Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Transkrypt

2010/2011
Wydział Elektroniki
Mikrosystemów i Fotoniki
ul. Zygmunta Janiszewskiego 11-17
50-372 WROCŁAW
www.wemif.pwr.wroc.pl
Wydziały Politechniki Wrocławskiej:
1. Wydział Architektury
2. Wydział Budownictwa Lądowego i Wodnego
3. Wydział Chemiczny
4. Wydział Elektroniki
5. Wydział Elektryczny
6. Wydział Geoinżynierii, Górnictwa i Geologii
7. Wydział Inżynierii Środowiska
8. Wydział Informatyki i Zarządzania
9. Wydział Mechaniczno-Energetyczny
10. Wydział Mechaniczny
11. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
12. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
10 kwietnia 2001r. Senat PWr podjął decyzję o powołaniu Wydziału
Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (WEMiF, W-12)
Z dniem 1 stycznia 2002 roku
Wydział rozpoczął działalność
Kadra Wydziału (obecnie):
11 profesorów tytularnych
10 doktorów habilitowanych
39 doktorów inżynierów
Wydział posiada uprawnienia do nadawania stopni naukowych:
• doktora
• doktora habilitowanego
• występowania z wnioskiem o nadawanie tytułu profesora
Kierunek: Elektronika i Telekomunikacja
Studia I stopnia stacjonarne
Studia II stopnia stacjonarne
- Mikrosystemy
- Optoelektronika i technika światłowodowa
- Electronics, Photonics, Microsystems
(w języku angielskim)
Studia II stopnia niestacjonarne
- Elektronika, fotonika, mikrosystemy
Studium podyplomowe Politechniki Wrocławskiej
- Systemy światłowodowe
Studia III stopnia doktoranckie
- dyscyplina: elektronika;
- specjalności: fotonika, mikrosystemy, nanotechnologia
Kierunek: Mechatronika
W dniu 17 grudnia 2009 roku Senat Politechniki Wrocławskiej
podjął decyzję o wspólnym realizowaniu studiów na kierunku
Mechatronika przez trzy wydziały Uczelni:
W10 – Wydział Mechaniczny
W5 – Wydział Elektryczny
W12 – Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Od 1 października 2010 roku Wydział prowadzi stacjonarne
studia I stopnia na kierunku Mechatronika
Planowane studia II stopnia stacjonarne
- Optoelektronika i Mikrosystemy
Czego uczymy?
elektronika
informatyka
mikroelektronika
optoelektronika
mikrosystemy
technika światłowodowa
telekomunikacja
urządzenia elektroniczne
technika analogowa i cyfrowa
miernictwo elektroniczne
...
Elektronika i Telekomunikacja
Mikrosystemów
studia
I stopnia i Fotoniki
23 h
I
31 p
25 h
II
31 p
25 h
III
28 p
27 h
IV
29 p
26 h
V
30 p
26 h
VI
31 p
17 h
VII
30 p
28
27
Blok wybieralny C
26
10100/10010
25
ETD2068
24
23
22
21
ETD1065
2W
20000
ETD1064
1W+1C
20020
ETD2067
11000
ETD1061 1W+2P
10020
1W +1C
11000
Probabilistyka
17
15
ETD1063
1W + 1L
10100
ETD2064
Technologie informacyjne
2W+2L
FZP
4W + 1C 21000E
Fizyka 1.1
11
MAP1140 5W+3C 22000E
9
Analiza matematyczna 1.1A
8
ETD2063
2W
MAP1140 2W+2C 21000E
6
Algebra z geometrią analityczną A31+
2L
20000
21000
Fizyka 2.1
EKZ0331 PHM (3) 20000
MAP1144 5W+3C 32000E
3
Ekonomia
Analiza matematyczna 2.2A
PHM (2) 20000
Wstęp do filozofii
ETD5073 4P
00200
ETD6070
2W
20000E
Optoelektronika I
2W
ETD5071
00400
Podstawy techniki cyfrowej
(technologie mikro- nano-)
3W
00200
3W+3L
Przyrządy półprzewodnikowe I
2W
20000
3W
20000E
Dielektryki i magnetyki
Ochr. własności intelekt.
