Piotr Płotka - Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki

Rok akademicki 2015/2016
Imię i nazwisko oraz stopień
i/lub tytuł naukowy
Numer pokoju, nr telefonu
Adres e-mailowy
Piotr Płotka, dr hab. inż.
Budynek A Wydziału Elektroniki, Telekomunikacji i
Informatyki,
EA pokój: 301
tel. (+48)583471634 adres e-mail: [email protected]
Liczba otwartych
przewodów doktorskich
1
Liczba doktorantów pod
opieką
2
Tematyka badawcza
(maksimum 100 słów)
Proponowane tematy
(opcjonalne)
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
Research interest or
expertise (max 100 words)
Proposed title of
dissertations (optional)
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
Wykaz najważniejszych
opublikowanych osiągnięć z
ostatnich 5 lat (maksimum
5)
Konstrukcja i technologia układów scalonych z nanotranzystorami,
wykonanych w związkach półprzewodnikowych, jak GaAs lub w
krzemie.
Czujniki i przetworniki dla zastosowań nanotechnologii
wytwarzone z wykorzystaniem technologii półprzewodnikowych.
Konstrukcja i fizyka działania przyrządów i czujników
diamentowych –poli- i nano-krystalicznych.
Fizyka działania i konstrukcja przyrządów półprzewodnikowych o
rozmiarach rzędu pojedynczych nanometrów.
Procesy dla wytwarzania nanometrowych przyrządów
półprzewodnikowych – metody wytwarzania pozwalające pokonać
ograniczenia fotolitografii, epitaksja z dokładnością do pojedynczej
warstwy atomowej, osadzanie warstw z atomową dokładnością ALE, ALD, CVD.
Technika terahercowa, fal submilimetrowych i milimetrowych –
generatory półprzewodnikowe i układy scalone.
Technologia i fizyka półprzewodnikowych przyrządów dużej mocy
– krzemowych, z węglika krzemu itp.
Design and technology of integrated circuits fabricated in
compound semiconductors or in silicon.
Sensors and transducers for application in nanotechnology
fabricated with semiconductor technologies.
Technology and physics of operation of poly- and nano-crystalline
diamond devices and sensors.
Physics of operation and technology of semiconductor devices of a
few nanometer sizes.
Processes for fabrication of nanometer-size semiconductor devices
– methods for overcoming of limitations related to lithography,
epitaxy and deposition with atomic layer precision - ALE, ALD,
CVD.
Terahertz, submillimeter wave and millimeter wave technologies –
semiconductor generators and integrated circuits.
Physics of operation and technology of high power semiconductor
devices – silicon, silicon carbide etc.
1. Electrical Characterization of Diamond/Boron Doped Diamond
Nanostructures for Use in Harsh Environment Applications, 2014
MRS Fall Meeting, November 30 - December 5, 2014, Boston,
Massachusetts, paper R3.11- K - komunikaty, abstrakty, postery, rok
2014
2. Optical and electrical properties of ultrathin transparent
nanocrystalline boron-doped diamond electrodes, Optical Materials,
vol. 42, ss. 24-34, 2015 - czasop. z listy filadelf.
3. Redakcja dwóch numerów Zeszytów Naukowych Wydziału ETI
Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne [ISSN: 17321166] - ED - edycja/redakcja czasop. z listy filadelf., czasop.
recenzowanych, wydawnictw zbiorowych oraz dzieł zbiorowych
recenzowanych, rok 2014
4. „Influence of boron doping level on the electrochemical oxidation of
aromatic compounds at Si/BDD thin film electrodes” International
Conference on Diamond and Carbon Materials, Granada, Spain, 3-6
September 2012 - K - komunikaty, abstrakty, postery, rok 2012
5. “Nanotranzystory półprzewodnikowe - ograniczenia miniaturyzacji i
możliwe rozwiązania” IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii,
NANO 2010, Poznań 28.06 - 02.07.2010 - K - komunikaty,
abstrakty, postery, rok 2010
Dotychczasowe osiągnięcia
związane z opieką nad
doktorantami (maksimum 3)
Inne istotne informacje
(opcjonalne)
1 doktorat zakończony: Maciej Kokot