Porównanie tranzystora bipolarnego z tranzystorem MOSFET

Transkrypt

Porównanie tranzystora bipolarnego z tranzystorem MOSFET
Porównanie tranzystora bipolarnego z tranzystorem MOSFET
Porównanie tranzystora bipolarnego
z tranzystorem MOSFET
Oba tranzystory to elementy 3-nóżkowe. Bazie tranzystora bipolarnego odpowiada bramka
w polowym. W wielu aplikacjach możliwa jest
zamiana obu tranzystorów, pod pewnymi warunkami. Bipolarny, sterowany jest prądem, zaś
napięcie złączowe jest niskie, ok. 0.65V.
Włączenie tranzystor MOSFET wymaga napięcia na jego bramce (względem źródła) o wartości, typowo od 2 do 5V. Dokładna wartość jest
trudna do określenia, nawet, gdy dysponujemy
pełnymi danymi katalogowymi. Aczkolwiek jest
to ważny parametr, doprowadzenie do bramki
wyższego napięcia, (do co najmniej 12-tu V),
nie jest dla tranzystora niszczące. Z kolei, jeśli
nie dysponujemy źródłem napięcia, co najmniej
kilku V, lub jedynie wartością z dolnej granicy
Ugs(th) (progu przełączania), zamiana bipolarnego polowym, nie jest zalecana, lub wręcz
niemożliwa. Niepełne włączenia, skutkuje najczęściej stratami mocy, tranzystor będzie się
grzał. W układach mocy, wskazane jest także
szybkie przełączanie, co oznacza, że napięcie
na bramce powinno mieć strome zbocza.
Parametr Ugs(th) cechują także spore rozrzuty w ramach tego samego typu tranzystora. Dlatego, w wielu przypadkach, warto przemierzyć
„dany egzemplarz”, tym bardziej, że pomiar jest
łatwy do wykonania (w warunkach „domowych”,
lub nawet skromnie wyposażonego warsztatu).
Doprowadź do bramki napięcie z potencjometru (ok. 100 kΩ), zasilając go napięciem ok.
12V. Należy także zasilić obwód drenu, z tego
samego lub odrębnego źródła napięcia. Obserwując prąd w obwodzie drenu podczas regulacji
potencjometrem, łatwo ustalić, jaka wartość
napięcia (na bramce) dla nas jest „progową”.
Przeprowadzając ten test z większym prądem
drenu, zaobserwujemy też grzanie się tranzystora. Tranzystor w pełni włączony powinien
być chłodny. Ustalone w ten sposób napięcie
(bramki) należy uznać za minimalne, jakim musimy dysponować, chcąc zamienić tranzystor
BJT MOSFET-em.
K. Ś
SERWIS ELEKTRONIKI