UE_WBOL03_Wzm mocy [tryb zgodności]
Transkrypt
UE_WBOL03_Wzm mocy [tryb zgodności]
Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Wzmacniacze mocy Wrocław 2009 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Wzmacniacze mocy Wzmacniaczem mocy nazywamy układ elektroniczny, którego zadaniem jest dostarczenie do obciążenia nie zniekształconego sygnału o odpowiednio dużej, elektrycznej, mocy użytecznej. Najważniejszymi parametrami wzmacniaczy mocy są: - PLMAX - maksymalna moc wyjściowa przy nominalnym obciążeniu, - h – zniekształcenia nieliniowe (harmoniczne) układu, i zniekształcenia intermodulacyne (TIM) przy dużych sygnałach, - zniekształcenia liniowe związane z pasmem wzmacniacza (fd i fg) przy małych sygnałach - η – sprawność energetyczna. 1 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Rodzaje Ze względu na rodzaj użytego elementu aktywnego: - zbudowane w oparciu o tranzystory bipolarne - zbudowane w oparciu o tranzystory MOS - wykorzystujące scalone wzmacniacze mocy Ze względu na klasę pracy elementu aktywnego: A, AB, B, C, D, E... Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Ograniczenia elementu aktywnego ICmax max moc strat wynikająca z możliwości rozproszenia średniej mocy wydzielonej w tranzystorze przy maksymalnej temperaturze struktury tranzystora nasycenie tranzystora krytyczna moc drugiego przebicia – dopuszczalna moc strat przy dużych UCE – defekt struktury w obszarze bazy – stopienie półprzewodnika UCEmax 2 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Odprowadzenie ciepła z tranzystora mocy Cieplny schemat zastępczy tranzystora (wymiana ciepła między tranz. a otoczeniem) Tjmax – temperatura półprzewodnika PC max T −T = j max C Rthj − C TC – temperatura obudowy Rthj-C – rezystancja termiczna półprzewodnik obudowa Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Odprowadzenie ciepła z tranzystora mocy Rezystancja termiczna Rth = ∆T P ∆T – różnica temperatur pomiędzy ośrodkami P – odprowadzana moc Pojemność cieplna ∆Q – przyrost energii cieplnej zmagazynowanej w danym obszarze przy danej różnicy temperatur Cth = ∆Q ∆T 3 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Odprowadzenie ciepła z tranzystora mocy Aby temp. złącza nie przekroczyła Tjmax, przy max temp. otoczenia Ta musi być spełniony warunek: ∆Tmax = T j max − Ta max ≤ Rth PC max T j − Ta = PC (Rthj −C + RthC − r + Rthr − a ) Rezystancja cieplna radiatora: Rthr − a = T j max − Ta max PC max − Rthj − C − RthC − r Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Odprowadzenie ciepła z tranzystora mocy Ze względów ekonomicznych stosuje się możliwie małe radiatory. Dlatego konieczne jest zastosowanie bardzo dobrej temperaturowej stabilizacji punktu pracy tranzystora ponieważ: ↑ T →↑ β 0 →↑ I C →↑ PC →↑ T co powoduje zniszczenie tranzystora. Po zastosowaniu stabilizacji temperaturowej: ↑ β 0 ↑T → → I C ↓→ PC ↓→ T ↓ ↓ I BQ (ujemne sprzężenie zwrotne) 4 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa A kąt przepływu Bezpośrednie włączenie RL w obwód C ma ograniczone zastosowanie praktyczne (składowa stała w obc., mała sprawność). Wzm. ten może jednak stanowić odniesie dla porównania innych rozwiązań. Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa A Największą moc PCmax wydzieloną na rezystancji obciążenia RL otrzymuje się dla punktu pracy tranzystora: U CEQ = U CC 2 I CQ = 2 PC max U CC Rezystancja obciążenia optymalna – prosta pracy styczna do hiperboli mocy: R Lopt = U CC − U CEQ I CQ = U CEQ I CQ = 2 U CC U CC = 2 I CQ 4 PC max Moc sygnału na obciążeniu, przy uCE (t ) = U CEQ + U cm sin ωt 2 U cm PL = 2 RL 5 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa A I cm = U cm = U CEQ − U min = ξU CEQ U cm = ξI CEQ RL - max amplituda Uwy Współczynnik wykorzystania napięcia: ξ= U cm U RL = 1 − min = U CEQ U CEQ RL + rCES Maksymalną moc wydzieloną na obciążeniu wyrażamy: PL max = ξ 2 PC max 2 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa A Sprawność energetyczna wzmacniacza η= gdzie: PL max PD PD = 2 PC max - średnia moc dostarczona ze źródła Przy pominięciu napięcia nasycenia tranzystora: PL max = ηmax = PC max 2 1 → 25% 4 Mała sprawność – duże straty dla prądu stałego: 2 PLDC = I CQ RL 6 Pzrodla = U CC I CQ = U CC Pobciazenia = u RL (t )iRL (t ) 2 U CC U CC = 2 RL 2 RL srednia = U CC U sin ωt CC sin ωt 2 2 RL = srednia 2 U CC 8 RL Pobciazenia 1 = = 25%!!!!!!!! 