TRANZYSTORY UNIPOLARNE

TRANZYSTORY UNIPOLARNE.
Tranzystor polowe,
polowe nazywane również tranzystorami unipolarnymi, stanowią grupę
kilku rodzajów elementów, których wspólną cechą jest pośrednie oddziaływanie pola
elektrycznego na rezystancję półprzewodnika lub na rezystancję cienkiej warstwy
nieprzewodzącej. Teoretycznie sterowanie pracą tranzystora polowego może
odbywać się bez poboru mocy. W działaniu elementu udział bierze tylko jeden rodzaj
nośników ładunku, stąd nazwa polowy (unipolarny).
W tranzystorach polowych elektrody mają swoją nazwę i określony symbol:
•
•
•
a)
Źródło (ang. Source), oznaczone literą S. Jest elektrodą, z której wypływają nośniki
ładunku do kanału. Prąd źródła oznacza się jako Is.
Dren (ang. Drain), oznaczone literą D. Jest elektrodą, do której dochodzą nośniki
ładunku. Prąd drenu – ID, napięcie dren-źródło – UDS.
Bramka (ang. Gate), oznaczone literą G. Jest elektrodą sterującą przepływem
ładunków. Prąd bramki – IG, napięcie bramka-źródło – UGS.
b)
Rys. 1. Symbole graficzne tranzystora polowego złączowego JFET z kanałem typu a) , oraz z
kanałem typu P b).
TRANZYSTORY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ MOSFET.
Tranzystor MOSFET to tranzystor polowy, w którym bramka jest oddzielona od kanału
cienką warstwą izolacyjną, najczęściej utworzoną z dwutlenku SiO2. Dzięki odizolowaniu
bramki, niezaleŜnie od jej polaryzacji, teoretycznie nie płynie przez nie Ŝaden prąd.
Praktycznie w tranzystorach JEFT prądy bramki są rzędu 1pA ¸ 10nA, a w tranzystorach
MOSFET ok. 103 razy mniejsze. Dlatego teŜ w tranzystorach JEFT moŜemy uzyskać
rezystancję wejściową układu równą 109 ¸ 1012 W, a w przypadku tranzystorów MOSFET
rezystancja wejściowa jest równa 1012 ¸ 1016 W.
Rys. 2. Symbol tranzystora MOSFET
Tranzystory MOSFET mają czwartą elektrodę – podłoŜe, oznaczone symbolem B. Spełnia
ona podobną rolę sterującą jak bramka. Jest ona oddzielona od kanału tylko złączem p-n. Gdy
nie korzysta się z funkcji podłoŜa, wówczas łączy się je ze źródłem. Połączenie to moŜe być
wykonane wewnątrz obudowy i wtedy nie ma wyprowadzenia na zewnątrz.
Zalety tranzystorów polowych:
•
•
•
•
•
duŜa rezystancja wejściowa,
małe szumy w porównaniu z tranzystorami bipolarnymi (w zakresie
małych i średnich częstotliwości),
moŜliwość autokompensacji temperaturowej,
odporność na promieniowanie,
małe wymiary powodują, Ŝe są one coraz powszechniej stosowane w
układach analogowych i cyfrowych.