docIndex PL
download 
Reklamacja Transkrypt
Index PL
60050-521 CEI:2002 – 175 – INDEKS ALFABETYCZNY A akceptor akceptor .............................................. energia jonizacji akceptora ................. akceptorowy poziom akceptorowy ........................... aktywacja energia aktywacji domieszek .............. akumulacja akumulacja nośników ładunku (w półprzewodniku) .......................... analizator analizator obrazu z przenoszeniem ładunku ............................................ anodowy charakterystyka anodowa ................... ASIC ASIC (akronim) ................................... asymetryczny tyrystor asymetryczny ......................... atom atom Bohra ......................................... ażur ażur ..................................................... B bariera bariera potencjału ............................... bariera potencjału (złącza PN) ............ bariera Schottky’ego ........................... baza baza .................................................... baza wspólna ...................................... baza wspólna odwrócona ................... BBD BBD (akronim) .................................... bezpośredni pamięć o dostępie bezpośrednim ....... bipolarny tranzystor bipolarny złączowy ............. Bloch pasmo Blocha ..................................... blokowanie czas odzyskania blokowania .............. prędkość krytyczna wzrostu napięcia blokowania ......................... stan blokowania .................................. blokujący tyrystor diodowy blokujący wstecznie . tyrystor triodowy blokujący wstecznie . Bohr atom Bohra ......................................... 521-02-39 521-02-44 521-02-41 521-02-05 521-02-62 521-11-17 521-08-06 521-11-18 521-04-71 521-01-06 521-05-32 521-02-69 521-02-70 521-02-71 521-07-03 521-07-13 521-07-16 521-11-15 521-11-08 521-04-47 521-02-25 521-05-26 521-08-18 521-08-08 521-04-62 521-04-63 521-01-06 Boltzmann prawo rozkładu prędkości Maxwella-Boltzmanna ...................... rozkład Maxwella-Boltzmanna ............ zależność Boltzmanna ........................ bramka bramka (tyrystora) .............................. bramka (tranzystora polowego) .......... matryca bramek .................................. matryca bramek programowalna ........ napięcie nieprzełączające bramki ....... napięcie przełączające bramki ............ prąd nieprzełączający bramki ............. prąd przełączający bramki .................. tranzystor polowy z bramką izolowaną tranzystor polowy z bramką złączową tranzystor polowy złączowy z bramką metalową .......................... tyrystor z bramką typu N ..................... tyrystor z bramką typu P ..................... C całkowity liczba kwantowa całkowitego momentu kątowego ......................... CCD CCD (akronim) .................................... centrum centrum rekombinacji ......................... charakterystyka charakterystyka anodowa ................... charakterystyka główna napięciowo-prądowa) ....................... charakterystyka magnetorezystora ..... cienki warstwa cienka (układu scalonego warstwowego) .... cieplny pojemność cieplna .............................. przebicie cieplne (złącza PN) ............. rezystancja cieplna (przyrządu półprzewodnikowego) .... czas czas gromadzenia ładunku ................. czas narastania .................................. czas odzyskania blokowania .............. czas opadania .................................... czas opóźnienia .................................. czas ustalania się stanu przewodzenia ................................... czas życia objętościowy (nośnika mniejszościowego) ............ częstotliwość częstotliwość graniczna (jednostkowej wartości współczynnika przenoszenia prądowego) ................ 521-01-05 521-01-03 521-01-04 521-08-01 521-07-09 521-11-20 521-11-03 521-08-16 521-08-15 521-08-17 521-08-14 521-04-54 521-04-53 521-04-60 521-04-70 521-04-69 521-01-11 521-11-16 521-02-64 521-08-06 521-08-05 521-09-17 521-10-08 521-05-16 521-05-11 521-05-13 521-05-23 521-05-22 521-05-26 521-05-24 521-05-21 521-05-25 521-02-57 521-07-22 60050-521 IEC:2002 częstotliwość graniczna rezystywnościowa ............................ częstotliwość odcięcia ........................ częstotliwość przejścia ....................... dioda mnożnika częstotliwości ............ Czochralski metoda monokrystalizacji Czochralskiego ................................ czułość czułość magnetyczna (sondy Halla) ... czułość prądowa (sondy Halla) ........... czułość rezystancyjna magnetorezystora ............................ D defekt defekt (sieci krystalicznej) ................... detekcyjny dioda detekcyjna ................................. detektor detektor fotoelektryczny (półprzewodnikowy) ......................... diak diak ..................................................... dioda dioda detekcyjna ................................. dioda elektroluminescencyjna ............. dioda emitująca w (zakresie) podczerwieni .................................... dioda komutacyjna .............................. dioda laserowa .................................... dioda ładunkowa ................................. dioda mieszająca ................................ dioda ograniczająca mikrofalowa......... dioda przełączająca mikrofalowa ........ dioda mnożnika częstotliwości ............ dioda modulacyjna .............................. dioda na podczerwień ......................... dioda o zmiennej pojemności ............. dioda odniesienia ................................ dioda odwrotna ................................... dioda parametryczna .......................... dioda (półprzewodnikowa) .................. dioda prostownicza lawinowa ............. dioda prostownicza (półprzewodnikowa) ......................... dioda przełączająca ............................ dioda stabilizacyjna ............................. dioda stabilizująca napięcie ................ dioda stabilizująca prąd ...................... dioda sygnałowa ................................. dioda świecąca ................................... dioda tunelowa .................................... dioda wsteczna ................................... dioda Zenera ...................................... moduł diody laserowej ........................ – 176 – 521-06-04 521-05-20 521-07-21 521-04-09 521-03-01 521-09-12 521-09-13 521-09-20 521-02-47 521-04-11 521-04-42 521-04-66 521-04-11 521-04-39 521-04-40 521-04-13 521-04-37 521-04-12 521-04-08 521-04-15 521-04-14 521-04-09 521-04-10 521-04-40 521-04-07 521-04-16 521-04-06 521-04-07 521-04-03 521-04-20 521-04-19 521-04-13 521-04-16 521-04-17 521-04-18 521-04-04 521-04-39 521-04-05 521-04-06 521-04-17 521-04-38 diodowy tyrystor diodowy blokujący wstecznie . tyrystor diodowy dwukierunkowy ........ tyrystor diodowy przewodzący wstecznie ......................................... Dirac funkcja Fermiego-Diraca ..................... prawo rozkładu prędkości Fermiego-Diraca-Sommerfelda ........ rozkład Fermiego-Diraca .................... długość długość dyfuzji (nośników mniejszościowych) .......... dolina dolina (diody tunelowej) ....................... dolinowy punkt dolinowy (diody tunelowej) ........ domieszka domieszka .......................................... energia aktywacji domieszek .............. obszar zmiany koncentracji domieszek ........................................ domieszkowanie domieszkowanie (półprzewodnika) ..... domieszkowy kompensacja domieszkowa ................ pasmo domieszkowe .......................... poziom domieszkowy .......................... donor donor .................................................. energia jonizacji donora ...................... donorowy poziom donorowy ................................ dostęp pamięć o dostępie bezpośrednim ....... pamięć o dostępie swobodnym .......... pamięć o dostępie szeregowym ......... dozwolony pasmo dozwolone ............................... dren dren (tranzystora polowego) ............... drugi liczba kwantowa druga ....................... dwukierunkowy tranzystor dwukierunkowy .................. tyrystor diodowy dwukierunkowy ........ tyrystor triodowy dwukierunkowy ........ dyfuzja długość dyfuzji (nośników mniejszościowych) .......... dyfuzja (w półprzewodniku) ................ stała dyfuzji (nośników ładunku) ......... dyfuzyjny technika dyfuzyjna .............................. złącze dyfuzyjne ................................. 521-04-62 521-04-66 521-04-64 521-01-16 521-01-19 521-01-15 521-02-60 521-06-02 521-06-02 521-02-04 521-02-05 521-02-67 521-03-05 521-03-06 521-02-37 521-02-36 521-02-38 521-02-43 521-02-40 521-11-08 521-11-08 521-11-12 521-02-29 521-07-08 521-01-09 521-04-49 521-04-66 521-04-67 521-02-60 521-02-59 521-02-61 521-03-08 521-02-76 – 177 – dynamiczny pamięć dynamiczna (o zmiennej zawartości) ................... rezystancja dynamiczna przewodzenia ................................... dyskretny przyrząd (półprzewodnikowy) dyskretny ......................................... działanie kierunek działania wsteczny ............... dziura dziura .................................................. dziurowy przewodzenie dziurowe ...................... E elektroda elektroda (przyrządu półprzewodnikowego) .... elektroluminescencyjny dioda elektroluminescencyjna ............. przyrząd elektroluminescencyjny ........ elektron elektron przewodzenia ........................ elektron samotny ................................ elektronowy przewodzenie elektronowe ................. elektrostatyczny przyrząd wrażliwy na wyładowania elektrostatyczne ............................... elektryczny pole elektryczne wewnętrzne .............. element element pamięci .................................. element pasożytniczy układu .............. emiter emiter .................................................. emiter wspólny .................................... emiter wspólny odwrócony ................. złącze emitera ..................................... emitujący dioda emitująca w (zakresie) podczerwieni .................................... energetyczny odstęp energetyczny ........................... pasmo energetyczne .......................... pasmo energetyczne (w półprzewodniku) .......................... poziom energetyczny (cząstki) ........... wykres poziomów energetycznych (cząstek) .......................................... energia energia aktywacji domieszek .............. energia jonizacji akceptora ................. energia jonizacji donora ...................... epitaksja epitaksja ............................................. 521-11-10 521-08-13 521-04-02 521-07-12 521-02-17 521-02-18 521-05-01 521-04-39 521-04-35 521-02-14 521-01-18 521-02-19 521-05-27 521-02-81 521-11-04 521-05-36 521-07-04 521-07-15 521-07-18 521-07-01 521-04-40 521-02-24 521-02-25 521-02-26 521-01-12 521-01-13 521-02-05 521-02-44 521-02-43 521-03-12 60050-521 CEI:2002 F faza osadzanie z fazy lotnej ....................... Fermi funkcja Fermiego-Diraca ..................... poziom Fermiego ................................ prawo rozkładu prędkości Fermiego-Diraca-Sommerfelda ........ rozkład Fermiego-Diraca .................... zasada Pauliego-Fermiego ................. fotodioda fotodioda ............................................. fotodioda lawinowa ............................. fotoelektryczny detektor fotoelektryczny (półprzewodnikowy) ......................... przyrząd fotoelektryczny (półprzewodnikowy) ......................... zjawisko fotoelektryczne ..................... fotoelement fotoelement (półprzewodnikowy) ........ fotokomórka fotokomórka ........................................ fotokonduktywny zjawisko fotokonduktywne .................. fotomagnetoelektryczny zjawisko fotomagnetoelektryczne ....... fotonowy sprzęgacz fotonowy ............................ fotoogniwo fotoogniwo .......................................... fotoprzewodzący komórka fotoprzewodząca .................. fotorezystor fotorezystor ......................................... fototranzystor fototranzystor ...................................... fototyrystor fototyrystor .......................................... fotowoltaiczny komórka fotowoltaiczna ...................... zjawisko fotowoltaiczne ...................... funkcja funkcja Fermiego-Diraca ..................... G generator generator Halla ................................... główny charakterystyka główna (napięciowo-prądowa) ...................... końcówka główna ............................... liczba kwantowa główna ..................... napięcie główne .................................. prąd główny ........................................ granica granica PN .......................................... 521-03-15 521-01-16 521-01-17 521-01-19 521-01-15 521-01-14 521-04-32 521-04-44 521-04-42 521-04-41 521-01-20 521-04-41 521-04-33 521-01-22 521-01-23 521-04-45 521-04-34 521-04-33 521-04-43 521-04-51 521-04-72 521-04-34 521-01-21 521-01-16 521-04-26 521-08-05 521-08-03 521-01-08 521-08-04 521-08-02 521-02-65 60050-521 IEC:2002 graniczny częstotliwość graniczna (jednostkowej wartości współczynnika przenoszenia prądowego) ................ częstotliwość graniczna rezystywnościowa ............................ gromadzenie czas gromadzenia ładunku ................. gruby warstwa gruba (układu scalonego warstwowego) .... H Hall generator Halla ................................... kąt Halla .............................................. napięcie Halla ..................................... ruchliwość Halla .................................. sonda Halla ......................................... współczynnik Halla ............................. zjawisko Halla ..................................... hallotron hallotron .............................................. końcówki hallotronu ............................ końcówka prądu sterującego hallotronu ......................................... powierzchnia skuteczna pętli wyjściowej hallotronu ....................... hallotronowy magnetometr hallotronowy .................. mnożnik hallotronowy ......................... modulator hallotronowy ....................... I idealny kryształ idealny ................................... implantacja implantacja jonów ............................... indukowany napięcie sterujące indukowane (hallotronu) ....................................... pole indukowane (generatora Halla) ... izolator izolator ................................................ izolowany tranzystor polowy z bramką izolowaną ......................................... J jon implantacja jonów ............................... jonizacja energia jonizacji akceptora ................. energia jonizacji donora ...................... jonowy półprzewodnik jonowy ......................... przewodzenie jonowe ......................... – 178 – 521-07-22 521-06-04 521-05-23 521-10-09 521-04-26 521-09-03 521-09-05 521-09-04 521-04-28 521-09-02 521-09-01 521-04-24 521-09-06 521-09-07 521-09-08 521-04-28 521-04-27 521-04-25 521-02-45 521-03-14 521-09-16 521-09-10 521-02-31 521-04-54 521-03-14 521-02-44 521-02-43 521-02-06 521-02-21 K kanał kanał (tranzystora polowego) .............. tranzystor polowy z kanałem N ........... tranzystor polowy z kanałem P ........... tranzystor polowy z kanałem wzbogaconym .................................. tranzystor polowy z kanałem zubożonym ...................................... kąt kąt Halla .............................................. kątowy liczba kwantowa całkowitego momentu kątowego ......................... kierunek kierunek działania wsteczny ............... kierunek przewodzenia (złącza PN) ... kierunek zaporowy (złącza PN) .......... kolektor kolektor ............................................... kolektor wspólny ................................. kolektor wspólny odwrócony ............... złącze kolektora .................................. komórka komórka fotoprzewodząca .................. komórka fotowoltaiczna ...................... komórka pamięci ................................ komórka (układu scalonego) ............... kompensacja kompensacja domieszkowa ................ komutacyjny dioda komutacyjna .............................. koncentracja obszar zmiany koncentracji domieszek ........................................ końcówka końcówka główna ............................... końcówka prądu sterującego hallotronu ......................................... końcówka (przyrządu półprzewodnikowego) .... końcówki hallotronu ............................ kryształ kryształ idealny ................................... krytyczny prędkość krytyczna wzrostu napięcia blokowania ........................ prędkość krytyczna wzrostu napięcia przewodzenia .................... kwantowany układ kwantowany (cząstek) ............... kwantowy liczba kwantowa całkowitego momentu kątowego ......................... liczba kwantowa druga ....................... liczba kwantowa (elektronu w danym atomie) ............. 521-07-06 521-04-56 521-04-57 521-04-59 521-04-58 521-09-03 521-01-11 521-07-12 521-05-03 521-05-04 521-07-05 521-07-14 521-07-17 521-07-02 521-04-33 521-04-34 521-11-04 521-11-21 521-03-06 521-04-13 521-02-67 521-08-03 521-09-07 521-05-02 521-09-06 521-02-45 521-08-18 521-08-19 521-01-02 521-01-11 521-01-09 521-01-07 – 179 – liczba kwantowa główna ..................... liczba kwantowa orbitalna ................... liczba kwantowa pierwsza .................. L laserowy dioda laserowa .................................... moduł diody laserowej ........................ lawinowy dioda prostownicza lawinowa ............. fotodioda lawinowa ............................. napięcie przebicia lawinowego ........... przebicie lawinowe (złącza półprzewodnikowego PN) .... LED LED (akronim) ..................................... liczba liczba kwantowa całkowitego momentu kątowego .......................... liczba kwantowa druga ....................... liczba kwantowa (elektronu w danym atomie) ............. liczba kwantowa główna ..................... liczba kwantowa orbitalna ................... liczba kwantowa pierwsza .................. liczba spinowa .................................... logiczny matryca logiczna programowalna ....... przyrząd logiczny programowalny ....... lokalny poziom lokalny .................................... lotny osadzanie z fazy lotnej ....................... 521-01-08 521-01-09 521-01-08 521-04-37 521-04-38 521-04-20 521-04-44 521-05-08 521-05-07 521-04-39 521-01-11 521-01-09 521-01-07 521-01-08 521-01-09 521-01-08 521-01-10 521-11-02 521-11-01 521-02-35 521-03-15 Ł ładunek akumulacja nośników ładunku (w półprzewodniku) .......................... analizator obrazu z przenoszeniem ładunku ............................................ czas gromadzenia ładunku ................. ładunek odzyskiwany (diody lub tyrystora) ......................... nośnik ładunku (w półprzewodniku) .... obszar ładunku przestrzennego .......... obszar ładunku przestrzennego (złącza PN) ...................................... przyrząd z przenoszeniem ładunku .... ładunkowy dioda ładunkowa ................................. przyrząd ze sprzężeniem ładunkowym ..................................... łańcuchowy przyrząd łańcuchowy .......................... 521-02-62 521-11-17 521-05-23 521-05-18 521-02-51 521-02-79 521-02-80 521-11-14 521-04-12 521-11-16 521-11-15 60050-521 CEI:2002 M magnetometr magnetometr hallotronowy ................. magnetorezystancja współczynnik magnetorezystancji ....... magnetorezystor charakterystyka magnetorezystora ..... czułość rezystancyjna magnetorezystora ............................ magnetorezystor ................................. magnetorezystor tarczowy .................. wskaźnik rezystancji magnetorezystora ............................ magnetorezystywny zjawisko magnetorezystywne ............. magnetyczny czułość magnetyczna (sondy Halla) ... napięcie szczątkowe przy polu magnetycznym zerowym (hallotronu) ....................................... makrokomórka makrokomórka .................................... małosygnałowy współczynnik zwarciowy małosygna łowy przenoszenia prądowego ......... matryca matryca bramek .................................. matryca bramek programowalna ........ matryca logiczna programowalna ....... matrycowy układ matrycowy ................................. układ matrycowy programowalny ....... Maxwell prawo rozkładu prędkości Maxwella-Boltzmanna ...................... rozkład Maxwella-Boltzmanna ............ mesa technika "mesa" .................................. MESFET MESFET (akronim) ............................. metalowy tranzystor polowy złączowy z bramką metalową .......................... metoda metoda monokrystalizacji Czochralskiego ................................ metoda monokrystalizacji strefowej .... mieszający dioda mieszająca ................................ mikroelektronika mikroelektronika ................................. mikrofalowy dioda ograniczająca mikrofalowa......... dioda przełączająca mikrofalowa......... mikrostop technika mikrostopu ............................ 521-04-28 521-09-18 521-09-17 521-09-20 521-04-29 521-04-30 521-09-19 521-02-84 521-09-12 521-09-15 521-11-22 521-07-19 521-11-20 521-11-03 521-11-02 521-11-20 521-11-03 521-01-05 521-01-03 521-03-11 521-04-60 521-04-60 521-03-01 521-03-02 521-04-08 521-10-01 521-04-15 521-04-14 521-03-10 60050-521 IEC:2002 mikroukład mikroukład .......................................... mikrozespół mikrozespół ........................................ mniejszościowy nośnik mniejszościowy (w obszarze półprzewodnika) .......... mnożnik dioda mnożnika częstotliwości ............ mnożnik hallotronowy ......................... modulacja modulacja przewodnictwa (półprzewodnika) .............................. modulacyjny dioda modulacyjna .............................. modulator modulator hallotronowy ....................... moduł moduł diody laserowej ........................ moment liczba kwantowa całkowitego momentu kątowego .......................... monokrystalizacja metoda monokrystalizacji Czochralskiego ................................ metoda monokrystalizacji strefowej .... montażowy pasek montażowy ............................... MOS tranzystor (polowy) MOS .................... – 180 – 521-10-02 521-10-04 521-02-53 521-04-09 521-04-27 521-02-55 521-04-10 521-04-25 521-04-38 521-01-11 521-03-01 521-03-02 521-05-32 521-04-55 N N półprzewodnik typu N ......................... przewodnictwo typu N ......................... tranzystor polowy z kanałem N ........... tyrystor z bramką typu N ..................... nachyleniowy rezystancja nachyleni(ow)a ................ nadmiarowy nośnik nadmiarowy ............................. napięcie dioda stabilizująca napięcie ................ napięcie główne .................................. napięcie Halla ..................................... napięcie nieprzełączające bramki ....... napięcie odcięcia (tranzystora polowego z kanałem zubożonym) .......... napięcie płynące ................................. napięcie progowe (diody lub tyrystora) ......................... napięcie progowe (tranzystora polowego z kanałem wzbogaconym) ...... napięcie przebicia lawinowego ........... napięcie przełączające bramki ............ napięcie sterujące indukowane (hallotronu) ....................................... 521-02-09 521-02-49 521-04-56 521-04-70 napięcie szczątkowe przy polu magnetycznym zerowym (hallotronu) ....................................... napięcie szczątkowe przy prądzie sterującym zerowym (sondy Halla) .. napięcie Zenera .................................. prędkość krytyczna wzrostu napięcia blokowania ........................ prędkość krytyczna wzrostu napięcia przewodzenia ................................... napięciowy charakterystyka główna (napięciowo-prądowa) ...................... napylanie napylanie ............................................ narastanie czas narastania .................................. neutralny obszar neutralny ................................. niekwantowany układ niekwantowany (cząstek) .......... nieprzełączający napięcie nieprzełączające bramki ....... prąd nieprzełączający bramki ............. niesamoistny półprzewodnik niesamoistny ............... nietrwały pamięć nietrwała ................................. niezdegenerowany półprzewodnik niezdegenerowany ...... nośnik akumulacja nośników ładunku (w półprzewodniku) .......................... nośnik ładunku (w półprzewodniku) .... nośnik mniejszościowy (w obszarze półprzewodnika) .......... nośnik nadmiarowy ............................. nośnik większościowy (w obszarze półprzewodnika) .......... 521-09-15 521-09-14 521-05-10 521-08-18 521-08-19 521-08-05 521-03-17 521-05-22 521-02-68 521-01-01 521-08-16 521-08-17 521-02-08 521-11-11 521-02-12 521-02-62 521-02-51 521-02-53 521-02-54 521-02-52 521-06-05 521-02-54 521-04-17 521-08-04 521-09-05 521-08-16 521-07-23 521-05-17 521-05-19 521-07-24 521-05-08 521-08-15 521-09-16 O objętościowy czas życia objętościowy (nośnika mniejszościowego) ............ obraz analizator obrazu z przenoszeniem ładunku ............................................ obszar obszar ładunku przestrzennego .......... obszar ładunku przestrzennego (złącza PN) ...................................... obszar neutralny ................................. obszar przejścia .................................. obszar ujemnej rezystancji różniczkowej .................................... obszar zmiany koncentracji domieszek ........................................ obudowa obudowa ............................................. 521-02-57 521-11-17 521-02-79 521-02-80 521-02-68 521-02-66 521-05-05 521-02-67 521-05-31 – 181 – oczyszczanie oczyszczanie strefowe ........................ odcięcie częstotliwość odcięcia ........................ napięcie odcięcia (tranzystora polowego z kanałem zubożonym) .......... odniesienie dioda odniesienia ................................ odstęp odstęp energetyczny ........................... odwrotny dioda odwrotna ................................... odwrócony baza wspólna odwrócona ................... emiter wspólny odwrócony ................. kolektor wspólny odwrócony ............... odzyskanie czas odzyskania blokowania .............. odzyskiwany ładunek odzyskiwany (diody lub tyrystora) ......................... ograniczający dioda ograniczająca mikrofalowa......... opadanie czas opadania .................................... opóźnienie czas opóźnienia .................................. optoelektroniczny przyrząd optoelektroniczny ................. wyświetlacz optoelektroniczny ............ orbitalny liczba kwantowa orbitalna ................... osadzanie osadzanie z fazy lotnej ....................... 521-03-03 521-05-20 521-07-23 521-04-16 521-02-24 521-04-06 521-07-16 521-07-18 521-07-17 521-05-26 521-05-18 521-04-15 521-05-24 521-05-21 521-04-31 521-04-36 521-01-09 521-03-15 P P półprzewodnik typu P .......................... przewodnictwo typu P ......................... tranzystor polowy z kanałem P ........... tyrystor z bramką typu P ..................... pamięć element pamięci .................................. komórka pamięci ................................. pamięć dynamiczna (o zmiennej zawartości) ................... pamięć nietrwała ................................. pamięć o dostępie bezpośrednim ....... pamięć o dostępie swobodnym .......... pamięć o dostępie szeregowym .......... pamięć o zmiennej zawartości ............ pamięć półprzewodnikowa scalona .... pamięć skojarzeniowa ........................ pamięć stała ....................................... pamięć statyczna (o zmiennej zawartości) ................... pamięć ulotna ..................................... układ (pamięciowy) scalony ................ 521-02-10 521-02-50 521-04-57 521-04-69 521-11-04 521-11-04 521-11-10 521-11-11 521-11-08 521-11-08 521-11-12 521-11-07 521-11-05 521-11-13 521-11-06 521-11-09 521-11-11 521-11-05 60050-521 CEI:2002 parametr parametry układu ................................ parametryczny dioda parametryczna .......................... pasek pasek montażowy ............................... pasmo pasmo Blocha ..................................... pasmo domieszkowe .......................... pasmo dozwolone ............................... pasmo energetyczne .......................... pasmo energetyczne (w półprzewodniku) .......................... pasmo pobudzenia ............................. pasmo powierzchniowe ...................... pasmo przewodzenia .......................... pasmo puste ....................................... pasmo walencyjne .............................. pasmo zabronione .............................. pasmo zapełnione .............................. pasmo zapełnione częściowo ............. pasożytniczy element pasożytniczy układu .............. pasywacja pasywacja powierzchniowa ................ Pauli zakaz Pauliego ................................... zasada Pauliego-Fermiego ................. pętla powierzchnia skuteczna pętli prądu sterującego ...................................... powierzchnia skuteczna pętli wyjściowej hallotronu ....................... pierwiastkowy półprzewodnik pierwiastkowy ............. pierwszy liczba kwantowa pierwsza .................. piezorezystywny zjawisko piezorezystywne ................... planarny technika planarna ............................... PLD PLD (akronim) .................................... płynący napięcie płynące ................................. płytka płytka .................................................. PN granica PN .......................................... złącze PN ........................................... pobudzenie pasmo pobudzenia ............................. podczerwień dioda emitująca w (zakresie) podczerwieni ................... dioda na podczerwień ......................... podłoże podłoże ............................................... 521-05-34 521-04-07 521-05-32 521-02-25 521-02-37 521-02-29 521-02-25 521-02-26 521-02-28 521-02-34 521-02-22 521-02-33 521-02-23 521-02-30 521-02-32 521-02-27 521-05-36 521-03-13 521-01-14 521-01-14 521-09-09 521-09-08 521-02-02 521-01-08 521-02-85 521-03-09 521-11-01 521-05-17 521-05-29 521-02-65 521-02-78 521-02-28 521-04-40 521-04-40 521-05-28 60050-521 IEC:2002 podtrzymywanie prąd podtrzymywania .......................... pojemność dioda o zmiennej pojemności ............. pojemność cieplna .............................. pole napięcie szczątkowe przy polu magnetycznym zerowym (hallotronu) ....................................... pole elektryczne wewnętrzne .............. pole indukowane (generatora Halla) ... polowy tranzystor polowy ................................ tranzystor (polowy) MOS .................... tranzystor polowy tlenkowy ................. tranzystor polowy z bramką izolowaną tranzystor polowy z bramką złączową tranzystor polowy z kanałem N ........... tranzystor polowy z kanałem P ........... tranzystor polowy z kanałem wzbogaconym .................................. tranzystor polowy z kanałem zubożonym ...................................... tranzystor polowy złączowy z bramką metalową .......................... potencjał bariera potencjału ............................... bariera potencjału (złącza PN) ............ powierzchnia powierzchnia skuteczna pętli prądu sterującego ...................................... powierzchnia skuteczna pętli wyjściowej hallotronu ....................... powierzchniowy pasmo powierzchniowe ...................... pasywacja powierzchniowa ................ poziom powierzchniowy ...................... prędkość rekombinacji powierzchniowej ............................... poziom poziom akceptorowy ........................... poziom domieszkowy .......................... poziom donorowy ................................ poziom energetyczny (cząstki) ........... poziom Fermiego ................................ poziom lokalny .................................... poziom powierzchniowy ...................... wykres poziomów energetycznych (cząstek) .......................................... pozorny temperatura pozorna (przyrządu półprzewodnikowego) .... temperatura pozorna złącza ............... półprzewodnik półprzewodnik ..................................... półprzewodnik jonowy ......................... półprzewodnik niesamoistny ............... półprzewodnik niezdegenerowany ...... – 182 – 521-08-10 521-04-07 521-05-16 521-09-15 521-02-81 521-09-10 521-04-52 521-04-55 521-04-55 521-04-54 521-04-53 521-04-56 521-04-57 521-04-59 521-04-58 521-04-60 521-02-69 521-02-70 521-09-09 521-09-08 521-02-34 521-03-13 521-02-42 521-02-56 521-02-41 521-02-36 521-02-40 521-01-12 521-01-17 521-02-35 521-02-42 521-01-13 521-05-14 521-05-15 521-02-01 521-02-06 521-02-08 521-02-12 półprzewodnik pierwiastkowy ............. półprzewodnik samoistny .................... półprzewodnik skompensowany ......... półprzewodnik typu N ......................... półprzewodnik typu P ......................... półprzewodnik zdegenerowany .......... półprzewodnik złożony ........................ półprzewodnikowy detektor fotoelektryczny (półprzewodnikowy) ......................... dioda (półprzewodnikowa) .................. dioda prostownicza (półprzewodnikowa) ......................... fotoelement (półprzewodnikowy) ........ pamięć półprzewodnikowa scalona .... przyrząd fotoelektryczny (półprzewodnikowy) ......................... przyrząd półprzewodnikowy ................ przyrząd (półprzewodnikowy) dyskretny ......................................... stos prostowniczy (półprzewodnikowy) termoelement półprzewodnikowy ....... układ scalony półprzewodnikowy ........ praca tryb pracy ze wzbogaceniem .............. tryb pracy ze zubożeniem ................... prawo prawo rozkładu prędkości Fermiego-Diraca-Sommerfelda ........ prawo rozkładu prędkości Maxwella-Boltzmanna ...................... prąd dioda stabilizująca prąd ...................... końcówka prądu sterującego hallotronu ......................................... napięcie szczątkowe przy prądzie sterującym zerowym (sondy Halla) .. powierzchnia skuteczna pętli prądu sterującego ...................................... prąd główny ........................................ prąd nieprzełączający bramki ............. prąd podtrzymywania .......................... prąd przełączający bramki .................. prąd przewodzenia ............................. prąd sterujący (generatora Halla) ....... prąd zatrzaskiwania ............................ prądowy charakterystyka główna (napięciowo-prądowa) ...................... czułość prądowa (sondy Halla) ........... współczynnik statyczny przenoszenia prądowego ....................................... współczynnik zwarciowy małosygna łowy przenoszenia prądowego ......... prędkość prawo rozkładu prędkości Fermiego-Diraca-Sommerfelda ........ prawo rozkładu prędkości Maxwella-Boltzmanna ...................... 521-02-02 521-02-07 521-02-11 521-02-09 521-02-10 521-02-13 521-02-03 521-04-42 521-04-03 521-04-19 521-04-41 521-11-05 521-04-41 521-04-01 521-04-02 521-04-21 521-04-23 521-10-05 521-07-11 521-07-10 521-01-19 521-01-05 521-04-18 521-09-07 521-09-14 521-09-09 521-08-02 521-08-17 521-08-10 521-08-14 521-02-15 521-09-11 521-08-11 521-08-05 521-09-13 521-07-20 521-07-19 521-01-19 521-01-05 – 183 – prędkość krytyczna wzrostu napięcia blokowania ......................... prędkość krytyczna wzrostu napięcia przewodzenia ................................... prędkość rekombinacji powierzchniowej ............................... progowy napięcie progowe (diody lub tyrystora) napięcie progowe (tranzystora polowego z kanałem wzbogaconym) ...... programowalny matryca bramek programowalna ........ matryca logiczna programowalna ....... przyrząd logiczny programowalny ....... układ matrycowy programowalny ........ projektowany układ scalony projektowany z udziałem użytkownika ................... prostowniczy dioda prostownicza lawinowa ............. dioda prostownicza (półprzewodnikowa) ......................... stos prostowniczy (półprzewodnikowy) przebicie napięcie przebicia lawinowego ........... przebicie cieplne (złącza PN) ............. przebicie lawinowe (złącza półprzewodnikowego PN) .... przebicie Zenera (złącza PN) ............. przebicie (złącza PN spolaryzowanego wstecznie) ........................................ przejście częstotliwość przejścia ....................... obszar przejścia .................................. przejściowy złącze przejściowe stopniowane ......... przełączający dioda przełączająca mikrofalowa ......... dioda przełączająca ............................ napięcie przełączające bramki ............ prąd przełączający bramki .................. przełączanie punkt przełączania .............................. przenoszenie analizator obrazu z przenoszeniem ładunku ............................................ przyrząd z przenoszeniem ładunku .... współczynnik statyczny przenoszenia prądowego ................. współczynnik zwarciowy małosygnałowy przenoszenia prądowego ................. przestrzenny obszar ładunku przestrzennego .......... obszar ładunku przestrzennego (złącza PN) ...................................... przesunięty punkt szczytowy przesunięty (diody tunelowej) .............................. 521-08-18 521-08-19 521-02-56 521-05-19 521-07-24 521-11-03 521-11-02 521-11-01 521-11-03 521-11-19 521-04-20 521-04-19 521-04-21 521-05-08 521-05-11 521-05-07 521-05-09 521-05-06 521-07-21 521-02-66 521-02-74 521-04-14 521-04-13 521-08-15 521-08-14 521-08-12 521-11-17 521-11-14 521-07-20 521-07-19 521-02-79 521-02-80 521-06-03 60050-521 CEI:2002 przewodnictwo modulacja przewodnictwa (półprzewodnika) ............................. przewodnictwo samoistne ................... przewodnictwo typu N ......................... przewodnictwo typu P ......................... przewodnik przewodnik ......................................... przewodzący tyrystor diodowy przewodzący wstecznie ......................................... tyrystor triodowy przewodzący wstecznie ......................................... przewodzenie czas ustalania się stanu przewodzenia ................................... elektron przewodzenia ........................ kierunek przewodzenia (złącza PN) ... pasmo przewodzenia .......................... prąd przewodzenia ............................. prędkość krytyczna wzrostu napięcia przewodzenia .................... przewodzenie dziurowe ...................... przewodzenie elektronowe ................. przewodzenie jonowe ......................... przewodzenie samoistne .................... rezystancja dynamiczna przewodzenia ................................... stan przewodzenia .............................. przyrząd przyrząd elektroluminescencyjny ........ przyrząd fotoelektryczny (półprzewodnikowy) ......................... przyrząd logiczny programowalny ...... przyrząd łańcuchowy .......................... przyrząd optoelektroniczny ................. przyrząd półprzewodnikowy ................ przyrząd (półprzewodnikowy) dyskretny ......................................... przyrząd wrażliwy na wyładowania elektrostatyczne ............................... przyrząd z przenoszeniem ładunku .... przyrząd ze sprzężeniem ładunkowym ..................................... pułapka pułapka ............................................... punkt punkt dolinowy (diody tunelowej) ........ punkt przełączania .............................. punkt szczytowy (diody tunelowej) ..... punkt szczytowy przesunięty (diody tunelowej) .............................. pusty pasmo puste ....................................... 521-02-55 521-02-48 521-02-49 521-02-50 521-02-16 521-04-64 521-04-65 521-05-25 521-02-14 521-05-03 521-02-22 521-02-15 521-08-19 521-02-18 521-02-19 521-02-21 521-02-20 521-08-13 521-08-07 521-04-35 521-04-41 521-11-01 521-11-15 521-04-31 521-04-01 521-04-02 521-05-27 521-11-14 521-11-16 521-02-63 521-06-02 521-08-12 521-06-01 521-06-03 521-02-33 60050-521 IEC:2002 R radiator radiator ............................................... RAM RAM (akronim) .................................... rekombinacja centrum rekombinacji .......................... prędkość rekombinacji powierzchniowej ............................... rezystancja obszar ujemnej rezystancji różniczkowej .................................... rezystancja cieplna (przyrządu półprzewodnikowego) .... rezystancja dynamiczna przewodzenia ................................... rezystancja nachyleni(ow)a ................ wskaźnik rezystancji magnetorezystora ............................ rezystancyjny czułość rezystancyjna magnetorezystora ............................ rezystywnościowy częstotliwość graniczna rezystywnościowa ............................ ROM ROM (akronim) ................................... rozkład prawo rozkładu prędkości Fermiego-Diraca-Sommerfelda ........... prawo rozkładu prędkości Maxwella-Boltzmanna ...................... rozkład Fermiego-Diraca .................... rozkład Maxwella-Boltzmanna ............ różniczkowy obszar ujemnej rezystancji różniczkowej .................................... ruchliwość ruchliwość Halla .................................. ruchliwość (nośnika ładunku) .............. – 184 – 521-05-33 521-11-08 521-02-64 521-02-56 521-05-05 521-05-13 521-08-13 521-06-05 521-09-19 521-09-20 521-06-04 521-11-06 521-01-19 521-01-05 521-01-15 521-01-03 521-05-05 521-09-04 521-02-58 S samoistny półprzewodnik samoistny .................... przewodnictwo samoistne ................... przewodzenie samoistne .................... samotny elektron samotny ................................ scalony komórka (układu scalonego) ............... pamięć półprzewodnikowa scalona .... układ (pamięciowy) scalony ................ układ scalony ...................................... układ scalony na zamówienie ............. układ scalony półprzewodnikowy ........ układ scalony projektowany z udziałem użytkownika ................... układ scalony specjalizowany ............. 521-02-07 521-02-48 521-02-20 521-01-18 521-11-21 521-11-05 521-11-05 521-10-03 521-11-18 521-10-05 521-11-19 521-11-18 układ scalony warstwowy ................... układ scalony wielostrukturowy .......... Schottky bariera Schottky’ego ........................... sitodruk technika sitodruku ............................... skład skład stechiometryczny ....................... skojarzeniowy pamięć skojarzeniowa ........................ skokowy złącze skokowe .................................. skompensowany półprzewodnik skompensowany ......... skrośny zwarcie skrośne (między dwoma złączami PN) .......... skuteczny powierzchnia skuteczna pętli prądu sterującego ............................ powierzchnia skuteczna pętli wyjściowej hallotronu ....................... Sommerfeld prawo rozkładu prędkości Fermiego-Diraca-Sommerfelda ........ sonda sonda Halla ......................................... specjalizowany układ scalony specjalizowany ............. spin liczba spinowa .................................... spin ..................................................... sprzęgacz sprzęgacz fotonowy ............................ sprzężenie przyrząd ze sprzężeniem ładunkowym ..................................... stabilizacyjny dioda stabilizacyjna ............................ stabilizujący dioda stabilizująca napięcie ................ dioda stabilizująca prąd ...................... stały stała dyfuzji (nośników ładunku) ......... pamięć stała ....................................... stan czas ustalania się stanu przewodzenia ................................... stan blokowania .................................. stan przewodzenia .............................. stan włączenia .................................... stan wyłączenia .................................. stan zatrzaśnięcia ............................... stan zaworowy (tyrystora blokującego wstecznie) .... 