Dr Agnieszka Iwan

Dr Agnieszka Iwan
uzyskała dyplom magistra chemii na Uniwersytecie Marii CurieSkłodowskiej (UMCS) w Lublinie w 1998 r. Pracę doktorską
obroniła na Politechnice Śląskiej w Gliwicach w 2004 r.
uzyskując stopień naukowy doktora. Od 1999 do 2009 r.
pracowała w Centrum Materiałów Polimerowych i Węglowych
PAN w Zabrzu na stanowisku adiunkta. W marcu roku 2009
rozpoczęła pracę w Instytucie Elektrotechniki, Oddział
Technologii i Materiałoznawstwa Elektrotechnicznego we Wrocławiu. Temat realizowany
w ramach pracy doktorskiej został wybrany przez KBN do prezentacji na Forum Polskiej
Nauki i Technologii „Dni Nauki Polskiej we Francji”, Paryż (2003 rok).
Odbyła roczny staż naukowy po doktoracie w Grenoble we Francji w ramach stypendium
naukowego Centre National De La Recherche Scientifique (CNRS). Opublikowała 72
prace naukowe (w tym 5 rozdziałów w książkach) w czasopismach o cyrkulacji
miedzynarodowej z listy filadelfijskiej oraz prezentowała wyniki badań na 70
konferencjach krajowych i zagranicznych.
Dr A. Iwan jest recenzentem prac naukowych publikowanych przez wydawnictwo
American Chemical Society (ACS) i Elsevier oraz członkiem Polskiego Towarzystwa
Ciekłokrystalicznego. Była opiekunem pracy magisterskiej z Politechniki Śląskiej
w Gliwicach oraz opiekunem dwóch studentów czwartego roku wydziału chemii
z Politechniki Wrocławskiej oraz opiekunem naukowym dyplomatki z Francji w Grenoble.
Zainteresowania Agnieszki Iwan skupiają się wokół polimerów półprzewodzących,
dendrytów, związków ciekłokrystalicznych, materiałów otrzymywanych metodą zol-żel,
ogniw słonecznych i materiałów dla zastosowań w optoelektronice.