Pracownia Elektroniczna :: Specjalizacja

Klasa
Nr w
dzienniku
Imię i nazwisko
Zespół Szkół Łączności
w Krakowie
Pracownia elektroniczna
Nr ćw.
Temat ćwiczenia
Data
1
Tranzystor polowy jako element
dzielnika napiecia
Ocena
Podpis
1. Zapoznać się z danymi katalogowymi tranzystora wykorzystywanego w badanym układzie.
2. Zestawić układ do zdejmowania charakterystyk wyjściowych tranzystora polowego ID = f( UDS ).
Wykonać pomiary umoŜliwiające wykreślenie charakterystyk.
3. Zestawić układ wg Rys. 1 i stosując metodę „punkt po punkcie” wyznaczyć następujące charakterystyki:
• UWY = f ( US ) dla UWE = ______ V, R1 = _______ kΩ,
• UWY = f ( UWE ) dla R1 = ______ kΩ, US = ______ , ______ , ______ , ______ V
4. Zestawić układ wg Rys. 2 przyjmując R2 = R3 = ______ kΩwyznaczyć następujące charakterystyki
• UWY = f ( US ) dla Uwe = ______ V, R1 = ______ kΩ,
• UWY = f ( UWE ) dla R1 = ______ kΩ, US = ______ , ______ , ______ , ______ V
5. Wykorzystując wyniki pomiarów z pkt. 2 dokonać obliczeń rezystancji statycznej dla kaŜdego punktu
pomiarowego. Na podstawie uzyskanych wyników obliczeń wykreślić ch-ki RD = f ( UDS ), gdzie RD jest
rezystancją zastępczą między drenem i źródłem tranzystora polowego.
U WY
RD
=
U WE R D + R1 , wyznaczyć zaleŜność
6. Korzystając z charakterystyk UWY = f ( US ) oraz zaleŜności
RD = f ( US ) dla UWE = const, R1 = const.
7. Korzystając z danych R1, UWE (tab. 3) oraz RD odczytanego z tab. 2 (dla zadanch wartości US) dokonać
obliczeń napięcia UWY dla teoretycznego dzielnika rezystancyjnego umoŜliwiających wyznaczenie ch-ki
UWY = f ( UWE ).
8. Wyniki przeprowadzonych pomiarów i obliczeń zestawić w tabelach i na ich podstawie wykreślić ch-ki.
Charakterystyki z tabeli 3 dla poszczególnych układów przedstawić na wspólnym wykresie.
9. Porównać dzielnik rezystancyjny z badanym, podać własne wnioski i wykaz uŜytych przyrządów.
R1
R1
R2
Uwe
Uwe
R3
Uwy
Uwy
Us
Us
Rys. 1
Rys. 2
Pracownia Elektroniczna 2009
Strona: 2
Pracownia Elektroniczna - Tranzystor polowy jako element dzielnika napiecia
1. Charakterystyki: ID = f (UDS)
UDS
V
0
0,1
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,4
2,6
2,8
3
3,2
3,4
3,6
3,8
4
UGS = ___ V
UGS = ___ V
UGS =___ V
ID
RD
ID
RD
ID
RD
mA
Ω
mA
Ω
mA
Ω
2. Charakterystyki: UWY = f (US), Rd = f
(US)
Układ wg. Rys. 1
Układ wg. Rys. 2
US
UWY
V
V
UWE = . . . . . . . . . V
R1 = . . . . . . . . . . Ω
RD
US
kΩ
V
UWY
RD
V
kΩ
3. Charakterystyki: UWY = f (UWE) dla R1 = . . . . . . . . . . . . Ω
Dzielnik z FET (Rys. 1)
Dzielnik rezystancyjny
Dzielnik z FET (Rys. 2)
Dzielnik rezystancyjny
US
RD (wg tabeli 2)
US
Rd (wg tabeli 2)
UWE
UWY
UWY
UWY
UWY
UWY
UWY
UWY
UWY
UWY
UWY
UWY
UWY
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Pracownia Elektroniczna 2009