article (PL)

MATERIA£Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 68, 1, (2016), 17-21
www.ptcer.pl/mccm
Wpáyw wyáadowania koronowego na wáaĞciwoĞci
powierzchni szkáa
MAREK NOCUē1*, MAGDALENA SKOWRON2, MARCIN ĝRODA1, JERZY JEDLIēSKI1, MAàGORZATA CIECIēSKA1
1
AGH Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydziaá InĪynierii Materiaáowej i Ceramiki, KTSiPA, al. A. Mickiewicza 30, 30-059
Kraków
2
Instytut Ceramiki i Materiaáów Budowlanych, ul. Cementowa 8, 31-983 Kraków
*e-mail: [email protected]
Streszczenie
Obróbka powierzchni szkáa w plazmie niskotemperaturowej nabiera coraz wiĊkszego znaczenia ze wzglĊdu na dobre wyniki i niski
koszt aparatury. W pracy przedstawiono wstĊpne wyniki badaĔ nad wpáywem plazmy niskotemperaturowej wytwarzanej w procesie wyáadowania koronowego na wáasnoĞci ¿zyczne i skáad chemiczny powierzchni szkáa. Obróbka szkáa w plazmie nierównowagowej prowadzi
do obniĪenia kąta zwilĪania z 37º dla szkáa nie poddanego obróbce do 5,5º po kilkunastu sekundowej obróbce. Badania XPS wykazaáy
wzrost stĊĪenia sodu i grup OH na powierzchni poddanej dziaáaniu plazmy, a takĪe wzrost aktywnoĞci powierzchni.
Sáowa kluczowe: szkáo, powierzchnia, plazma, wyáadowanie koronowe
THE INFLUENCE OF CORONA DISCHARGE ON PROPERTIES OF GLASS SURFACES
Surface treatment of glass in the low temperature plasma is becoming increasingly important due to its good performance and low cost
of the equipment. The paper presents preliminary results of research on effects of low temperature plasma generated in the process of
corona discharge on physical properties and chemical composition of the glass surface. Treatment of the glass in the plasma led to the
reduction in an equilibrium contact angle of 37º for the untreated glass to 5.5º after a few seconds of treatment. XPS analysis showed an
increased concentration of sodium and OH groups on the plasma treated surface and an increase in surface activity.
Keywords: Glass, Surface, Plasma, Corona discharge
1. WstĊp
Obecnie zdecydowana wiĊkszoĞü szyb architektonicznych i komunikacyjnych poddawana jest procesom inĪynierii
powierzchni mającym na celu mody¿kacjĊ ich wáaĞciwoĞci
optycznych i termicznych. Zasadniczą rolĊ we wszystkich
tych procesach technologicznych odgrywa stan powierzchni
szkáa. Powierzchnia szkáa istotnie róĪni siĊ od jego wnĊtrza,
tak pod wzglĊdem struktury jak i skáadu chemicznego. Przyjmuje siĊ, Īe gruboĞü warstwy zmienionej mieĞci siĊ w granicach 1-10 nm w zaleĪnoĞci od rodzaju szkáa. Warstwa ta jest
rezultatem oddziaáywania powierzchni z otoczeniem. Gáówne znaczenie ma obecnoĞü pary wodnej w powietrzu. W wyniku reakcji ze skáadnikami szkáa tworzy siĊ cienka warstwa
uwodnionych krzemianów sodu i wapnia, w przypadku szkieá
sodowo-wapniowych [1, 2]. Pewną rolĊ odgrywa równieĪ
CO2, wchodząc w reakcje z produktami hydrolizy i tworząc
związki wĊglanowe [2]. Zwáaszcza áatwo tworzą siĊ wĊglany wapnia. DáuĪej przechowywane szkáo adsorbuje równieĪ
cząstki pyáu i zanieczyszczenia organiczne o wáaĞciwoĞciach
hydrofobowych. Zanieczyszczenia te powodują wzrost kąta
zwilĪania powierzchni przez wodĊ i są gáówną przyczyną
braku przyczepnoĞci powáok nakáadanych technikami ¿zycznymi (PVD) [3]. Istotnym parametrem uĪytkowym powáoki
jest adhezja do podáoĪa. Oddziaáywanie podáoĪa z powáoką
odbywa siĊ w kilku etapach: zwilĪanie powierzchni materia-
áem warstwy, adsorpcja skáadników na skutek oddziaáywaĔ
¿zycznych, elektrochemicznych i reakcji chemicznych, interdyfuzja skáadników warstwy i podáoĪa z wytworzeniem
wiązaĔ chemicznych [4]. Procesy te są ĞciĞle związane
z wáaĞciwoĞciami powierzchni, a uzyskanie wysokiej adhezji
moĪliwe jest przy braku zanieczyszczeĔ oraz przy wysokiej
reaktywnoĞci powierzchni.
