Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury Józef Korecki, C1, II p., pok. 207

Transkrypt

Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury Józef Korecki, C1, II p., pok. 207
Powierzchnie
cienkie warstwy
nanostruktury
Józef Korecki, C1, II p., pok. 207
[email protected]
http://korek.uci.agh.edu.pl/priv/jk.htm
Obiekty niskowymiarowe
Powierzchnia
Cienkie warstwy
Wielowarstwy
Druty, kropki
Cechy powierzchni
złamana symetria translacyjna
duża gęstość defektów
niewysycone wiązania:
duża aktywność chemiczna
Modyfikacja właściwości
elektronowych
Niejednorodność strukturalna - rekonstrukcja, relaksacja
Niejednorodność chemiczna - segregacja, dyfuzja
r
n
Nanocząstki
Obraz nanocząsteczki anatazu (TiO2) otrzymany
wysokorozdzielczym mikroskopem elektronowym
1 nm
III
II
I
N b u lk
N surf
NS
NS
+ N bulk
N II
NI
1nm 3
1
26
0.96
12
8
1µm 3
2.7*10 1 0
5.4*10 7
2*10 -3
3.6*10 4
8
1m m 3
2.7*10 1 9
5.4*10 1 3
2*10 -6
3.6*10 7
8
atom
objętościowy
atomy
powierzchniowe
At. powierzchniowe/At. objętościowe [%]
Efekty powierzchniowe
Sferyczne
nanokryształki
Atomy
objętościowe
Atomy
powierzchniowe
Rozmiar / nm
Efekty rozmiarowe:
Kwantowanie zjawisk zależne od wielkości układu
3h 2
∆E =
8mL2
L
L ≈ 7 nm, ∆E ≈ 25 meV
Historia fizyki powierzchni i nanostruktur i nanotechnologii
1833 - M. Faraday - podstawy katalizy
1874 - K. F. Brown - efekty rozmiarowe w oporze (mezoskopowe)
1877 - W Gibbs - termodynamika fazy powierzchniowej
1906 - I. Langmuir - warstwy monomolekularne
1921 - A. Einstein - zjawisko fotoelektryczne
1927 - C. Davisson, L. H. Germer - dyfrakcja elektronów na sieci krystalicznej
1930 -1940 Rozwój teorii
I. Tamm
W. Shockley
E.T Goodwin
- stany powierzchniowe
J.E. Lennard-Jones - teoria adsorpcji
J. Bardeen - teoria metalicznej powierzchni
N.F. Mott
W. Schottky
B. Dawidow
- teoria złącza prostującego
1949 - J. Bardeen, W.H. Brattain - tranzystor
Historia fizyki powierzchni i nanostruktur i nanotechnologii
Lata 60-te, 70-te
Rozwój technologii ultra wysokiej próżni
Rozwój spektroskopii elektronowej
Nowoczesna fizyka powierzchni (idealnej)
dobrze zdefiniowanej
czystej
Weryfikacja teorii
Współcześnie:
Fizyka powierzchni
⇒
Fizyka nanostruktur ⇒
Nanotechnologia /
1905 - Einstein - cząsteczka cukru ma średnicę 1 nm
1959 - Feynman - wizjonerski wykład o miniaturyzacji
1985 STM
Nanotechnologia
Termodynamika na granicy faz
wielkość ekstensywna Y (np. masa lub liczba cząstek)
y
y1
V1
V2
Y= y1V1 + y2V2
dY
y=
dV
Powierzchnia umieszczona w zs
Y= y1V1 + y2V2 + ysA,
y2
zs
ys przyczynek powierzchniowy (interfejsowy)
z "powierzchniowa nadwyżka" ("surface excess”)
ys może być dodatnie lub ujemne.
Wybór zs determinuje ys.
Jednoznaczność daje pojęcie " płaszczyzny podziału Gibbsa"
zdefiniowanej tak by całkowitą liczbę cząstek w układzie Ntot można było wyrazić jako:
Ntot= n1V1 + n2V2,
ns = 0.
Energia swobodna F(S,V,N):
F=U-TS= -pV + µN + γA, Fs= γA, (Ns=0)
γ - gęstość energii powierzchniowej
energia potrzebna na rozłupanie jednostkowej powierzchni
g – naprężenie (tensor)
jest to siła działająca stycznie do powierzchni wzdłuż krawędzi kryształu
(na jednostkę długości).
