PUAV – projekt Ćwiczenia 1

PUAV – projekt
Ćwiczenia 1 - 2
Tematyka: charakterystyki i modelowanie tranzystora MOS.
Cel ćwiczenia: praktyczne zapoznanie się z zagadnieniami modelowania, dobór
parametrów i ocena dokładności modeli. Przypomnienie zasad symulacji układów
elektronicznych (program SPICE). Obserwacja rozrzutów produkcyjnych parametrów
tranzystorów.
Przygotowanie do zajęć: oczekiwana jest znajomość zagadnień modelowania –
najprostszy model DC, model małosygnałowy, pojęcia transkonduktancji i
konduktancji wyjściowej. Zalecane jest przed rozważenie przed ćwiczeniem
następujących zagadnień:
• jak zmieni się kształt charakterystyk tranzystora przy zmianach napięcia
progowego i ruchliwości,
• jak wygląda w teorii zależność transkonduktancji gm od wartości napięcia
bramki tranzystora w zakresie podprogowym, liniowym, nasycenia.
Warto także przed ćwiczeniem narysować na podstawie zamieszczonych dalej
przykładowych plików do programu IMiOSpice (patrz Dodatek) schematy
symulowanych ukladów – są one bardzo proste. Pomoże to zrozumieć sposób
otrzymania przy pomocy symulatora charakterystyk i parametrów tranzystora.
Umiejętność odtworzenia schematu z pliku w formacie SPICE może się też przydać
w dalszych ćwiczeniach.
Używane oprogramowanie: pakiet zintegrowany AppleWorks, symulator układów
elektronicznych
IMiOSpice,
symulator
procesów
produkcyjnych
Syprus
z pomocniczym programem StatIC. Do programu IMiOSpice istnieje krótka instrukcja
użytkowania (w jęz. angielskim). Praca z pakietem AppleWorks jest podobna do
pracy z Microsoft Office, wszelkich wyjaśnień udzieli prowadzący zajęcia.
Przebieg zajęć:
Część 1: dobór parametrów modeli i ocena ich dokładności
Do zajęć przygotowane są zmierzone charakterystyki scalonych tranzystorów MOS –
tranzystora z „długim“ kanałem i tranzystora z „krótkim“ kanałem. Wyniki te pochodzą
z pomiarów struktur próbnych zawierających tranzystory n-kanałowe i p-kanałowe
wykonanych na doświadczalnej linii produkcyjnej Instytutu Technologii Elektronowej
w Warszawie. Wyniki pomiarów są zapisane w arkuszach kalkulacyjnych.
Przygotowane są także pliki do programu IMiOSpice generujące rodziny
charakterystyk ID(VDS,VGS) tranzystorów. Należy wykonać następujące czynności:
1. Wykorzystać dane z arkusza kalkulacyjnego do otrzymania wykresu rodziny
charakterystyk ID(VDS,VGS). Służą do tego odpowiednie funkcje obsługi arkuszy
kalkulacyjnych programu AppleWorks. Szczegóły pokaże prowadzący zajęcia.
Przykład pokazany jest na rys. 1.
Wykonany wykres przenosimy z arkusza kalkulacyjnego do dokumentu graficznego
typu „Drawing“ programu AppleWorks, do którego – dla porównania – będą też
kopiowane wykresy rodzin charakterystyk generowane przez program IMiOSpice.
1
Rys. 1. Arkusz kalkulacyjny, na jego tle wykres charakterystyk tranzystora
2. Przy pomocy programu IMiOSpice wykonać symulacje, w wyniku których
uzyskane zostaną charakterystyki tranzystora obliczone z modeli, a następnie
porównać je z charakterystykami zmierzonymi. Porównanie wykonujemy
następująco: wykonujemy symulację programem IMiOSpice, otrzymany wykres
rodziny charakterystyk kopiujemy do dokumentu graficznego z wykresem
charakterystyk otrzymanych z pomiarów (wykres skopiowany z IMiOSpice jest
„przezroczysty“, po nałożeniu wykres z danymi pomiarowymi jest nadal widoczny).
