docDIODA LASEROWA RLD – 635 (5)
download 
Reklamacja Transkrypt
DIODA LASEROWA RLD – 635 (5)
DIODA LASEROWA RLD – 635 (5) 635 nm, 5 mW, ? 5.6mm Opis: Dioda na podlozu InGaAlP z fotodioda monitorujaca, emitowana dlugosc fali 635 nm, obudowa TO-18, ? 5.6mm Parametry optyczne i elektryczne (To=25 oC) Dlugosc fali Emitowana moc Prad progowy Prad pracy diody Napiecie pracy diody Rozbieznosc wiazki Rozbieznosc wiazki Prad monitorowania Napiecie zwrotne diody Napiecie zwrotne fotodiody Temperatura pracy Temperatura magazynowania Typ polaczeñ: Symbol ? P0 Ith Iop Vop ?? ? ?? Is VR LD VR PD To TSTG Min 632 5 0.01 Typowa 636 5 25 40 2.3 8 35 0.03 2 30 Max 640 -10 ~ 40 -40 ~ 85 50 30 45 2.7 10 40 0.1 Jednostka nm mW mA mA V stopnie stopnie mA V V oC oC N 1.Dioda laserowa 2.Obudowa 3.Fotodioda monitorujaca Uwaga: Element czuly na narazenia elektrostatyczne. Zachowac niezbedna ostroznosc przy przechowywaniu i operacjach montazu. Dioda laserowa RLD – 635 (5) DIODA LASEROWA RLD – 635 (10) 635 nm, 10 mW, ? 5.6mm Opis: Dioda na podlozu InGaAlP z fotodioda monitorujaca, emitowana dlugosc fali 635 nm, obudowa TO-18, ? 5.6mm Parametry optyczne i elektryczne (Tc=25 oC) Dlugosc fali Emitowana moc Prad progowy Prad pracy diody Napiecie pracy diody Rozbieznosc wiazki Rozbieznosc wiazki Prad monitorowania Napiecie zwrotne diody Napiecie zwrotne fotodiody Temperatura pracy Temperatura przechowywania Typ polaczeñ: Symbol ? P0 Ith Iop Vop ?? ? ?? Is VR LD VR PD To TSTG Min 632 5 0.01 Typowa 637 10 30 45 2.3 8 35 0.03 2 30 -10 ~ 40 -40 ~ 85 Max 640 10 35 50 2.7 10 40 0.1 Jednostka nm mW mA mA V stopnie stopnie mA V V oC oC N 1.Dioda laserowa 2.Obudowa 3.Fotodioda monitorujaca Uwaga: Element czuly na narazenia elektrostatyczne. Zachowac niezbedna ostroznosc przy przechowywaniu i operacjach montazu. Dioda laserowa RLD – 635 (10) DIODA LASEROWA RLD – 635 (20) 635nm, 20 mW, ? 5.6mm Opis: Dioda laserowa emitujaca fale o dlugosci 635 nm z fotodioda monitorujaca, obudowa TO-18, ? 5.6mm Parametry optyczne i elektryczne (Tc=25 oC) Dlugosc fali Emitowana moc Prad progowy Prad pracy diody Napiecie pracy diody Rozbieznosc wiazki Rozbieznosc wiazki Prad monitorowania Napiecie zwrotne diody Napiecie zwrotne fotodiody Temperatura pracy Temperatura przechowywania Typ polaczeñ: Symbol ? P0 Ith Iop Vop ?? ? ?? Is VR LD VR PD To TSTG Min 6 20 0.01 Typowa 635 20 50 70 2.3 8 25 0.03 2 30 -10 ~ 40 -40 ~ 85 Max 640 60 85 2.7 10 35 0.08 Jednostka nm mW mA mA V Stopnie Stopnie mA V V oC oC N 1.Dioda laserowa 2.Obudowa 3.Fotodioda monitorujaca Uwaga: Element czuly na narazenia elektrostatyczne. Zachowac niezbedna ostroznosc przy przechowywaniu i operacjach montazu. Dioda laserowa RLD – 635 (20) DIODA LASEROWA RLD – 650 (5) 650 nm, 5 mW, ? 5.6mm Opis: Dioda na podlozu InGaAlP z fotodioda monitorujaca, emitowana dlugosc fali 650 nm, obudowa TO-18, ? 5.6mm. Parametry optyczne i elektryczne (Tc=25 oC) Dlugosc fali Emitowana moc Prad progowy Prad pracy diody Napiecie pracy diody Rozbieznosc wiazki Rozbieznosc wiazki Prad monitorowania Napiecie zwrotne diody Napiecie zwrotne fotodiody Temperatura pracy Temperatura przechowywania Typ polaczeñ: Symbol ? P0 Ith Iop Vop ?? ? ?? Is VR LD VR PD To TSTG Min 6 22 0.05 Typowa 650 5 25 32 2.2 9 29 0.1 2 30 -10 ~ 40 -40 ~ 85 Max 660 40 45 2.6 13 38 0.3 Jednostka nm mW mA mA V stopnie stopnie mA V V oC oC N 1.Dioda laserowa 2.Obudowa 3.Fotodioda monitorujaca Uwaga: Element czuly na narazenia elektrostatyczne. Zachowac niezbedna ostroznosc przy przechowywaniu i operacjach montazu. Dioda laserowa RLD – 650 (5) DIODA LASEROWA RLD – 650 (30) 650 nm, 30 mW, ? 