2C
00300 ETD5070
2P
20010 ETD5068
2W+3L
ETD6067
20200
elektroniczne I
i mikrosterowniki
4W
15
20100E
1W+1C
11000
30000E ETD5067
Technologie mikro- nano-
2W+1L
ETD6066
1W+1P
ETD7067
10010
5
Technika mikrofalowa
ETD6064
20100
Przetwarzanie sygnałów
2W+3L
20200E
Montaż w elektronice
i mikrosystemach
ETD7065
2
00002
Seminarium dyplomowe
10000 1
04000
Laboratorium dyplomowe
Podstawy eksploatacji systemów
1W+2P
Mikroprocesory
ETD4062
ETD7066
Praca dyplomowa
00020
Optoelektronika II
Analogowe i cyfrowe układy
Podstawy techniki cyfrowej
i mikroprocesorowej I
2W+1L 20100E
Procesory sygnałowe
magnetyki
ETD4063
ETD3067
4L
Półprzewodniki, dielektryki,
10200
Optoelektronika obrazowa
ETD6068 2W+2L
i mikroprocesorowej II
20200E
1W+2L
Technika laserowa
ETD6069
4L
ETD3070
Metrologia
00200
20000E
Światłowody I
Laboratorium Mikroelektroniki
JZL
4
00300
00010
Światłowody II
ETD4065 1W+2L 10200
ETD3065
20100E
4L
ETD5072
ETD4068
ETD4064
5
FLH0134
ETD6074
1W + 2L/P
2W
Podstawy elektroniki ciała stałego
Elektryczność i magnetyzm
4W + 1L
1020/10020
20000
Podstawy telekomunikacji
FZP
7
1
2W
Informatyka
ETD2061 2W+2C
10
2
ETD3071
ETD3069
12
20000
Podst. konstr. aparat. elektron.
Blok wybieralny B
20200
14
13
2L
ETD4069
10100/10010 1W+2L/P
ETD2066
Blok E
Przyrządy półprzewodnikowe II Laboratorium otwarte I (elektroniczne)
Technika analogowa
18 Podstawy inżynierii w elektronice
16
2W+3P
2W+2C 22000E
Sieci komputerowe
Blok wybieralny D
ETD4070
Blok wybieralny A
20000
Inżynieria materiałowa
20
19
2W
Metrologia
1W+2L/P
Blok wybieralny F
JZL
3C
Języki obce
Języki obce
(60 godz.)
(60 godz.)
04000E
ETD6063
ETD5066
2W+3L
Analogowe i cyfrowe układy
ETD6062
WFW 2h
WFW 2h
Sport (1)
ETD5062
2W
Mikrosystemy I
20000
1W + 1L/P
3L
00200
2 (1+1)
1W+3P 10020
Mikrosystemy II
Modelowanie mikrosystemów
elektroniczne II
Sport (1)
2W
20200E Mikrosystemy w biologii i medycynie ETD7062
20000E
ETD6061 1W+2L
10100
Mikrosystemy w motoryzacji
ETD7061
(2)
20000
Inżynieria produkcji PHM
Praktyki zawodowe po VI semestrze – 160 godz.
DZIEKAN
…………………………………………..