Rys. 2. Okno dokumentu graficznego z charakterystykami obliczonymi przez IMiOSpice (linie
ciągłe) nałożonymi na punkty pomiarowe
2
Dopasowujemy dokładnie układy współrzędnych obu wykresów i oceniamy
dokładność modelowania. Następnie, jeśli trzeba, wykonujemy następną symulację
programem IMiOSpice zmieniając parametry modelu. Można to zrobić wykorzystując
edytor tekstu wbudowany do IMiOSpice. Kolejny otrzymany z IMiOSpice wykres
rodziny charakterystyk porównujemy z charakterystykami otrzymanymi z pomiarów –
i tak aż do otrzymania zgodności, którą uznamy za zadowalającą. Te czynności
należy wykonać dla tranzystora wskazanego przez prowadzącego zajęcia.
W pliku znajdują się trzy modele: „level 1“, „level 2“ i „level 3“. Parametry tych modeli
są wstępnie dobrane. Należy uzyskać jak najlepszą zgodność charakterystyk
generowanych przez modele ze zmierzonymi, zmieniając tylko następujące trzy
parametry: VTO (napięcie progowe), UO (ruchliwość nośników w kanale), LAMBDA
(parametr określający nachylenie charakterystyki w zakresie nasycenia – tylko w
modelach „level 1“ i level 2“).
3. Po zakończeniu dobierania parametrów modeli przedyskutować wyniki. Jaka jest
uzyskana zgodność: słaba, zadowalająca, bardzo dobra? Który z modeli udało się
najlepiej dopasować? W sprawozdaniu należy krótko opisać przebieg procesu
dobierania parametrów (które były zmieniane, w jakiej kolejności, w jaki sposób),
zamieścić uzyskane wykresy (generowane przez modele na tle doświadczalnych)
oraz dyskusję.
Wskazówka praktyczna:
Dobieranie parametrów modeli wyłącznie na podstawie porównania charakterystyk
wyjściowych może być trudne, ponieważ nie jest łatwo odróżnić dwa przypadki:
przypadek, gdy napięcie progowe jest właściwe, a zmieniać należy ruchliwość, i
przypadek odwrotny, gdy właściwą wartość ma ruchliwość, a zmienić trzeba napięcie
progowe. Pomocne może być wykonanie wykresu charakterystyki [ID(VGS)]1/2 dla
pewnej ustalonej, niezerowej wartości napięcia VDS w zakresie nasycenia. Zależność
prądu drenu od napięcia bramki w zakresie nasycenia jest w pierwszym przybliżeniu
kwadratowa, toteż taki wykres będzie w przybliżeniu linią prostą. Charakterystyki
dwóch tranzystorów o różnych wartościach napięcia progowego będą przesunięte
równolegle na osi napięć, a charaketrystyki dwóch tranzystorów różniących się
wartościami ruchliwości będą miały różne nachylenia. Pokazuje to rys. 3.
mA
mA
mA
sqrt(i(VPOM))
sqrt(i(VPOM))
sqrt(i(VPOM))
16.0
16.0
14.0
14.0
12.0
12.0
10.0
10.0
8.0
8.0
6.0
6.0
4.0
4.0
2.0
2.0
0.0
0.0
1.0
2.0
sweep
3.0
VV
4.0
0.0
0.0
5.0
1.0
2.0
sweep
3.0
V
4.0
5.0
1/2
Rys. 3. Charakterystyki [ID(VGS)] dla tranzystorów różniących się napięciem progowym (po
lewej) i różniących się ruchliwością (po prawej).
