Opis parametrów kości ram

•
Dual Channel, Quad Channel, Triple Channel, Hexa Channel wielokanałowość pamięci ram
•
timingi 9-9-9-27 Są to opóźnienia kolejnych funkcji wykonywanych przez moduł
względem zegara taktowania. Podstawowy zapis i najczęściej spotykany do przedstawienia
timingów wygląda następująco:
A-B-C-D-E xxxMHz.
A - CAS Latency (CL)
B - RAS-to-CAS Delay (tRCD)
C - RAS Precharge Time (tRP)
D - Cycle Time (tRAS)
E - ommand RateC (CR)
xxxMHz - to taktowanie pamięci.
tCAS (CAS Latency (CL)). Określa ono ilość cykli zegara magistrali, jakie upływają od
wydania przez CPU polecenia aktywacji wybierania kolumny, do momentu przekazania
danych do bufora w kontrolerze pamięci. W przypadku modułów DDR współczynnik ten
wynosi zazwyczaj 2.5, a ustawić go można w zakresie od 2.0 do 3.0 (choć w niektórych
płytach możliwe jest ustawienie CL1.5 i CL1), w przypadku SDR'ów zazwyczaj możemy
ustawić CL2 lub CL3.
tRCD Czas RCD (RAS to CAS delay) określa, ile taktów zegara potrzeba po wykonaniu
polecenia CAS i zlokalizowania w ten sposób potrzebnej kolumny, do wykonania ładowania
RAS. Przy niskich ustawieniach, daje małego, ale widocznego 'kopa' systemowi.
tRAS Czas RAS (Row Address Strobe) specyfikuje ilość cykli wymaganych do
wykonania komendy aktywacji jednego z banków pamięci, zanim załadowanie adresu
wiersza może zostać wykonane. Sam w sobie nie daje zbyt dużego przyrostu wydajności
przy ostrzejszych ustawieniach.
tRP Parametr RP (RAS Precharge) to liczba taktów zegara, jaka jest potrzebna do
przywrócenia danym ich pierwotnego położenia, zamknięcia banku bądź też ilość cykli
wymagana do stronicowania pamięci przed wykonaniem kolejnego polecenia aktywacji
banku. Również nie ma zbytniego wpływu na wydajność.
CR (Command Rate) – czas jaki upływa pomiędzy poleceniem adresowaniem dwóch
niekoniecznie różnych komórek pamięci.
NP dla DDR2:
4-4-4-12-1T 400MHz (DDR2 800).
CL - 4
tRCD -4
tRp - 4
tRAS -12
CR - 1
taktowane 400MHz - jest to rzeczywiste taktowanie modułu. Najczęściej spotykanym
sposobem podawania taktowania pamięci jest taktowanie efektywne czyli takie jak podałem
w nawiasie.
•
Korekcja błędów: ECC, Rrg ECC pamięci z ECC mogą korygować niektóre błędy które w
niej wystąpią