Wersja 7 Na każde pytanie jest tylko jedna prawidłowa odpowiedź

Wersja 7
Na każde pytanie jest tylko jedna prawidłowa odpowiedź, którą proszę zaznaczyć na arkuszu odpowiedzi.
1. Proces przemieszczania się nośników przez złącze „p-n” spolaryzowane w kierunku zaporowym polega na:
A) unoszeniu nośników mniejszościowych, a do obszaru „n” przyłącza się wyższy potencjał(+)
B) dyfuzji nośników mniejszościowych, a do obszaru „p” przyłącza się wyższy potencjał(+)
C) rekombinacji nośników, a do obszaru „p” przyłącza się wyższy potencjał(+)
D) unoszeniu elektronów, a do obszaru „n” przyłącza się wyższy potencjał(+)
E) unoszeniu nośników mniejszościowych, a do obszaru „p” przyłącza się wyższy potencjał(+)
2. Teoretyczną charakterystykę prądowo-napięciową złącza „p-n” przedstawia rysunek:
3. Rodzina charakterystyk wejściowych tranzystora bipolarnego w konfiguracji wspólnej bazy jest zależnością:
A) prądu bazy od napięcia baza-emiter, a wzrost modułu parametru – napięcie kolektor-emiter powoduje wzrost prądu
bazy
B) prądu bazy od napięcia baza-emiter, a wzrost modułu parametru – napięcie kolektor-emiter powoduje spadek prądu
bazy
C) prądu emitera od napięcia emiter-baza, a wzrost modułu parametru – napięcie kolektor-baza powoduje spadek prądu
emitera
D) prądu emitera od napięcia emiter-baza, a wzrost modułu parametru – napięcie kolektor-baza powoduje wzrost prądu
emitera
E) prądu kolektora od napięcia kolektor-baza, a wzrost modułu parametru – prąd emitera powoduje wzrost prądu
kolektora
4. Transport nośników przez bazę tranzystora bipolarnego jest wynikiem:
A) rekombinacji nośników w obszarze bazy
B) przyciągania nośników mniejszościowych przez pole elektryczne warstwy zaporowej złącza kolektorowego
C) dyfuzji nośników mniejszościowych i ewentualnie oddziaływanie pola wbudowanego
D) elektrostatycznego oddziaływania nośników większościowych na mniejszościowe
E) dyfuzji nośników większościowych i ewentualnie oddziaływanie pola wbudowanego
5. Zasadę polaryzacji (groty strzałek wskazują wyższy potencjał) tranzystora bipolarnego „p-n-p” do pracy w zakresie
zatkania (odcięcia prądu kolektora) w konfiguracji wspólnej bazy przedstawia rysunek:
6. Rodzinę charakterystyk wyjściowych tranzystora bipolarnego w konfiguracji wspólnego emitera przedstawia rysunek:
7. Wpływ zmian temperatury na napięcie baza-emiter tranzystora bipolarnego wyraża się:
A) nieliniowym wzrostem napięcia (przy stałym prądzie) przy wzroście temperatury
B) liniowym wzrostem napięcia (przy stałym prądzie) przy wzroście temparatury
C) wzrostem napięcia przy wzroście temperatury przy czym charakter tych zmian zależy od konfiguracji pracy tranzystora
D) nieliniowym wzrostem napięcia (przy stałym prądzie) przy spadku temperatury
E) inną zależnością spośród wymienionych
8. Rodzinę charakterystyk przejściowych tranzystora unipolarnego z indukowanym kanałem typu „n” przedstawia
rysunek:
9. W tranzystorze unipolarnym ze złączem „p-n” prąd nasycenia IDS ma wielkość 8mA, a napięcie odcięcia UP 5V. Jeśli
napięcie bramka-źródło tego tranzystora wynosi 3V, to gwałtowny wzrost prądu drenu ze zmianami napięcia dren źródło
zatrzymany zostanie:
A) nie da się określić tego poziomu bez znajomości charakterystyk tego tranzystora
B) przy poziomie -8V
C) przy poziomie 5V
D) przy poziomie -2V
E) przy poziomie 2V
10. Zasadę polaryzacji (groty strzałek wskazują wyższy potencjał) tranzystora unipolarnego JFET z kanałem typu „p” do
pracy w zakresie aktywnym przedstawia rysunek:
