Badanie elementów optoelektronicznych

ĆWICZENIE 38
II TM
Badanie elementów optoelektronicznych
1. Badanie fotoogniwa.
Połącz układ jak na rysunku.
Wyznaczyć zależność siły fotoelektrycznej EF od natężenia oświetlenia EV ; EF=f(EV).Dla
określenia natężenia użyj luksomierza lub wyskalowanego pokrętła sciemniacza komory
ciemniowej.
Typ fotoogniwa.................
EV
[lx]
EF
[mV]
Umax=...................V
Imax=...............A
Pmax=..............W
2. Badanie fotorezystora.
Połącz układ jak na rysunku.
Wyznacz charakterystykę świetlną R=f(EV) przy stałym napięciu zasilającym i rezystancji
RO=100 .
UZ=..........V
EV
I
[lx]
[A]
RO=...........
U
R
[V]
[]
Wykreśl charakterystykę i uzasadnij jej przebieg. Oceń wpływ rezystancji woltomierza na wyniki pomiarów.
3. Badanie transoptora.
Połącz układ jak na rysunku.
I2
.
I1
Typ transoptora...................... I1max=...............mA
UCemax=..............V
RN=..................
RE=................
URN
I1
URE
I2

[V]
[mA]
[V]
[mA]
-
Wyznaczyć wzmocnienie transoptora ze wzoru
=
Narysuj charakterystykę I2= f(I1). Podaj przykłady zastosowania transoptora.