Przygotowanie powierzchni przed naáoĪeniem powáoki
polega wiĊc na usuniĊciu zanieczyszczeĔ staáych (cząstek
kurzu) i zanieczyszczeĔ organicznych. W tym celu najczĊĞciej stosuje siĊ obróbkĊ w rozpuszczalnikach organicznych
i nieorganicznych wspomaganą ultradĨwiĊkami, promieniowaniem UV czy ozonem [3, 5]. Wadą takiej metody przygotowania powierzchni jest wysoki koszt rozpuszczalników
i tworzenie duĪych iloĞci toksycznych odpadów. Alternatywą
jest obróbka powierzchni w plazmie. Jest to metoda skutecznie usuwająca zanieczyszczenia i nie kreująca szkodliwych
odpadów. Ponadto obróbka plazmowa zwiĊksza reaktywnoĞü obrabianej powierzchni, co istotnie poprawia adhezjĊ.
Dotychczas stosowane metody wytwarzania plazmy w gazie
rozrzedzonym wymagaáy kosztownej aparatury próĪniowej
i skomplikowanych ukáadów zasilania. Wysoki koszt aparatury ograniczaá stosowanie tej metody w zasadzie do produkcji
elementów optycznych.
Rozwój technik plazmowych bazujących na plazmie wytwarzanej przy ciĞnieniu atmosferycznym daje moĪliwoĞü
17
M. NOCUē, M. SKOWRON, M. ĝRODA, J. JEDLIēSKI, M. CIECIēSKA
wprowadzenia obróbki plazmowej na szerszą skalĊ poniewaĪ nie wymaga stosowania drogich urządzeĔ, a zuĪycie
energii elektrycznej jest równieĪ niskie. Plazma jest stanem
materii, w którym duĪa czĊĞü atomów wystĊpuje w stanie
zjonizowanym i istnieje równowaga pomiĊdzy jonami dodatnimi i ujemnymi (elektronami). ChociaĪ plazma wystĊpuje
w warunkach naturalnych (zorza polarna, wyáadowania atmosferyczne, korona sáoneczna) to dopiero ostatnio zaczĊto
wykorzystywaü plazmĊ wytwarzaną przy atmosferycznych
ciĞnieniach gazu do celów technologicznych takich jak obróbka powierzchni [6, 7], procesy syntezy polimerów [8-10],
zastosowania biologiczne [11, 12] i medyczne [13, 14].
WyróĪnia siĊ plazmĊ równowagową termiczną, cechującą
siĊ wysoką temperaturą jonów i elektronów rzĊdu kilku tysiĊcy stopni Kelvina, i plazmĊ nierównowagową o niskiej
temperaturze, cechującą siĊ mniejszym stĊĪeniem jonów
dodatnich i elektronów. Plazma niskotemperaturowa nie powoduje wzrostu temperatury obrabianego materiaáu jest wiĊc
szczególnie odpowiednia do zastosowaĔ biologicznych, medycznych [15]. Okazuje siĊ, Īe energia plazmy niskotemperaturowej jest wystarczająca do dekontaminacji powierzchni
z zanieczyszczeĔ organicznych i moĪe byü stosowana do
wstĊpnej obróbki powierzchni w celu jej oczyszczenia i aktywizacji. Dodatkową zaletą tej metody jest niski koszt aparatury niezbĊdnej do jej wytworzenia.
Obecnie stosuje siĊ trzy gáówne techniki wytwarzania
nierównowagowej plazmy niskotemperaturowej. Wszystkie
one opierają siĊ na wykorzystaniu wysokich napiĊü do wzbudzenia i jonizacji gazu:
– palniki plazmowe zasilane wysokim napiĊciem o czĊstotliwoĞci radiowej [16],
– wyáadowanie koronowe (corona discharges) [17],
– wyáadowanie z udziaáem bariery dielektrycznej (dielectric barrier discharges) [18],
– wyáadowanie w przemieszczającym siĊ áuku (gliding
arc discharges).
