plik pdf - Serwis Elektroniki
Transkrypt
plik pdf - Serwis Elektroniki
Tranzystory IGBT – budowa, parametry i ich obwody sterowania Tranzystory IGBT – budowa, parametry i ich obwody sterowania (cz.2 – ost.) Karol Świerc 4. Dalsze porównanie kluczy półprzewodnikowych Opisując konstrukcję tranzystora IGBT porównaliśmy go z tranzystorem MOSFET i BJT pod względem parametrów statycznych i dynamiki. To nie wyczerpuje wszystkich zalet jakie oferuje nowa technologia. IGBT jest bardziej efektywny pod względem wykorzystania wielkości chipa (płytki krzemu). BJT o podobnych parametrach, jest o 20% „większy”, a MOSFET aż o 120%. Fakt ten odbija się na cenie (elementów o zbliżonych parametrach). Kolejną cechą jaką oferują tranzystory IGBT, to wymogi na konstrukcję drivera. Ta, zdecydowanie przemawia za elementami mającymi w obwodzie wejściowym bramkę, nie bazę. Kolejnym parametrem który należy przy porównaniu elementów wziąć pod uwagę, to parametry termiczne. IGBT trzeciej generacji pozwalają na pracę złącza w wyższych temperaturach. Katalog gwarantuje do 150°C (to o 25°C więcej od konkurentów). To bardzo istotne z uwagi na problemy z odprowadzeniem ciepła. Rezystancja termiczna między złączem a obudową jest podobna jak w przypadku tranzystorów MOSFET, co wynika z podobieństwa struktury półprzewodnikowej. Mówiąc o temperaturze, mamy na myśli nie tylko problemy z chłodzeniem. Istotny jest także wpływ temperatury na wszelkie parametry. Katalog podaje to zwykle szczegółowo, nie mamy miejsca na przytaczanie tych danych. Jedne, należy jednak przytoczyć koniecznie. Tranzystory bipolarne wykazują ujemny współczynnik napięcia nasycenia, tranzystory MOSFET – dodatni współczynnik rezystancji włączonego kanału. Dla IGBT współczynnik temperaturowy tego parametru jest bliski zeru. Lekko ujemny w obszarze niskich, i lekko dodatni w obszarze wysokich prądów. Najistotniejszy jednak jest wniosek, iż tranzystory IGBT można łączyć do pracy równoległej. Tranzystory te są także bardziej odporne na zniszczenie w wyniku zjawiska thermal runaway, jako że nie występuje koncentracja gęstości prądu w „cieplejszym” obszarze kanału tranzystora. IGBT nie posiadają także pasożytniczego złącza tworzącego diodę „antyrównoległą”. W zależności od aplikacji jest to zaletą, bądź wadą konstrukcji. Zwykle klucz półprzewodnikowy pracuje w obwodach komutacji z obciążeniem indukcyjnym. Wtedy dioda taka jest potrzebna dla odzysku energii zgromadzonej w indukcyjności. W przypadku kluczy IGBT wymagana jest dioda zewnętrzna. ślanych obwodów zabezpieczeń. Praktycznie każde uszkodzenie urządzenia pracującego w trybie switch mode kończy się uszkodzeniem elementu kluczującego. Znamy to dobrze z obwodów wykorzystujących tranzystory bipolarne, jak i MOSFET. Równocześnie, nadzwyczaj rzadko winowajcą awarii jest sam tranzystor wysokonapięciowy. Ograniczenie się do jego wymiany, to niemal pewna reklamacja. Podobnie jest w przypadku kluczy w postaci tranzystorów IGBT. Nieco od tej zasady odstawały tyrystory w obwodach odchylania poziomego odbiorników OTVC. Tu, często uszkodził się sam tyrystor, bez zewnętrznej przyczyny. Wtedy, naprawa mogła polegać, jedynie na jego wymianie. Aczkolwiek, długotrwałym testowaniem należało potwierdzić trafność diagnozy. W przypadku tranzystorów IGBT sytuacja jest o wiele bardziej newralgiczna. Tranzystor jest drogi i pracuje zwykle w obwodach przetwarzających duże energie. Urządzenie drogie, naprawa droga i znacznie wyższe koszty chybionej diagnozy. Ponieważ, jak powiedzieliśmy, newralgicznym obwodem jest driver klucza, jemu też poświęcimy kolejny punkt artykułu. Tranzystor IGBT jest elementem sterowanym