Referaty zaproszone - Aktualności KEiT PAN

Metody analizy zawartości repozytoriów multimedialnych, archiwizacji i wyszukiwania
materiału dźwiękowego
Bożena Kostek
Streszczenie
Celem prezentacji jest przegląd kluczowych zagadnień związanych z automatycznym
wyszukiwaniem informacji muzycznej MIR - Music Information Retrieval. W pierwszej
kolejności przedstawiono aktualne kierunki badań i rozwiązań systemowych związane z
archiwizacją, wyszukiwaniem i rekomendacją muzyki. Automatyczna analiza i
wyszukiwanie materiału dźwiękowego w repozytoriach i archiwach muzycznych nabiera
obecnie coraz większego znaczenia za sprawą rozrastającego się elektronicznego rynku
wymiany muzyki (m.in. serwisy muzyczne, jak np. iTunes, Amazon, Lastfm, Pandora, itd.).
Problemem przy porównywaniu skuteczności różnych algorytmów z dziedziny MIR jest
wykorzystywanie przez autorów serwisów różnych baz muzycznych, różnej taksonomii i
materiału dźwiękowego o różnej długości. Dlatego w prezentowanych badaniach opracowano
własną bazę muzyczną o kontrolowanej zawartości, tak aby można było przeprowadzić
systematyczne badania nad skutecznością klasyfikacji. Drugim elementem badań są narzędzia
algorytmiczne do poprawy jakości materiału fonicznego w trybie on-line, udostępnione
wszystkim zainteresowanym za pośrednictwem specjalnie do tego celu utworzonego portalu
internetowego.
W prezentacji przedstawione zostaną opracowane dwa serwisy: klasyfikacji nagrań
muzycznych (Synat) oraz archiwizacji i rekonstrukcji nagrań (YouArchive). Wspólnym
elementem obu serwisów jest możliwość przeszukiwania bazy utworów za pomocą
metadanych, zawartych w plikach muzycznych.
Światłowody aktywne - konstrukcje i technologia
Dominik Dorosz
Politechnika Białostocka
[email protected]
Światłowody domieszkowane lantanowcami znane są głównie z zastosowań
telekomunikacyjnych i laserów dużej mocy (Yb3+, Nd3+). W referacie przedstawiony zostanie
aktualny stan technologii oraz kierunki rozwoju konstrukcji światłowodów aktywnych
stosowanych do budowy włóknowych źródeł promieniowania.
Na przykładzie wybranych konstrukcji włókien dwupłaszczowych, wielordzeniowych
oraz ze spiralnie ukształtowanym rdzeniem, omówione zostaną światłowody charakteryzujące
się luminescencją w zakresie widzialnym oraz 0,3 - 2,1 µm. Uzyskanie linii luminescencji
w powyższym zakresie widma możliwe jest niekiedy jedynie w wyniku ko-domieszkowania
rdzenia kilkoma lantanowcami. Zaprezentowane zostaną wymagania stawiane szkłom
światłowodowym domieszkowanym jonami m.in.: Tm3+/Ho3+, Yb3+/Ho3+, Yb3+/Tm3+,
Yb3+/Er3+/Tm3+. Przedstawione zostaną wyniki badań autora nad wpływem parametrów
technologicznych na właściwości luminescencyjne szkieł rdzeniowych i włókien oraz
wskazane zostaną różnice w kształcie ich widm luminescencji.
Posiedzenie Komitetu Elektroniki i Telekomunikacji PAN
ITE, Al. Lotników 32/46
24 października 2014 r.
Tranzystory mikrofalowe HEMT AlGaN/GaN na monokrystalicznych podłożach GaN
Anna Piotrowska
Instytut Technologii Elektronowej
Zakład Mikro- i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych
Azotek galu (GaN) i związki pokrewne (AlGaN, InGaN, InAlN) to bez wątpienia najważniejsza grupa
materiałów półprzewodnikowych jakie pojawiły się w elektronice od czasu krzemu. Ich intensywne
badania rozpoczęto już ponad 30 lat temu, ale prawdziwy przełom uzyskano nie więcej niż 15 lat temu
demonstrując pierwsze niebieskie diody elektroluminescencyjne i laserowe, a niewiele później
pierwsze tranzystory mikrofalowe typu HEMT (High Electron Mobility Transistor). Kolejne lata prac
badawczych ugruntowały powszechne dziś przekonanie, że GaN reprezentuje nieomal idealny
materiał bazowy dla wytwarzania mikrofalowych przyrządów wysokiej częstotliwości i dużej mocy oraz
układów MMIC (od pasma S do V). W chwili obecnej mikro- i nanoelektronika oparte o GaN zaliczane
są do tzw. Key Enabling Technologies (KET) dla zastosowań More then Moore, w szczególności dla
sektorów telekomunikacji i obronnego, energoelektroniki, przemysłu oświetleniowego, energii
odnawialnej, transportu.
W referacie przedstawione zostaną wyniki prac konsorcjum PolHEMT (Instytut Technologii
Elektronowej, Instytut Radioelektroniki PW, Ammono S. A., Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Instytut
Fizyki PAN, TOP-GAN Sp. z o.o.) nad tranzystorami polowymi AlGaN/GaN dla potrzeb radiolokacji.
Innowacyjność podejścia, w skali światowej, polega na wykorzystaniu do tego celu struktur
półprzewodnikowych AlGaN/GaN hodowanych na podłożach z monokrystalicznego GaN. Omówiona
zostanie strategia i zakres prowadzonych prac oraz najważniejsze osiągnięcia na poszczególnych
etapach pełnego procesu technologicznego. Miarą postępu prac w projekcie jest wykonanie
tranzystorów HEMT, które charakteryzują się, przy długości bramki 1 µm, następującymi parametrami:
prąd drenu ID = 800 mA/mm dla napięcia bramka - źródło VGS = 3 V i transkonduktancją na poziomie
gm ≥ 140 mS/mm. Wyniki pomiarów macierzy rozproszenia w paśmie do 24 GHz potwierdziły
oczekiwane właściwości mierzonych tranzystorów GaN HEMT. Maksymalne dostępne wzmocnienie
MAG w funkcji częstotliwości osiągało następujące wartości: 14.2 dB dla 2 GHz, 8 dB dla 4 GHz i 0 dB
dla 9.8 GHz przy zasilaniu tranzystora napięciem VDS = 28 V. Poziom mocy wyjściowej dla 2bramkowej struktury HEMT AlGaN/GaN oszacowano na poziomie 2.2 W dla VDS = 28 V.
W zakończeniu referatu omówione zostaną aktualne trendy w technologii przyrządów i podzespołów
elektronicznych na bazie GaN, ze szczególnym uwzględnieniem wdrożeń przemysłowych.