Tranzystory unipolarne

Tranzystory unipolarne
Tranzystory unipolarne są również nazywane polowymi. Tranzystory te mają
kanał typu N lub P, który może być wzbogacany lub zubożany.
W tranzystorach unipolarnych elektrody mają następujące nazwy i
oznaczenia:
S – źródło
G – bramka
D – dren
W tranzystorach unipolarnych w przepływie prądu biorą udział nośniki
większościowe jednego rodzaju – dziury lub elektrony. W tranzystorach z
kanałem typu N nośnikami prądu są elektrony, a z kanałem typu P – dziury.
Tranzystory unipolarne dzielimy na:
• Złączowe (ze złączem PN)
• Z izolowaną bramką
Symbole graficzne tranzystorów złączowych:
a) z kanałem typu N b) kanałem typu P
Tranzystory polowe złączowe należy polaryzować tak, aby:
• Nośniki poruszały się od źródła do drenu
• Złącze bramka – kanał były polaryzowane zaporowo
Konstrukcja tranzystora złączowego
Tranzystory polowe z izolowaną bramką są to tranzystory z kanałem typu
N lub P, izolowanym od bramki warstwa dielektryka.
Zasada działania tranzystora z izolowaną bramką: a) zakres liniowy
b) odcięcie kanału c) nasycenie tranzystora
W zależności od zjawisk fizycznych i od polaryzacji bramki, w tranzystorze tym
może powstać:
• Kanał indukowany, tzn. kanał w postaci warstwy inwersyjnej ( np.
kanał typu N ma bardzo dużo elektronów, a mało dziur.
• Kanał wbudowany, tzn. kanał w postaci warstwy akumulacyjnej
wzbogacanej ( np. kanał typu N ma dużo dziur i bardzo dużo
elektronów) lub zubożanej ( np. kanał typu N ma mało elektronów i
dziur, które są inaczej określane jako warstwy domieszkowej o
przeciwnym typie przewodnictwie w stosunku do podłoża.
Charakterystyki i parametry tranzystora
złączowego
Tranzystor polowy złączowy ma dwa zakresy pracy; liniowy i
nasycenia.
Charakterystyki tranzystora złączowego są następujące:
1. przejściowa – zależność prądu drenu (ID) od napięcia bramka
– źródło ( UGS ), przy stałym napięciu dren – źródło (UDS)
2. wyjściowa – zależność prądu drenu (ID) od napięcia dren –
źródło ( UDS ), przy stałym napięciu bramka – źródło (UGS )
Charakterystyki tranzystora złączowego:
a) przejściowa
b) wyjściowa
Do parametrów tranzystora złączowego zaliczamy:
- rezystancja kanału- jej wartość jest bardzo duża (kΩ)
- prąd nasycenia okresu- przy określonym napięciu drenu- źródło
jest on w granicach od 2 do 25 mA
- napięcie bramka-źródło wynosi ono od 0 do -7.5V
Charakterystyki i parametry tranzystora z
izolowaną bramką
-Charakterystyka przejściowa- zależność prądu drenu od napięcia
źródło-dren, przy stałym napięciu źródło-dren
- Charakterystyka wyjściowa – zależność prądu drenu od napięcia
źródło-dren, przy stałym napięciu bramka-źródło
Parametry tranzystora izolowaną bramką
• napięcie progowe – UT
• napięcie docięcia- UGSoff
• prąd nasycenia przy zwartym źródle i bramce,
• rezystancje kanału, przy maksymalnym prądzie drenu,
• rezystancje kanału, przy wyłączonym kanale.
Tranzystory polowe mogą pracować w trzech podstawowych konfiguracjach:
1. Układ o wspólnym źródle – OS (odpowiednik układu OE
tranzystora unipolarnego).
2. Układ o wspólnej bramce – OG (odpowiednik układu OB).
3. Układ o wspólnym drenie – OD (odpowiednik układu OC).