Przykładowe pytania na wejściówkach

ĆWICZENIE 1
Charakterystyki statyczne złącza p-n
1. Narysować (w układzie współrzędnych lin-lin) i omówić charakterystykę statyczną
idealnego złącza p-n krzemowego.
2. Narysować (w układzie współrzędnych log-lin) charakterystykę rzeczywistego złącza p-n
w zakresie przewodzenia. Omówić metodę graficzną wyznaczania parametrów I S , n , rS .
3. Omówić wpływ rezystancji szeregowej złącza p-n na charakterystykę statyczną diody.
4. Narysować układ do obserwacji charakterystyk statycznych diod metodą oscyloskopową i
omówić zasadę pomiaru.
5. Narysować układ do pomiaru charakterystyki statycznej diody metodą punkt po punkcie
w kierunku przewodzenia i omówić zasadę pomiaru.
6. Narysować układ do pomiaru charakterystyki statycznej diody metodą punkt po punkcie
w kierunku zaporowym i omówić zasadę pomiaru.
ĆWICZENIE 2
Właściwości dynamiczne diod p-n
1. Na podstawie wykresu omówić fazy procesu przełączania diody.
2. Na podstawie wykresu omówić proces wyłączania diody.
3. Narysować układ do obserwacji przebiegów prądu i napięcia diod przełączanych przy
uŜyciu kluczowanego źródła prądowego.
4. Wyjaśnić sposób wyznaczania (graficznie) czasu Ŝycia nośników mniejszościowych.
5. Wyjaśnić sposób impulsowego pomiaru rezystancji szeregowej diody (podczas
wyłączania diody).
ĆWICZENIE 3
Diody stabilizacyjne
1. Narysować układ prostego zasilacza stabilizowanego z diodą stabilizacyjną i wyjaśnić
jego zasadę działania.
2. Narysować układ do pomiaru charakterystyki u0 ( u1 ) stabilizatora i omówić zasadę
pomiaru ( u1 – napięcie wejściowe stabilizatora, u0 – napięcie wyjściowe).
3. Narysować układ do pomiaru charakterystyki i0 ( u1 ) stabilizatora i omówić zasadę
pomiaru ( u1 – napięcie wejściowe stabilizatora, i0 – prąd wyjściowy).
4. Narysować charakterystykę I (U ) diody Zenera o podanych parametrach np. U Z 0 = 5V
przy I Z = 0.1 A , rZ = 5 Ω , U F = 1V przy I F = 0.1 A .
5. Obliczyć wartość rezystancji dynamicznej diody Zenera przy znanych wartościach
prądów i napięć wstecznych np. U Z 1 = 5V przy I Z 1 = 5 mA i U Z 2 = 6 V przy I Z 2 = 25 mA .
6. Obliczyć wartość maksymalnego prądu stabilizacji diody przy znanych parametrach: np.
U Z = 10 V oraz Pmax = 250 mW .
ĆWICZENIE 4
Charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego
1. Podać definicje zakresów pracy tranzystora bipolarnego. Wskazać zakresy pracy na
charakterystykach wyjściowych w układzie WE.
2. Zdefiniować współczynniki wzmocnienia prądowego β N , β I oraz przedstawić
zaleŜności między nimi, a współczynnikami wzmocnienia prądowego α N oraz α I .
3. Narysować układ do pomiaru charakterystyk wyjściowych tranzystora bipolarnego w
układzie WE w połączeniu normalnym i omówić zasadę pomiaru.
1
4. Na podstawie wykresu omówić wpływ zjawiska Early’ego na charakterystyki wyjściowe
tranzystora bipolarnego
5. Przedstawić na wykresie i omówić zaleŜność β N (I C ) .
6. Narysować charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego w układzie WE:
przejściową I C (U BE ) przy U CE = const oraz I C ( I B ) przy U CE = const , a takŜe
wyjściową I C (U CE ) przy I B = const .
ĆWICZENIE 5
Właściwości małosygnałowe tranzystora bipolarnego
1. Przedstawić małosygnałowy model zastępczy hybryd Π tranzystora bipolarnego.
2. Opisać, w jaki sposób wartości elementów układu zastępczego typu hybryd Π
tranzystora bipolarnego: g m , rb ' e oraz Cde zaleŜą od punktu pracy tranzystora.
3. Przedstawić definicję parametru h21e oraz opisać jego zaleŜność od częstotliwości;
zdefiniować częstotliwość f β .
4. Narysować układ do wyznaczania zaleŜności h21e ( f ) i omówić zasadę pomiaru.
5. Narysować układ wzmacniacza w konfiguracji wspólnego emitera. Omówić zasadę
pomiaru charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza.
ĆWICZENIE 6
Złączowy tranzystor polowy
1. Narysować charakterystyki przejściowe tranzystora polowego dla dwóch wartości
napięcia U DS . Zdefiniować i zaznaczyć na wykresie prąd nasycenia i napięcie progowe.
2. Na podstawie charakterystyk wyjściowych tranzystora JFET omówić jego zakresy pracy.
3. Zdefiniować parametry małosygnałowego modelu m.cz. tranzystora JFET.
4. Narysować układ do pomiaru charakterystyk wyjściowych i przejściowych tranzystora
JFET i omówić zasadę pomiaru.
ĆWICZENIE 7
Przyrządy optoelektroniczne
1. Narysować charakterystyki statyczne fotodiody dla kilku wartości natęŜenia oświetlenia
E , zaznaczyć na wykresie prąd zwarciowy i napięcie fotoelektryczne.
2. Narysować układ do pomiaru charakterystyk statycznych fotodiody i omówić zasadę
pomiaru.
3. Narysować układ do pomiaru charakterystyk wejściowych i wyjściowych transoptora i
omówić zasadę pomiaru.
4. Omówić konstrukcję transoptora wykorzystywanego w ćwiczeniu. Narysować
charakterystykę wejściową oraz rodzinę charakterystyk wyjściowych transoptora.
5. Wymienić fotoelementy i krótko wyjaśnić ich zasadę działania.
2