Pytania na egzamin - Zespół Układów Elektronicznych

Pytania na egzamin z Elementów i Układów Elektronicznych
Odpowiedzi na pytania są podane wg następującego klucza: (Wx;sy) - gdzie x
jest numerem wykładu, a y numerem slajdu.
1. Rezystor o oznaczeniu liczbowy 682 (przykładowo) ma wartość rezystancji
równą: (W1;s3-4)
2. Szereg E24 (przykładowo) oznacza wartość tolerancji rezystancji lub
pojemności równą: (W1;s8)
3. Parametr kondensatora ESR (ESL) mówi o wartości jego pasożytniczej:
(W1;s20)
4. Po przekroczeniu częstotliwości rezonansowej kondensator w obwodzie
elektronicznym zachowuje się jak: (W1;s21-22)
5. Po przekroczeniu częstotliwości rezonansowej induktor w obwodzie
elektronicznym zachowuje się jak: (W1;s30)
6. Efekt naskórkowy związany jest z: (W1; s34-35)
7. Na rys.xxx przedstawiono krzywą magnesowania materiału magnetycznego:
(W1; s39)
8. Wzrost temperatury powoduje w przewodniku (półprzewodniku): (W2;s5)
9. Głównymi pierwiastkami wykorzystywanymi do budowy półprzewodników
samoistnych są: (W2;s17)
10. Półprzewodnik typu N (P) powstaje poprzez domieszkowanie pierwiastka z
IV grupy układu okresowego: (W2; s19-21)
11. Konduktywność półprzewodnika zależy od jego: (W2;s25)
12. Prąd całkowity w półprzewodniku jest sumą: (W2;s26-28)
13. Analizując budowę złącza PN możemy wyróżnić następujące obszary:
(W2;s33)
14. Przy polaryzacji zaporowej złącza PN, wraz ze wzrostem napięcia wzrasta:
(W2;s34)
15. Przy polaryzacji w kierunku przewodzenia złącza PN wraz ze wzrostem
napięcia: (W2;s35)
16. Równanie Shockley’a ma postać: (W2;s37)
17. Potencjał termiczny złącza w temperaturze pokojowej jest równy: (W2;
s37;W3;s22-23)
18. Napięcie dyfuzji krzemu wynosi w temperaturze pokojowej: (W2, s41)
19. Działanie diod Zenera oparte jest o zjawiska: (W2, s45-47)
20. Pojemność złączowa złącza PN powstaje: (W2;s48)
21. Pojemność dyfuzyjna złącza PN powstaje: (W2;s50)
22. Współczynnik temperaturowy zmian napięcia złącza PN wynosi około: (W2,
s51-52;W3;s14)
23. Złącze metal-półprzewodnik, wykorzystywane do budowy diod
Schottky’ego, charakteryzuje się: (W2;s58)
24. Charakterystyka statyczna diody półprzewodnikowej przedstawia zależność
pomiędzy: (W3;s5-6)
25. Punkt pracy diody półprzewodnikowej określa: (W3;s6,s21)
26. Parametr diody półprzewodnikowej trr określa: (W3;s8,s13)
27. Jeżeli prąd w punkcie pracy diody półprzewodnikowej jest równy xx mA to
jej rezystancja dynamiczna wynosi: (W3;s22-24)
28. Dioda prostownicza charakteryzuje się: (W3;s33)
29. Diody detekcyjne i mieszające charakteryzują się: (W3;s35)
30. Diody pojemnościowe to: (W3; s37)
31. Najlepszymi właściwościami charakteryzują się diody Zenera wykonane na
napięcia pracy od 5.1V do 7.5V, ze względu na ich: (W3;s40-41)
32. Diody tunelowe wykorzystuje się głównie do: (W3, s43)
33. Diody wsteczne służą do: (W3; s44-45)
34. Diodę PIN stosuje się w układach elektronicznych w. cz. jako: (W3; s47)
35. Dioda LED jest elementem elektronicznym: (W3, s48)
36. Fotodioda jest: (W3; s50)
37. Najmniejszymi stratami energii charakteryzują się transformatory sieciowe
typu: (W4;s3-4,s7)
38. Rezystancja wewnętrzna uzwojenia wtórnego transformatora zależy od:
(W4;s10)
39. Na rys. xx przedstawiono przebiegi napięć i prądów w prostowniku:
(W4;s16,s18)
40. Wraz ze wzrostem pojemności filtrującej prostownika: (W4;s16,s18;s26)
41. ‘Surge current’ jest to: (W4;s20)
42. ‘Power Factor (PF)’ określa: (W4;s33-34)
43. Zastosowanie w prostowniku filtru indukcyjnego: (W4;s36)
44. Bardzo popularnym zastosowaniem niesymetrycznego powielacza napięcia
(Villarda) jest: (W4;s38-41)
45. Charakterystyka zadziałania bezpiecznika opisuje: (W4;s45)
46. Przedstawione na rys. xxx charakterystyki są charakterystykami tranzystora:
(bipolarny, polowy złączowy JFET, polowy z izolowaną bramką MOSFET)
(W5;s9,s31;W6;s6,s7,s11,s26)
47. Zaprezentowany na rys. xx symbol przedstawia tranzystor bipolarny: (NPN,
PNP) (W5;s6)
48. Tzw. obszar SOA jest to: (W5;s10)
49. Prąd emitera tranzystora bipolarnego jest: (W5,s16)
50. Współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora β opisuje: (W5,s16)
51. Współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego jest
zależny od: (W5;s17,s28)
52. Temperatura wpływa na następujące parametry tranzystora bipolarnego:
(W5;s27-30)
53. Punkt pracy tranzystora bipolarnego określa: (W5;s31)
54. Hiperbola mocy określa: (W5;s.32)
55. Parametry modelu małosygnałowego tranzystora bipolarnego (hybryd π)
zależą głównie od: (W5;s42-43)
56. Częstotliwość (pulsacja) graniczna fT (ωT) określa częstotliwość, przy której:
(W5;s46)
57. Dla zakresu małych częstotliwości szumy tranzystora bipolarnego mają
charakter: (W5;s48)
58. Symbol na rys.xx przedstawia tranzystor polowy typu: (JFET, MOSFET)
(W6;s3,s21-22)
59. Liniowość zamykania się kanału tranzystora JFET zależy od wartości:
(W6;s4-5)
60. Punkt pracy tranzystora JFET określa: (W6;s11)
61. Dla napięć i prądów stałych oraz bardzo małych częstotliwości prąd bramki
tranzystorów polowych: (W6;s14,s33-34)
62. Prąd Idss na charakterystyce tranzystora JFET określa: (W6;s6-7)
63. Napięcie –Up na charakterystyce tranzystora JFET określa: (W6;s6)
64. W tranzystorze MOSFET wzbogacanym, przy braku polaryzacji bramki,
kanał: (W6;s21)
65. W tranzystorze MOSFET zubożanym, przy braku polaryzacji bramki, kanał:
(W6;s22)
66. Temperatura w tranzystorach polowych wpływa na: (W6;s36,s39)
67. W układach polaryzacji tranzystora bipolarnego obecność rezystora
emiterowego poprawia: (W7)
68. W układach polaryzacji tranzystorów polowych wzrost wartości rezystora
źródłowego wpływa na: (W7;s26)
69. Dolna częstotliwość wzmacniacza tranzystorowego zależy od: (W8)
70. Na wartość górnej częstotliwości wzmacniacza tranzystorowego wpływają
głównie: (W8)
71. Zakres częstotliwości średnich wzmacniacza charakteryzuje się: (W8)
72. Podstawową funkcją wzmacniacza różnicowego jest: (W9;s2)
73. Podstawowe wzmocnienia wzmacniacza różnicowego to: (W9;s6)
74. Współczynnik CMRR wzmacniacza różnicowego definiowany jest jako:
(W9;s8)
75. Liniowość wzmacniacza różnicowego poprawia się poprzez: (W9;s17-20)
76. Źródła prądowe stosuje się w układach elektronicznych w celu: (W9; s21)
77. We wzmacniaczu różnicowym źródła prądowe stosuje się w celu: (W9,s2732)
78. Zalety i wady zastosowania we wzmacniaczach różnicowych tranzystorów
polowych zamiast bipolarnych to: (W9,s37)
79. Dodatnie sprzężenie zwrotne stosuje się głownie w: (W9;s45)
80. Do głównych zalet stosowania ujemnego sprzężenia zwrotnego w układach
elektronicznych należą: (W9;s49)
81. Podstawową wadą stosowania ujemnego sprzężenia zwrotnego w układach
elektronicznych jest: (W9;s49)
82. Pole wzmocnienia jest to: (W9;s49)
83. Wejściowe napięcie niezrównoważenia wzmacniacza operacyjnego to:
(W10;s12-14)
84. Główne parametry wzmacniacza operacyjnego to: (W10;s11,s18-22)
85. W modelu idealnym wzmacniacza operacyjnego jego parametry mają
następujące wartości: (W10;s24)
86. Parametr SR wzmacniacza operacyjnego określa: (W10;s31-32)
87. Zjawisko masy pozornej związane jest z: (W10;s39)
88. Wzmocnienie wzmacniacza przedstawionego na rys. xx dane jest
równaniem: (W10; s41,s46)
89. Wtórnik napięciowy można uzyskać przekształcając wzmacniacz
nieodwracający fazę napięcia poprzez: (W10;s49)
90. Na rys. xx przedstawiono układ:
(W11,12;s2,s6,s11,s13,s20,s29,s30,s63,s66,s73,s77,s79,s87,s91,s96)
91. Na rys. xx przedstawiono charakterystykę komparatora: (W11,12;
s88,s92,s96)
92. Na rys. xx przedstawiono schemat stabilizatora napięcia typu: (W13;s6, s1820)
93. Zasada działania stabilizatora przedstawionego na rys. xx polega na:
(W13;s6,s18-20)
94. Stabilizatory typu LDO charakteryzują się: (W13;s37)
95. Na rys. xx przedstawiono schemat przetwornicy dławikowej:
(W14;s19,s26,s27)
96. Współbieżny konwerter napięcia charakteryzuje się: (W14;s38)
97. Na rys. xx przedstawiono układ generatora: (W15a;s14-16,s29)
98. Pętla PLL jest układem, który: (W15c;s3)
99. Na rys. xx przedstawiono schemat pętli PLL pracującej jako: (W15c;s13-14)