Epitaxial growth on 4H-SiC on

MSc Dominika Teklińska - Project leader
Publications on silicon carbide layers:

Epitaxial growth on 4H-SiC on-axis, 0.5°, 1.25°, 2°, 4°, 8° off-axis substrates – defects
analysis and reduction, K.Kościewicz, W.Strupiński, D.Teklińska, K.Mazur, A.Olszyna,
Materials Science Forum, 679-680, 95 (2011);

Epitaxial graphene perfection vs. SiC substrate quality, D.Teklinska; K.Kosciewicz;
K.Grodecki; M.Tokarczyk; G.Kowalski; W.Strupinski; A.Olszyna; J.Baranowski, Central
European Journal of Physics (2011), 9 (2), pg. 446-453;

Effect of Nitrogen Doping on the Growth of 4H Polytype on the 6H-SiC Seed by PVT
Method E.Tymicki, K.Grasza, K.Racka,
T.Łukasiewicz, M.Piersa, K.Kościewicz,
D.Teklińska, R.Diduszko, P.Skupiński, R.Jakieła, J.Krupka;Materials Science Forum
717-720, 29 (2012);

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki
termicznej; H.Sakowska, K.Mazur, D.Teklińska, W.Wierzchowski, K.Wieteska, M.Gała;
Materiały Elektroniczne T. 40 - 2012 nr 2, s. 3

Growth of SiC by PVT Method in the Presence of Cerium Dopant; K.Racka, E.Tymicki,
K.Grasza, IA.Kowalik, D.Arvanitis, M.Pisarek, K.Kościewicz, R.Jakieła, B.Surma,
R.Diduszko, D.Teklińska, J.Mierczyk, J.Krupka; Journal of Crystal Growth; (2013) Vol.
377, Pages 88–95

The influence of pressure on growth of 3C-SiC heteroepitaxial layers on silicon
substrates; D.Teklinska, K.Grodecki, I,Jozwik-Biala, P.Caban, A.Olszyna, W.Strupinski;
Journal of Crystal Growth - Article in press
Oral presentations on silicon carbide layers:

Wpływ temperatury wzrostu na chropowatość powierzchni GaN/SiC; D.Teklińska,
P.Caban, A.Olszyna, W.Strupiński; 2013.06.10-13 KKE, Darłówek Wschodni;

The analysis of voids density in SiC/Si in relation to the beam accelerating voltage in a
scanning electron microscope, D.Teklinska, I.Jozwik-Biala, K.Grodecki, P.Caban,
W.Strupinski, A.Olszyna,2012.09.17-21 EMRS;

Impact of C/Si ratio in epitaxial layers grown on 4H-SiC on-axis, D.Teklińska,
W.Strupiński, A.Olszyna, 2010.01.25-29 SiC epitaxial growth, Linkoping, Sweden;

Analiza defektowa warstw epitaksjalnych w zależności od charakterystyki zdefektowania
podłoża, K.Kościewicz, D.Teklińska, W.Strupiński, A.Olszyna, 2010.05.30-06.02 IX
Krajowa Konferencja Elektroniki KKE, Darłówko Wschodnie;

Effect of step bunching on substrates with different orientation after in-situ etching,
D.Teklińska, K.Kościewicz, W.Strupinski, A.Olszyna, 2010.09.22-25 Konferencja ELTE
IMAPS, Wrocław;

Analiza defektów strukturalnych w krysztale objętościowym 4H-SiC w funkcji odległości
od zarodka, D.Teklińska, K.Kościewicz, E.Tymicki, A.Olszyna, 2009.05.19-22,
SemPISC, Szklarska Poręba;
Posters on silicon carbide layers:

Epitaksjalny grafen na podłożach SiC, D.Teklińska, K.Kościewicz, K.Grodecki,
W.Strupiński, J.Baranowski, 2010.06.28-07.02 IV NANO, Poznań;

Analiza selektywnego wzrostu warstw homoepitaksjalnych 4H-SiC na podłożu 80off-axis,
D.Teklińska, A.Rojek, W.Strupiński, A.Olszyna, 2011.06.05-09 X KKE, Darłówko
Wschodnie;

Comparison of the surface morphology of 6H-SIC, 4H, 3C substrates, D.Teklińska,
I.Jóźwik-Biała, K.Kościewicz, P.Caban, W.Strupiński, A.Olszyna, 2012.05.09-12
SemPiSC, Szklarska Poręba;

Heteroepitaxial aluminum nitride as a buffer layer in the III-N compounds MOVPE growth
process, P.Caban, D.Teklińska, W.Strupiński, 2012.05.09-12 , SemPiSC, Szklarska
Poręba;

Analiza morfologii warstwy buforowej 3C-SiC/Si w zależności od stosowanego ciśnienia,
D.Teklińska, W.Strupiński, A.Olszyna, 2012.06.11-14 XI KKE, Darłowko Wschodnie

Growth of Long 6H-SiC Crystals by Physical Vapor Transport Method, E.Tymicki,
K.Grasza, K.Racka, T.Wejrzanowski, J.Dagiel, R.Jakieła, D.Teklińska, R.Diduszko,
K.Mazur, T.Łukasiewicz, 2012.09.01-07 ECSCRM, S.Petersburg, Russia;

Comprehensive study of the impact of growth conditions on voids formation and surface
morphology of a 3C-SiC/Si buffer layer, D.Teklinska, I.Jozwik-Biala, E.Tymicki, K.Racka,
W.Strupinski, A.Olszyna, 2012.09.01-07 European Conference of Silicon Carbide and
Related Materials, S.Petersburg, Russia;

Influence of hydrogen mass flow rate on the flow parameters and crystal growth area in
SiC CVD reactor, J.Skibinski, T.Wejrzanowski, D.Teklinska, K.Kosciewicz,
K.J.Kurzydłowski, 2012.09.01-07 ECSCRM, S.Petersburg, Russia;

Gallium Nitride epitaxial layers grown on
W.Strupiński, 2012.09.17-21, EMRS;

Mechanizm wzrostu warstwy epitaksjalnej 3C-SiC na podłożu Si; D.Teklińska, P.Caban,
W.Strupiński, A.Olszyna; 2013.04.16-20 ELTE Ryn;

Epitaksjalny grafen wytwarzany na węgliku krzemu metodami sublimacji i osadzania;
P.Caban, K.Grodecki, T.Ciuk, D.Teklińska, W.Strupiński; 2013.04.16-20 ELTE Ryn;

The correlation between the growth temperature of graphene deposited on the 3C-SiC/Si
template substrates and the quality of the obtained layers; D.Teklinska, K.Grodecki,
W.Strupinski, A.Olszyna; 2013.04.23-26 IMAGINENANO Bilbao, Spain;
SiC substrates, P.Caban, D.Teklińska,

Analiza struktury defektowej warstw GaN osadzanych na różnych podłożach SiC;
D.Teklińska, A.Sidorowicz, A.Olszyna, W.Strupiński; 2013.06.10-13 KKE Darłówek
Wschodni;

Implementacja technologiczna symulacji numerycznych procesu MOVPE; P.Caban;
D.Teklińska, J.Skibiński, T.Wejrzanowski, W.Strupiński; 2013.06.10-13 KKE Darłówek
Wschodni;

The influence of pressure on growth of 3C-SiC heteroepitaxial layers on silicon
substrates; D.Teklinska, K.Grodecki, I.Jóźwik-Biała, P.Caban, A.Olszyna, W.Strupinski;
2013.08.11-16 ICCGE-17, Warszawa;