Tranzystory unipolarne
Transkrypt
Tranzystory unipolarne
Tranzystory unipolarne Tranzystory unipolarne są również nazywane polowymi. Tranzystory te mają kanał typu N lub P, który może być wzbogacany lub zubożany. W tranzystorach unipolarnych elektrody mają następujące nazwy i oznaczenia: S – źródło G – bramka D – dren W tranzystorach unipolarnych w przepływie prądu biorą udział nośniki większościowe jednego rodzaju – dziury lub elektrony. W tranzystorach z kanałem typu N nośnikami prądu są elektrony, a z kanałem typu P – dziury. Tranzystory unipolarne dzielimy na: • Złączowe (ze złączem PN) • Z izolowaną bramką Symbole graficzne tranzystorów złączowych: a) z kanałem typu N b) kanałem typu P Tranzystory polowe złączowe należy polaryzować tak, aby: • Nośniki poruszały się od źródła do drenu • Złącze bramka – kanał były polaryzowane zaporowo Konstrukcja tranzystora złączowego Tranzystory polowe z izolowaną bramką są to tranzystory z kanałem typu N lub P, izolowanym od bramki warstwa dielektryka. Zasada działania tranzystora z izolowaną bramką: a) zakres liniowy b) odcięcie kanału c) nasycenie tranzystora W zależności od zjawisk fizycznych i od polaryzacji bramki, w tranzystorze tym może powstać: • Kanał indukowany, tzn. kanał w postaci warstwy inwersyjnej ( np. kanał typu N ma bardzo dużo elektronów, a mało dziur. • Kanał wbudowany, tzn. kanał w postaci warstwy akumulacyjnej wzbogacanej ( np. kanał typu N ma dużo dziur i bardzo dużo elektronów) lub zubożanej ( np. kanał typu N ma mało elektronów i dziur, które są inaczej określane jako warstwy domieszkowej o przeciwnym typie przewodnictwie w stosunku do podłoża. Charakterystyki i parametry tranzystora złączowego Tranzystor polowy złączowy ma dwa zakresy pracy; liniowy i nasycenia. Charakterystyki tranzystora złączowego są następujące: 1. przejściowa – zależność prądu drenu (ID) od napięcia bramka – źródło ( UGS ), przy stałym napięciu dren – źródło (UDS) 2. wyjściowa – zależność prądu drenu (ID) od napięcia dren – źródło ( UDS ), przy stałym napięciu bramka – źródło (UGS ) Charakterystyki tranzystora złączowego: a) przejściowa b) wyjściowa Do parametrów tranzystora złączowego zaliczamy: - rezystancja kanału- jej wartość jest bardzo duża (kΩ) - prąd nasycenia okresu- przy określonym napięciu drenu- źródło jest on w granicach od 2 do 25 mA - napięcie bramka-źródło wynosi ono od 0 do -7.5V Charakterystyki i parametry tranzystora z izolowaną bramką -Charakterystyka przejściowa- zależność prądu drenu od napięcia źródło-dren, przy stałym napięciu źródło-dren - Charakterystyka wyjściowa – zależność prądu drenu od napięcia źródło-dren, przy stałym napięciu bramka-źródło Parametry tranzystora izolowaną bramką • napięcie progowe – UT • napięcie docięcia- UGSoff • prąd nasycenia przy zwartym źródle i bramce, • rezystancje kanału, przy maksymalnym prądzie drenu, • rezystancje kanału, przy wyłączonym kanale. Tranzystory polowe mogą pracować w trzech podstawowych konfiguracjach: 1. Układ o wspólnym źródle – OS (odpowiednik układu OE tranzystora unipolarnego). 2. Układ o wspólnej bramce – OG (odpowiednik układu OB). 3. Układ o wspólnym drenie – OD (odpowiednik układu OC).