Biografia naukowa

M IKOŁAJ B ERCZENKO ( W P U B LI K A C J A C H – N I C O L A S B E R C H E N K O )
DANE PERSONALNE:
Data i miejsce urodzenia: 04 06 1943, m. Troick, obwód Czelabiński, ZSSR
WYKSZTAŁCENIE:
• studia wyższe - inżynier-elektryk 1965, Politechnika Lwowska,
• Doktor nauk fizycznych (Kandydat nauk z fizyki i matematyki) - 1973, Uniwersytet im. I. Franko we
Lwowie,
• Docent Wydziału Elektroniki Półprzewodnikowej - 1984, Politechnika Lwowska,
• Doktor habilitowany nauk fizycznych (Doktor nauk z fizyki i matematyki) -1992, Instytut Półprzewodników
w Kijowie,
• Profesor Wydziału Elektroniki Półprzewodnikowej -1994, Politechnika Lwowska.
Najważniejsze wyróżnienia:
• Dyplomy Rektora Politechniki Lwowskiej w rocznicę 150-lecia Politechniki Lwowskiej.
• Dyplom Ministra oświaty i nauki Ukrainy.
DOŚWIADCZENIE ZAWODOWE:
• 1965-1968 - inżynier fabryki telewizorów we Lwowie,
• 1968-1971 - aspirant Wydziału Fizyki Półprzewodników Uniwersytetu im. I. Franko we Lwowie,
• 1971-1977 - pracownik naukowy Wydziału Fizyki Półprzewodników Uniwersytetu im. I. Franko we
Lwowie,
• 1977-1980 - asystent Wydziału Fizyki Półprzewodników Uniwersytetu im. I. Franko we Lwowie,
• 1980-1993 - docent Wydziału Elektroniki Półprzewodnikowej Politechniki Lwowskiej,
• 1993 - Profesor Wydziału Elektroniki Półprzewodnikowej Politechniki Lwowskiej,
• 1999 - 2001 Profesor nadzwyczajny w Instytucie Fizyki Wyższej Szkoły Pedagogicznej w Rzeszowie ( od
2001 Uniwersytetu Rzeszowskiego).
• 2004 - Profesor zwyczajny w Instytucie Fizyki Uniwersytetu Rzeszowskiego.
KSZTAŁCENIE KADRY NAUKOWEJ:
MAGISTRZY FIZYKI:
Promotor -ogółem 40 obronionych prac magisterskich;
MAGISTRZY FIZYKI I TECHNOLOGII PÓŁPRZEWODNIKOWEJ –
Promotor- ogółem 20 obronionych prac magisterskich;
WYPROMOWANI DOKTORZY:
• Aleksander Jewstignjew, 1983,
• Igor Iżnin, 1983,
•
•
•
•
Jurij Jerochow, 1990,
Hanna Winnikowa 1994
Orest Malik, 1995.
Vitaliy Yakovyna 2002
RECENZJE ROZPRAW DOKTORSKICH -OGÓŁEM 22 OSÓB.
RECENZJE ROZPRAW HABILITACYJNYCH (DOKTORÓW NAUK Z
FIZYKI I MATEMATYKI):
• Ludmiła Karaczewcewa, "Czułe do podczerwieni rozczyny twarde CdHgTe: optymizacja technologiczna i
fizyczna parametrów i defektów struktury ", 1997, Kijów
• Alexander Własenko, "Procesy fotoelektryczne w rozczynach twardych CdHgTe przy transformacji
defektów systemu", 1999, Kijów
• Salim Gasan-Zade, „Zjawiska elektroniczne w półprzewodnikach z wąską i zerową przerwą energetyczną” ,
2004, Kijów
• Volodymyr Kunetz, „Ewolucja właściwości fizycznych w półprzewodnikach II-VI w zakresie rozmiarów
kwantowych”, 2004, Kijów
• Marian Galuszczak, „Defekty struktury i własności cienkich warstw półprzewodnikowych IV-VI”, 2004,
Sumy
• Oleksandr Chandożko, „Nadcieńkie odziaływania i stany domieszek i defektów w telurkach i monoselenkach
indu ta galu”, 2006, Tczerniowce
• Sergey Ostapov, "Złożone rozczyny twarde półprzewodników II-VI i detektorów podczerwieni z ich
wykorzystaniem"
Działalność edukacyjna
W ciągu ostatnich 5 lat prowadziłem wykłady z nastepujący przedmiotów: Podstawy elektroniki i techniki
obwodów elektrycznych, cz. I i II, Elektronika urządzeń medycznych, Elektronika komputerów, Fizyka i
chemia powierzchni i międzypowierzchni, Ekologia współczesnej energetyki, Bioenergetyka,
Ultrasonografia: podstawy fizyczne i metodologia badań.
