Wzmacniacz 70 W z tranzystorami MOSFET
Transkrypt
Wzmacniacz 70 W z tranzystorami MOSFET
5 z Qrasy zagranicznej ' . re J Wzmacniacz 70 W z tranzystorami MOSFET W miesięczniku ,,Elektor” (RFN) zeszyt specjalny „plus nr 1”, został zamieszczony opis nowoczesnego wzmacniacza m.cz., ' przeznaczonego przede wszystkim do aktywnych zespołów głośnikowych, ale mogącego służyć także,-jako oddzielny wzmacniacz hi-fi. Układ ten nazwany ,,Mini-Cresendo”, opracowany w laboratorium ww miesięcznika, może być odwzorowany z zastosowaniem elementów i tranzystorów krajowych z wyjątkiem tranzystorów mocy typu MOSFET, które nie mają krajowych odpowiedników. _ . .. ._ . z „,. l H _ TT' 0 j1 T---.lu-=:ga: Duża wartość napięcia zasilającego sprawia, że układ może być łatwo uszkodzony. W związku z tym należy przestrzegać następujących zaleceń dotyczących uruchomienia układu: I O sprawdzić starannie prawidłowość montażu (zakłada się, że wszystkie elementy przed ich wmontowaniem zostały sprawdzone); 1 1 , \ ÍÍ 100fiäf “ 7.5 :L ' _gyqfi 53-" l ÍŹ ä 5 855488 1 l . of ¿ , . . zi: i ' 1` 'iw Š - ~ ; Ĺ 4/(7 ,, M ß~ Š l-'3200 "i\ S2: *xx _ ' V1 zza zsiisinzsffio Hitachi' Ä _í|___'_ zí-matt '77' Jí Ń (Q 88550: "TT jeżeli wszystko zachowuje się nor- i 0.-msv) Ümalme, - to usuwa się - rezystory 10 Q, R6' LQ zakłada bezpieczniki topikowe B1 i B2, przyłącza głośnik i przystępuje do prób dynamicznych wzmacniacza, doprowadzając do wejścia sinusoidalny sygnał z generatora lub inny sygnał testowy; 1:3-zae Ęu /00 _ C3 8 „Ÿ,Ś O0 . _E200 . zbadać, czy wzmacniacz nie wzbudza się i nie pojawiają się na jego wyjściu przebiegiw.cz ~ 'fiøøß j Ĺ? 91/ ;_ .az W l ¿;__ j gl l aüą 1 52.0 fr!-'_' Wzmacniacz modelowy jest zmontowany na płytce montażowe] o wymiarach 3 n 0 -4530r l 160× 100 mm, do której przytwierdzono ___._..__l kątownik aluminiowy 40x40 mm. Tranzystory T8, T10, T11 i T12 są zmontowane na tym kątowniku. Do tego kątownika, prostopadle do płytki, jest przymocowany żebrowany radiator 0 wymiarach 120 ×100 mm. Warto dodać, żé montaż płytki wzmacniacza prototypowego jest bardzo ciasny i w wypadku użycia elementów krajowych warto zastosować płytkę o nieco większych wymiarach. Cewka L1 ma 2 × 10 zwojów nawiniętych drutem nawojowym ø 1 mm na rezystorze R6. Tranzystory są zmontowane na radiatorze na podkładkach izolacyjnych (mikowych). _ ë 777 1 _ Ę, ßrfiga .ziT.. , <\, H? zi GB „ . Jka* if 2 'H , s 4W J _ŻW Łatwo można zauważyć, że.jeżeIi tranzystory T7 i T9 pracują w zakresie niewielkich wartości napięć, to amplituda przebiegu zmiennego na kolektorach tranzystorów T8 i T10 może osiągać wartość do 40+45 V, zależnie od wartości napięcia zasilającego wzmacniacz, impedancji obciążenia i wysterowania. Ze względu na znaczną wartość mocy traconej w tranzystorach T8 i T10 są one umieszczone na wspólnym radiatorze z tranzystorami mocy (T11 i T12). System diod zabezpiecza tranzystory mocy przed przesterowaniem i uszkodzeniem. Rezystory R4 i Ę5 powinny mieć bardzo małą indukcyjność. Zaleca się zastosowanie równolegle połączonych rezystorów 1 Q (po 5 sztuk). Pętla ujemnego sprzężenia zwrotnego jest utworzona z rezystorów F_i1 i R2 oraz dwóch kondensatorów zamykających drogę dla składowej stałej napięcia. Stosunek rezystancji tych rezystorów ustala głębokość ujemnego sprzężenia zwrotnego we wzmacniaczu. Fiezystorem nastaw- I 0 1, Dane techniczne wzmacniacza modelowego Moc znamionowa przy obciążeniu 8 Q: Moc znamionowa przy obciążeniu 4 Q: Współczynnik zawartości harmonicznych w pasmie 20 Hz -:-20 kHz: Pasmo przenoszenia: . Znamionowe napięcie wejściowe: 50 W (max 70 W) 70 W (max 90 W) Ś, 0,03% ` 5 Hz-:-55 kHz (-3 dB i impedancji żródła 600 Q) ok. 0,6 V A W | ~ 26 ` 1 › i .-.-,gnou'1_nuş.h-1_n f|-'gqui.-şl'I|\łk şŁ. m:-_ş._.|l;'‹.4n-|t'ln-I|i4=l›|i_ ~_ a l Š: 5 *ëë . 'Ż Q5:B4 sl j 1 Ę " IHJM6' 'ng'("50 l . sprawdzić napięcie stałe na wyjściu wzmacniacza - nie powinno ono mieć wartości większej niż 15 mV; Hł`fü'C!li` 1M148 . ' 11 "33 2209 Ê-" Č Ê' l 1 _ a + Ya y y 22011 Ê ) I 2011 1 *arms 1 1 zsrur/vazsraa ` ÍJŰQ smsa* ¿›,-470 ]~1i0fi _ ` ‹'- fzwzrw 1 ÍŰÜQ 7” ' ~ 3.„ "_',” "'”¬'å- rg :Ü N 1.509 1 E1' JJÅ' 1 565458 M09 M . przyłączyć woltomierz równolegle do rezystora założonego zamiast bezpiecznika B1 i powoli pokręcać rezystorem nastawnym R3, tak aby woltomierz wskazał 1 V, co odpowiada prądowi 100 mA płynącemu przez tranzystory mocy; ZA ĹŻJV) - -I» Q y --¬, ,O 1 “wav 3 acrsør lI'f włączyć napięcia zasilające i sprawdzić prawidłość rozkłagu napięć w obwodach pierwszych dwóch stopni (powinna być zachowana odpowiednia symetria); Ł Q3 77 88.5588 l T F001! en-gz; i Q wyjąć bezpieczniki (B1 i B2) i zastąpić je rezystorami o rezystancji 10 Q (moc 0,25 W) oraz ustawić rezystor nastawny R3 na minimum rezystancji; ~~ L T Š Š C:| ŰRĆÍ Í . ‹.7Å'3 . 1 1 '- nym R3 ustala się wartość spoczynkową prądu przepływającego przez tranzystory mocy. _ ' Jak wynika ze schematu, układ jest symetryczny, zasilany ze żródła o napięciu ok. ±50 V. Pierwszy stopień wzmacniacza zawiera symetryczny wzmacniacz różnicowy (T1, T2, T3, T4) i dwa źródła prądowe (T5 i T6). Następny stopień zapewnia bardzo duże wzmocnienie napięciowe. Jest on utworzony z kaskadowo połączonych tranzystorów (T7, T8 oraz T9, T10). 1, __ ` ~ Fladioelektronik M1989