Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury Józef Korecki, C1, II p., pok. 207
Transkrypt
Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury Józef Korecki, C1, II p., pok. 207
Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury Józef Korecki, C1, II p., pok. 207 [email protected] http://korek.uci.agh.edu.pl/priv/jk.htm Obiekty niskowymiarowe Powierzchnia Cienkie warstwy Wielowarstwy Druty, kropki Cechy powierzchni złamana symetria translacyjna duża gęstość defektów niewysycone wiązania: duża aktywność chemiczna Modyfikacja właściwości elektronowych Niejednorodność strukturalna - rekonstrukcja, relaksacja Niejednorodność chemiczna - segregacja, dyfuzja r n Nanocząstki Obraz nanocząsteczki anatazu (TiO2) otrzymany wysokorozdzielczym mikroskopem elektronowym 1 nm III II I N b u lk N surf NS NS + N bulk N II NI 1nm 3 1 26 0.96 12 8 1µm 3 2.7*10 1 0 5.4*10 7 2*10 -3 3.6*10 4 8 1m m 3 2.7*10 1 9 5.4*10 1 3 2*10 -6 3.6*10 7 8 atom objętościowy atomy powierzchniowe At. powierzchniowe/At. objętościowe [%] Efekty powierzchniowe Sferyczne nanokryształki Atomy objętościowe Atomy powierzchniowe Rozmiar / nm Efekty rozmiarowe: Kwantowanie zjawisk zależne od wielkości układu 3h 2 ∆E = 8mL2 L L ≈ 7 nm, ∆E ≈ 25 meV Historia fizyki powierzchni i nanostruktur i nanotechnologii 1833 - M. Faraday - podstawy katalizy 1874 - K. F. Brown - efekty rozmiarowe w oporze (mezoskopowe) 1877 - W Gibbs - termodynamika fazy powierzchniowej 1906 - I. Langmuir - warstwy monomolekularne 1921 - A. Einstein - zjawisko fotoelektryczne 1927 - C. Davisson, L. H. Germer - dyfrakcja elektronów na sieci krystalicznej 1930 -1940 Rozwój teorii I. Tamm W. Shockley E.T Goodwin - stany powierzchniowe J.E. Lennard-Jones - teoria adsorpcji J. Bardeen - teoria metalicznej powierzchni N.F. Mott W. Schottky B. Dawidow - teoria złącza prostującego 1949 - J. Bardeen, W.H. Brattain - tranzystor Historia fizyki powierzchni i nanostruktur i nanotechnologii Lata 60-te, 70-te Rozwój technologii ultra wysokiej próżni Rozwój spektroskopii elektronowej Nowoczesna fizyka powierzchni (idealnej) dobrze zdefiniowanej czystej Weryfikacja teorii Współcześnie: Fizyka powierzchni ⇒ Fizyka nanostruktur ⇒ Nanotechnologia / 1905 - Einstein - cząsteczka cukru ma średnicę 1 nm 1959 - Feynman - wizjonerski wykład o miniaturyzacji 1985 STM Nanotechnologia Termodynamika na granicy faz wielkość ekstensywna Y (np. masa lub liczba cząstek) y y1 V1 V2 Y= y1V1 + y2V2 dY y= dV Powierzchnia umieszczona w zs Y= y1V1 + y2V2 + ysA, y2 zs ys przyczynek powierzchniowy (interfejsowy) z "powierzchniowa nadwyżka" ("surface excess”) ys może być dodatnie lub ujemne. Wybór zs determinuje ys. Jednoznaczność daje pojęcie " płaszczyzny podziału Gibbsa" zdefiniowanej tak by całkowitą liczbę cząstek w układzie Ntot można było wyrazić jako: Ntot= n1V1 + n2V2, ns = 0. Energia swobodna F(S,V,N): F=U-TS= -pV + µN + γA, Fs= γA, (Ns=0) γ - gęstość