Elektronika i Miernictwo
Transkrypt
Elektronika i Miernictwo
Załącznik Data: 16.04.2008r. Wydanie: I Symbol: Z-5.4-1-1 Strona: Status: obowiązujący 1/1 KARTA PRZEDMIOTU KARTA PRZEDMIOTU Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki, Rok akademicki: 2009/2010 Nazwa przedmiotu: Kod/nr ELEKTRONIKA I MIERNICTWO Kierunek: INFORMATYKA Specjalność: Tryb studiów: NIESTACJONARNE PIERWSZEGO STOPNIA (WIECZORÓWKA) Rodzaj przedmiotu: Instytut/ Katedra: Semestr: Prowadzący przedmiot: Prowadzący zajęcia: TECHNICZNY ELEKTRONIKI III i IV dr inŜ. Jacek Chęciński Liczba godzin Liczba pkt ECTS 7 Wykład: dr inŜ. Jacek Chęciński Wykład: 30 (sem III) Ćwiczenia: mgr inŜ. Artur Gintrowski Ćwiczenia: 15 (sem III) Laboratorium: dr inŜ. Sławomir Lasota, Laboratorium: 30 (sem IV) mgr inŜ. Adam Popowicz Projekt: Projekt: Seminarium: Seminarium: Powiązanie ze standardami i cel kształcenia Celem przedmiotu jest przekazanie słuchaczom podstawowej wiedzy z zakresu elementów i układów elektronicznych oraz urządzeń pomiarowych. Przedmioty wprowadzające oraz wymagania wstępne Student powinien posiadać wiedzę z zakresu fizyki i matematyki szkoły średniej i pierwszego roku studiów (zajęcia z semestru poprzedzającego wykład). Załącznik Data: 16.04.2008r. Wydanie: I Status: obowiązujący Symbol: Z-5.4-1-1 Strona: 2/1 KARTA PRZEDMIOTU Treść wykładów (wykłady odbywają się w auli C w sem. III): 1. Elementy bierne stosowane w elektronice: rezystor, warystor, termistor, potencjometr, kondensator, cewka, transformator. Charakterystyki, tolerancja wartości, zakres zastosowań. 2. Skala logarytmiczna, charakterystyki amplitudowe i fazowe. Dwójnik R-C i C-R jako filtr dolno i górnoprzepustowy. 3. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane. Złącze P-N. Dioda krzemowa rzeczywista (prostownicza, Zenera, pojemnościowa), charakterystyki prądowonapięciowe. Wpływ temperatury na prace złącza P-N. 4. Tranzystor bipolarny „pnp” i „npn”. Charakterystyki, wpływ temperatury na parametry tranzystora. Modele zastępcze (stan aktywny, odcięcia i nasycenia). 5. Prostowniki (pełno i półokresowy). ObciąŜenie R i RC. Wartość średnia i skuteczna napięcia. Powielacze napięcia (symetryczny i niesymetryczny). Stabilizatory napięcia. 6. Model małosygnałowy tranzystora bipolarnego (parametry macierzy „h” oraz macierzy „y”). Parametry wzmacniacza sygnałowego (Rwe, Rwy, Ku). 7. Napięciowy wzmacniacz tranzystorowy w układzie WE, WK, WB. Parametry (Rwe, Rwy, Ku) oraz zakres zastosowań. 8. Tranzystory unipolarne złączowe (j-FET) i z izolowaną bramką (MOSFET). Charakterystyki i model zastępczy. Polaryzacja tranzystora j-FET z kanałem typu „n” i kanałem typu „p”. Podstawowe układy pracy (wzmacniacz WS i WD). 9. Tranzystory unipolarne cd. Rodzaje tranzystorów MOSFET. Charakterystyki i modele zastępcze. Technologia V-MOS i D-MOS. 10. Wzmacniacze operacyjne idealne i rzeczywiste. Omówienie podstawowych parametrów. Wzmacniacz odwracający i nieodwracający. SprzęŜenia zwrotne dodatnie i ujemne oraz ich wpływ na parametry układu. 11. Wzmacniacze operacyjne cd. Wzmacniacz róŜnicowy (wzmacniacz przyrządowy). Układ całkujący i róŜniczkujący z idealnym wzmacniaczem operacyjnym. Komparator w układzie generatora napięcia prostokątnego. 12. Pomiary i błędy pomiarowe (błąd względny i bezwzględny). Sposoby pomiarów wielkości elektrycznych. Pomiary parametrów elementów elektronicznych (rezystora, cewki, kondensatora). 13. Uniwersalne mierniki elektroniczne. Woltomierz, amperomierz, omomierz, watomierz. Zakres pomiarowy. Automatyczna i ręczna zmiana zakresu. 14. Przetworniki A/C (kompensacyjne i bezpośredniego porównania). Szybkość działania przetworników. Zakres zastosowań. 