5.6mm Opis: Dioda na podlozu InGaAlP z fotodioda monitorujaca, emitowana dlugosc fali 650 nm, obudowa TO-18, ? 5.6mm. Parametry optyczne i elektryczne (Tc=25 oC) Dlugosc fali Emitowana moc Prad progowy Prad pracy diody Napiecie pracy diody Rozbieznosc wiazki Rozbieznosc wiazki Prad monitorowania Napiecie zwrotne diody Napiecie zwrotne fotodiody Temperatura pracy Temperatura przechowywania Typ polaczeñ: Symbol ? P0 Ith Iop Vop ?? ? ?? Is VR LD VR PD To TSTG Min 6 22 0.05 Typowa 650 30 25 40 2.3 8 33 0.3 2 30 -10 ~ 40 -40 ~ 85 Max 660 30 45 2.7 13 38 0.6 Jednostka nm mW mA mA V stopnie stopnie mA V V oC oC N 1.Dioda laserowa 2.Obudowa 3.Fotodioda monitorujaca Uwaga: Element czuly na narazenia elektrostatyczne. Zachowac niezbedna ostroznosc przy przechowywaniu i operacjach montazu. Dioda laserowa RLD – 650 (30) DIODA LASEROWA RLD – 785 (70) 785 nm, 70 mW, ? 5.6mm Opis: Dioda wysokiej mocy z fotodioda monitorujaca, emitowana dlugosc fali 785 nm, obudowa TO-18, ? 5.6mm. Parametry optyczne i elektryczne (Tc=25 oC) Dlugosc fali Emitowana moc Prad progowy Prad pracy diody Napiecie pracy diody Rozbieznosc wiazki Rozbieznosc wiazki Prad monitorowania Napiecie zwrotne diody Napiecie zwrotne fotodiody Temperatura pracy Temperatura przechowywania Typ polaczeñ: Symbol ? P0 Ith Iop Vop ?? ? ?? Is VR LD VR PD To TSTG Min 5.5 15 0.1 Typowa 785 70 30 100 2.2 7 17 0.25 2 15 -10 ~ 40 -40 ~ 85 Max 50 140 2.5 8 20 0.6 Jednostka nm mW mA mA V stopnie stopnie A V V oC oC N 1.Dioda laserowa 2.Obudowa 3.Fotodioda monitorujaca Uwaga: Element czuly na narazenia elektrostatyczne. Zachowac niezbedna ostroznosc przy przechowywaniu i operacjach montazu. Dioda laserowa RLD – 785 (80) DIODA LASEROWA RLD – 808 (200) 808 nm, 200 mW, ? 5.6mm Opis: Dioda podczerwona, emitowana dlugosc fali 808 nm z fotodioda monitorujaca, obudowa TO-18, ? 5.6mm. Parametry optyczne i elektryczne (Tc=25 oC) Dlugosc fali Emitowana moc Prad progowy Prad pracy diody Napiecie pracy diody Rozbieznosc wiazki Rozbieznosc wiazki Prad monitorowania Napiecie zwrotne diody Napiecie zwrotne fotodiody Temperatura pracy Temperatura przechowywania Typ polaczeñ: Symbol ? P0 Ith Iop Vop ?? ? ?? Is VR LD VR PD To TSTG Min 803 Typowa 808 200 150 350 1.9 12 28 0.3 2 15 -10 ~ 40 -40 ~ 85 Max 811 200 500 3.0 17 40 Jednostka nm mW mA mA V stopnie stopnie mA V V oC oC N 1.Dioda laserowa 2.Obudowa 3.Fotodioda monitorujaca Uwaga: Element czuly na narazenia elektrostatyczne. Zachowac niezbedna ostroznosc przy przechowywaniu i operacjach montazu. Dioda laserowa RLD – 808 (200) DIODA LASEROWA RLD – 808 (500) 808 nm, 500 mW, ? 5.6mm Opis: Dioda podczerwona z fotodioda monitorujaca, emitowana dlugosc fali 808 nm, obudowa TO-18, ? 5.6mm. Parametry optyczne i elektryczne (Tc=25 oC) Dlugosc fali Emitowana moc Prad progowy Prad pracy diody Napiecie pracy diody Rozbieznosc wiazki Rozbieznosc wiazki Prad monitorowania Napiecie zwrotne diody Napiecie zwrotne fotodiody Temperatura pracy Temperatura przechowywania Typ polaczeñ: Symbol ? P0 Ith Iop Vop ?? ? ?? Is VR LD VR PD To TSTG Min 803 Typowa 808 500 180 750 2,1 8 30 0.8 2 15 -10 ~ 40 -40 ~ 85 Max 811 1000 3 17 40 0.1 Jednostka nm mW mA mA V stopnie stopnie mA V V oC oC N 1.Dioda laserowa 2.Obudowa 3.Fotodioda monitorujaca Uwaga: Element czuly na narazenia elektrostatyczne. Zachowac niezbedna ostroznosc przy przechowywaniu i operacjach montazu. Dioda laserowa RLD – 808 (500)