napięciowo. W pierwszym przybliżeniu obwód bramki przedstawia sobą pojemność. Należy podkreślić iż jest to pierwsza „przymiarka do problemu”. Pojemność ta nie jest stała i należy ją podzielić między złącza bramkaemiter i bramka-kolektor. O ile pierwszą należy po prostu szybko przeładować, druga wnosi zjawisko ujemnego sprzężenia zwrotnego dodatkowo spowalniając proces przeładowania bramki. Popularnie uważa się, iż łatwiej Vdrv TURN-ON OPERATION IGBT Ig G G on C eff E 0/Vdrv TURN-OFF OPERATION IGBT C G off G Ig 5. Driver Generalnie można stwierdzić, iż tranzystor „jest jaki jest”. Performance układu kluczującego jest zależny przede wszystkim od konstrukcji drivera, obwodów snubber, zaś niezawodność pracy także od dobrze przemy- C C eff E 0/Vdrv Rys.3. Najprostszy driver – obwód prądu przeładowujący pojemność bramki SERWIS ELEKTRONIKI Tranzystory IGBT – budowa, parametry i ich obwody sterowania sterować element napięciowo aniżeli prądowo. Jednak w przypadku komutacji dużych mocy ze znacznymi częstotliwościami, driver nie jest prosty. Prądy bramki osiągają duże wartości, a zakres napięć jest szeroki. Chcąc zoptymalizować sterowanie, do dyspozycji mamy obok zakresu napięć, rezystancję widzianą w obwodzie bramki, co pokazuje rysunek 3. Zakres akceptowanych napięć na bramce, to typowo ±15V. Obecność napięcia ujemnego stanowi zwykle problem. Praktyka pokazuje, że w obszarze prądów (kolektora) do 100A, z ujemnego napięcia rezygnuje się. Pozostaje napięcie dodatnie, +15V, a jedynym dobieranym elementem jest rezystor Rg. Katalog zwykle podaje ścisłe zalecenia w tym zakresie, zaś powstały driver jest najprostszym z możliwych. Jakie czyhają niebezpieczeństwa zagrażające jego poprawnej pracy? Generalnie są dwa. Oba pokazano na rysunku 4a i b. +15V C C GC WE RG C GE E MASA lub -5V ÷ -15V – obwód prądu wywołujący efekt Millera Rys.4a. Najprostszy driver tranzystora IGBT z zaznaczeniem pasożytniczych pojemności C1 R G1 T1 + E1/C2 R G2 OBC. T2 E2 Rys.4b. Pasożytnicze indukcyjności w obwodach emiterów tranzystorów kluczujących Pierwszy problem stanowi obecność pojemności między bramką i kolektorem. Tzw. pojemność Millera, z uwagi na efekt Millera jaki pojemność ta wywołuje. Jest to efekt lokalnego ujemnego sprzężenia zwrotnego, który spowalnia przełączanie. Lecz to nie wszystko. Tranzystory-klucze w obwodach dużej mocy pracują zwykle w parze, w mostku lub półmostku. Wtedy wyłączanie jednego tranzystora, może spowodować fałszywe włączenie drugiego, właśnie prze pojemność Millera. CCG tworzy dzielnik z RG. Jeśli napięcie na tym dzielniku przekroczy progowy poziom napięcia bramki, tranzystor się włączy. Zagrożenie wzrasta wraz ze wzrostem temperatury, gdyż wtedy „poziom progowy” ulega nieznacznemu obniżeniu. Aby zapobiec temu zjawisku, należy stosować niskie wartości rezystancji RG; gdy to nie wystarcza, zastosować napięcie ujemne. Wypowiedziane wyżej zdanie, to jeden z nielicznych wniosków praktycznych, wynikających z przytoczonej w bieżącym artykule teorii. Na szczęście, w bieżącym punkcie, wniosków o tym charakterze będzie więcej, a są one także adresowane do serwisu. Podobne zagrożenie, dające ten sam efekt, wynika z nieuchronnie obecnej indukcyjności pasożytniczej w emiterze klucza. To wprawdzie nanohenry, ale przy prądach kilkuset amperów i stromości rzędu kV/µs, odgrywają niebagatelne znaczenie. Jednak, na czym teraz polega mechanizm fałszywego włączenia tranzystora, gdy partner w parze jest wyłączany? Analizę zjawiska ułatwia rysunek 4b. Pamiętajmy o pracy obwodu kluczującego z obciążeniem indukcyjnym. Nawet wtedy, gdy tranzystor jest wyłączony, mogą płynąć znaczne prądy odzyskujące