4 Pzrodla Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa A – ze sprzęż.trafo. Wady zastosowania transformatora: - ograniczenie pasma przenoszonych sygnałów - wprowadzenie zniekształceń nieliniowych ze względu na nieliniowość krzywej magnesowania - duże rozmiary i ciężar - wysoka cena Zastosowanie gdy potrzeba odizolowania galwanicznego obciążenia. 7 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa B Kąt przepływu prądu wynosi π – oznacza to, że T przewodzi tylko przez połowę okresu sygnału wejściowego. Z tego powodu wzm.klasy B budowane są najczęściej jako tzw. układy symetryczne (przeciwsobne) 2T, z których każdy przewodzi tylko w jednej połówce okresu. W przeciwsobnym połączeniu T, p.p. leżą w pobliżu odcięcia prądu – dzięki temu moc tracona w T przy braku sterowania jest b.mała w przeciwieństwie do klasy A. Wzm. w klasie B ma dużo większą sprawność przy pełnym wysterowaniu (moc zależy od wysterowania). Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa B I cm = I C max − I CQ = I C max U cm = U CEQ − U min = ξU CEQ = ξU CC Współczynnik wykorzystania napięcia: ξ =1− U min U CEQ 8 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa B Moc wyjściowa wzmacniacza przy pełnym wysterowaniu: 1 1 PL max = U cm I cm = ξU CEQ I C max 2 2 Maksymalna moc dostarczona do wzmacniacza: PD max = 2U CC I sr Gdzie prąd średni (przeb. sinus.) jest wyrażony: I sr = I cm π = I C max − I CQ π = I C max π Po przekształceniach: PD max = 2 π U CC (I C max − I CQ ) = 2 π U CC I C max Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa B Sprawność energetyczna wzmacniacza ηmax = PL max π = ξ PD max 4 W przypadku pominięcia UCEsat tranzystorów: ηmax = π 4 = 78.5% W rzeczywistości sprawność wynosi 65 – 70 %. Maksymalna moc tracona w tranzystorach: PC max = 1 π 2 U CEQ I C max = 1 π2 U CC I C max 9 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa B Wadą wzm. są zniekształcenia skrośne wynikające z nieliniowości ch-yk wej.T. Zniekształcenia te są szczególnie widoczne dla małych amplitud sygnału wejściowego. Z tego powodu wzm. klasy B (w podstawowej strukturze) nie są stosowane jako wzmacniacze audio. Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa AB Aby znaczne zmniejszyć zniekształcenia skrośne wstępnie polaryzuje się T aby ustawić spoczynkowe prądy B i C. Zazwyczaj wymusza się niewielki prąd ICQ rzędu kilku procent ICmax.. Gdy rośnie ICQ maleją zn.skr. oraz spr.energ. Dlatego dobór ICQ jest kompromisem. Klasa AB jest pośrednia między A i B a kąt przepływu mieści się w granicach: π < θ < 2π 10 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa AB Diody D wprowadzone do układu powinny pracować w tych samych warunkach termicznych co T (zmiana UD i UBE f(T) jest taka sama). W układach scalonych możliwe uzyskanie 100% sprzężenia termicznego. Dla układów dyskretnych stosuje się dodatkowe –SZ dla każdego T. Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa AB 11 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa AB We wzm. większej mocy w celu zmniejszenia wymaganego IWE stopnia mocy zamiast pojedynczych T stosuje się ukł. Darlingtona uzyskując znaczne wzmocnienie prądowe. Wada układu – kompensacja czterech napięć UBE. Eliminacja problemu – przepływ prądu spoczynkowego tylko przez tranzystory T1 i T2 (UR1, UR2 ≈ 0.4V) Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa AB – tranzystory MOS Zalety zastosowania tranzystorów MOS: - większa szybkość działania - mniejszy wpływ temperatury na parametry tranzystora – lepsza stabilność temperaturowa prądu spoczynkowego wzmacniacza mocy - duża impedancja wejściowa - dobra liniowość charakterystyk przejściowych dla dużych prądów 12 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa AB – ograniczenie prądowe Ponieważ wzm. mocy ze względy na małą RWY można łatwo przeciążyć i uszkodzić, celowe jest stosowanie organiczników IWE. Ograniczenie działa gdy zaczynają przewodzić D3 lub D4. Wówczas spadek U na R1 lub R2 nie może wzrosnąć. + IWy max = U D 3 − U BE1 0.7V (n3 − 1) = R1 R1 − IWy max = U D 4 − U BE 2 0.7V (n4 − 1) =− R2 R2 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa AB – ograniczenie prądowe Gdy spadek U na R1 lub R2 przekroczy 0,7V zaczyna przewodzić odpowiednio T3 lub T4. Ograniczy to wzrost prądu bazy T1 lub T2 Ogranicznik ogranicza IWY do poziomu: + IWy max = U BE 3 R1 − IWy max = U BE 4 R2 13 Wtórniki wyjściowe Polaryzacja stopnia mocy ustalenie klasy AB sprzężenie termiczne R U = 1 + 1 U BE R2 R1 R2 Polaryzacja wstępna - prąd spoczynkowy 14 Zakres napić wyjściowych + VCC + 3 ÷ 5V + VCC uout = (+ VCC − 2 ÷ 3V ) ↔ (− VCC + 2 ÷ 3V ) − VCC − 3 ÷ 5V − VCC Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa AB – ukł.sterujące (przedwzmacniacze) We wzm. występują również zniekształcenia skrośne aby je eliminować stosuje się -SZ. W tym celu przed stopniem WY włącza się układ sterujący wzmacniający napięcie (przedwzmacniacz) i obejmuje obie części układu SZ (R7, R8). 15 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa AB – ukł.sterujące (przedwzmacniacze) Stopień WY jest sterowany ze źródła T3, który wtóruje IC6. Para T6 i T5 wzmacnia napięcie. Robc wzm.różn. Jest stosunkowo dużą (równoległe połączenie RźródłaT3, RźródłaT4, RweT1, RweT2). Wzmocnienie napięciowe całego układu: KUf = 1 + R7 R8 Rail to rail na wyjściu 16 Sziklai output amplifier Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Katy przepływu w zależności od klasy 17 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa C Przy przejściu od klasy A do kolejnych, wzrasta sprawność energetyczna i stopień mocowego wykorzystania tranzystora, lecz zwiększają się zniekształcenia nieliniowe tranzystora. Z tego względu jako wzmacniacze akustyczne (o małej częstotliwości) stosowane są tylko klasy A, AB i B. Klasa C – duże zniekształcenia, sprawność – teoretycznie 100% dla kąta θ dążącego do zera (praktycznie - 80%). Zastosowanie tylko w selektywnych wzm. mocy wielkiej f, w układach powielaczy f, w stopniach końcowych nadajników radiowych, itp. Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa C Wzmacniacze selektywne Wzmacniają sygnał w wąskim paśmie w około f0. Powinny mieć ch-yki selektywne – idealnie w kształcie prostokąta. Odstępstwo ch-yki rzeczywistej od idealnej określa się tzw. Współczynnikiem prostokątności, który jest miarą selektywności wzmacniacza. p= ∆f ∆f 20 18 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa C Wzmacniacze selektywne Ze względy na rodzaj stosowanego obwodu selektywnego rozróżnia się wzmacniacze: - z obwodami rezonansowymi LC, - z pasmowymi filtrami ceramicznymi, - z filtrami RC włączonymi w obwód -SZ Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa C Wzmocnienie KU dla WE zależy od Robc w tym przypadku od impedancji obwodu rezonansowego, który zależy od f. W związku z tym KU będzie zależało od f i największe będzie dla f0 rezonansowej. f0 = 1 2π LC Pasmo wzmacniacza ∆f będzie zależało od dobroci obwodu rezonansowego. ∆f = f0 Q Q= 1 rL L C rL – szeregowa rezystancja strat indukcyjności Dla wzmacniacza z jednym obwodem rezonansowym współczynnik prostokątności p≈0,1. 