Pomiary si³y termoelektrycznej półprzewodników wskazuj¹, ¿e

Pomiary siły termoelektrycznej półprzewodników wskazują, że przewidywana
zależność od temperatury i koncentracji jest dobra z wyjątkiem obszaru niskich
temperatur, w którym dla czystych próbek otrzymuje się często wartość około 20
razy większą od przewidywanej.
Ogólnie wartości mas efektywnych otrzymane z pomiarów siły termoelektrycznej dla
wysokich
temperatur
cyklotronowego.
dobrze
Jednakże
zgadzają
z
się
z
wynikami
analizy
otrzymanymi
rezonansu
dostępnych
danych
wynika, że choć ze znajomości siły termoelektrycznej można dobrze oszacować masę
efektywną, to jednak ta metoda nie nadaje się do precyzyjnego określenia tego parametru.
Nietypowo duża wartość S w niskich temperaturach związana jest z tym samym
mechanizmem, który
w wypadku metali.
Jest to efekt unoszenia fononowego. Jednakże w półprzewodnikach sytuacja
jest nieco inna niż w metalach.
Podczas gdy w metalu wszystkie fonony biorą udział w rozpraszaniu elektronfonon i fonony o wektorze falowym przekazują największy pęd elektronom, to
jak wiemy w półprzewodnikach ffoonnoonnyy o małym wektorze falowym mogą
oddziaływać z nośnikami ładunku (zaniedbujemy rozpraszanie międzydolinowe).
Wobec tego rozważania dotyczące siły termoelektrycznej unoszenia
fononowego musimy tak zmodyfikować, by uwzględnić
fakt, że tylko niewielka część widma fononowego wpływa na ten efekt.