Aby otrzymać charakterystykę doświadczalną, należy w programie AppleWorks
utworzyć nowy arkusz kalkulacyjny, przenieść do niego wartości napięć bramki (0, 1,
2, 3, 4, 5V) oraz odpowiednie wartości prądów drenu dla jednej określonej wartości
3
VDS, na przykład 5V, następnie przekształcić wartości prądów posługując się funkcją
sqrt() i wykonać wykres. Przykład (wykres na tle arkusza kalkulacyjnego) pokazuje
rys. 4.
Rys. 4. Charakterystyka doświadczalna [ID(VGS)]1/2 , kolumny A i B: napięcia bramki i prądy
drenu (przeniesione z pierwotnego arkusza kalkulacyjnego), kolumny C i D: napięcia bramki
(te same) i wartości pierwiastka z prądów drenu.
Program IMiOSpice pozwala bezpośrednio otrzymać charakterystykę [ID(VGS)]1/2,
służy do tego wbudowana funkcja sqrt(), której argumentem może być oglądana na
wykresie wartość prądu. Szczegóły pokaże prowadzący zajęcia.
Część 2: Obserwacja dokładności modelowania transkonduktancji
Należy obliczyć przy pomocy programu IMiOSpice wykres gm = f(VGS), do czego jest
przygotowany odpowiedni plik. WAŻNE: w tym pliku trzeba użyć tych samych
wartości parametrów modeli, które zostały dobrane w pierwszej części ćwiczenia!
Niestety nie ma mechanizmu pozwalającego od razu otrzymać całą charakterystykę,
trzeba to robić metodą „punkt po punkcie“ zmieniając w pliku wartość VGS i
powtarzając symulacje. Należy wykonać to dla jednego tranzystora, dla wszystkich
trzech modeli, dla napięcia VDS = 5V i napięć VGS z zakresu: od VTO–0,1 V do 5 V.
Następnie należy wykonać wykres przy użyciu arkusza kalkulacyjnego, i
przedyskutować wyniki: czy uzyskane zależności są zbliżone do siebie? Czy są
ciągłe? Jak duże są rozbieżności? Wykres wraz z dyskusją należy zamieścić w
sprawozdaniu.
Część 3: Obserwacja rozrzutów produkcyjnych parametrów tranzystorów
Celem symulacji będzie pokazanie, jak zmienia się rozrzut lokalny napięcia
progowego dla pary identycznych tranzystorów NMOS lub PMOS w funkcji wymiarów
kanału. Posłuży do tego symulator procesów produkcyjnych Syprus.
Program Syprus symuluje proces wytwarzania układu scalonego CMOS z zadanymi
wartościami parametrów procesów (czasy, temperatury, dawki i energie implantacji
4
itp.). Symulacja procesu produkcyjnego polega na określeniu na drodze
obliczeniowej takich parametrów struktury fizycznej układu, jak grubości warstw,
głębokości zlącz p-n, rozkłady domieszek itp. Program Syprus umożliwia
zdefiniowanie od 1 do 9 tranzystorów NMOS i od 1 do 9 tranzystorów PMOS (określa
się dla nich wymiary kanału, można także podać ich położenia w układzie i
orientacje), i po wykonaniu symulacji procesu produkcji oblicza parametry tych
tranzystorów, generuje modele do programu Spice, umożliwia także wykreślenie
charakterystyk prądowo-napięciowych.
Program Syprus umożliwia symulację dla nominalnych parametrów procesu (bez
zaburzeń i rozrzutów) oraz dwa tryby symulacji statystycznej.
W pierwszym trybie symulacji statystycznej (Simple Monte Carlo simulation)
symulacja jest wielokrotnie powtarzana, przy czym parametry operacji
technologicznych (czasy, temperatury itp.) są poddawane statystycznym wahaniom,
uwzględniającym rozrzut globalny oraz rozrzuty lokalne: deterministyczne i losowe.
W ten sposób wygenerowana jest pseudolosowa próbka symulowanych
tranzystorów. Statystykę ich parametrów można obejrzeć przy użyciu pomocniczego
programu StatIC.