Prof. dr hab. inż. Andrzej Dziedzic
Bloki wybieralne :
A – Inżynieria programowania
B – dwa kursy do wyboru:
* ETD3074 Technika próżni 10100 1W +1L
* EDT3075 Algorytmy przetwarzania danych 1W +1L
C – dwa kursy do wyboru:
* ETD4071 Techniki jonowe i plazmowe 1W + 2L
* ETD4072 Programowanie obiektowe 1W + 2P
D – dwa kursy do wyboru:
* ETD5061 Systemy zabezpieczeń obiektów 1W + 2L
* ETD5065 Projektowanie VLSI
1W + 2P
E – Komputerowe wspomaganie prac inżynierskich -jeden z trzech kursów:
* ETD6071 Zastosowanie techniki informatycznych i metod numerycznych
w elektronice
* ETD6072 Numeryczne modelowanie przyrządów półprzewodnikowych
* ETD6073 Projektowanie wspomagane komputerem – AutoCAD
F – jeden z dwóch kursów do wyboru:
* ETD7064 Zastosowanie technik multimedialnych 1W +1L/P
* ETD7063 Techniki bezprzewodowe 1W + 1L/P
Mechatronika
Mikrosystemów
studia
I stopnia i Fotoniki
23 h
I
31 p
25 h
II
30 p
28 h
III
31 p
28
Blok wybieralny B
27
Informatyka II 00200 3L
26 h
Blok wybieralny A
24
1W + 1L 20200
MCM1103
2W
20000
22
Podstawy zarządzania
21
MCR1102 2W 10000
Podstawy metrologii
MCM1001 1W + 1L
MCM3102
1W + 2L 20300
Informatyka I
Podstawy technik wytwarzania
10100
20000
VII
27 p
15
Grafika inżynierska
MCM2001 2W + 2L 20100
MCR3101 3W + 2C 21000E
Materiałoznawstwo I
Podstawy elektrotechniki
14
22000E
Fizyka 1.2
21100E
10100
Blok wybieralny D
MCM4102 2W + 3P 20020E
MAP4005
22000E
Analiza matematyczna 1.1 A
6
MCM4101
3W
20000
4W + 3C
22000E
MAP1073
Analiza matematyczna 2.1 A
2W + 1C
2W + 2L
2L 00200
Elementy i układy elektroniczne
2W + 2C
21000E
MAP2019
Algebra z Geometrią Analityczną A
2W
20000
Historia wojen a postęp technologii
d1=13
2W
2W + 3L 20200
3W + 1P 20020E
Zastosowania mikrosystemów
2C
04000
13
MCD6101 1W + 3L 10200E
12
Podstawy techniki
11
Projektowanie układów
MCD5101 2W +2L 20100E
MCM6002 1W + 1L 20100E
Mikrosystemy
Roboty przemysłowe
Podstawy automatyki
Praktyki zawodowe po IV semestrze 160 godz.
MCD7104
2
0010
Metody numeryczne
MCD7103
mechatronicznych
3C
Język obcy
20000
d2=13
10
Teoria i technika sterowania
SJO
04000E
Język obcy
III
d3=13
IV
d4=10
14
15 p
i elektro-pneumatyczne
MCR5002 1W 10000
Ochrona własności intelektualnych
Zajęcia sportowe – 30 h
1p
Zajęcia sportowe – 30 h
V
d5=7
VI
1p
2W +2L
20100
9
8
Montaż zespołów elektronicznych
7
i fotonicznych
6
MCD7102
MCM6001 1W 10000
Ergonomia i BHP
zapisy ogólnouczelniane
II
15
Układy napędowe elektro-hydrauliczne
2W +2P
20010
5
Urządzenia peryferyjne
4
systemów komputerowych
3
(MEMS)
SJO
16
MCM6102 2W + 2L 20100
mechanicznych
20100E
17
Praca dyplomowa
MCM6101 2W + 3P 10020E
MCR4001 3W + 2L
18
mikroprocesorowej
3W 20000
Algebra liniowa
INS
MCR5101
21000
Funkcje zespolone i
19
MCR5001 3W + 2L 20100E
równania różniczkowe
4
21
MCD7104
Podstawy projektowania zespołów
Statystyka stosowana
7
MAP1156
kinematycznych
22
20
Napędy elektryczne
(Dynamika)
8
5W + 3C
2W +2L 20100
Mikro- i nanoelektronika
Przetwarzanie sygnałów 10100
MCD5102
Mechanika II
Fizyka 2.3
I
MCR4101 1W + 2L
MCM3101 2W + 2C 21000
6
FZP 4W + 1C + 1L
10
MMM0145
Instalacje elektryczne i układy zasilania
Analiza i synteza układów
FZP 4W + 2C
MAP1140
20000
Metrologia elektryczna
6
5
2W
60 h 4p
Materiałoznawstwo II
24
23
Sensoryka
MCR3001 2W + 2L 10100E
25
Systemy wytwarzania i montażu
Metrologia wielkości geometrycznych
(Statyka)
20200
Podstawy fotoniki
Blok wybieralny G
Mechanika I
MAP1142
Podzespoły elektroniczne
2W + 2L
1W + 2L 10200
Chemia
9
20100 MCD6103
2W + 2L
MCM4103 1W+ 2L 10100
MCM1101 1W + 2L 10200
1
9h
26
MCD5103
Wytrzymałość materiałów
16
2
29 p
Blok wybieralny E
17
3
VI
Elementy i układy elektroniczne
MCM2101 3W + 2L 22000E
4
26 h
MCM3002 2W + 2C 22000
MCD1001 2W 20000
7
31 p
Wstęp do mechatroniki
18
11
2W + 1L 20100
MCD4101
4
5
8
V
Blok wybieralny F 1W + 1C 11000 MCD6102
MCM2102 1W
Technologie informacyjne
13
Informatyka III 00200 3L
MCM4104
19
12
25 h
Blok wybieralny C
25
20
31 p
27
26
23
IV
MCD7101
2S 00002
2
Seminarium dyplomowe
1
d6=5
VII
DZIEKAN
…………………………………………..