15. Przetworniki A/C cd. Mikrokontroler jako uniwersalny układ pomiarowy (seria AVR). Załącznik Data: 16.04.2008r. Wydanie: I Symbol: Z-5.4-1-1 Strona: Status: obowiązujący 3/1 KARTA PRZEDMIOTU Treść ćwiczeń tablicowych (sala lekcyjna, ćwiczenia odbywają się w sem. III): Przykłady i zadania z zakresu: - równoległe i szeregowe łączenie elementów biernych, - tranzystor bipolarny „pnp” i „npn” - punkt pracy, - tranzystor bipolarny analiza małosygnałowa, - wzmacniacz operacyjny w układach pomiarowych. Program ćwiczeń laboratoryjnych (sem IV, sale 616 i 618): (sala 616) 1. Diody półprzewodnikowe (pomiary charakterystyk). 2. Tranzystor bipolarny (układ WE, pomiary charakterystyk). 3. Tranzystor polowy typu PN-FET (pomiary charakterystyk). 4. Półprzewodnikowe przyrządy optoelektroniczne (pomiary charakterystyk). (sala 618) 5. Układy prostownicze. 6. Generatory napięć sinusoidalnych. 7. Tranzystorowy wzmacniacz mocy. 8. Generatory napięć niesinusoidalnych. 9. Stabilizatory napięcia o działaniu ciągłym. 10. Pomiary parametrów wzmacniacza operacyjnego. Metody dydaktyczne Wykład: Prowadzący wykład wykorzystuje prezentacje multimedialne, takŜe przedstawia słuchaczom omawiane elementy i urządzenia. Laboratorium: Do kaŜdego laboratorium dołączona jest instrukcja lub skrypt. W materiałach znajduje się dokładny opis wykonywanego ćwiczenia oraz urządzeń wykorzystywanych do jego poprawnego wykonania. Dostępna jest równieŜ lista poruszanych zagadnień i kontrolnych pytań warunkujących dopuszczenie studentów do wykonania ćwiczenia. Grupa wykonuje dane ćwiczenie laboratoryjne w podziale na sekcje (2 lub 3 osobowe). Na kaŜdym stanowisku laboratoryjnym znajduje się uniwersalny tester zadawczy (regulowane siły prądo i elektromotoryczne), zestaw mierników uniwersalnych oraz oscyloskop dwukanałowy. W zaleŜności od wykonywanego ćwiczenia dostępne są teŜ specjalistyczne przyrządy i układy elektroniczne (generatory napięć, mierniki zniekształceń nieliniowych, precyzyjne częstotliwościomierze). Data: 16.04.2008r. Wydanie: I Załącznik Symbol: Z-5.4-1-1 Strona: Status: obowiązujący 4/1 KARTA PRZEDMIOTU Forma egzaminu/zaliczenia przedmiotu 1. Wykład — Egzamin pisemny (teoria i zadania) 2. Ćwiczenia: kolokwium pisemne 3. Laboratorium: pozytywne zaliczenie wszystkich zajęć laboratoryjnych i pisemnego kolokwium Minimalne wymagania do egzaminu /zaliczenia Zdanie egzaminu, zaliczenie kolokwium z ćwiczeń i wszystkich zajęć laboratoryjnych Literatura podstawowa: 1. Lasek L., Witkowski J. J.: Analiza układów elektronicznych, Skrypt Uczelniany nr 1406,Gliwice 1988. 2. Kuta S. (red): Elementy i układy elektroniczne. Uczelniane Wydawnictwo NaukowoDydaktyczne. Kraków 2000. 3. Kuta S., Krajewski G., Jasielski J. : Układy elektroniczne cz. I i II,Wyd. AGH Kraków1994. 4. Marciniak W.: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, 1984. 5. Dusza J., Gortat G., Leszczyński A.: Podstawy miernictwa, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, 2002 6. Piotrowski J.: Podstawy miernictwa, Wydawnictwo. Politechniki Śląskiej, 1997 uzupełniająca: 7. CiąŜyński W.: Elektronika w zadaniach, t.1: Analiza stałoprądowa układów półprzewodnikowych, Wydawnictwo PKJS, Gliwice 2000 8. CiąŜyński W.: Elektronika w zadaniach, t.2 Analiza małosygnałowa układów półprzewodnikowych, Wydawnictwo PKJS, Gliwice 2000 9. CiąŜyński W.: Elektronika w zadaniach, t.3: Idealne wzmacniacze operacyjne w zastosowaniach, Wydawnictwo PKJS, Gliwice 2001 Zatwierdzono: ……………………………. ………………………………………………… (data i podpis prowadzącego) (data i podpis Dyrektora Instytutu/Kierownika Katedry)