ZADANIA I-15_elektronik

„EUROELEKTRA”
Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej
Rok szkolny 2014/2015
Zadania z elektroniki na zawody I stopnia
Instrukcja dla zdającego
1. Czas trwania zawodów: 120 minut.
2. Test zawiera 16 zadań zamkniętych.
3. Do każdego zadania podane są cztery odpowiedzi: A, B, C, D. Tylko jedna odpowiedź
jest poprawna.
4. Należy wybrać popraną odpowiedź i zaznaczyć ją krzyżykiem na karcie odpowiedzi.
5. Oceniane będą odpowiedzi tylko tych zadań, dla których zaznaczono jedną odpowiedź
(krzyżyk w jednej kratce). Zadania z większą liczbą odpowiedzi lub z niektórymi
odpowiedziami najpierw zaznaczonymi, a potem przekreślonymi jako pomyłka, będą
oceniane jako brak odpowiedzi. Z tego powodu, nie należy pochopnie udzielać
odpowiedzi.
6. Za każdą prawidłową odpowiedź uzyskuje się jeden punkt. Maksymalna liczba punktów
to 16.
7. Można korzystać z przyborów do pisania, rozdawanych kart brudnopisu, kalkulatorów
i tablic matematycznych. Korzystanie z notebooków, telefonów komórkowych itp. jest
zabronione.
Życzymy powodzenia!
Zadanie 1
Każdy atom krzemu posiada:
A. 8 elektronów umieszczonych na dwóch orbitach całkowicie zapełnionych (odpowiednio 2
i 6 zgodnie z prawem mechaniki kwantowej) oraz 4 elektrony umieszczone na ostatniej
częściowo zapełnionej;
B. 10 elektronów umieszczonych na dwóch orbitach całkowicie zapełnionych (odpowiednio 2
i 8 zgodnie z prawem mechaniki kwantowej) oraz 4 elektrony umieszczone na ostatniej
częściowo zapełnionej;
C. 12 elektronów umieszczonych na dwóch orbitach całkowicie zapełnionych (odpowiednio 2
i 10 zgodnie z prawem mechaniki kwantowej) oraz 4 elektrony umieszczone na ostatniej
częściowo zapełnionej;
D. 14 elektronów umieszczonych na dwóch orbitach całkowicie zapełnionych (odpowiednio 2
i 12 zgodnie z prawem mechaniki kwantowej) oraz 4 elektrony umieszczone na ostatniej
częściowo zapełnionej.
1
Zadanie 2
Półprzewodniki domieszkowane typu n charakteryzują się:
A. brakiem pasma zabronionego;
B. obecnością domieszek akceptorowych;
C. nośnikami większościowymi w postaci dziur;
D. posiadaniem w swojej strukturze sieci krystalicznej atomów pierwiastków
pięciowartościowych.
Zadanie 3
Dioda Zenera jest to:
A. silnie domieszkowane złącze p-n, w którym wykorzystuje się efekt tunelowy występujący
przy określonej wartości napięcia wstecznego;
B. inaczej złącze p-n, w którym wykorzystuje się efekt naskórkowości;
C. złącze p-n posiadające najmniejszą wartość prądu wstecznego;
D. podwójne złącze typu p-n-p.
Zadanie 4
Na charakterystyce wyjściowej tranzystora bipolarnego zaznaczyć możemy następujące stany
jego pracy:
A. aktywny, inwersyjny, zaporowy;
B. aktywny, inwersyjny, nasycenia;
C. inwersyjny, nasycenia, odcięcia;
D. aktywny, nasycenia, odcięcia.
Zadanie 5
Jaka jest zależność między częstotliwościami granicznymi fβ, fT, fα tranzystora bipolarnego?
A. fβ>fT>fα;
B. fβ>fT<fα;
C. fβ<fT<fα;
D. fβ<fT>fα;
Zadanie 6
W tranzystorze MOSFET z kanałem indukowanym:
A. sterowanie jego pracą wymaga przepływu stosunkowo dużej wartości prądu bramki;
B. następuje przewodzenie prądu przy braku napięcia polaryzującego bramkę;
C. następuje przewodzenie prądu po podaniu odpowiedniej wartości napięcia polaryzującego;
D. nie ma takich tranzystorów;
2
Zadanie 7
Układ przedstawiony na rysunku to:
CF
UWE
RG
_
RF
+
UWY
A. komparator;
B. filtr dolnoprzepustowy;
C. filtr górnoprzepustowy;
D. filtr środkowozaporowy.
Zadanie 8
Sprzężenie zwrotne ujemne:
A. w przypadku wzmacniacza powoduje wzrost wzmocnienia oraz zwiększa pasmo
przenoszenia;
B. zmniejsza wzmocnienie wzmacniacza oraz umożliwia rozszerzenie pasma przenoszenia;
C. stosuje się w generatorach w celu zapewnienia warunku odtłumienia układu
;
D. wpływa na wzrost zniekształceń nieliniowych wzmacniacza.
Zadanie 9
Napięcie na wejściu odbiornika o impedancji wejściowej 50 Ω wynosi 10 µV. Napięcie to
wzrosło do 100 µV. O ile wzrosło napięcie wyrażone w dB?
A. o 10 dB;
B. o 20 dB;
C. o 30 dB;
D. o 40 dB.
Zadanie 10
Która z zależności pozwoli nam poprawnie wyznaczyć długość fali dla zadanej
częstotliwości?
A. λ[m] =
300
f [MHz] ;
B. λ[m] =
f [MHz]
300 ;
C. λ[m] =
300000
f [MHz] ;
D. λ[m] = 30f [MHz].
3
Zadanie 11
Rysunek przedstawia schemat generatora:
+
+
R1
C1
C
A. Meissnera;
B. Hartleya;
C. Colpittsa;
D. Clappa.
Zadanie 12
Który spośród podanych przerzutników nie jest przerzutnikiem synchronicznym?
A. typu D;
B. typu JK;
C. typu T;
D. typu CK.
Zadanie 13
Które wyrażenie jest nieprawdziwe?
A. (a + b + ab)(a + b)ab = 0 ;
B. (a + b + ab)(a + b)ab = 0 ;
C. (a + b + ab)(a + b)ab = 0 ;
D. (a + b + ab)(a + b)ab = 0 .
Zadanie 14
Wynikiem sumy modulo 2 dwóch liczb A516 oraz 5A16 jest liczba:
A. FE16;
B. EE16;
C. 22510;
D. 25510.
4
Zadanie 15
Rysunek przedstawia bramkę:
A. OR;
B. NOR;
C. AND;
D. NAND.
Zadanie 16
Zakres pomiaru napięcia 16-bitowej karty pomiarowej wynosi 10 V. Jaka jest najmniejsza
wartość napięcia możliwa do zmierzenia z wykorzystaniem tej karty pomiarowej?
A. 0,15 mV;
B. 0,3 mV;
C. 3 mV;
D. 30,5 mV.
Opracował:
Sprawdził:
Zatwierdził:
dr hab. inż. Mariusz Korkosz
Politechnika Rzeszowska
dr inż. Tomasz Talaśka
UTP Bydgoszcz
Przewodniczący
Rady Naukowej Olimpiady
dr hab. inż. Sławomir Cieślik,
prof. nadzw. UTP
mgr inż. Mariusz Pilecki
Politechnika Rzeszowska
mgr inż. Adam Powrózek
Politechnika Rzeszowska
5