Prof. dr hab. inż. Andrzej Dziedzic
W roku 2009 Uchwałą Nr 997/2009 z dnia 19.11.2009 r.
Prezydium Państwowej Komisji Akredytacyjnej „po
dokonaniu oceny jakości kształcenia (…) na kierunku
„elektronika i telekomunikacja” prowadzonym na
Wydziale Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Politechniki Wrocławskiej na poziomie studiów
pierwszego i drugiego stopnia oraz jednolitych studiów
magisterskich -- wydaje ocenę:
wyróżniającą.”
W kraju tylko trzy wydziały prowadzące
kierunek Elektronika i Telekomunikacja
uzyskały wyróżnienie!!!
Nasi studenci studiują na najlepszym w Polsce
wydziale elektroniczno/informatycznym !!!
Wydział uzyskał pierwszą kategorię w przeprowadzonej
przez ministerstwo kategoryzacji, a ponadto w grupie
„Elektrotechnika, automatyka, elektronika oraz
technologie informacyjne” klasyfikowani jesteśmy na
wysokiej, siódmej pozycji (wśród wydziałów – na
pierwszej). Tym samym nasi obecni i przyszli studenci
studiują na najlepszym w Polsce wydziale
elektroniczno/informatycznym !!
Laboratoria dydaktyczne
• Laboratorium „otwarte” elektroniczne
(jedyne takie w kraju!!!)
• Laboratorium przyrządów półprzewodnikowych
• Laboratoria komputerowe
• Laboratorium mikroprocesorów
• Laboratorium optoelektroniki
• Laboratorium techniki światłowodowej
• Laboratorium układów elektronicznych
• Laboratorium mikromontażu i montażu
• Laboratorium dielektryków, magnetyków
i półprzewodników
• Laboratorium optoelektroniki obrazowej
• itp.
Otwarte Laboratorium Elektroniczne –
jedyne takie w kraju!!!
Laboratoria naukowo-dydaktyczne
• Laboratorium nanotechnologii i struktur półprzewodnikowych
• Laboratorium mikroskopii bliskich oddziaływań, nanostruktur i nanomiernictwa
• Laboratorium fotowoltaiczne
• Laboratorium optoelektroniki i techniki światłowodowej
• Laboratorium badań elektrycznych
• Laboratorium mikrosystemów krzemowych
• Laboratorium technologii aparatury elektronicznej
• Laboratorium techniki jonowej
• Laboratorium mikromontażu
• Laboratorium techniki próżniowej
• Laboratorium technologii struktur submikronowych
• Laboratorium technologii mikroukładów hybrydowych
• Laboratorium badań strukturalnych
• Laboratorium próżniowych urządzeń technologicznych
• Laboratorium urządzeń elektronooptycznych
• Laboratorium badań powierzchni i półprzewodników
Sylwetka absolwenta
Po ukończeniu studiów absolwent jest przygotowany do projektowania,
realizacji i eksploatacji analogowych i cyfrowych układów, urządzeń i
systemów elektronicznych oraz sieci telekomunikacyjnych i
teleinformatycznych, z wykorzystaniem nowoczesnych przyrządów,
technologii i narzędzi oraz technik komputerowych.....