Drugi tryb symulacji statystycznej będzie wykorzystany w dalszych ćwiczeniach. Nie
jest on tu omawiany.
W tej części ćwiczenia należy wykonać symulację statystyczną pewnej liczby par
jednakowych tranzystorów NMOS lub PMOS o różnych wymiarach kanału, tak
dobranych, by można było następnie wykonać wykres odchylenia standardowego
różnicy napięć progowych w każdej parze tranzystorów w funkcji powierzchni kanału
(a ściślej mówiąc – w funkcji 1/(WL)1/2). Zadanie należy wykonać następująco:
1. Uruchomić program Syprus i otworzyć nim plik „ECPD10Proc“ (jest to plik, w
którym opisany jest proces produkcji układów CMOS z wyspą typu n, o
minimalnej długości bramki 1,25 µm). Wraz z tym plikiem otworzą się
samoczynnie trzy pliki pomocnicze. UWAGA! – NICZEGO NIE EDYTUJEMY
W PLIKACH PROGRAMU SYPRUS!
2. Zdefiniować w pliku „ECPD10Proc“ cztery pary tranzystorów NMOS lub
PMOS, według wskazań prowadzącego (menu “Devices”, poz. “NMOS
devices” lub „PMOS devices“).
3. Określić tryb i warunki symulacji w preferencjach (Menu „Syprus“, poz.
„Preferences“) – odpowiednie opcje powinny być ustawione jak na rys. 5 (na
następnej stronie).
4. Wybrać parametry, które mają być zapisane do pliku wynikowego: napięcia
progowe dla zerowej i różnej od zera polaryzacji podłoża (menu „Process“
poz. „Select Output Params“) – patrz rys. 6 (na następnej stronie).
5. Uruchomić symulację (będzie trwać do kilku minut)1.W celu obejrzenia
wyników uruchomić pomocniczy program StatIC i otworzyć plik wynikowy
“ECPD10Proc.st”.
6. Obejrzeć histogramy rozrzutu lokalnego napięcia progowego (menu “Results”
poz. “Mismatch”) – patrz rys. 7.
1
Uwaga: jeśli w czasie symulacji pojawią się komunikaty o błędach, to oznacza, że wygenerowane
zostało bardzo duże zaburzenie procesu, dla którego symulacja nie może być prawidłowo
kontynuowana (na przykład nie można obliczyć głębokości złącza p-n, bo go w ogóle nie ma).
Zaburzenia są generowane losowo, więc takiej sytuacji nie można wykluczyć. W takim przypadku należy
symulację przerwać i rozpocząć jeszcze raz (nie zamykając programu). Istnieje bardzo duża szansa, że
w powtórnej symulacji tak duże zaburzenie nie powtórzy się.
5
7. Zanotować wyniki (odchylenie standardowe w funkcji powierzchni bramki
tranzystora) i wykonać wykres rozrzutu w funkcji
1
WL
(wygodnym
narzędziem do tego jest program AppleWorks, arkusz kalkulacyjny).
W sprawozdaniu
omówieniem.
należy
zamieścić
otrzymany
!
wykres
wraz
Rys. 5. Ustawienie opcji w programie Syprus; przykładowa wielkość
próbki statystycznej: 200
6
z krótkim
Rys. 6. Wybór parametrów do zapisu w pliku wynikowym
variable VTON1, VTON2
# of samples :
200
mean
:
1.33e-03
std dev
:
2.09e-02
xmin
:
-5.06e-02
xmax
:
5.98e-02
80
60
40
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Rys. 7. Przykładowy histogram różnicy napięć progowych dwóch jednakowych tranzystorów.
Odchylenie standardowe jest miarą rozrzutu lokalnego.