Do dekontaminacji powierzchni szkáa mogą byü stosowane pierwsze trzy techniki. W zaleĪnoĞci od potrzeb gazem
roboczym moĪe byü powietrze, gazy obojĊtne, tlen lub ich
kombinacje. Wskutek wyáadowania w gazie zachodzi szereg
reakcji chemicznych i zjawisk ¿zycznych np. generowanie
promieniowania UV. W zaleĪnoĞci od skáadu gazu roboczego i jego ciĞnienia, a takĪe parametrów elektrycznych
(wartoĞü napiĊcia i czĊstotliwoĞci) przebieg reakcji i rodzaj
otrzymywanych cząstek moĪe byü róĪny. Zidenty¿kowano
ok. 61 róĪnorodnych reakcji, zachodzących w plazmie wytwarzanej w powietrzu [19] przy czym dominują nastĊpujące
reakcje [20]:
18
e + O2 ĺ 2O + e
(1)
O + O2 ĺ O3
(2)
O3 + H2O ĺ O2 + H2O2
(3)
H2O2 ĺ 2OH·
(4)
e + H2O ĺ H· + OH· + e
(5)
e + N2 ĺ N· + N· + e
(6)
MATERIA£Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 68, 1, (2016)
e + N2 ĺ N2· + e
(7)
e + NO ĺ N· + O· + e
(8)
2H2O ĺ H2O2 + H2
(9)
Badania oddziaáywania plazmy niskotemperaturowej, wytwarzanej w ukáadzie z barierą dielektryczną, z powierzchnią szkáa wykazaáy, Īe juĪ po 5 sekundach oddziaáywania
kąt zwilĪania obniĪyá siĊ z 33º do ok. 5° [21]. WáaĞciwoĞci
hydro¿lowe powierzchni ulegaáy obniĪeniu z czasem przechowywania, przy czym po 100 h kąt zwilĪania wynosiá
jeszcze 27º, co Ğwiadczy o duĪej stabilnoĞci parametrów
powierzchni poddanej obróbce w plazmie atmosferycznej.
Analiza wpáywu metod obróbki powierzchni szkáa na przyczepnoĞü warstw chromu, nakáadanych techniką przez odparowanie w próĪni, wykazaáa, Īe najlepsze rezultaty uzyskuje siĊ w wyniku obróbki w plazmie z udziaáem O2 [22].
Oddziaáywanie plazmy niskotemperaturowej z powierzchnią
szkáa jest ciągle na wstĊpnym etapie poznawania, ale zainteresowanie tą techniką inĪynierii powierzchni jest coraz
wiĊksze w przemyĞle szkáa páaskiego.
Celem badaĔ byáo sprawdzenie wpáywu plazmy wytwarzanej w procesie wyáadowania koronowego na wáaĞciwoĞci
¿zyczne i skáad chemiczny powierzchni szkáa sodowo-wapniowego.
2. Metodyka badawcza
Wpáyw wyáadowania koronowego na wáaĞciwoĞci powierzchni szkáa badano w ukáadzie pokazanym na Rys. 1.
W badaniach zastosowano typowe szkáo Àoat o gruboĞci
2 mm. Wyáadowanie koronowe wytworzono miĊdzy elektrodami zasilanymi napiĊciem przemiennym o czĊstotliwoĞci
30 kHz i napiĊciu 6 kV. Elektroda wyáadowcza wykonana byáa
z drutu miedzianego o Ğrednicy 0,5 mm, a odlegáoĞü elektrod
od powierzchni szkáa byáa równa 1 mm. Powierzchnia od
strony elektrody wyáadowczej nie zawieraáa cyny. Próbka
szkáa przesuwaáa siĊ pomiĊdzy elektrodami z prĊdkoĞcią
5 cm/min. Przygotowanie próbki przed pomiarem polegaáo
na myciu w wodzie destylowanej z detergentem w páuczce
ultradĨwiĊkowej, a po wysuszeniu w acetonie.