Absolwenci są przygotowani do pracy w firmach produkujących sprzęt
elektroniczny i telekomunikacyjny, u operatorów sieci
telekomunikacyjnych i teleinformatycznych, a także w różnego rodzaju
firmach przy wprowadzaniu na rynek oraz eksploatacji nowoczesnych
urządzeń i systemów zarówno elektronicznych,
jak i telekomunikacyjnych.
Gdzie już pracują i mogą pracować absolwenci
.... Toshiba, Toyota, Philips, Siemens, Dell,
Motorola, Wabco, Volvo, Lumel, firmy montażowe,
przemysł spożywczy, sprzęt medyczny, centra
rozwojowe R&D ...
Studenckie Koła Naukowe
1) Stowarzyszenie Naukowe Studentów SNS
„Optoelektronika i Mikrosystemy”
2) Stowarzyszenie Polskich Entuzjastów
Nanotechnologii SPENT
3) MikroCpp
4) M3, Mikroinżynieria, Mikroelektronika
i Mikrosystemy
5) Sekcja Studencka IEEE na
Politechnice Wrocławskiej
6) NaMi, Nanotechnologia
i Mikroelektronika
7) TE, Transparentna Elektronika
Rajdy
Politechnika Wrocławska uczestniczy w międzynarodowych
programach wymiany studenckiej:
Leonardo da Vinci
Socrates/Erasmus
Maria Curie
Pozwala to na wyjazdy zagraniczne w czasie trwania studiów.
Aktualne międzynarodowe programy wymiany studenckiej:
DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET Dania
OULUN YLIOPISTO Finlandia
UNIVERSITE DE FRANCHE-COMTÉ Francja
Ecole Natinale Supereure de Chimie de Lille Francja
UNIVERSIDAD MIGUEL HERNANDEZ DE ELCHE Hiszpania
HOCHSCHULE NIEDERRHEIN, NIEDERRHEIN UNIVERSITY OF APPLIED SCIENCES
Niemcy
HOCHSCHULE FÜR TECHNIK UND WIRTSCHAFT DRESDEN (FH) Niemcy
TECHNISCHE UNIVERSITÄT CAROLO-WILHELMINA ZU BRAUNSCHWEIG Niemcy
TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN Niemcy
BERGISCHE UNIVERSITÄT WUPPERTAL Niemcy
LOUGHBOROUGH UNIVERSITY Wielka Brytania
THE UNIVERSITY OF GLASGOW Wielka Brytania
Współpraca zagraniczna (naukowa)
 Dresden Technical University,
 Niederrhein University of Applied Sciences,
 Kassel Technical University,
 University of Wuppertal,
 Slovak University of Technology Bratislava
 University of Maryland, USA
 Institute of Health and Consumer Protection, Joint Research
Centre
 Fraunhofer Micro Materials Center, Berlin
 Uniwersytet w Würzburgu
Dziekan Wydziału
Władze Wydziału
Prodziekan ds. studenckich
prof. dr hab. inż. Zbigniew W. Kowalski
Prodziekan ds. dydaktyki
dr hab. inż. Ryszard Korbutowicz
Prof. dr hab. inż.
Andrzej Dziedzic
Prodziekan ds. ogólnych
dr inż. Jacek Radojewski
Dziekanat Wydziału
ul. Janiszewskiego 11/17
50-372 WROCŁAW
pok. 216 i 217 budynek C-2
tel.: (71) 320-40-47
fax: (71) 328-35-04
e-mail: [email protected]
Dziekanat Wydziału
ul. Janiszewskiego 11/17
50-372 WROCŁAW
pok. 216 i 217 budynek C-2
tel.: (71) 320-40-47
fax: (71) 328-35-04
e-mail: [email protected]
Pracownicy dziekanatu
• mgr inż. Kamilla Zawisza
kierownik dziekanatu, tel. (71) 320-40-47
• mgr inż. Agnieszka Stolarczyk
studia stacjonarne (rok I, II, III), tel. (71) 320-36-62
• mgr inż. Małgorzata Hamberg
studia stacjonarne (rok IV, V), tel. (71) 320-33-80
• mgr Aleksandra Zimna-Sobiesiak
sprawy socjalno-bytowe, tel. (71) 320-26-79
• mgr Katarzyna Zasławska-Wójtowicz, tel. (71) 320-40-48
asystentka ds. dydaktyki
Obsługa informatyczna (zapisy, korekty)
• Michał Herbut, tel. (71) 320-40-48, (71) 320-27-69
Jak nas znaleźć ??