Dodatek
Przykładowe pliki do programu IMiOSpice:
Pliki do analizy DC: Plik generujący rodziny charakterystyk zawiera opis układu, w
którym jest jeden tranzystor i pięć źródeł: VD, VB, VG, VS, VPOM. Cztery pierwsze
służą do polaryzacji tranzystora, ostatnie jest „amperomierzem“ – prąd płynący przez
to źródło (o napięciu równym 0 V) jest obserwowanym prądem drenu (to dodatkowe
źródło pozwala obserwować prąd zawsze jako wartość dodatnią niezależnie od
rodzaju kanału tranzystora). Plik zawiera trzy modele. Aby użyć jednego z nich,
należy wyedytować nazwę modelu w wierszu opisującym tranzystor.
7
Polecenia RUN oraz PLOT i(VPOM) powodują, że natychmiast po wczytaniu pliku
wykonywana jest symulacja, a jej wyniki pojawiają się w postaci wykresu. Wykres
jest skalowany automatycznie, ale skalę można następnie dowolnie zmienić,
dostosowując ją do skali, w jakiej wykonano wykres charakterystyk doświadczalnych.
* TEST short tran PMOS IdVd
MCKT 1 2 3 4 MODP50X3_3
+ W = 5e-05
+ L = 3e-06
* DEF SOURCES
VG 0 2 DC -2.5
VS 3 0 DC 0
VD 0 5 DC 0
VPOM 1 5 DC 0
VB 4 0 DC 0
* END SOURCES
.DC VD 0 5 0.1 VG 1 5 1
.CONTROL
RUN
PLOT i(VPOM)
.ENDC
*========================================================================
* Model LEVEL=1 of PMOSFETs W/L=50um/3um
*========================================================================
.MODEL
MODP50X3_1
PMOS
LEVEL
=
1
+LD =
0.27E-6
TOX = 60.3E-9
UO = 160
+VTO
=
-0.550 GAMMA
=
0.431
+PHI
=
0.619
LAMBDA =
0.04
+JS =
1.5E-5
+CJ =
1.49E-4 MJ
=
0.545
PB
=
0.858
+CJSW
=
4.38E-10
MJSW
=
0.355
+CGSO
=
7.68E-10
CGDO
=
7.68E-10
+CGBO
=
1.1E-9
*========================================================================
* Model LEVEL=2 of PMOSFETs W/L=50um/3um
*========================================================================
.MODEL
MODP50X3_2
PMOS
LEVEL
=
2
+LD =
0.27E-6
TOX = 60.3E-9
+VTO
=
-0.550 GAMMA
=
0.510
PHI
=
0.633
+NFS
=
1.2E+11 UO
=
282
UCRIT
=
6.284E+4
+UEXP
=
0.258
LAMBDA =
0.000
+VMAX
=
4.8E+4 NEFF
=
1.047
DELTA
=
0.0
+JS =
1.5E-5
+CJ =
1.49E-4 MJ
=
0.545
PB
=
0.858
+CJSW
=
4.38E-10
MJSW
=
0.355
+CGSO
=
7.68E-10
CGDO
=
7.68E-10
+CGBO
=
1.1E-9
*========================================================================
* Model LEVEL=3 of PMOSFETs W/L=50um/3um
*========================================================================
.MODEL
MODP50X3_3
PMOS
LEVEL
=
3
+LD =
0.27E-6
TOX = 60.3E-9
+VTO
=
-0.550 GAMMA
=
0.510
PHI
=
0.633
+NFS
=
1.2E+11 UO
=
300
THETA
=
0.096
+VMAX
=
1.57E+11
KAPPA
=
5.95
ETA
=
1.014
+DELTA
=
0.0
+JS =
1.5E-5
+CJ =
1.49E-4 MJ
=
0.545
PB
=
0.858
+CJSW
=
4.38E-10
MJSW
=
0.355
+CGSO
=
7.68E-10
CGDO
=
7.68E-10
+CGBO
=
1.1E-9
.END
Drugi plik służy do wygenerowania charakterystyki [ID(VGS)]1/2, różni się on od
pierwszego tylko poleceniami dla symulatora. W szczególności, wielkością zmienianą
przy analizie DC jest tylko napięcie bramki, a polecenie PLOT sqrt(i(VPOM))
powoduje wykonanie wykresu pierwiastka z wartości prądu.