Próbka szkła
Glass sheet
Elektroda wyładowcza
Discharge electrode
Przeciwelektroda
Counter electrode
Generator wysokiego napiêcia
HV UNIT
Rys. 1. Schemat ukáadu do mody¿kacji powierzchni szkáa plazmą
niskotemperaturową generowaną podczas wyáadowania koronowego.
Fig. 1. Schematic drowing of the equipment used to modify the
surface of glass by low temperature plasma generated by a corona
discharge.
WPàYW WYàADOWANIA KORONOWEGO NA WàAĝCIWOĝCI POWIERZCHNI SZKàA
Pomiary kąta zwilĪania T wykonano za pomocą goniometru DSA 10Mk2. Jako ciecz pomiarową zastosowano wodĊ
podwójnie destylowaną. ObjĊtoĞü kropli wynosiáa 0,2 ȝl,
a kąt zwilĪania obliczono jako Ğrednią z 5 pomiarów.
Badania elipsometryczne przeprowadzono na elipsometrze spektroskopowym PhE 102 ¿rmy Angstrom Advanced
Inc. GruboĞü warstwy wyznaczono w oparciu o model Cauchego [23, 24].
Analiza skáadu chemicznego powierzchni szkáa zostaáa
przeprowadzona za pomocą techniki spektroskopii fotoelektronowej (XPS) na spektrofotometrze VSW. ħródáem
promieniowania rentgenowskiego byáa lampa magnezowa
Mg KĮ o mocy 200 W. Widma kalibrowane byáy na energiĊ
wiązania wĊgla C1s, którą przyjĊto równą 284.6 eV [2527]. AnalizĊ matematyczną widm przeprowadzono w oparciu
o program Raymunda W.M. Kwok, The Chinese University
of Hong Kong. AnalizĊ iloĞciową przeprowadzono w oparciu
o wspóáczynniki czuáoĞci publikowane w literaturze [27].
3. Wyniki badaĔ
3.1. Kąt zwilĪania
Wpáyw oddziaáywania plazmy niskotemperaturowej na
powierzchniĊ szkáa najczĊĞciej analizuje siĊ poprzez pomiar kąta zwilĪania [28, 29]. Rys. 2 przedstawia porównanie ksztaátu kropli wody destylowanej na powierzchni szkáa
przed i po obróbce w plazmie. Kąt zwilĪania wody podwójnie
destylowanej na szkle wyjĞciowym wynosiá 37° natomiast po
obróbce w plazmie spada do 5,5°.
a)
b)
Rys. 2. Obraz kropli na szkle przed obróbką w plazmie (a) i po
obróbce (b).
Fig. 2. An image of a water drop on the glass before (a) and after
(b) the plasma treatment.
3.2. Spektroskopia fotoelektronów
Porównanie szczegóáowych widm XPS wĊgla, tlenu
i sodu, uzyskanych dla próbki wyjĞciowej i próbki poddanej obróbce w plazmie, przedstawiono w Tabeli 1. Zakres
energii wiązania wĊgla niesie ograniczone informacje, poniewaĪ organiczne zanieczyszczenia powierzchni zostaáy
zamaskowane tzw. wĊglem aparaturowym pochodzącym
z pomp dyfuzyjnych. Niemniej jednak róĪnice w widmach
wĊgla Ğwiadczą o zmianie wáaĞciwoĞci powierzchni.
W próbce wyjĞciowej na widmie C1s widoczny jest pik
o energii wiązania 287,8 eV, który przypisuje siĊ wiązaniom
podwójnym wĊgla z tlenem C=O. Natomiast w próbce poddanej dziaáaniu plazmy widoczny jest pik o energii wiązania
288,6 eV, który Ğwiadczy o obecnoĞci grup karboksylowych.
Grupy te powstaáy w wyniku oddziaáywania wĊgla aparaturowego z grupami OH znajdującymi siĊ na powierzchni szkáa.
Istotnie ulegáa zmianie intensywnoĞü piku o energii wiązania
283,5 eV dla próbki wyjĞciowej. ObecnoĞü jego związana jest
z adsorpcją związków ÀuorowĊglanowych obecnych w oleju
pompy dyfuzyjnej. Istotny wzrost intensywnoĞci tego pasma
Ğwiadczy o wiĊkszej skáonnoĞci powierzchni szkáa do adsorpcji. MoĪe to wynikaü ze zwiĊkszenia rozwiniĊcia powierzchni szkáa lub wzrostu jej aktywnoĞci na skutek oddziaáywania
z plazmą.