521-10-06 521-10-10 521-02-71 521-03-16 521-02-46 521-11-13 521-02-73 521-02-11 521-05-12 521-09-09 521-09-08 521-01-19 521-04-28 521-11-18 521-01-10 521-01-10 521-04-45 521-11-16 521-04-16 521-04-17 521-04-18 521-02-61 521-11-06 521-05-25 521-08-08 521-08-07 521-08-07 521-08-08 521-10-11 521-08-09 – 185 – statyczny pamięć statyczna (o zmiennej zawartości) ................... współczynnik statyczny przenoszenia prądowego ....................................... stechiometryczny skład stechiometryczny ....................... sterujący końcówka prądu sterującego hallotronu ......................................... napięcie sterujące indukowane (hallotronu) ....................................... napięcie szczątkowe przy prądzie sterującym zerowym (sondy Halla) .. powierzchnia skuteczna pętli prądu sterującego ...................................... prąd sterujący (generatora Halla) ....... stopniowany złącze przejściowe stopniowane ......... stopowy technika stopowa ................................ złącze stopowe ................................... stos stos prostowniczy (półprzewodnikowy) strefowy metoda monokrystalizacji strefowej .... oczyszczanie strefowe ........................ wyrównywanie strefowe ...................... struktura struktura .............................................. swobodny pamięć o dostępie swobodnym .......... sygnałowy dioda sygnałowa ................................. szczątkowy napięcie szczątkowe przy polu magnetycznym zerowym (hallotronu) ....................................... napięcie szczątkowe przy prądzie sterującym zerowym (sondy Halla) .. szczyt szczyt (diody tunelowej)....................... szczytowy punkt szczytowy (diody tunelowej) ...... punkt szczytowy przesunięty (diody tunelowej) .............................. szeregowy pamięć o dostępie szeregowym .......... świecący dioda świecąca ................................... T tarczowy magnetorezystor tarczowy .................. technika technika dyfuzyjna .............................. technika "mesa" .................................. technika mikrostopu ............................ technika planarna ............................... 521-11-09 521-07-20 521-02-46 521-09-07 521-09-16 521-09-14 521-09-09 521-09-11 521-02-74 521-03-07 521-02-75 521-04-21 521-03-02 521-03-03 521-03-04 521-05-30 521-11-08 521-04-04 521-09-15 521-09-14 521-06-01 521-06-01 521-06-03 521-11-12 521-04-39 521-04-30 521-03-08 521-03-11 521-03-10 521-03-09 60050-521 CEI:2002 technika sitodruku ............................... technika stopowa ................................ temperatura temperatura pozorna (przyrządu półprzewodnikowego) .... temperatura pozorna złącza ............... tensorezystywny zjawisko tensorezystywne .................. termistor termistor .............................................. termoelement termoelement półprzewodnikowy ....... tetrodowy tranzystor tetrodowy ........................... tlenkowy tranzystor polowy tlenkowy ................. transkonduktancja transkonduktancja (tranzystora polowego) .................... transoptor transoptor ........................................... tranzystor tranzystor ............................................ tranzystor bipolarny złączowy ............. tranzystor dwukierunkowy .................. tranzystor polowy ................................ tranzystor (polowy) MOS .................... tranzystor polowy tlenkowy ................. tranzystor polowy z bramką izolowaną tranzystor polowy z bramką złączową tranzystor polowy z kanałem N ........... tranzystor polowy z kanałem P ........... tranzystor polowy z kanałem wzbogaconym .................................. tranzystor polowy z kanałem zubożonym ...................................... tranzystor polowy złączowy z bramką metalową .......................... tranzystor tetrodowy ........................... tranzystor unipolarny .......................... triak triak ..................................................... triodowy tyrystor triodowy blokujący wstecznie . tyrystor triodowy dwukierunkowy ........ tyrystor triodowy przewodzący wstecznie ......................................... tryb tryb pracy ze wzbogaceniem .............. tryb pracy ze zubożeniem ................... tunelowy dioda tunelowa ................................... zjawisko tunelowe (w złączu PN) ........ typ półprzewodnik typu N ......................... półprzewodnik typu P ......................... przewodnictwo typu N ......................... przewodnictwo typu P ......................... 521-03-16 521-03-07 521-05-14 521-05-15 521-02-85 521-04-22 521-04-23 521-04-50 521-04-55 521-07-25 521-04-45 521-04-46 521-04-47 521-04-49 521-04-52 521-04-55 521-04-55 521-04-54 521-04-53 521-04-56 521-04-57 521-04-59 521-04-58 521-04-60 521-04-50 521-04-48 521-04-67 521-04-63 521-04-67 521-04-65 521-07-11 521-07-10 521-04-05 521-02-83 521-02-09 521-02-10 521-02-49 521-02-50 60050-521 IEC:2002 tyrystor z bramką typu N ..................... tyrystor z bramką typu P ..................... tyrystor bramka (tyrystora) ............................... tyrystor ................................................ tyrystor asymetryczny ......................... tyrystor diodowy blokujący wstecznie . tyrystor diodowy dwukierunkowy ........ tyrystor diodowy przewodzący wstecznie ......................................... tyrystor triodowy blokujący wstecznie . tyrystor triodowy dwukierunkowy ........ tyrystor triodowy przewodzący wstecznie ......................................... tyrystor wyłączający ............................ tyrystor z bramką typu N ..................... tyrystor z bramką typu P ..................... U udział układ scalony projektowany z udziałem użytkownika ................... ujemny obszar ujemnej rezystancji różniczkowej .................................... ujście ujście (tranzystora polowego) ............. układ element pasożytniczy układu .............. komórka (układu scalonego) ............... parametry układu ................................ układ kwantowany (cząstek) ............... układ matrycowy ................................. układ matrycowy programowalny ........ układ niekwantowany (cząstek) .......... układ (pamięciowy) scalony ................ układ scalony ...................................... układ scalony na zamówienie ............. układ scalony półprzewodnikowy ........ układ scalony projektowany z udziałem użytkownika ................... układ scalony specjalizowany ............. układ scalony warstwowy .................... układ scalony wielostrukturowy ........... układ zastępczy .................................. ulotny pamięć ulotna ..................................... unipolarny tranzystor unipolarny .......................... ustalanie czas ustalania się stanu przewodzenia ................................... użytkownik układ scalony projektowany z udziałem użytkownika ................... – 186 – 521-04-70 521-04-69 521-08-01 521-04-61 521-04-71 521-04-62 521-04-66 521-04-64 521-04-63 521-04-67 521-04-65 521-04-68 521-04-70 521-04-69 521-11-19 521-05-05 521-07-08 521-05-36 521-11-21 521-05-34 521-01-02 521-11-20 521-11-03 521-01-01 521-11-05 521-10-03 521-11-18 521-10-05 521-11-19 521-11-18 521-10-06 521-10-10 521-05-35 521-11-11 521-04-48 521-05-25 521-11-19 W walencyjny pasmo walencyjne .............................. warikap warikap ............................................... warstwa warstwa cienka (układu scalonego warstwowego) .... warstwa gruba (układu scalonego warstwowego) .... warstwa (układu scalonego warstwowego) .... warstwa zubożona (w półprzewodniku) .......................... warstwowy układ scalony warstwowy ................... wewnętrzny pole elektryczne wewnętrzne .............. wielostrukturowy układ scalony wielostrukturowy .......... większościowy nośnik większościowy (w obszarze półprzewodnika) .......... włączenie stan włączenia .................................... wrażliwy przyrząd wrażliwy na wyładowania elektrostatyczne ............................... wskaźnik wskaźnik rezystancji magnetorezystora ............................ wspólny baza wspólna ...................................... baza wspólna odwrócona ................... emiter wspólny .................................... emiter wspólny odwrócony ................. kolektor wspólny ................................. kolektor wspólny odwrócony ............... współczynnik współczynnik Halla ............................. współczynnik magnetorezystancji ....... współczynnik statyczny przenoszenia prądowego ....................................... współczynnik zwarciowy małosygna łowy przenoszenia prądowego ......... wstecznie tyrystor diodowy blokujący wstecznie . tyrystor diodowy przewodzący wstecznie ......................................... tyrystor triodowy blokujący wstecznie . tyrystor triodowy przewodzący wstecznie ......................................... wsteczny dioda wsteczna ................................... kierunek działania wsteczny ............... wyciągany złącze wyciągane ............................... 521-02-23 521-04-07 521-10-08 521-10-09 521-10-07 521-02-82 521-10-06 521-02-81 521-10-10 521-02-52 521-08-07 521-05-27 521-09-19 521-07-13 521-07-16 521-07-15 521-07-18 521-07-14 521-07-17 521-09-02 521-09-18 521-07-20 521-07-19 521-04-62 521-04-64 521-04-63 521-04-65 521-04-06 521-07-12 521-02-77 – 187 – wyjściowy powierzchnia skuteczna pętli wyjściowej hallotronu ....................... wykres wykres poziomów energetycznych (cząstek) .......................................... wyładowanie przyrząd wrażliwy na wyładowania elektrostatyczne .................................. wyłączający tyrystor wyłączający ............................ wyłączenie stan wyłączenia .................................. wyprowadzenie wyprowadzenie (przyrządu półprzewodnikowego) .... wyrównywanie wyrównywanie strefowe ...................... wyświetlacz wyświetlacz optoelektroniczny ............ wzbogacenie tryb pracy ze wzbogaceniem .............. wzbogacony tranzystor polowy z kanałem wzbogaconym .................................. wzrost prędkość krytyczna wzrostu napięcia blokowania ......................... prędkość krytyczna wzrostu napięcia przewodzenia .................... Z zabroniony pasmo zabronione .............................. zakaz zakaz Pauliego ................................... zakres dioda emitująca w (zakresie) podczerwieni ................... zależność zależność Boltzmanna ........................ zamówienie układ scalony na zamówienie ............. zanieczyszczenie zanieczyszczenie ................................ zapełniony pasmo zapełnione ............................... pasmo zapełnione częściowo ............. zaporowy kierunek zaporowy (złącza PN) .......... zasada zasada Pauliego-Fermiego ................. zastępczy układ zastępczy .................................. zatrzaskiwanie prąd zatrzaskiwania ............................ zatrzaśnięcie stan zatrzaśnięcia ............................... 521-09-08 521-01-13 521-05-27 521-04-68 521-08-08 521-05-02 521-03-04 521-04-36 521-07-11 521-04-59 521-08-18 521-08-19 521-02-30 521-01-14 521-04-40 521-01-04 521-11-18 521-02-04 521-02-32 521-02-27 521-05-04 521-01-14 521-05-35 521-08-11 521-10-11 60050-521 CEI:2002 zawartość pamięć dynamiczna (o zmiennej zawartości) ................... pamięć o zmiennej zawartości ............ pamięć statyczna (o zmiennej zawartości) ................... zaworowy stan zaworowy (tyrystora blokującego wstecznie) .... zdegenerowany półprzewodnik zdegenerowany .......... Zener dioda Zenera ....................................... napięcie Zenera .................................. przebicie Zenera (złącza PN) ............. zerowy napięcie szczątkowe przy polu magnetycznym zerowym (hallotronu) ....................................... napięcie szczątkowe przy prądzie sterującym zerowym (sondy Halla) .................................... zjawisko zjawisko fotoelektryczne ..................... zjawisko fotokonduktywne .................. zjawisko fotomagnetoelektryczne ....... zjawisko fotowoltaiczne ...................... zjawisko Halla ..................................... zjawisko magnetorezystywne ............. zjawisko piezorezystywne ................... zjawisko tensorezystywne .................. zjawisko tunelowe (w złączu PN) ........ złącze temperatura pozorna złącza ............... złącze ................................................. złącze dyfuzyjne ................................. złącze emitera .................................... złącze kolektora .................................. złącze PN ........................................... złącze przejściowe stopniowane ......... złącze skokowe .................................. złącze stopowe ................................... złącze wyciągane ............................... złączowy tranzystor bipolarny złączowy ............. tranzystor polowy z bramką złączową tranzystor polowy złączowy z bramką metalową .......................... złożony półprzewodnik złożony ........................ zmiana obszar zmiany koncentracji domieszek ........................................ zmienna dioda o zmiennej pojemności ............. pamięć dynamiczna (o zmiennej zawartości) ................... pamięć o zmiennej zawartości ............ pamięć statyczna (o zmiennej zawartości) ................... 521-11-10 521-11-07 521-11-09 521-08-09 521-02-13 521-04-17 521-05-10 521-05-09 521-09-15 521-09-14 521-01-20 521-01-22 521-01-23 521-01-21 521-09-01 521-02-84 521-02-85 521-02-85 521-02-83 521-05-15 521-02-72 521-02-76 521-07-01 521-07-02 521-02-78 521-02-74 521-02-73 521-02-75 521-02-77 521-04-47 521-04-53 521-04-60 521-02-03 521-02-67 521-04-07 521-11-10 521-11-07 521-11-09 60050-521 IEC:2002 – 188 – zubożenie tryb pracy ze zubożeniem ................... zubożony tranzystor polowy z kanałem zubożonym ...................................... warstwa zubożona (w półprzewodniku) .......................... zwarcie zwarcie skrośne (między dwoma złączami PN) .......... zwarciowy współczynnik zwarciowy małosygna łowy przenoszenia prądowego ......... 521-07-19 Ź źródło źródło (tranzystora polowego) ............ 521-07-07 Ż życie czas życia objętościowy (nośnika mniejszościowego) ............ 521-02-57 521-07-10 521-04-58 521-02-82 521-05-12