energii powierzchniowej energia potrzebna na rozłupanie jednostkowej powierzchni g – naprężenie (tensor) jest to siła działająca stycznie do powierzchni wzdłuż krawędzi kryształu (na jednostkę długości). A = Na a jest powierzchnią przypadającą na powierzchniowy atom Dla idealnie plastycznego ośrodka (ciecz): dFs = γ ⋅ a ⋅ dN = γ ⋅ dA g=γ Dla idealnie elastycznego i izotropowego ośrodka: dγ dFs = N (γ ⋅ da + a ⋅ dγ ) = (γ + a ⋅ ) N ⋅ da da dγ g = (γ + a ⋅ ) da Oszacowanie γ zerowe przybliżenie: z definicji, która wiąże γ z pracą rozłupania kryształu. Zgodnie z tą definicją określona liczba wiązań musi zostać zerwana dla atomu powierzchniowego w określonej konfiguracji i dlatego: γ ≅(1/2) EB (1 - ZS/Z)NS EB - energią wiązania na jeden atom w krysztale Z i ZS - liczba najbliższych sąsiadów odpowiednio w objętości i na powierzchni NS - gęstość powierzchniowa atomów. Przyjmując: EB=3eV (1 - ZS/Z) = 0.3 NS = 1015cm-2 otrzymujemy γ ≅ 1000erg/cm2. Energia powierzchniowa w fazie ciekłej r n0 płaszczyzna nisko-wskaźnikowa r n0 r n0 płaszczyzna wysoko-wskaźnikowa= tarasy płaszczyzny nisko-wskaźnikowej + stopnie r n płaszczyzna nisko-wskaźnikowa r n1 r n1 r n Konstrukcja Wulff’a Równowagowy kształt kryształu fcc Pełne warstwy kolejnych sąsiadów Rozmiar Liczba (nm) atomów 1 warstwa 0.9 2 warstwy 1.4 3 warstwy 1.9 4 warstwy 2.4 5 warstw 2.9 7 warstw 3.9 Atomy powierzchniowe (%) Nanoscale Materials in Chemistry, Ed. K.J. Klabunde, Wiley, 2001 13-sto atomowy klaster Au fcc? hcp? Ikosaedr – dwudziestościan foremny Można obserwować klastery Au o dokładnie wyselekcjonowanej masie, uwięzione w chmurze „gazowej” Rowland Institute at Harvard, Cambridge, Massachusetts Obraz dyfrakcyjny X. Xing et al., Phys. Rev. 74, 165423 2006 Równowagowy kształt powierzchni kryształu jeśli γ + γ ’’ > 0, płaszczyzna jest stabilna jeśli γ + γ ’’ < 0, płaszczyzna nie jest stabilna Powierzchnia Au Tworzenie fasetek (facetting) γ0 na wysoko-wskaźnikowej powierzchni korzystniejsze jest utworzenie licznych, niewielkich tarasów ze stopniami w górę i w dół γ 1 S1 + γ 2 S 2 < γ 0 S 0 Au(111) Cu(110) Powierzchniowe przejście fazowe porządek-nieporządek (roughening transition) Dla powierzchni: T<TR T>TR F=U - TS Konkurencja pomiędzy: szorstkością (dużą energia, duża entropia) gładkością (mała energia, mała entropia) Au 1000oC Pb 300oC NaCl 710oC Solid-on-Solid hi h j H = J ∑ hi − h j 2 Stan podstawowy (T=0) - brak stopni Konfiguracja dla T= 0 - minimalizacja F F=U - TS Faworyzuje gładką powierzchnię Faworyzuje nieporządek z=-1 F=U - TS Chropowatość powierzchni określa całkowita długość linii stopni (poziomic) z=0 z=1 a z=0 z=1 z=2 Linia stopni o długości L daje energię: U=J L a Linia stopni o długości L może zostać utworzona na L L L a F = J − Tk B ln Z = ( J − k BT ln Z ) a a L a Z sposobów J Tr = k B ln Z S = k B ln Z temperatura krytyczna Dla T<Tr F ma min dla L=0 ; dla T>Tr F ma min dla L jak największego L a