8
* TEST short tran PMOS sqrt(IdVg)
MCKT 1 2 3 4 MODP50X3_3
+ W = 5e-05
+ L = 3e-06
* DEF SOURCES
VG 0 2 DC -2.5
VS 3 0 DC 0
VD 0 5 DC 5
VPOM 1 5 DC 0
VB 4 0 DC 0
* END SOURCES
.DC VG 0 5 0.1
.CONTROL
RUN
PLOT sqrt(i(VPOM))
.ENDC
*========================================================================
* Model LEVEL=1 of PMOSFETs W/L=50um/3um
*========================================================================
.MODEL
MODP50X3_1
PMOS
LEVEL
=
1
+LD =
0.27E-6
TOX = 60.3E-9
UO = 160
+VTO
=
-0.550 GAMMA
=
0.431
+PHI
=
0.619
LAMBDA =
0.04
+JS =
1.5E-5
+CJ =
1.49E-4 MJ
=
0.545
PB
=
0.858
+CJSW
=
4.38E-10
MJSW
=
0.355
+CGSO
=
7.68E-10
CGDO
=
7.68E-10
+CGBO
=
1.1E-9
*========================================================================
* Model LEVEL=2 of PMOSFETs W/L=50um/3um
*========================================================================
.MODEL
MODP50X3_2
PMOS
LEVEL
=
2
+LD =
0.27E-6
TOX = 60.3E-9
+VTO
=
-0.550 GAMMA
=
0.510
PHI
=
0.633
+NFS
=
1.2E+11 UO
=
282
UCRIT
=
6.284E+4
+UEXP
=
0.258
LAMBDA =
0.000
+VMAX
=
4.8E+4 NEFF
=
1.047
DELTA
=
0.0
+JS =
1.5E-5
+CJ =
1.49E-4 MJ
=
0.545
PB
=
0.858
+CJSW
=
4.38E-10
MJSW
=
0.355
+CGSO
=
7.68E-10
CGDO
=
7.68E-10
+CGBO
=
1.1E-9
*========================================================================
* Model LEVEL=3 of PMOSFETs W/L=50um/3um
*========================================================================
.MODEL
MODP50X3_3
PMOS
LEVEL
=
3
+LD =
0.27E-6
TOX = 60.3E-9
+VTO
=
-0.550 GAMMA
=
0.510
PHI
=
0.633
+NFS
=
1.2E+11 UO
=
300
THETA
=
0.096
+VMAX
=
1.57E+11
KAPPA
=
5.95
ETA
=
1.014
+DELTA
=
0.0
+JS =
1.5E-5
+CJ =
1.49E-4 MJ
=
0.545
PB
=
0.858
+CJSW
=
4.38E-10
MJSW
=
0.355
+CGSO
=
7.68E-10
CGDO
=
7.68E-10
+CGBO
=
1.1E-9
.END
Plik do obliczania transkonduktacji: Plik umożliwia obliczenie jednej wartości
transkonduktacji, dla zadanych napięć VGS i VDS. Zawiera opis układu, w którym jest
jeden tranzystor, rezystor obciążenia RL (na nim odkłada się napięcie zmienne, które
umożliwia obliczenie transkonduktacji) oraz źródła polaryzujące. Rezystor ma
rezystancję równą 0,001 Ω. Bardzo mała rezystancja tego rezystora chroni przed
znaczącymi zmianami napięcia polaryzującego VDS, gdy zmieniając napięcie bramki
VGS powodujemy zmiany składowej stałej prądu drenu ID. Program IMiOSpice w trybie
symulacji .TF oblicza stosunek amplitud składowych zmiennych na wyjściu
(wskazana w pliku para węzłów 5,1) i na wejściu (wskazane w pliku źródło VG). Dla
przeliczenia otrzymanego wyniku na wartość transkonduktancji należy napięcie
wyjściowe przeliczyć na prąd, dzieląc to napięcie przez rezystancję 0,001 Ω.
