układy rozmowne poszczególnych aparatów
są rozdzielone od siebie galwanicznie. Niedogod¬
nością opisanego układu jest jego duży gabaryt i
ciężar oraz mała niezawodność i konieczność prze¬
prowadzania częstej konserwacji.
Istota wynalazku. Układ komutacji zasilania linii
rozmów wewnętrznych w systemie zespołowych
aparatów telefonicznych zawiera każdą linię roz¬
mów wewnętrznych zasilaną z oddzielnego syme¬
trycznego bloku zasilania.
Każda
wewnętrznych, jest połączona
przez
oddzielny
klucz
linia
dwa symetryczne
10
z
Do drugiego bieguna elektronicznego klucza jest
podłączony
lektor
15
20
121 932
klucza.
Natomiast
p-n-p jest połą¬
emiterem
tranzystora
bazy tych tranzysto¬
sterującego jest
połączony z bazą tranzystora
n-ip^n. Baza tranzystora sterującego jest połączona
z kolektorem pomocniczego
tranzystora,
którego
baza łączy się ze źródłem napięcia
odniesienia.
Emiter pomocniczego tranzystora
jest połączony,
poprzez rezystor, z wyjściem bramki NAND, B na
25
laryzowane bazy wejściowych tranzystorów steru¬
ze
wyjście
spolaryzowana baza tranzystora
rów są złączone rezystorem. Kolektor tranzystora
każdym
kondensatory,
tranzystora n-p-n, którego ko¬
drugie
sterującego, a jednocześnie
zasilające, z których
poprzez
emiter
stanowi
czona, poprzez rezystor, z
każdy zawiera po dwie pary tranzystorów n-p-n
i p-n-p, złączonych w układzie Darlingtona. Spo¬
jących są połączone,
poprzez kondensator. Do jednego bieguna
elektronicznego klucza jest podłączony
emiter
tranzystora p-ainp, którego kolektor stanowi wyjś¬
cie klucza.
galwanicznie, po¬
elektroniczny,
tory
ze sobą
rozmów
blokiem rozmownym. Symetryczny blok zasilania
ma
złączanymi emiterami
tranzystorów
roboczych.
Bazy wyjściowych tranzystorów sterujących
są
połączone, poprzez oddzielne mostki diodowe i
wyjściowe rezystory polaryzacji, z linią rozmów
wewnętrznych, z którą również łączą się bezpośred¬
nio kolektory wyjściowych tranzystorów robo¬
czych. Wyjściowe rezystory polaryzacji łączą się
wejście, której podaje się sygnał sterujący, służą¬
cy do załączania klucza. Blok rozmówmy ma sta¬
bilizator zbudowany na tranzystorze n-p-n, któ¬
rego baza złączona poprzez rezystor z kolektorem,
jest połączona poprzez diodę
30
nym wejściem bloku.
stabilizacyjną z jed¬
Wejście to jest
połączone
121 932
również, poprzez rezystor, z emiterem a poprzez
kondensator z kolektorem tego tranzystora. Kolek¬
tor tranzystora jest połączony poprzez pierwszą
diodę seperacyjną z aparatem rozmownym, łączą¬
cym się poprzez drugą diodę seperacyjną, z dru¬
gim wejściem bloku.