Wpáyw obróbki szkáa w plazmie niskotemperaturowej wytwarzanej w procesie wyáadowania koronowego na skáad
chemiczny powierzchni widaü szczególnie wyraĨnie na podstawie analizy iloĞciowej, której wyniki zamieszczono w Tabeli 2. Obróbka w plazmie prowadzi do istotnego obniĪenia
zawartoĞci wĊgla na powierzchni – spadek o ok. 4 punkty
procentowe. NaleĪy przyjąü, Īe jest to wĊgiel pochodzący
od zanieczyszczeĔ powierzchni szkáa związkami organicznymi, które nie ulegáy rozpuszczeniu podczas obróbki próbki
w acetonie, a takĪe związki wĊglanowe, które ulegáy utlenieniu do CO2. Widoczny w analizie wĊgiel w iloĞci ok. 11% jest
tzw. wĊglem „aparaturowym” pochodzącym ze strumienia
wstecznego par olejów pompy dyfuzyjnej stosowanej w tej
aparaturze. ZawartoĞü tlenu ulegáa zwiĊkszeniu o ponad 3%,
natomiast zawartoĞü krzemu i wapnia nieznacznie spadáa.
Na uwagĊ zasáuguje wzrost zawartoĞci sodu na powierzchni
o ok. 2%. Wzrost zawartoĞci sodu moĪe wynikaü z faktu, Īe
w wyniku oddziaáywania z plazmą i jej skáadnikami, a gáównie
ozonem i chemicznie aktywnymi grupami OH, utlenione zostaáy do CO2 związki organiczne i wĊglany związane gáównie
z sodem, który jest najbardziej aktywnym chemicznie pierwiastkiem na powierzchni szkáa. Innym wytáumaczeniem
moĪe byü proces reorganizacji powierzchni, polegający na
dyfuzji sodu do powierzchni pod wpáywem pola elektrycznego. Taką interpretacjĊ popierają badania morfologii powierzchni za pomocą mikroskopu siá atomowych [21]. Badania te wykazaáy istotny wzrost chropowatoĞci powierzchni
szkáa poddanej dziaáaniu pola elektrycznego o wysokim
napiĊciu. W obrazie mikroskopowym widoczne są domeny
wyraĨnie wystające ponad powierzchniĊ szkáa, których nie
obserwuje siĊ na próbce wyjĞciowej. Najprawdopodobniej
oba wspomniane wyĪej procesy mają miejsce, co prowadzi do obserwowanego wzrostu zawartoĞci sodu. Aktywny
sód z powierzchni reaguje z grupami OH pochodzącymi
z plazmy, dając związki o duĪej hydro¿lowoĞci. Táumaczy to
istotny spadek kąta zwilĪania, a wiĊc wzrost hydro¿lowoĞci
powierzchni po obróbce w plazmie.
3.3. Badania elipsometryczne
W celu potwierdzenia faktu, Īe obserwowane w XPS
zmiany skáadu powierzchni prowadzą do zmiany wáaĞciwoĞci
powierzchni oraz wyznaczenia gruboĞci zmienionej warstwy
zastosowano elipsometriĊ spektroskopową. Jest to metoda
bardzo czuáa i charakteryzująca siĊ wysoką precyzją okreĞlenia gruboĞci powáoki, wynoszącą poniĪej angstrema [30, 31].
Na Rys. 3 porównano wspóáczynniki zaáamania Ğwiatáa
powierzchni szkáa przed i po obróbce.
Wyniki analizy elipsometrycznej wykazaáy obecnoĞü warstwy o gruboĞci 9,07 nm, której wspóáczynnik zaáamania
jest wyĪszy od wspóáczynnika zaáamania szkáa bazowego.
Wspóáczynnik zaáamania Ğwiatáa szkáa wyjĞciowego jest
MATERIA£Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 68, 1, (2016)
19
M. NOCUē, M. SKOWRON, M. ĝRODA, J. JEDLIēSKI, M. CIECIēSKA
Tabela 1. Porównanie widm XPS próbki wyjĞciowej i poddanej obróbce w plazmie.
