W diodzie wykorzystywane są właściwości złącza pn, polegające na

DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
W diodzie wykorzystywane s wła ciwo ci zł cza p-n, polegaj ce na jednokierunkowym
przewodzeniu pr du. W zwi zku z tym dioda wykazuje odmienne wła ciwo ci w kierunku
przewodzenia i w kierunku zaporowym. W kierunku przewodzenia po przekroczeniu napi cia
progowego (0,3...0,4 V dla Ge i 0,6...0,7 V dla Si) pr d zaczyna szybko wzrasta –
rezystancja diody jest niewielka. Przy polaryzacji w kierunku zaporowym przez diod płynie
niewielki pr d wsteczny, rz du pojedynczych mikroamperów (Ge) lub jeszcze mniejszy (Si) –
w tym zakresie rezystancja diody jest bardzo du a. Ze wzgl du na te odmienne wła ciwo ci
diody przy ró nym sposobie zasilania, podczas pomiaru jej charakterystyk nale y zastosowa
odpowiedni układ pomiarowy.
Pomiar charakterystyki diody w kierunku przewodzenia.
1. Zmontowa układ według schematu z rys. 1. Jest to układ poprawnie mierzonego
napi cia. Nale y zwróci uwag na miejsce wł czenia przyrz dów oraz obecno
rezystora ograniczaj cego pr d.
R
ID
A
+
V UD
Rys. 1. Układ do pomiaru charakterystyki statycznej diody w kierunku przewodzenia.
2. Nastawi na rezystorze warto ró n od zera.
3. Zwi ksza napi cie zasilaj ce diod i odczytywa wskazania przyrz dów. Pami ta o
doborze odpowiednich zakresów pomiarowych. Poniewa zale no ID = f(UD) jest
nieliniowa nale y odpowiednio dobra zmiany napi cia. Wyniki pomiarów wpisywa w
arkuszu kalkulacyjnym: pierwsza kolumna warto ci osi X, druga kolumna – warto ci osi
Y. Nie przekracza pr du 10 mA.
4. Wykre li zale no ID = f(UD).
Pomiar charakterystyki diody w kierunku zaporowym.
1. Zmontowa układ według schematu z rys. 2 (zastanowi si jak przeprowadzi pomiar w
przypadku diody Zenera). Jest to układ poprawnie mierzonego pr du.
2. Zwi ksza napi cie zasilaj ce diod i odczytywa wskazania przyrz dów. Pami ta o
doborze odpowiednich zakresów pomiarowych. Wyniki pomiarów wpisywa w arkuszu
kalkulacyjnym: pierwsza kolumna warto ci osi X, druga kolumna – warto ci osi Y. Nie
przekracza napi cia 10 V na diodzie.
R
A
+
ID
V UD
Rys. 2. Układ do pomiaru charakterystyki statycznej diody w kierunku zaporowym.
3. Wykre li zale no
ID = f(UD).
Opracowanie wyników
1. Je eli dla jednej diody mierzone były charakterystyki w kierunku przewodzenia i
zaporowym, przedstawi je na jednym wykresie.
2. Porówna charakterystyki diod wykonanych z ró nych materiałów (krzemowa,
germanowa), oraz maj cych ró ne zastosowania (prostownicza, Zenera).