Zaletą układu komutacji zasilania linii rozmów
wewnętrznych w
zespołowym
aparacie telefonicz¬
nym, według wynalazki, jest wyeliminowanie uciążliwych przekaźników a ponadto układ odzna¬
cza się dobrą symetrią i małym tłumieniem syg¬
nałów akustycznych. W układzie może istnieć do¬
wolna
liczba
linii
rozmów wewnętrznych,
a
ściowego tranzystora sterującego T8 jest połączo¬
na z katodą mostka diodowego M,, którego anoda
łączy się, poprzez rezystor R4, z ujemnym wyj¬
ściem bloku zasilania 4. Katoda mostka diodowego
5 Mj jest połączona poprzez kondensator elektroli¬
tyczny Cs z anodą mostka diodowego M2. Do do¬
datniego bieguna wejściowego komplementarnego
klucza elektronicznego 2 jest podłączony emiter
tranzystora p-n-p T9, którego kolektor stanowi je10 dno wyjście klucza 2. Ujemny biegun wejściowy
klucza elektronicznego 2 jest połączony z emite¬
rem tranzystora n-p-n T10, którego kolektor sta¬
na
nowi drugie wyjście klucza 2. Spolaryzowana ba¬
za tranzystora p-n-p T9 łączy się, poprzez rezy-
każdej z tych linii moje być prowadzona równo¬
cześnie jedna rozmowa, przy czym ilość linii za-
15 stor R5 z emiterem tranzystora sterującego Tu, a
lfŻŁjPd., jfości rozmów prowadzonych równoeześ-
jednocześnie bazy tych tranzystorów T9 i Tu są
ł Objaśnienie rysunków. Przedmiot
jpst uwidoczniony w przykładowym
złączone rezystorem R$. Kolektor tranzystora ste¬
wynalazku
wykonaniu
na rryśftwteu, na którym fig. 1 przedstawia
sche-
maSjalfekowy układu, złożonego z dwóch układów
20
rozmownych, fig. 2 — schemat ideowy symetryczne¬
go bloku zasilania linii rozmów
wewnętrznych,
fig.
komplementar¬
3 —. schemat ideowy klucza
nego, a fig. 4 — schemat ideowy zmodyfikowane¬
go bloku rozmownego.
ście której podaje się sygnał sterujący, służący do
załączania klucza 2.
Przykład wykonania. Układ
rozmowne 1, połączone
25
rującego Tu jest połączony ze spolaryzowaną ba¬
zą tranzystora n-p-n T10. Baza tranzystora sterującego Tu jest połączona z kolektorem pomoc¬
niczego tranzystora T^, którego baza łączy się ze
źródłem napięcia odniesienia Ur. Emiter pomocni¬
czego tranzystora T12 jest połączony, poprzez re¬
zystor R7, z wyjściem bramki NAND B, na wej-
zawiera
dwa bloki
każdy poprzez oddzielny
komplementarny klucz elektroniczny 2, z oddziel¬
ną linią rozmów wewnętrznych 3, przy czym każ¬
dy komplementarny klucz tranzystorowy 2 jest
sterowany ze źródła sygnału sterującego Vs. Każ¬
da linia rozmów wewnętrznych 3
jest zasilana z
oddzielnego
bloku
zasilania
symetrycznego 4,
które zasilane są ze źródła napięcia stałego Uz.
Wejściowy biegun dodatni bloku symetrycznego za¬
silania 4 jest połączony bezpośrednio ze złączony¬
mi kolektorami wejściowych tranzystorów typu
Blok rozmowny 1 zawiera stabilizator zbudowa¬
ny na tranzystorze n^p-n T18, którego baza łączy
się poprzez diodę stabilizacyjną D2 z jednym z
30 wejść <bloku 1, które również łączy się; poprzez
rezystor R8 z emiterem, a
poprzez kondensator
elektrolityczny C4 z kolektorem tranzystora T13.
Kolektor tranzystora Ti* łączy się, poprzez rezy¬
stor R9 z bazą tranzystora T18, a poprzez diodę D2
35 z jednym z wejść aparatu rozmownego A. Drugie
wejście aparatu rozmownego A jest połączone po¬
przez diodę D8 z drugim wejściem bloku rozmow¬
nego 1.