Table 1. Comparison between XPS spectra of the glass sample before and after the plasma treatment.
Próbka wyjĞciowa
Próbka po obróbce w plazmie
C 1s
C 1s
O 1s
O 1s
Na 1s
Na 1s
Tabela 2. Analiza iloĞciowa XPS zawartoĞci pierwiastków na powierzchni szkáa przed i po obróbce w plazmie.
Table 2. XPS quantitative analysis of the content of elements in the glass surface before and after the plasma treatment.
20
Pierwiastek
Szkáo wyjĞciowe [% at.]
Szkáo po obróbce w plazmie [% at.]
C
15,16
11,17
O
65,41
68,75
Si
12,63
11,31
Ca
3,82
3,60
Na
2,98
5,16
MATERIA£Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 68, 1, (2016)
WPàYW WYàADOWANIA KORONOWEGO NA WàAĝCIWOĝCI POWIERZCHNI SZKàA
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
Rys. 3. Porównanie wspóáczynnika zaáamania Ğwiatáa próbki szkáa
przed i po obróbce w plazmie.
Fig. 3. Comparison between refractive indexes of the glass sample
before and after the plasma treatment.
równy 1,523 dla 550 nm, a zmienionej warstwy 1,553 dla
tej samej dáugoĞci fali.
[15]
[16]
[17]
4. Wnioski
Plazma niskotemperaturowa wytwarzana w procesie wyáadowania koronowego usuwa skutecznie zanieczyszczenia organiczne z powierzchni szkáa. Ponadto obserwuje siĊ
wzrost aktywnoĞci chemicznej. Analiza skáadu powierzchniowego wykazaáa wzrost zawartoĞci sodu i grup OH na powierzchni poddanej dziaáaniu plazmy. Metoda oczyszczania
i aktywacji powierzchni szkáa przy zastosowaniu plazmy niskotemperaturowej jest bardzo obiecująca, gdyĪ daje dobre
wyniki przy jednoczeĞnie niskich kosztach aparaturowych
i eksploatacyjnych.
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
PodziĊkowania
Praca ¿nansowana z dziaáalnoĞci statutowej
nr 11.11.160.365/15 w roku 2015.
The research was ¿nanced by the National Ministry of
Higher Education under a grant no. 11.11.160.365/15.
[23]
[24]
[25]
Literatura
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
ZiĊba, B. (red.): Technologia szkáa, Arkady, Warszawa 1987.
Holland, L.: The Properties of Glass Surfaces, Chapman and
Hall, London 1966.
Wang, Y. Z., Awadelkarim, O. O.: The Effects of Glass Substrate’s Surface-Treatment on the Characteristics of N-Channel Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors, J. Electronic
Mater., 27, (1998), 77-80.
Adamson, A. W.: Physical Chemistry of Surfaces, J. Wiley
and Sons Inc., N.J. 1990.
Xianhua, C., Tao, B., Ju, W., Liang, W.: Characterization and
Tribological Investigation of Self-assembled Lanthanumbased Thin Films on Glass Substrates, Wear, 260, (2006),
745-750.
Chen, F. F.: Industrial applications of low-temperature plasma
physics, Phys. Plasmas, 2, (1995), 21642175.
Leterrier, Y.: Durability of nanosized oxygen-barrier coatings
on polymers, Prog. Mater. Sci., 48, (2003), 1-55,
Denes, F. S., Manolache, S.: Macromolecular plasma-chemistry: An emerging ¿eld of polymer science, Prog. Polym. Sci.,
29, 8, (2004), 815–885.
[26]
[27]
[28]
[29]
[30]
[31]
Egitto, F. D., Matienzo, L. J.: Plasma Modi¿cation of Polymer Surfaces for Adhesion Improvement, IBM Journal of Research and Development, 6, (1994), 423-427.
Tamirisa, P. A., Liddell, K. C., Pedrow, P. D., Osman, M.:
Pulsed plasma-polymerized aniline thin ¿lms, J. Appl. Polym.
Sci., 93, (2004). 1317-1325.
Fernández-Gutierrez, S. A., Pedrow, P. D., Pitts, M. J., Powers, J.: Cold Atmospheric-Pressure Plasmas Applied to Active Packaging of Apples, IEEE Transactions On Plasma Science, 38, (2010), 957-965.
