Karty katalogowe

4.1
Opracowanie technologii i konstrukcji oraz wykonanie modułów
laserów półprzewodnikowych cw i impulsowych o mocy średniej P≥1
W do pompowania laserów domieszkowanych neodymem i holmem.
Dr hab. inż. Andrzej MALĄG
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
DIODA LASEROWA 810 nm 1.5W
DANE TECHNICZNE
Charakterystyka:
Struktura DBSCH SQW Gain Guiding
GaAsP/AlGaAs/GaAs
Długość fali emisji: 800 - 815 nm
Nominalna moc optyczna: 1.5 W CW
Dopuszczalne napięcie wsteczne: 2V
Polaryzacja TM
Temperatura pracy (CW): od 5 do 55°C
Temperatura składowania: od 0 do 75°C
3.0
2
1
moc optyczna P [W]
R 0.5
1.27
3
2.54
2.5
1.5
1.0
P
0.5
Tobudowy = 18oC
0.5
0.0
0.0
0.0
0.5
Ø 9.0±0.025
1.0
1.5
prad diody [A]
±0.1
Ø 6.2
±0.1
Ø 3.0
charakterystyka
kierunkowa
3.4 3.6 5.1
8
I = 1.6 A
moc optyczna [a.u.]
±0.8
znormalizowana intensywnosc
charakterystyka
spektralna
0.7
o
T = 16 C
I = 1.6 A
o
T = 18 C
Ø 0.48
1.
2.
3.
2.0
U
1.0
Katoda diody laserowej
Anoda diody laserowej
----------------
805 806 807 808 809 810 811
λ [nm]
1.0
P=1W
0.8
0.6
FWHM
0.4
Θ⊥= 16
o
ΘII= 6
o
0.2
0.0
-30 -20 -10 0 10 20 30
kat od normalnej [deg]
Właściwości optyczne i elektryczne (T=20°C)
Symbol
Dł. fali emisji wiązki las. [nm]
Prąd progowy [A]
Prąd nominalny [A]
Napięcie nominalne [V]
Zewn. sprawność kwantowa [W/A]
Powierzchnia emitująca [μm × μm]
Rozbieżność wiązki || [°]
Rozbieżność wiązki ⊥ [°]
λ
Ith
Iop
Uop
η
θ||
θ⊥
Wartość
min.
800
0.35
0.9
5
15
INSTITUTE OF ELECTRONIC MATERIALS TECHNOLOGY
133 Wólczyńska Str., 01-919 WARSAW, POLAND
Wartość
typowa
0.4
1.1
1 (⊥) × 100 (II)
6
16
Wartość
maks.
815
0.42
1.7
2.1
Warunki
pomiaru
P0 = 1.5 W
7
17
P0 = 1.5 W
P0 = 1.5 W
P0 = 1.5 W
P0 = 1.5 W
napiecie na diodzie U [V]
1.5
DIODA LASEROWA 810 nm 3 W
DANE TECHNICZNE
Charakterystyka:
moc optyczna P [W]
3
U
2
1
2
1
P
Tobudowy = 18oC
0
0
0
1
2
prad diody [A]
3
4
I= 3A
I= 2A
I=1A
znormalizowana intensywnosc
znormalizowana intensywnosc
1.0
P=2W
0.8
o
0.6
Θ⊥= 16
FWHM
o
ΘII= 11
0.4
0.2
0.0
-30
-20
-10
0
10
20
30
Θ (od normalnej) [deg]
o
802
803
804
805
806
λ
807
808
charakterystyki
kierunkowe
charakterystyki
spektralne
T=18 C
809
810
[nm]
Właściwości optyczne i elektryczne (T=20°C)
Symbol
Dł. fali emisji wiązki las. [nm]
Prąd progowy [A]
Prąd nominalny [A]
Napięcie nominalne [V]
Zewn. sprawność kwantowa [W/A]
Powierzchnia emitująca [μm × μm]
Rozbieżność wiązki || [°]
Rozbieżność wiązki ⊥ [°]
λ
Ith
Iop
Uop
η
θ||
θ⊥
Wartość
min.
805
0.7
0.9
10
15
INSTITUTE OF ELECTRONIC MATERIALS TECHNOLOGY
133 Wólczyńska Str., 01-919 WARSAW, POLAND
Wartość
typowa
0.8
3.5
2
1.1
1 (⊥) × 200 (II)
11
16
Wartość
maks.
815
0.9
4
2.1
Warunki
pomiaru
P0 = 2.5 W
13
17
P0 = 2 W
P0 = 2 W
P0 = 3 W
P0 = 3 W
napiecie na diodzie U [V]
3
Struktura DBSCH SQW Gain Guiding
GaAsP/AlGaAs/GaAs
Długość fali emisji: 800 - 815 nm
Nominalna moc optyczna: 3 W CW
Dopuszczalne napięcie wsteczne: 2V
Polaryzacja TM
Temperatura pracy (CW): od 5 do 55°C
Temperatura składowania: od 0 do 75°C