Porównanie tranzystora bipolarnego z tranzystorem MOSFET
Transkrypt
Porównanie tranzystora bipolarnego z tranzystorem MOSFET
Porównanie tranzystora bipolarnego z tranzystorem MOSFET Porównanie tranzystora bipolarnego z tranzystorem MOSFET Oba tranzystory to elementy 3-nóżkowe. Bazie tranzystora bipolarnego odpowiada bramka w polowym. W wielu aplikacjach możliwa jest zamiana obu tranzystorów, pod pewnymi warunkami. Bipolarny, sterowany jest prądem, zaś napięcie złączowe jest niskie, ok. 0.65V. Włączenie tranzystor MOSFET wymaga napięcia na jego bramce (względem źródła) o wartości, typowo od 2 do 5V. Dokładna wartość jest trudna do określenia, nawet, gdy dysponujemy pełnymi danymi katalogowymi. Aczkolwiek jest to ważny parametr, doprowadzenie do bramki wyższego napięcia, (do co najmniej 12-tu V), nie jest dla tranzystora niszczące. Z kolei, jeśli nie dysponujemy źródłem napięcia, co najmniej kilku V, lub jedynie wartością z dolnej granicy Ugs(th) (progu przełączania), zamiana bipolarnego polowym, nie jest zalecana, lub wręcz niemożliwa. Niepełne włączenia, skutkuje najczęściej stratami mocy, tranzystor będzie się grzał. W układach mocy, wskazane jest także szybkie przełączanie, co oznacza, że napięcie na bramce powinno mieć strome zbocza. Parametr Ugs(th) cechują także spore rozrzuty w ramach tego samego typu tranzystora. Dlatego, w wielu przypadkach, warto przemierzyć „dany egzemplarz”, tym bardziej, że pomiar jest łatwy do wykonania (w warunkach „domowych”, lub nawet skromnie wyposażonego warsztatu). Doprowadź do bramki napięcie z potencjometru (ok. 100 kΩ), zasilając go napięciem ok. 12V. Należy także zasilić obwód drenu, z tego samego lub odrębnego źródła napięcia. Obserwując prąd w obwodzie drenu podczas regulacji potencjometrem, łatwo ustalić, jaka wartość napięcia (na bramce) dla nas jest „progową”. Przeprowadzając ten test z większym prądem drenu, zaobserwujemy też grzanie się tranzystora. Tranzystor w pełni włączony powinien być chłodny. Ustalone w ten sposób napięcie (bramki) należy uznać za minimalne, jakim musimy dysponować, chcąc zamienić tranzystor BJT MOSFET-em. K. Ś SERWIS ELEKTRONIKI