1) Budynek C-2, ul. Z. Janiszewskiego 11-17
Jak nas znaleźć ??
2) Budynki M, ul. Długa 61-65
M4
Przyjdź na nasz Wydział
WARTO!!!
Część druga
Wskaźnik rekrutacyjny
czyli
jak zostad studentem naszej Uczelni
Do określenia wskaźnika rekrutacyjnego (WI)
przyjmuje się następujące przeliczenie:
procent wyniku = liczba punktów
W = M + F(2) + 0,1JP + 0,1JO
M – matematyka
F(2) – fizyka
JP – język polski
JO – język obcy
MATEMATYKA
W = M + F(2) + 0,1 JP + 0,1 JO + RA
M – jest równa większej z liczb:
P + 1,5 R albo 2,5 R
P – poziom podstawowy,
R – poziom rozszerzony,
dla zdających maturę na dwóch poziomach
FIZYKA
W = M + F(2) + 0,1 JP + 0,1 JO + RA
F(2) – jest równa większej z liczb:
P + 1,5 R albo 2,5 R
na Wydział Chemiczny ocena z fizyki może zostać zastąpiona ocena z chemii,
na Wydział Inżynierii Środowiska, kierunek Ochrona Środowiska wynik z fizyki może
być zastąpiony wynikiem z chemii lub biologii,
(2) na Wydział Geoinżynierii, Górnictwa i Geologii wynik egzaminu maturalnego z fizyki
może zostać zastąpiony wynikiem z chemii lub geografii.
(2)
(2)
JĘZYK OBCY
W = M + F(2) + 0,1 JP + 0,1 JO + RA
JO – jest równa większej z liczb:
P + 1,5 R albo 2,5 R
JĘZYK POLSKI
W = M + F(2) + 0,1 JP + 0,1 JO + RA
JP – jest równa większej z liczb:
P albo R
JAK ZWIĘKSZYĆ SWOJE SZANSE NA
STUDIA NA POLITECHNICE
WROCŁAWSKIEJ?
Na maturze należy zdawać przedmioty na
poziomie rozszerzonym
Szczegółowe informacje o rekrutacji i studiach na PWr:
www.pwr.wroc.pl
www.studiuj.pwr.wroc.pl
www.edukacja.pwr.wroc.pl
Część trzecia
Struktura organizacyjna Wydziału
 Wydziałowy Zakład Mikroelektroniki i Nanotechnologii
Kierownik: prof. dr hab. inż. Marek Tłaczała
 Wydziałowy Zakład Metrologii Mikro- i Nanostruktur
Kierownik: dr hab. inż. Witold Posadowski, prof. PWr.
 Wydziałowy Zakład Technologii Próżniowych i Plazmowych
Kierownik: dr hab. inż. Teodor Gotszalk, prof. PWr.