energię przez freewheeling diody. dI/dt w obwodzie jednego klucza przeniesie się, na obwód drugiego indukując ujemną szpilkę napięcia na jego emiterze. Skutek będzie podobny, fałszywe włączenie tranzystora IGBT, mogące spowodować jego uszkodzenie. Tu przestroga dla serwisu jest jeszcze większa. Potencjał odniesienia drivera powinien być połączony bezpośrednio do emitera tranzystora, którym steruje. Najogólniej mówiąc, w obwodach wysokoenergetycznych, niechlujstwo montażowe mści się najbardziej. Co zrobić, gdy przyczyna awarii tranzystora nie jest znana, a obwód wykonany jest „zgodnie z zasadami sztuki”? Pierwszym krytycznym elementem jest rezystor RG. Z uwagi na efekt Millera, korzystniejsza jest mała wartość RG. Podobnie jest z uwagi na szybkość przełączania klucza. Z uwagi na niebezpieczeństwo fałszywego włączenia tranzystora w wyniku indukcyjności pasożytniczych, korzystniejsza jest większa wartość rezystancji RG. Podobnie jest z uwagi na zakłócenia EMI, w wysokoprądowych obwodach komutacji często bardzo krytycznych. Mając na uwadze powyższe względy, nietrudno dojść do wniosku, iż korzystne może być rozdzielenie RG dla fazy włączania i wyłączania klucza. Można to wykonać stosując np. obwód pokazany na rysunku 5a. Zabieg pokazany na rys. 5b już trudniej zrozumieć, jednak i taki można spotkać na schematach. Dokładanie pojemności w obwodzie bramki może wydawać się co najmniej nierozsądne. Jednak dobrze dobrany człon RC może poprawić sytuację, gdy fałszywe włączenie tranzystora jest realne. Znacznie lepszym rozwiązaniem jest jednak obwód pokazany na rysunku 5c. Dodatkowy tranzystor pnp zapewnia niską impedancję bramki w stanie wyłączenia klucza. Dioda D separuje zaś obwód drivera dla fazy turn on. W powyższym tekście zwracamy uwagę na zagrożenia w wyniku pasożytniczych pojemności w obwodzie emitera klucza. Jak jednak wytłumaczyć zabiegi nanizania „koralika” na emiter (bądź kolektor) tranzystora. To celowe wtrącanie indukcyjności na poziomie 1do kilku mikrohenrów. Otóż, zjawisko zagrożenia fałszywego włączenia klucza jest realne w obwodach mostkowych-półmostkowych. SERWIS ELEKTRONIKI Tranzystory IGBT – budowa, parametry i ich obwody sterowania C R GOFF G R GON Driver E a/. Rozdzielenie rezystancji RG dla turn-on i turn-off T1 + RG T2 C R b/. Dodatkowy obwód RC bocznikujący impedancję widzianą z bramki tranzystora IGBT T1 + RG D T2 RB – c/. Najbardziej efektywny sposób sterowania tranzystora IGBT minimalizujący zjawisko „fałszywego turn-on” Rys.5. Optymalizacja obwodu drivera temat, gdyż funkcji tej nie spotyka się w przypadku innych kluczy. Zabezpieczenie short circuit monitoruje napięcie kolektora (czasem dokonywany jest pomiar prądu w emiterze). Gdy tranzystor wychodzi z nasycenia, po czasie opóźnienia (na poziomie kilku mikrosekund) wyłącza tranzystor-klucz nie pozwalając na uszkodzenie w wyniku bardzo dużej energii wydzielanej w obwodzie kolektora. Ten typ zabezpieczenia, chroni także tranzystor przed „zatrzaśnięciem” latch-up. Omawiając strukturę tranzystora IGBT w punkcie 3, zwrócono uwagę na podobieństwo do tyrystora SCR (npnp). Powiedziano ogólnikowo, iż sposób domieszkowania zabezpiecza małą rezystancję bazy pasożytniczego tranzystora npn, i zjawisko latch-up – nie grozi. Jednak przy prądach kolektora przekraczających znacznie (w IGBT3 – kilkukrotnie) prądy nominalne zjawisko to „jednak grozi”. Wtedy bramka utraci kontrolę nad obwodem kolektora i tranzystor musi ulec uszkodzeniu. Dane katalogowe wyraźnie precyzują, kiedy dodatnie sprzężenie zwrotne będzie tak silne, że IGBT zachowa się jak tyrystor. W punkcie poświęconym driverowi, nie sposób nie wspomnieć