Odpowiednio do Programy ERASMUS prowadziłem zajęcia w języku angielskim z przedmiotów "Digital
Electronics Basics and Design" i " Computer System Architecture" ( studenty Sakarya University"
OBSZARY BADAŃ NAUKOWYCH:
Fizyka i chemia powierzchni i interfejsu półprzewodnik-dielektryk i badania półprzewodników z wąską przerwą
energetyczną i wykorzystanie ich dla detektorów podczerwieni. Stosowanie technologii informacyjnych w
naukach przyrodniczych i dydaktyce.
Główne rezultaty badań naukowych:
•
•
Fizyka półprzewodników z wąską przerwą energetyczną dla detektorów podczerwieni
(HgCdTe, PbSnTe). Opracowano metodą charakteryzacji doskonałości struktury krystalicznej
próbek HgCdTe z analizy zjawisk transportowych i metodologię otrzymywania fal
uderzeniowych i trawienia jonowego i wykorzystano je jako alternatywę do termiznej obróbki
przy modyfikacji właściwości HgCdTe dla produkcji detektorów podczerwieni
Fizyka i chemia międzypowierzchni półprzewodnik-diełektryk. Za pomocą termodynamiki
klasycznej na przykładzie kryształów mieszanych
HgZnTe, HgMnTe, HgCdTe i
półprzewodników systemów In-Se i Ga-Se prodemonstrowano ścisły związek pomiędzy
chemicznym składem interfejsu własny dielektryk-złożony półprzewodnik a właściwościami
tych struktur w tym i parametry elektrycznymi, co jest koniecznie dla optymalizacji
przyrządów optoelektrycznych na tych materiałach.
UDZIAŁ W KONFERENCJACH MIEDZYNARODOWYCH:
W latach 1999 –2012 brałem czynny udział w 28 konferencjach naukowych międzynarodowych. Od 2005 w
następujących:
•
•
•
•
•
•
•
12th International Conference on Narrow Gap Semiconductors, Toulouse, France, 2005,
11th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis
(ECASIA’05), Wienna, Austria, 2005, p.376.
EXMATEC'06 Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials &
Technologies, 14-17 May 2006 р., Cadiz, Spain, p.OR-712
Excellence in Education 2008 conference: Future Minds and Creativity, Paris, France, 24 July 2008
12th European Conf. on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA’07),
Brussels–Flagey, 2007.
13th European Conf. on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA’09),
Antalya,Turkey, 2009
XX, XXI, and XXII International Scientific and Engineering Conferences on
Photoelectronics and Night Vision Devices, Moscow, 2008, 2010, 2012.
UDZIAŁ W REALIZACJI PROJEKTÓW BADAWCZYCH:
•
•
Od 1968 roku uczęstnicyłem w projektach, a od 1980 roku i aż do upadku ZSSR
kierowałem realizacją ogółem 10 projektów związanych z charakteryzacją
półprzewodników z wąską przerwą energetyczną, obróbką metodą pasywacji ich
powierzchni i wykorzystaniem do detekcji podczerwieni, zleconych przez Moskiewski
instytut fizyki stosowanej, Leningradzki Koncern Naukowo-produkcyjny"Pozitron",
Fabrykę Czystych Metali, m. Svetłowodsk.
W latach 1995-1996 kierowałem projektem "General features, mechanisms of formation
and properties of the II-VI and IV-VI small-gap semiconductors-native dielectric
interfaces" realizowanego w ramach Long-Term Research Grant Program for Ukrainian
Scientists of the the Joint Fund of International Science Foundation (Foundation of J.
Sores) and Government of Ukraine.
KRÓTKIE WIZYTY NAUKOWE:
2011,kwiecień –
tygodniowa wizyta na Autonomicznym Uniwersytecie w Madrydzie
LISTA PUBLIKACJI:
KSIĄŻKI
1.