A = Na
a jest powierzchnią przypadającą na powierzchniowy atom
Dla idealnie plastycznego ośrodka (ciecz):
dFs = γ ⋅ a ⋅ dN = γ ⋅ dA
g=γ
Dla idealnie elastycznego i izotropowego ośrodka:
dγ
dFs = N (γ ⋅ da + a ⋅ dγ ) = (γ + a ⋅ ) N ⋅ da
da
dγ
g = (γ + a ⋅ )
da
Oszacowanie γ
zerowe przybliżenie: z definicji, która wiąże γ z pracą rozłupania kryształu.
Zgodnie z tą definicją określona liczba wiązań musi zostać zerwana dla atomu
powierzchniowego w określonej konfiguracji i dlatego:
γ ≅(1/2) EB (1 - ZS/Z)NS
EB - energią wiązania na jeden atom w krysztale
Z i ZS - liczba najbliższych sąsiadów odpowiednio w objętości i na powierzchni
NS - gęstość powierzchniowa atomów.
Przyjmując:
EB=3eV
(1 - ZS/Z) = 0.3
NS = 1015cm-2
otrzymujemy γ ≅ 1000erg/cm2.
Energia powierzchniowa w fazie ciekłej
r
n0
płaszczyzna nisko-wskaźnikowa
r
n0
r
n0
płaszczyzna wysoko-wskaźnikowa=
tarasy płaszczyzny nisko-wskaźnikowej + stopnie
r
n
płaszczyzna nisko-wskaźnikowa
r
n1
r
n1
r
n
Konstrukcja Wulff’a
Równowagowy kształt kryształu fcc
Pełne warstwy
kolejnych sąsiadów
Rozmiar Liczba
(nm) atomów
1 warstwa
0.9
2 warstwy
1.4
3 warstwy
1.9
4 warstwy
2.4
5 warstw
2.9
7 warstw
3.9
Atomy
powierzchniowe
(%)
Nanoscale Materials in Chemistry, Ed. K.J. Klabunde, Wiley, 2001
13-sto atomowy klaster Au
fcc?
hcp?
Ikosaedr – dwudziestościan foremny
Można obserwować klastery Au o dokładnie
wyselekcjonowanej masie, uwięzione w chmurze
„gazowej”
Rowland Institute at Harvard, Cambridge, Massachusetts
Obraz dyfrakcyjny
X. Xing et al., Phys. Rev. 74, 165423 2006
Równowagowy kształt powierzchni kryształu
jeśli γ + γ ’’ > 0, płaszczyzna jest stabilna
jeśli γ + γ ’’ < 0, płaszczyzna nie jest stabilna
Powierzchnia Au
Tworzenie fasetek (facetting)
γ0
na wysoko-wskaźnikowej powierzchni
korzystniejsze jest utworzenie licznych, niewielkich tarasów
ze stopniami w górę i w dół
γ 1 S1 + γ 2 S 2 < γ 0 S 0
Au(111)
Cu(110)
Powierzchniowe przejście fazowe
porządek-nieporządek
(roughening transition)
Dla powierzchni:
T<TR
T>TR
F=U - TS
Konkurencja pomiędzy:
szorstkością (dużą energia, duża entropia)
gładkością (mała energia, mała entropia)
Au 1000oC
Pb 300oC
NaCl 710oC
Solid-on-Solid
hi h j
H = J ∑ hi − h j
2
Stan podstawowy (T=0) - brak stopni
Konfiguracja dla T= 0 - minimalizacja F
F=U - TS
Faworyzuje
gładką powierzchnię
Faworyzuje
nieporządek
z=-1
F=U - TS
Chropowatość powierzchni określa całkowita
długość linii stopni (poziomic)
z=0
z=1
a
z=0
z=1
z=2
Linia stopni o długości L daje energię:
U=J
L
a
Linia stopni o długości L może zostać utworzona na
L
L
L
a
F = J − Tk B ln Z = ( J − k BT ln Z )
a
a
L
a
Z sposobów
J
Tr =
k B ln Z
S = k B ln Z
temperatura
krytyczna
Dla T<Tr F ma min dla L=0 ; dla T>Tr F ma min dla L jak największego
L
a