Działanie układu komutacji zasilania linii roz-
n-p-n Tx T2, tworzących układ Darlingtona, a po¬
przez rezystor Ri z bazą wejściowego tranzystora
sterującego T2. Baza wejściowego tranzystora
sterującego T2 jest połączona również, poprzez kon¬
densator elektroniczny €h ze złączonymi emiterami
wejściowego tranzystora roboczego Tx i wyjścio¬
wego tranzystora roboczego Ts, Złączone kolekto¬
ry wyjściowych tranzystorów T8 i T4 typu p-n-p,
tworzących układ Darlingtona, są połączone z wyj¬
40
Odbywa się to przez podanie sygnału sterującego
odpowiadającego logicznej „1" na wejście bramki
ściem dodatnim bloku zasilania 4; Baza wyjścio¬
wego tranzystora sterującego T4 jest połączona z
anodą mostka diodowego M2, którego katoda łączy
się poprzez rezystor R2 z dodatnim wyjściem blo¬
mów wewnętrznych w systemie zespołowych apa¬
ratów telefonicznych, według wynalazku, polega
na tym, że w celu nawiązania rozmowy między
dwoma aparatami należy bloki rozmowne 1, do¬
łączyć do wybranej, wolnej linii rozmów wewnę45 trznych 3, za pomocą klucza komplementarnego 2.
NAjND B z otwartym kolektorem. Wyjście bram¬
ki B przyjmuje stan logiczny „0" i wtedy zostaje
50 wysterowany pomocniczy
tranzystor
n-p-n T^
PrĄd. kolektora tego tranzystora Ttt. steruje tran¬
ku 4.
zystorem sterującym p-n-p Tu jako kluczem kom¬
Wejściowy biegun, ujemny bloku symetrycznego
zasilania 4 jest połączony bezpośrednio ze złączo¬
nymi kolektorami wejściowych tranzystorów T5, T6
plementarnym. Prąd kolektora i emitera tranzy¬
stora sterującego Tw spowoduje nasycenie tranzy-
53 stórów li, T10, pracujących jako klucze. W ten
sposób blok rozmowny 1 poprzez diody separujące
typu; p-n-p, tworzących układ Darlingtona, a po¬
przez rezystor R4 z bazą wejściowego tranzystora
D* Dj i źródło prądu zostaje przyłączony do wy¬
branej linii rozmów wewnętrznych 3. Aby ograni¬
sterującego T5r Baza wejściowego tranzystora ste¬
rującego Ts jest połączona również poprzez kon¬
densator elektrolityczny C2 ze złączonymi emite¬
rami wejściowego^ tranzystora roboczego T6 i wyj¬
ściowego, tranzystora roboczego T7. Złączone kolę&tory, wyjściowych, tranzystorów T7 Ta typu
w
czyć składową stałą prądu płynącego przez blok
rozmowny 1 zastosowano stabilizator prądu. Sta¬
bilizator ten zbocznikowany
jest
kondensatorem
elektrolitycznym C4, co zapewnia małą impedancję
nTp-n, tworzące układ. Darlingtona, są połączone z
dla składowej zmiennej prądu. Diody separacyjne
D8, D4 zabezpieczają blok rozmowny 1 przed zni-
ujemnym wyjściem bloku zasilania 4. Baza wyj¬
65 szczeniem przy współpracy systemu z liniami tele-
mm
fonicznymi abonenckimi, które dołączone są
do
bloku rozmownego 1. Przy braku tych linii diody
T5) są połączone, poprzez kondensatory (Cx C2h
ze złączonymi emiterami tranzystorów roboczych
(Tj T, i T6 T7), ponadto bazy wyjściowych tran¬
zystorów sterujących (T4 T8) są połączone poprzez
separujące D2 Da są zbędne.
W podobny sposób, do opisanego powyżej, nastę¬
puje dołączenie drugiego bloku rozmownego 1 do
tej sarniej linii rozmów wewnętrznych 3. Linia ta
jest zasilana ze źródła stałego napięcia Uz poprzez
symetryczny blok zasilania 4. W bloku zasilania
symetrycznego 4 od strony dodatniego i ujemnego
5
oddzielne mostki diodowe (Mj M2) i wyjściowe re¬
zystory polaryzujące (R2
R4) z linią rozmów we¬
wnętrznych (3), z którą również łączą się bezpo¬
średnio kolektory wyjściowych tranzystorów robo¬
czych (T8 T7>, przy czym wyjściowe rezystory po-
bieguna źródła zasilania Uż, znajdują się rezysto¬
laryzacji (R2 R4) łączą się ze sobą poprzez kon¬
ry dynamiczne Rł Rj, które zapewniają dużą re¬
zystancję dla przebiegów prądów zmiennych a ma¬
densator (Ct).
3. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że do
łą rezystancję dla przebiegu prądu stałego. Rezy¬
jednego bieguna klucza elektronicznego (2) jest
podłączony emiter tranzystora p-n-p (T9), którego
story Rj Rs pełnią funkcję rezystorów emiterowych dla układu Darlingtona, których kolektory
stanowią odpowiednie bieguny zasilania linii roz¬
mów . wewnętrznych 3. Mostki diodowe Mx M2 i
.rezystory R2 R4 zapewniają odpowiedni punkt pra¬
scy bloku zasilania 4, zabezpieczając go przed na¬
syceniem.
Układy
Darlingtona
są
połączone
po¬
kolektor stanowi wyjście klucza (2), zaś do jego
drugiego bieguna jest podłączony emiter tranzy¬
stora n-p-n (T10), którego kolektor stanowi dru¬
gie wyjście klucza (2), natomiast
jącego ffu), a jednocześnie bazy tych tranzysto¬
rów (T9 Tu) są złączone rezystorem (R6), przy
czym kolektor tranzystora sterującego (Tu) jest
połączony z bazą tranzystora n-p-n (T10), poza tym
przez kondensatory elektrolityczne Ca C2, powo¬
dujące wzrost impedancji symetrycznego bloku za¬
silania 4, przy zasilaniu linii rozmów wewnętrz¬
nych 3, dla składowej zmiennej prądu.
W podobny sposób, do opisanego powyżej, są za¬
silane
inne linie rozmów wewnętrznych
25
baza tranzystora sterującego (Tu) jest połączona z
kolektorem pomocniczego tranzystora (T^), które¬
go baza łączy się ze źródłem napięcia odniesie¬
nia <Ur), zaś emiter pomocniczego tranzystora (T^)
jest połączony poprzez rezystor (R7) z wyjściem
3 i po¬
dobnie jest organizowana na nich łączność.
Zastrzeżenia
spolaryzowana
baza tranzystora p-n-p (T9) jest połączona po2(J przez rezystor (R5) z emiterem tranzystora steru¬
patentowe
M" bramki NAND (B) na wejście której podaje
się
1. Układ komutacji zasilania linii rozmów we¬
wnętrznych w systemie zespołowych aparatów te¬
sygnał sterujący, służący do załączania klucza (2).
lefonicznych, znamienny tym, że zasilana z od¬
blok rozmowny (1) ma stabilizator zbudowany na
tranzystorze n-p-n <T18), którego baza, złączona re-
dzielnego symetrycznego bloku zasilania (4), każda
linia rozmów
wewnętrznych (3) jest połączona
'galwanicznie poprzez oddzielny klucz elektronicz¬
ny (2) z każdym blokiem rozmownym (1).
2. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że
symetryczny blok zasilania (4) ma dwa symetrycz¬
4. Układ
^
według zastrz.
1, znamienny tym,
że
zystorem (R9) z kolektorem, jest połączona po¬
przez diodę stabilizacyjną (DJ z jednym wejściem
bloku (1), do którego jest przyłączony, poprzez re¬
zystor (Rs), emiter a poprzez kondensator <C4) ko¬
lektor tego tranzystora (T1S), który również jest
ne tory zasilające, z których każdy zawiera
po
dwie pary tranzystorów n-p-n i p-n-p, złączonych
40 połączony, poprzez pierwszą diodę separacyjną (D2>
•w układzie Darlingtona, przy czym spolaryzowane
przez drugą diodę separacyjną (D3), z drugim wej¬
ihazy wejściowych
ściem bloku (1).
tranzystorów sterujących (Tt
z aparatem
rozmownym (A), łączącym się, po¬
121 932
z\-
Z\
Fig- 2.
, Us
2\
ts
"U^
//>3.
-tt-
C^
^t
•tf^ł
Hi
fus. 4
PZGraf.
Koszałki
A-2250 85
<Jena 100 zł
A-4