 Wydziałowy Zakład Technologii i Diagnostyki Struktur Mikroelektronicznych
Kierownik: prof. dr hab. inż. Tadeusz Berlicki
 Wydziałowy Zakład Technologii Aparatury Elektronicznej
Kierownik: dr hab. inż. Jan Felba, prof. PWr
 Wydziałowy Zakład Mikrosystemów i Fotoniki
Kierownik: prof. dr hab. inż. Leszek Golonka
 Wydziałowy Zakład Mikroinżynierii i Fotowoltaiki
Kierownik: prof. dr hab. inż. Jan Dziuban
Nauka
• Mikrosystemy
• Optoelektronika i technika światłowodowa
•
•
•
•
Mikrofalowe przyrządy półprzewodnikowe
Mikromontaż dla elektroniki i mikromechaniki
Czujniki mikromechaniczne
Mikromechanika krzemowa
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Warstwy i struktury epitaksjalne (MOCVD)
Układy cienko i grubowarstwowe, LTCC
Technika ultrawysokiej próżni
Elektronowiązkowe metody badań powierzchni
Fotowoltaika
Technologia aparatury elektronicznej
Techniki jonowe i plazmowe
Modelowanie struktur półprzewodnikowych
Czujniki cienko- i grubowarstwowe
Inżynieria materiałowa dla potrzeb elektroniki
Laboratorium fotowoltaiczne „Solarlab”
Monitorowanie kompletnych systemów fotowoltaicznych: cztery niezależne systemy fasadowe
włączone do sieci energetycznej oraz dwa systemy o mocy 750 Wp - autonomiczny i wolnostojący.
Stanowiska zaprojektowane i wykonane
w latach 2000-2003 w ramach grantu
badawczego zamawianego KBN
05/T11/98 pt. „Rozwój fotowoltaiki celem
uzyskiwania energii elektrycznej w
warunkach krajowych” oraz projektu 5PR
UE AFRODITE
Laboratorium mikrosystemów grubowarstwowych
Mikrowyroby ceramiczne wykonane techniką LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics –
niskotemperaturowa ceramika współwypalana)
Schemat funkcjonalny układu
mikromikser
układ detekcji optycznej
Mikrosystem przepływowy LTCC
Mikroreaktor przystosowany do prowadzenia reakcji analitycznych z jednoczesną detekcją
ich produktów. Zintegrowane detektory optyczne służą do pomiarów intensywności
fluorescencji oraz absorbancji. W skład mikrosystemu wchodzą następujące elementy:
- wycięte laserowo mikrokanały o szerokości około 100 µm,
- układ grzejny,
- czujnik temperatury,
- optyczne elementy detekcyjne
Wersja przestrzenna miksera
Układ wykonany w ramach grantu KBN we współpracy z Wydziałem Chemicznym Politechniki Warszawskiej
Laboratorium optoelektroniki i techniki światłowodowej
•
•
•
•
•
•
•
PRACE NAUKOWO-BADAWCZE REALIZOWANE W LABORATORIUM
Badania wytężeniowe materiałów kompozytowych z pomocą
czujników światłowodowych
Badania rozkładu współczynnika załamania w gradientowych
światłowodach plastikowych
Badania dotyczące efektywności sprzężenia optycznego między
światłowodem i strukturą optoelektroniczną oraz wykonywanie
połączeń między światłowodami
Badanie światłowodowych siatek Bragga
Badanie parametrów multipleksera i demultipleksera zbudowanych
na bazie soczewek GRIN
Mikroskopia bliskiego pola optycznego SNOM/PSTM
Badania parametrów światłowodów planarnych
Laboratorium mikroskopii bliskich oddziaływań, nanostruktur
i nanomiernictwa
Opracowania metod pomiaru w skali pojedynczych nanometrów
(tzw. nanopomiarów) właściwości elektrycznych, mechanicznych i termicznych przyrządów elektroniki konwencjonalnej i kwantowej oraz nanosystemów materiałowych.
Do tego celu stosuje się udoskonalaną rodzinę systemów badawczychmikroskopów bliskich oddziaływań (łącznie 6 autonomicznych urządzeń
pomiarowych). Mikroskopię bliskich oddziaływań, której najbardziej znanymi
technikami są skaningowa mikroskopia tunelowa (STM) oraz mikroskopia sił
atomowych (AFM), wdraża się także do nanomodyfikacji powierzchni (tzw.
nanolitografii). Ma to umożliwić wytwarzanie podsta-wowych struktur
elektroniki kwantowej takich jak np. nanodruty oraz kropki kwantowe.