11. We wzmacniaczu oporowym w konfiguracji wspólnego emitera zwiększono wartość rezystora kolektorowego RC. W
rezultacie:
A) zwiększy się wzmocnienie prądowe
B) wzrośnie wzmocnienie napięciowe
C) zmniejszy się impedancja wyjściowa
D) ograniczone zostaną zniekształcenia od wejścia w zakres odcięcia prądu kolektora
E) zmniejszy się wzmocnienie napięciowe
12. Schemat wzmacniacza oporowego ze sprzężeniem oporowym w konfiguracji wspólnego kolektora przedstawia
rysunek:
13. Dolna częstotliwość graniczna wzmacniacza oporowego, ze sprzężeniem pojemnościowym w konfiguracji wspólnej
bazy jest uzależniona od:
A) większej z pojemności sprzęgających
B) samego tranzystora
C) mniejszej z pojemności sprzęgających
D) pojemności równoległych na wyjściu wzmacniacza
E) pojemności pasożytniczych na wejściu wzmacniacza
14. W dzielniku napięcia polaryzującym tranzystor wzmacniacza oporowego ze sprzężeniem pojemnościowym
zwiększono wartość rezystancji między bazą a masą. W wyniku tej zmiany:
A) mogą pojawić się zniekształcenia od wejścia w zakres odcięcia prądu kolektora
B) żadna z innych odpowiedzi nie jest prawidłowa
C) zmniejszy się wzmocnienie napięciowe
D) zmieni się skuteczność stabilizacji położenia spoczynkowego punktu pracy
E) zwiększy się wzmocnienie napięciowe
15. Przesunięcie fazowe napięcia wyjściowego względem wejściowego o 0o w jednostopniowym wzmacniaczu oporowym
występuje dla elementów aktywnych pracujących w konfiguracji:
A) tylko wspólnego emitera albo źródła
B) wspólnego emitera i kolektora i analogicznie źródła i drenu
C) wspólnej bazy i kolektora i analogicznie bramki i drenu
D) tylko wspólnej bazy albo bramki
E) żadna z wymienionych odpowiedzi nie jest prawidłowa
16. Układ z globalnym, ujemnym, napięciowym, równoległym sprzężeniem zwrotnym przedstawia rysunek:
17. Skuteczność oddziaływania napięciowego sprzężenia zwrotnego można powiększyć poprzez:
A) obciążenie układu możliwie jak największą impedancją
B) obciążenie układu możliwie jak najmniejszą impedancją
C) w tym przypadku konieczna jest informacja czy sprzężenie jest dodatnie czy ujemne
D) sterowanie układu ze źródła o dużej impedancji wewnętrznej
E) sterowanie układu ze źródła o małej impedancji wewnętrznej
18. Układ o wzmocnieniu napięciowym 30 V/V objęto pętlą dodatniego sprzężenia zwrotnego o transmitancji 0,02 V/V.
Wzmocnienie napięciowe układu ze sprzężeniem będzie wynosić:
A) 60 V/V
B) -60 V/V
C) 75 V/V
D) -75 V/V
E) 6 V/V
19. We wzmacniaczu różnicowym wprowadza się zwierciadło prądowe w miejsce rezystorów kolektorowych albo drenu
aby:
A) przenieść właściwości wyjścia symetrycznego na wyjście asymetryczne
B) ograniczyć wzmocnienie sumacyjne
C) zwiększyć wzmocnienie różnicowe na obu wyjściach asymetrycznych
D) zmniejszyć rezystancję wyjściową
E) wprowadzić silne prądowe, ujemne sprzężenie zwrotne dla składowych stałych
20. W przedstawionym niżej układzie na wejście doprowadzony jest sygnał sinusoidalny ze składową stałą. Na wyjściu
powinien pojawić się sygnał w postaci:
A) samej składowej stałej
B) nieodwróconej bez składowej stałej
C) nieodwróconej ze składową stałą
D) odwróconej bez składowej stałej
E) odwróconej ze składową stałą
21. Najważniejszą z podstawowych cech wzmacniacza operacyjnego jest:
A) bliskie nieskończoności pasmo przenoszenia
B) dwa wejścia – odwracające i nieodwracające fazę
C) ta cecha nie jest tu wymieniona
D) bliski nieskończoności współczynnik wzmocnienia przy dodatnim sprzężeniu zwrotnym
E) bliski nieskończoności współczynnik CMRR
22. Funkcję U2=-U1 realizuje układ przedstawiony na rysunku: