Tranzystory polowe z izolowaną bramką

Temat: Tranzystor polowy z izolowaną bramką – budowa, zasada działania
1. Tranzystory z izolowaną bramką MOSFET mają bramkę oddzieloną cienką warstwą
izolacyjną od kanału. Dzięki temu, teoretycznie, niezależnie od jej polaryzacji, nie płynie
przez nią żaden prąd. Praktycznie w tranzystorach MOSFET prądy bramki są ok. 103 razy
mniejsze niż w tranzystorach JFET (dla JFET są rzędu 1pA-10nA), co pozwala na uzyskanie
rezystancji wejściowej układu 1012-1016Ω (dla JFET są rzędu 109-1012Ω). Tranzystory te
mają dodatkową elektrodę – podłoże, oznaczone symbolem B. Spełnia ona podobną rolę
jak bramka, jest jednak oddzielona od kanału tylko złączem PN.
2. Schemat tranzystora z izolowaną bramką z kanałem a) wbudowanym b) indukowanym
B – podłoże – pełni funkcję sterującą jak bramka
3. Zasada działania tranzystora z izolowaną bramką: a) zakres liniowy b) odcięcie kanału c)
nasycenie tranzystora
W zależności od zjawisk fizycznych i od polaryzacji bramki, w tranzystorze tym może
powstać:
• kanał indukowany, tzn. kanał w postaci warstwy inwersyjnej (np. kanał typu N ma bardzo
dużo elektronów, a mało dziur);
• kanał wbudowany, tzn. kanał w postaci warstwy akumulacyjnej wzbogacanej (np. kanał
typu N ma dużo dziur i bardzo dużo elektronów) lub zubożanej (np. kanał typu N ma mało
elektronów i mało dziur), które są inaczej określane jako warstwy domieszkowane o
przeciwnym typie przewodnictwa w stosunku do podłoża.
Napięcie progowe UT - jest to napięcie, jakie należy przyłożyć do bramki, aby powstała
warstwa inwersyjna.
Napięcie progowe wyznacza napięcie bramka-źródło, przy którym prąd drenu ma określoną
wartość (często 1 lub 10 µA )