2.
3.
4.
II-VI semiconductor solid solutions and their applications. Moscow, Vojenizdat (Military Press), 1982,
208 p, (w j. ros.), ( współaut. V.E Krevs., V.G. Sredin).
Internet Handbook. Catalog of Resources, Kiev: BHV Publishers, 1999. - 480 p. (w j. ros.) ISBN 966552-027-X (współaut. I. Berezovska.).
Blue-and-Yellow pages of Internet. Catalog of Resources, Lviv: Liga-Press, 2000. - 403 p. (in Ukrainian
and English ) ISBN 966-552-027-X (współaut. I.Berezovska.)
Procesory wielojądrowe: mikroarchitektura i właściwości stosowania Podręcznik, rekomendowany
przez Ministerstwo oświaty i nauki Ukrainy (list MON #1/11-8846 od 22.09.2010) (in Ukrainian), Wwo uniwersytetu technicznego im. Iwana Puluja w Ternopolu, 2011, 216 str. (współaut. I.Berezovska.)
ARTYKUŁY W CZASOPISMACH NAUKOWYCH O ZASIĘGU
MIĘDZYNARODOWYM : -OGÓŁEM 60 ARTYKUŁÓW I 7 PATENTÓW
(AVTORSKOJE SVIDETELSTVO SSSR), WŚRÓD NICH:
ARTYKUŁY PRZEGLĄDOWE
1.
2.
3.
4.
Mercury Telluride - a zero-gap semiconductor. Soviet. Physics. Uspechi. 1976, v.19, N.6, pp.462-480.
(współaut. M.V. Pashkovski)
Transport Anomalies in CdxHg1-xTe. Phys. Stat. Sol.(a). 1987, v.103, N.1, pp.11-28 ( z V.I. IvanovOmskii, A.I. Elisarov).
The chemistry of the compound semiconductor-intrinsic insulator interface. Russian Chemical Reviews.
1994, v.63, N.8, pp.623-639 (współaut. Yu.V Medvedev).
Analysis techniques for the evaluation of HgCdTe multicarrier transport parameters, Russian Applied
Physics, 2011, № 4, стр. 79-87 (współaut. A.I. Elisarov).
PRACE OPUBLIKOWANE W RECENZOWANYCH CZASOPISMACH
NAUKOWYCH W 2006-2011
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
N. Berchenko, I. Izhnin, V. Yudenkov, M. Pociask, V. Yakovyna Comparison of electrical properties of
HgCdTe subsurface layers formed by low energy ion beam milling or anodic oxidation Surface and
Interface Analysis, 2010,V 42, # 6-7, Pp 902 - 905, DOI: 10.1002/sia.3496.
N. N. Berchenko, K. Kurbanov, S. V. Fadeev Specifics of Hg-based narrow gap semiconductor
oxidation Surface and Interface Analysis, 2010,V 42, # 6-7, Pp 966 - 969, DOI: 10.1002/sia.3481.
N. N. Berchenko, M. S. Fruginskii, I. V. Kurilo, I. O. Rudyj, I. S. Virt Structural analysis of HgCdTe
and PbSnTe native oxide films, Surface and Interface Analysis 2008, V. 40, Issue 3-4 , P. 641 - 644
N. Berchenko, V. Bogoboyashchiy , I. Izhnin, Electrical properties of n-layers of narrow gap
semiconductors formed by low energy ion beam milling// Institute of Physics Conference Series v.187
Narrow Gap Semiconductors , 197-202
N. Berchenko, V. Bogoboyashchiy , I. Izhnin, V. Yudenkov, and M. Pociask Comparison of the p-to-n
conversion caused by ion beam milling or anodic oxidation/annealing in Hg1-xCdxTe and Pb1xSnxTe// Phys. Stat. Solidi. (c) –2007.-V.4, No. 4, 1438-1443
N. Berchenko, V. Yakovyna, M. Kuzma Influence of laser shock waves on As implanted HgCdTe//
Phys. Stat. Solidi. (c) –2007.-V.4, No. 4, 1570-1573
N.N. Berchenko, A.Y. Nikiforov, S.V. Fadeyev Oxidation of PbSnTe solid solutions and of PbSn
alloys// Surf. Interface Anal. 2006 v.38, pp. 518-521