o obwodach zawierających transformatorek impulsowy. Na wczesnym etapie konstrukcji układów kluczujących były one bardzo popularne. Z biegiem czasu unika się ich stosowania jako elementy „skomplikowane”. Jednak, do sterowania elementu o pojemnościowej charakterystyce wejściowej, są one atrakcyjne. Szczególnie, gdy wymagana jest izolacja galwaniczna drivera od stopnia mocy. Transformatorki impulsowe stosowane są w obwodach, gdzie niewielka energia wystarcza do włączenia klucza. Brak wtedy dodatkowego izolowanego źródła zasilania, a pojemność bramki działa jak element pamięciowy (pamiętający ładunek). Mimo to w driverze, obok transformatorka spotykamy sporą liczbę elementów dyskretnych (i zwykle tranzystorki bipolarne), mające zapewnić poprawne rozładowanie pojemności bramki klucza. Mówiąc o sterowaniu klucza poprzez transformator impulsowy, trudno oprzeć się analogii, iż takowe stosowane są powszechnie w obwodach odchylania poziomego OTVC. Analogia jest złudna, zupełnie inne wymagania, jak i szczegóły pracy obwodu. Jak powiedzieliśmy na wstępie niniejszego punktu, drivery kluczy wysokonapięciowych, to obwody newralgiczne przesądzające o „żywotności” klucza. Dlatego, z Często natomiast konstruktorowi zależy na celowym spowalnianiu procesu kluczowania. V ZD Destrukcyjna może być także indukcyjność w obwodzie kolektora. Można by rzec, przede wszystkim, +15V po to stosuje się obwody typu snubber. Tranzystor IGBT Modul C ZD można zabezpieczyć także lokalnym sprzężenie zwrotnym z kolektora do drivera. Rozwiązanie takie pokazuje rysunek 6. Należy jednak liczyć się ze zwiększeniem mocy strat w kluczu, oraz ograniczenie tego typu zabezpieczenia do nielicznych PWM aplikacji. Często stosuje się także drivery scalone. Ich opis wykracza poza ramy niniejszego opracowania. -15V Powiedzmy jednak iż, porządne, scalone drivery tranzystorów IGBT integrują w sobie także funkcję Rys.6. Zabezpieczenie overvoltage napięcia na kolektorze zabezpieczenia typu short circuit. Parę słów na ten tranzystora IGBT SERWIS ELEKTRONIKI Tranzystory IGBT – budowa, parametry i ich obwody sterowania pewnością będziemy wracali do nich serwując informacje o charakterze teoretycznym, jak i praktycznym. W zakresie obwodów sterujących tranzystorami IGBT postęp nadąża za improvementem samego klucza. Tranzystory IGBT 3. generacji (tzw. Trench-Field-Stop IGBT) nie wykazują tak dużych strat mocy jak IGBT1 i IGBT2. Wykazują mniejszy „ogon” w fazie wyłączania i nieco mniejsze napięcie nasycenia, natomiast ich scalone sterowniki realizują technikę kontroli wzrostu napięcia na kolektorze przez zastosowanie lokalnego sprzężenia zwrotnego (technika Dynamic Voltage Rise Control), która należy do kategorii Active Voltage Clamping (rys.6). Tym samym proces przełączania klucza jest „pod kontrolą” – tzw. soft switching. Jest to alternatywa dla driverów pokazanych na rysunkach 3, 4 i 5, gdzie jedynym elementem kontroli czasu przełączania klucza jest rezystancja RG. 6. Przykład tranzystora IGBT – 2SH31 W tym punkcie przytaczamy kilka danych odczytanych z katalogu, dla tranzystora 2SH31. To tranzystor dyskretny o umiarkowanych parametrach, jedyny przykład jaki przywołamy. Wspomnieliśmy już wyżej, że tranzystory IGBT produkowane są często w postaci modułów po 6 sztuk. Taka organizacja jest uzasadniona w przypadku, gdy klucze pracują w obwodach 3-fazowych w parach, tworząc układ mostkowy. Wtedy przetwarzane moce sięgają magawata. 