Kryształ cenniejszy niż diament 6 czerwca 2014 r. , piątek, godz. 11

Zapraszamy zainteresowanych studentów i pracowników PG!!!
Kryształ cenniejszy niż diament
6 czerwca 2014 r. , piątek, godz. 11:15, sala 3/11 CNA PG
wykład prof. dr. hab. Sylwestra Porowskiego, IWC PAN Warszawa
b
LDL
4,500
HDL
DR
4,000
H-MD
Tmax , Pmax
Eq
3,500
Eq
Tm (K)
Sylwester Porowski – fizyk, prowadzi badania
w dziedzinie fizyki półprzewodników i fizyki
wysokich ciśnień. Twórca i wieloletni dyrektor
(1972-2010) Laboratorium Fizyki i Technologii
Wysokich Ciśnień „Unipress” PAN, a następnie
Instytutu Wysokich Ciśnień PAN.
Prace badawcze prowadził także za granicą;
był związany m. in. Z Uniwersytetem Harvarda
(1967-1969)
oraz
z
Uniwersytetem
Montpellier (od 1978).
Jest członkiem Polskiego Towarzystwa
Fizycznego, European Physical Society oraz
Światowej Organizacji Fizyki i Technologii
Wysokich
Ciśnień
AIRAPT,
której
przewodniczył w latach 1999-2003.
Prof. Porowski opublikował 399 artykułów
naukowych cytowanych 7314 razy z indeksem
Hirscha 44. W 2002 roku otrzymał Nagrodę
Prezydenta
za
najlepszy
wynalazek
w dziedzinie produktu lub technologii
(za niebieski laser na monokrysztale GaN).
W 2013 roku został uhonorowany Medalem
Czochralskiego za całokształt działalności oraz
Nagrodą FNP za prace nad uzyskaniem
metodami
wysokociśnieniowym
bardzo
wysokiej jakości kryształu azotku galu (GaN)
i
otworzenie
perspektyw
szerokiego
wykorzystania
przemysłowego
tych
kryształów.
Gwałtowny rozwój fizyki wysokich ciśnień w pierwszej połowie XX w. związany jest z badaniami W. P. Bridgmana. W 1946
r. otrzymał on Nagrodę Nobla zaskonstruowanie urządzenia, które po raz pierwszy pozwoliło na uzyskanie w laboratorium
ciśnienia 30 000 atm. oraz zbadanie jego wpływu na własności fizyczne różnych materiałów. Przez wiele lat główną
motywacją rozwoju badań wysokociśnieniowych była chęć otrzymania w warunkach laboratoryjnych diamentów
najcenniejszych kryształów, o których wiadomo było, że powstają w Ziemi na dużych głębokościach w warunkach
wysokich ciśnień i wysokich temperatur. Obecnie proces ten jest już opanowany przemysłowo i niewątpliwie jest on
najbardziej spektakularnym osiągnięciem fizyki wysokich ciśnień.
W referacie omówię badania prowadzone w Polsce, które dzięki zastosowaniu wysokich ciśnień doprowadziły do
uzyskania pierwszych na świecie monokryształów ważnego i cennego półprzewodnika azotku galu GaN. Już od początku
lat 60-tych zeszłego wieku wiadomo było, że GaN jest idealnym półprzewodnikiem dla szeregu przyrządów
elektronicznych i optoelektronicznych i w wielu obszarach może konkurować z dominującymi półprzewodnikami krzemem
Si i arsenkiem galu GaAs. Przez wiele lat krytyczną barierą w rozwoju fizyki i technologii GaN był całkowity brak
monokryształów tego materiału. W przyrodzie monokryształy GaN nie występują, a w związku z tym, że GaN rozkłada się
w niższej temperaturze niż się topi, klasyczne metody krystalizacji półprzewodników nie mogły być zastosowane.
Pierwsze monokryształy GaN o prawie idealnej sieci krystalicznej uzyskane zostały metodą wysokociśnieniową w 1993 r.
w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN w Warszawie. W referacie omówię, jaki wpływ miało to osiągnięcie na rozwój fizyki
azotku galu oraz na opracowanie polskiej technologii niebieskich laserów.
Pm = 12 GPa
3,000
Eq
Tm = 4000 K
2,500
2,000
1,500
0
5
10
15
P (GPa)
20
25