9
Ostatecznie wartość transkonduktancji w A/V otrzymujemy, mnożąc liczbę obliczoną
przez IMiOSpice przez 1000:
gm = Uwy/(0,001 x Uwe) = ku * 1000
gdzie ku – wzmocnienie napięciowe obliczone przez IMiOSpice. Odpowiednia
komenda:
PRINT 1000*TRANSFER_FUNCTION
znajduje się w przykładowym pliku. Dzięki niej w oknie konsoli IMiOSpice
otrzymujemy od razu wartość transkonduktancji w A/V.
Chcąc otrzymać wyniki dla kolejnych wartości VGS należy edytować wartość źródła
VG i powtarzać obliczenia. Model zmienia się, podobnie jak w poprzednio
omawianym pliku, edytując nazwę w wierszu opisującym tranzystor.
* TEST gm short tran
MCKT 1 2 3 4 MODP50X3_1
+ W = 5e-05
+ L = 3e-06
* DEF SOURCES
VG 2 0 DC -2.5
VS 3 0 DC 0
VD 5 0 DC -5
VB 4 0 DC 0
RL 5 1 0.001
* END SOURCES
.TF V(5,1) VG
.CONTROL
RUN
PRINT 1000*TRANSFER_FUNCTION
.ENDC
*========================================================================
* Model LEVEL=1 PMOSFETs W/L=50um/3um
*========================================================================
.MODEL
MODP50X3_1
PMOS
LEVEL
=
1
+LD =
0.27E-6
+TOX = 60.3E-9
UO = 160
+VTO
=
-0.550 GAMMA
=
0.431
+PHI
=
0.619
LAMBDA =
0.04
+JS =
1.5E-5
+CJ =
1.49E-4 MJ
=
0.545
PB
=
0.858
+CJSW
=
4.38E-10
MJSW
=
0.355
+CGSO
=
7.68E-10
CGDO
=
7.68E-10
+CGBO
=
1.1E-9
*========================================================================
* Model LEVEL=2 of PMOSFETs W/L=50um/3um
*========================================================================
.MODEL
MODP50X3_2
PMOS
LEVEL
=
2
+LD =
0.27E-6
TOX = 60.3E-9
+VTO
=
-0.550 GAMMA
=
0.510
PHI
=
0.633
+NFS
=
1.2E+11 UO
=
282
UCRIT
=
6.284E+4
+UEXP
=
0.258
LAMBDA =
0.000
+VMAX
=
4.8E+4 NEFF
=
1.047
DELTA
=
0.0
+JS =
1.5E-5
+CJ =
1.49E-4 MJ
=
0.545
PB
=
0.858
+CJSW
=
4.38E-10
MJSW
=
0.355
+CGSO
=
7.68E-10
CGDO
=
7.68E-10
+CGBO
=
1.1E-9
*========================================================================
* Model LEVEL=3 of PMOSFETs W/L=50um/3um
*========================================================================
.MODEL
MODP50X3_3
PMOS
LEVEL
=
3
+LD =
0.27E-6
TOX = 60.3E-9
+VTO
=
-0.550 GAMMA
=
0.510
PHI
=
0.633
+NFS
=
1.2E+11 UO
=
300
THETA
=
0.096
+VMAX
=
1.57E+11
KAPPA
=
5.95
ETA
=
1.014
10
+DELTA
+JS =
+CJ =
+CJSW
+CGSO
+CGBO
=
1.5E-5
1.49E-4
=
=
=
0.0
MJ
=
4.38E-10
7.68E-10
1.1E-9
0.545
MJSW
CGDO
.END
11
PB
=
=
=
0.858
0.355
7.68E-10