2SH31 to tranzystor firmy Hitachi o dopuszczalnym napięciu 600V i prądzie kolektora 75A. Dopuszczalny prąd w impulsie może osiągać wartość aż 150A. Napięcie nasycenia przy maksymalnym prądzie i napięciu bramki +15V wynosi typowo 2.1V, a katalog gwarantuje, iż nie powinno przekroczyć 2.6V. Mimo wszystko, moc na tranzystorze w stanie jego włączenia jest na poziomie 150W. To dużo. Trzeba jednak wartość tę odnieść do przetwarzanej mocy, która w dobrze zaprojektowanym układzie powinna być 100 do 1000 razy wyższa. Średnia moc strat jaką powoduje stan włączonego klucza należy oczywiście przemnożyć przez współczynnik wypełnienia. Do tego dochodzą straty na przełączanie. Te są wprost proporcjonalne do częstotliwości kluczowania i zależą w dużym stopniu od konstrukcji drivera. Pojemność bramki tranzystora 2SH31 jest spora, katalog podaje 4.1nF. W każdym cyklu kluczowania należy ją przeładować o napięcie ok. 20V (zakładając poziomy ON i OFF odpowiednio +15 i –5V). Same straty mocy w driverze to kilka watów. Czy zostały zatracone korzyści z napięciowego sterowania elementu kluczującego. Korzyść jest nadal znacząca; porównajmy z tranzystorem bipolarnym, którego β dla tranzystorów wysokonapięciowych nie przekracza 10. Mimo to zakłada się, iż tranzystory IGBT mogą pracować w obwodach kluczujących na częstotliwościach od 1 do ok. 40 kHz. Na zakończenie pokazujemy tylko 3 charakterystyki zaczerpnięte z katalogu dla tranzystora 2SH31. Rysunek 7b to charakterystyka przejściowa. Można z niej odczytać wzmocnienie i napięcie nasycenia, oraz zależność tych parametrów od napięcia bramki. Napięcie nasycenia, nie jest małe. Porównując tą charakterystykę z analogiczną dla tranzystora bipolarnego (np. BU508), widać wyraźny wpływ złącza diodowego w obwodzie kolektora. Charakterystyka jest bliższa podwójnemu tranzystorowi BJT w połączeniu Darlingtona. Wzmocnienie trudno porównać. Tranzystor bipolarny jest elementem wykazującym wzmocnienie prądowe, IGBT jest elementem transkonduktancyjnym; parametrem wejściowym jest napięcie bramki, wyjściowym prąd kolektora. Wzmocnienie nie jest wyrażone w jednostkach bezwymiarowych, lecz w odwrotności oma (podobnie jest w przypadku tranzystorów polowych). Transkonduktancje tranzystorów IGBT są z reguły wyższe aniżeli MOSFET; to w końcu „unipolarny Darlington”. Te same parametry można odczytać z charakterystyki pokazanej na rysunku 7c; IC = f(UGE). Tu pokazano także wpływ temperatury na charakterystykę przejściową. W pracy elementu jako klucz, istotna jest zależność temperaturowa napięcia nasycenia. Ta, dla tranzystorów IGBT jest ciekawa, dlatego zdecydowano się przytoczyć charakterystykę pokazaną na rysunku 7d. W zakresie niskich prądów kolektora współczynnik temperaturowy jest ujemny (jak dla BJT), w zakresie dużych prądów jest dodatni (jak dla tranzystorów MOSFET). To efekt budowy tranzystora IGBT jako połączenia technologii bipolarnej i unipolarnej. Najistotniejszym jednak jest, iż ta technologia oferuje mniejsze napięcia nasycenia w zakresie bardzo dużych prądów i znacznie większe gęstości prądu aniżeli pozwalają na to technologie konkurencyjne. Dynamika jest umiarkowana, mimo to tranzystory IGBT są bezkonkurencyjne jako klucze w obwodach wysokoenergetycznych. I to jest kwintesencja, od której zaczynał się wstęp do niniejszego artykułu. SERWIS ELEKTRONIKI C G 1. Gate 2. Collector (Flange) 3. Emitter 12 E 3 Rys.7a. Tranzystor 2SH31 I C (A) 100 15V Pulse Test 11V 80 10V 60 40 9V 20 V GE = 8V 0 2 4 6 8 10 UCE (V) Rys.7b. Charakterystyka wyjściowa Porady serwisowe 100 10 Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat) (V) Collector Current I C (A) VCE = 10V Pulse Test 80 60 -25°C 40 TC = 75°C 25°C 20 0 4 8 12 16 20 5 -25°C 2 1 TC = 75°C 0.5 0.2 VGE = 15V Pulse Test 1 Gate to Emitter Voltage VGE (V) 25°C 2 5 10 20 Collector Current I C (A) 50 100 