1. Badanie diody prostowniczej i diody Zenera
Transkrypt
1. Badanie diody prostowniczej i diody Zenera
Badanie diod półprzewodnikowych. 1. Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z charakterystykami prądowonapięciowymi elementów półprzewodnikowych takich jak dioda prostownicza czy dioda Zenera. 2. Wprowadzenie Złącza PN. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na rys. 1. pokazano złącze PN, którego półprzewodnik typu N został połączony z dodatnim, a półprzewodnik typu P z ujemnym biegunem źródła napięcia. Dodatkowo pole elektryczne wytworzone przez źródło napięcia jest skierowane zgodnie z polem ładunków przestrzennych – bariera potencjału zostaje przez to zwiększona, co jeszcze bardziej utrudnia dyfuzję. Rys1. Działanie zaporowe złącza: a) układ połączeń (1 – jon donorowy, 2 – jon akceptorowy); b) wykres potencjału przy wyłączniku w otwartym (3) i zamkniętym (4) Rys 2 Złącze w stanie przewodzenia: a) układ połączeń (1 – jon donorowy, 2 – jon akceptorowy); b) wykresy potencjału przy włączniku w otwartym (3) i zamkniętym (4) Zjawisko to można wytłumaczyć w ten sposób, że biegun dodatni źródła odciąga elektrony obszaru N od złącza, a biegun ujemny odciąga dziury obszaru P od złącza, wobec czego w strefie złącza jest bardzo mało nośników ładunku elektrycznego, pozostają tylko jony nie przenoszące ładunku. Mówimy, że przy takim połączeniu złącze działa zaporowo. W kierunku zaporowym może płynąć minimalny prąd, zwany prądem wstecznym. Gdy na odwrót połączymy półprzewodnik typu P z dodatnim, a półprzewodnik typu N z ujemnym zaciskiem źródła napięcia, wówczas pole wytworzone przez źródło napięcia jest skierowane przeciwnie do pola do pola warstwy zaporowej. Wtedy bariera potencjału zostanie obniżona, co wyraźnie ułatwia dyfuzję. Elektrony półprzewodnika typu P są odpychane przez biegun ujemny źródła w kierunku warstwy zaporowej i mogą łatwo przekroczyć barierę potencjału. Natomiast dziury półprzewodnika typu N są odpychane przez biegun dodatni źródła w kierunku złącza. Szerokość warstwy jonów ulega zmniejszeniu. Przy takim połączeniu złącza przepływ prądu jest ułatwiony. Kierunek od obszaru P do N nazywamy kierunkiem przewodzenia, a kierunek od obszaru N do P – kierunkiem zaporowym lub wstecznym. Przy polaryzacji złącza w kierunku wstecznym, jeżeli obszar ładunku przestrzennego jest szeroki, to nośniki ładunku przechodząc przez ten obszar nabierają dużej energii. Przy odpowiednio dużej wartości napięcia wstecznego, poruszające się nośniki zderzają się z elektronami znajdującymi się w siatce krystalicznej, przekazując im swoją energię. W wyniku tego elektrony te opuszczają siatkę krystaliczną, stając się elektronami swobodnymi. Są one znów przyspieszane i mogą wygenerować dalsze. Proces nabiera charakteru lawinowego. Wskutek jonizacji lawinowej następuje bardzo duży wzrost liczby przepływających elektronów, a więc bardzo duży wzrost prądu. Złącze PN umożliwia przepływ prądu tylko w jednym kierunku – w kierunku przewodzenia. Po przekroczeniu tzw. napięcia progowego U(TO) (dla krzemu wynosi ono ok. 0,7V, a dla germanu ok. 0,2V) prąd przewodzenia zwiększa się bardzo szybko. Natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym prąd jest bardzo mały – wiele tysięcy razy mniejszy niż w kierunku przewodzenia. Mówimy, że złącze PN ma wartości prostownicze. Przy dużym napięciu wstecznym (po przekroczeniu tzw. napięcia przebicia U(BR)) rozpoczyna się zjawisko przebicia lawinowego, a więc szybkie narastanie prądu przy prawie stałym napięciu na diodzie. Może to spowodować zniszczenie diody, jeżeli nie ograniczy się prądu przez włączenie szeregowo dodatkowej rezystancji. Dioda prostownicza jest powszechnie wykorzystywana w przyrządach zamieniających napięcie i prąd przemienny na stały. Dioda Zenera znajduje zastosowanie w układach stabilizacji prądu i napięcia. Charakteryzuje się ona dużą stałością napięcia. Rys.3. Charakterystyka prądowonapięciowa diody Zenera Rys.4. Charakterystyka prądowonapięciowa diody prostowniczej Przykładowe charakterystyki diod prostowniczych i Zenera przedstawiono na rys. 3 i 4. 3. Pomiary a) Wyznaczanie charakterystyki prądowo-napięciowej diody Zenera Charakterystykę diody wyznaczamy dla kierunku zaporowego w układzie pomiarowym jak na rys.5. Źródło zasilania pozwala na zmianę napięcia zarówno w zakresie napięć dodatnich, jak i ujemnych. Wyniki pomiarów umieszczamy w tabeli 1 i rysujemy na ich podstawie wykres. Pomiary wykonujemy dla kilku różnych diod. Rys. 5. Schemat układu pomiarowego do badania diody Zenera. Tabela 1. Dane znamionowe: I mA U V b) Wyznaczanie charakterystyki prądowo-napięciowej diody prostowniczej Charakterystykę wyznaczamy dla pracy diody w: a) kierunku przewodzenia, b) w kierunku zaporowym, w układach pomiarowych przedstawionych na rys. 6. Rys.6. Schemat układu pomiarowego do badania diody prostownikowej a) kierunek przewodzenia; b) kierunek zaporowy Wyniki pomiarów umieszczamy w tabeli 2, a na ich podstawie rysujemy charakterystykę badanej diody. Badamy kilka kolejnych diod. Tabela 2: Dane znamionowe : przewodzenie I mA U V zaporowy