Perni, S., Liu, D. W., Shama, G., Kong, M. G.: Cold atmospheric plasma disinfection of cut fruit surfaces contaminated
with migrating microorganisms, J. Food Prot., 71, (2008),
1619-1625.
Kong, M. G., Kroesen, G., Mor¿ll, G., Nosenko, T., Shimizu,
T., van Dijk, J., Zimmerman, J. L.: Plasma in medicine: An introductory review, New J. Phys., 11, (2009), 115012-115015.
Von Woedtke, Th., Metelmann, H.-R., Weltmann, K. D.: Clinical plasma medicine: State and perspectives of in vivo application of sold atmospheric plasma, Contrib. Plasma Phys.,
54, (2014), 104-117.
Graves, D. B.: Low temperature plasma biomedicine: A tutorial review, Physics of Plasmas, 21, (2014), 080901-080912.
Conrads, H., Schmidt, M.: Plasma generation and plasma
sources, Plasma Sources Sci. Technol., 9, (2000), 441-454.
Nayan, N., Zahariman, M., R., Ahmad, M. F. B., Ali, R. A. M.,
Sahdan, M. Z., Hashim ,U.: Development and application of
in-house high voltage power supply for atmospheric pressure
plasma treatment system, ICSE2012 Proc., Kuala Lumpur,
Malaysia, 2012.
Hong, J.: Atmospheric Pressure Plasma Chemical Deposition By Using Dielectric Barrier Discharge System, M.Sc. thesis, University of Illinois at Urbana-Champaign, 2013.
Lu, X. P.: Effects of Gas Temperature and Electron Temperature on Species Concentration of Air Plasmas, J. Appl. Phys.,
102, (2007), 033302-1-033302-6.
Moreau, M, Orange, N, Feuilloley, M. G.: Non-thermal plasma
technologies: New tools for bio-decontamination, Biotechn,.
Adv., 26, (2008), 610-617.
Buþek, A., Homola, T., Aranyosiová, M., Veliþ, D., Plecenik,
T., Havel, J., Pavel, S., Zahoranová, A.: Atmospheric Pressure Nonequilibrium Plasma Treatment of Glass Surface,
Chem. Listy, 102, (2008), 1459-S1462.
Lazauskas A., Grigalinjnas, V.: Float Glass Surface Preparation Methods for Improved Chromium Film Adhesive Bonding, Materials Science (Medžiagotyra), 18, (2012), 181-186
Jenkins, F. A., White, H. E.: Fundamentals of Optics, 4th ed.,
McGraw-Hill, Inc. (1981).
Zhong-Hong D., Rong-Jun Z., Jie S., Yi-Ming C., Yu-Xiang
Z., Jia-Da W., Liang-Yao C.: J. Korean Physical. Soc., 55,
(2009), 1227-1232.
Wanger, C.D , Riggs, W. M., Davis, L. E., Moulder, J. F., et
al.: Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, PerkinElmer Corp., Physical Electronics Division, Eden Prairie, Minnesota, USA, 1979.
Ge, L., Xu, M.: Fabrication and characterization of TiO2 photocatalytic thin ¿lm prepared from peroxo titanic acid sol, SolGel Sci. and Technol., 43, (2007), 1-7.
Briggs, D., Seah, M. P.: Practical Surface Analysis, John
Wiley and Sons, NY, 1983.
Fang, Z., Qiu, Y., Kuffel, E.: Formation of hydrophobic coating on glass surface using atmospheric pressure non-thermal
plasma in ambient air, J. Phys. D: Appl. Phys., 37, (2004),
2261-2266.
Anghel, S. D., Simon, A., Papiu, M. A., Dinu, O. E.: A Very
Low Temperature Atmospheric-Pressure Plasma Jet In A Single Electrode Con¿guration, Rom. J. Phys., 56, Supplement,
(2011), 90-94.
Fujiwara, H.: Spectroscopic Ellipsometry, Wiley and Sons,
Tokio 2003.
Azzam, R. M. A., Bashara, N. M.: Ellipsometry and Polarized
Light, North Holland Press, Amsterdam 1977, Second edii
tion, 1987.
Otrzymano 21 wrzeĞnia 2015, zaakceptowano 8 grudnia 2015.
MATERIA£Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 68, 1, (2016)
21