Rys.7d. Wpływ temperatury na napięcie nasycenia Rys.7c. Zależność IC = f(UGE) W artykule podano garść informacji w zakresie wysokonapięciowych kluczy, tranzystorów IGBT. Nie jest to ani wykład poświęcony technologii, ani cytowanie danych katalogowych. Celem autora i redakcji było pokazanie, że takie elementy istnieją, i „czym się je je”. Wymieniono zalety i wady względem tradycyjnych tranzystorów MOSFET, bipolarnych BJT i bardzo krótko względem tyrystorów SCR. Skupiono się jednak na zaletach dla wysokoenergetycznych aplikacji. To właśnie dla nich technologia IGBT jest rozsądną alternatywą. Cechy tranzystora wyjaśniono na gruncie jego budowy, lecz co ważniejsze dla serwisu, podano jakie implikacje one wnoszą dla dobrze wykonanego drivera. Poza fragmentami obwodu, nie przytoczono żadnego praktycznego schematu. To może być temat na kolejne opracowanie. Jednak, jak się okazuje wartościowe dokumentacje są „utajnione”. Nie dysponują nimi nawet wyspecjalizowane placówki zajmujące się serwisem, a dokładniej, wymieniające całe płyty lub moduły. Tranzystory lub moduły IGBT pracują w urządzeniach, które trudno zabrać na stół warsztatowy; układy trakcyjne, UPS-y podtrzymujące zasilanie banku lub szpitala, są przyszłością dla motoryzacji o napędzie elektrycznym. Czy takie urządzenia mogą być ratunkiem dla podupadającej branży serwisu elektroniki? Może tak, a może nie. Bądźmy jednak dobrej myśli, iż wiedza w końcu się przyda, że uda się ją wykorzystać dla własnego i czyjegoś pożytku. } Porady serwisowe Edward Bittner, Jerzy Znamirowski, Wojciech Więciorek, Mateusz Malinowski, Henryk Demski, Rajmund Wiśniewski, Bolesław Szpunaryszard Strzępek, Jerzy Pora, , ruszył. Wniosek: Nie każdy zamiennik Q1 jest odpowiedni. W tym zasilaczu należy wstawiać wyjątkowo dobrej jakości tranzystory wykonawcze (wytrzymałość co najmniej 800V/4A). E.B. Odbiorniki telewizyjne Telestar 4155T Uszkadza się wykonawczy tranzystor zasilacza impulsowego. Wydawałoby się, że w tym odbiorniku już nic nie może zaskoczyć, a jednak. Odbiornik trafił do naprawy z próbkowaniem zasilacza. Rutynowo wymieniono uszkodzony kondensator C11 – 47µF/50V. Teraz po włączeniu do sieci przepala się bezpiecznik 2A oraz ulega zwarciu tranzystor Q1 - 2SK2545 (według schematu STH5N80). Sprawdzono wszystkie połączenia i pozostałe elementy zasilacza. Na wszelki wypadek podstawiono układ TDA4605-3, choć przy próbkowaniu raczej powinien być dobry. Zblokowano wyłącznik sieciowy, który w tym modelu odbiornika może posiadać znaczną oporność styków. Za tranzystor Q1 wstawiono P6NA60FP. Ponowne włączenie i ten sam zestaw uszkodzonych elementów. Może wadliwy tranzystor. Wstawiono następny i to samo. Można się załamać. Tak bez żadnej nadziei na sukces jeszcze raz wstawiono nowy Q1, tym razem 2SK3567 i zasilacz najzwyczajniej 6 Xiron ST14DVD chassis 11AK30 Po włączeniu w stan pracy „piszczy” zasilacz. Pomiary wykazują zwarcie końcowego tranzystora linii BU808DFI. Jego uszkodzenie nastąpiło w wyniku znacznej utraty parametrów kondensatora C613 – 10µF/50V. Ten model odbiornika nie posiada transformatora sterującego i utrata parametrów tego kondensatora sprzęgającego, przyczynia się bezpośrednio do przegrzania i uszkodzenia końcowego tranzystora linii. Nawet, gdy parametry tego kondensatora niewiele odbiegają od normy, to przy takim uszkodzeniu profilaktycznie należy jego wymienić. Uwaga: Końcowy tranzystor linii, to zespolony tranzystor w układzie Darlingtona o bardzo dużym wzmocnieniu (mały prąd sterujący bazy). Stąd typowy tranzystor np. BU2508DFI nie nadaje się jako zamiennik. Natomiast dobrym zamiennikiem jest 2SC5388. E.B. SERWIS ELEKTRONIKI 3/2011