19 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa C Układ z dwoma obwodami rezonansowymi sprzężonymi trafo. stosowany w sprzęcie RTV. Kształt chyki amplitudowej oraz szerokość pasma zależy głównie od wsp. sprzężenia obwodów rezonansowych. k= M L1 L2 M – indukcyjność wzajemna Jeśli oba obwody rezonansowe mają te same f0 i Q to dla k=1/Q (optymalny wsp.) uzyskuje się max płaską ch-kę amplitudową o szerokości pasma: ∆f = 2 f0 Q Dla tego układu p≈0,32 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa C Wzmacniacz z obwodem rezonansowym i filtrem ceramicznym. Ch-ka amplitudowa ściśle zależy od właściwości transmisyjnych filtru (jego struktury). Szeroko stosowane jako wzmacniacze pośredniej częstotliwości w odbiornikach radiowych i telewizyjnych 20 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa D Uwe Modulator szerokości impulsu (PWM) U1 Układ całkujący RL Uwy Wzmacniacze impulsowe. UWE zamieniane jest na impulsy, których szerokość jest wprost proporcjonalna do wyniku pomiaru próbki sygnału, dokonywanego z częstotliwością ponad-akustyczną (od 200 do 500 kHz). Impulsy te są wzmacniane przez stopień mocy, a następnie wygładzane i filtrowane za pomocą filtrów o dużym nachyleniu charakterystyki. Sprawność około 90%. Mała wrażliwość na zmiany temperatury. Dla tranzystora o PCMAX = 5W wzmacniacz pracujący w klasie A może osiągnąć PLMAX = 2.5 W. Natomiast wzmacniacz w klasie D zbudowany w oparciu o ten sam tranzystor pozwala osiągnąć moc wyjściową z zakresu (50-600) W. Ograniczenia: duże zniekształcenia nieliniowe, aliasing. Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Klasa D Przebieg napięć w poszczególnych pkt. układu 21 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Inne wzmacniacze mocy Klasa T – w przeciwieństwie do klasy D zastosowano tu cyfrowy układ inteligentnie dostosowujący sposób próbkowania do charakteru sygnału, parametrów stopnia wyjściowego i wielu innych czynników. To sprawia, że od wzmacniaczy w klasie T możemy oczekiwać lepszej jakości dźwięku niż w przypadku wzmacniaczy pracujących w klasie D, gdzie proces próbkowania pozostawał bez zmian. Klasa G i H – wzmacniacze o najwyższej mocy - do 5000 watów na kanał. Idea sprowadza się do założenia, że wzm.nie potrzebuje dużego napięcia zasilania przez cały czas, a jedynie podczas przetwarzania sygnałów o dużej amplitudzie. Z analizy typowych przebiegów audio wynika, że sygnały takie stanowią 50% całości sygnałów przetwarzanych przez aparaturę nagłaśniającą. Układu załącza zatem większe napięcie zasilania tylko wtedy, gdy sygnał wejściowy wzrośnie powyżej pewnej wartości. Wzm. te pozwalają na zwiększenie sprawności (zmniejszenie wydzielanego ciepła) i redukcję kosztów (mniejsze wymagania odnośnie radiatorów chłodzących i tranzystorów mocy). Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Inne wzmacniacze mocy Klasa E – Wzmacniacze pracują w zakresie od kilkuset kHz do kilku GHz, przy czym ich moc wyjściowa wynosi od setek miliwatów do kilkudziesięciu kilowatów. Z technicznego punktu widzenia, układy te nie są klasycznymi wzmacniaczami (gdyż napięcie wyjściowe nie odwzorowuje liniowo napięcia wejściowego), lecz przetwornicami DC/AC, w których kluczowanie napięcia wyjściowego przebiega w rytm przebiegu wejściowego. Bardzo wysoka sprawność, powtarzalność konstrukcji, niski koszt elementów i prostota układowa spowodowały, że w pewnych obszarach zastosowań, z powodzeniem wypierają klasyczne wzmacniacze mocy. Cechą szczególną jest możliwość regulacji mocy wyjściowej przez zmianę napięcia zasilania. 22 Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Zapamiętać klasa A, B, C, AB, D Stopień wyjściowy w klasie AB wzmacniacz mocy w całości (schemat) i rozróżnienie poszczególnych bloków funkcjonalnych globalne sprzężenie zwrotne obwód rezonansowy – częstotliwość dobroć, pasmo 23