Laboratorium technologii aparatury elektronicznej
• Analiza naprężeń termo-mechanicznych w montażu elektronicznym
• Nowe metody montażu krzemowych czujników ciśnienia (semi-flip-chip, twin-chips)
• Modyfikacja montażu flip-chip przez użycie nie deformowanych kontaktów podwyższonych
• Nowe kompozycji klejów przewodzących elektrycznie do zastosowań mikrofalowych
• Aktywne lutowania wiązką elektronową ceramiki CBN z węglikami spiekanymi
• Elektronowiązkowe metody modyfikacji powierzchni stali i stopów aluminium
Laboratorium nanotechnologii i struktur półprzewodnikowych
p-GaAs
i-InGaAs
n-GaAs
0.5 m
0.2 m
0.5 m
10x
AlAs/GaAs
76nm/65.5nm
i-GaAs (buffer)
0.5 m
SI GaAs substrate
Struktura detektora RCE PIN
GaAs
i-GaAs
i-InGaAs
i-GaAs
0.5 m
0.2 m
0.5 m
10x
AlAs/GaAs
76nm/65.5nm
i-GaAs (buffer)
Struktury diod Schottky’ego i
tranzystorów HFET
AlGaN/GaN
GaN
0.5 m
SI GaAs substrate
Struktura detektora RCE MSM
GaAs
Matryce miniaturowych
ogniw fotowoltaicznych
GaAs
Si (100)
1,5 m
Matryce emiterów polowych
GaN/Si
Układy zintegrowane
MSM-MESFET
GaAs
Laboratorium nanotechnologii i struktur półprzewodnikowych
200 m2 clean room – klasa czystości < 10000
Laboratorium urządzeń elektronooptycznych
Głównym obszarem działania Laboratorium jest optyka cząstek
naładowanych oraz jej zastosowania w odniesieniu do
aparatury technologicznej i badawczej, z uwzględnieniem:
• metod projektowania i badania właściwości układów
elektronooptycznych,
• metod detekcji i przetwarzania sygnałów w skaningowym
mikroskopie elektronowym (SEM) w celu uzyskania ilościowych
informacji o obiekcie,
• skaningowej mikroskopii niskoenergetycznej (LESEM),
• skaningowej mikroskopii niskopróżniowej i środowiskowej
(LVSEM, ESEM).
Laboratorium techniki próżniowej
•
•
•
•
•
Prace badawcze nad rodziną pomp kriogenicznych
Badania desorpcji
Prace badawcze w zakresie uzyskiwania ultrawysokich próżni
Badania szczelności układów próżniowych
Chłodziarki kriogeniczne
Laboratorium mikroukładów hybrydowych
• Badania nowych materiałów dla mikroelektroniki hybrydowej
• Badania nowych zestawów materiałowych dla zintegrowanych
mikroczujników
• Analiza i projektowanie nowych struktur mikroczujników
Zakład Mikroinżynierii i Fotowoltaiki
Czujniki
Mikromaszyny
Komponenty optyczne
Mikrosoczewka
Membrana krzemowa
Ciśnienie
sterujące
Szkło
Si
Szkło
MikrosoczewkaSzkło
Ciśnie
nie
steruj
ące
Membrana krzemowa
Krzem
Czujniki ciśnienia dla przemysłu.
Od góry: struktury przed obudowaniem,
poniżej rewers podłoża krzemowego,
na którym wykonano
ok. 700 czujników i detale.
Przykłady możliwości mikroinżynierii.
U góry: turbinka metalowa na „nosie” mrówki.
Kolumna lewa: krzemowa przekładnia zębata.
Kolumna prawa: włos a zębatki i mikrosilnik,
turbinka krzemowa, mikrobelki.
Mikroinżynieria wkracza w mikrooptykę.
U góry: matryca mikrosoczewek szklanych
na podłożu krzemowym przed podzieleniem.
W środku: przekrój przez „chipowy”mikroskop
optyczny. Pneumatyczna aktuacja membrany
z soczewką zapewnia duża głębię ostrości,
U dołu: pierwszy „chipowy” mikroskop
optyczny i obraz skupionego światła lasera.
Prace realizowane w zespole Jana Dziubana
WEMiF PWR wspólnie z zespołem
Christophe Goreckiego z CNRS Institute
FEMTO-ST. Potencjalne zastosowanie:
Bio-chipy. Rozdzielczość ~100 nm
KONIEC!

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Transkrypt

Podobne dokumenty