przewodnik po przedmiocie - Wydział Podstawowych Problemów
Transkrypt
przewodnik po przedmiocie - Wydział Podstawowych Problemów
Zał. nr 4 do ZW 33/2012 WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim: Nazwa w języku angielskim: Kierunek studiów: Specjalność: Stopień studiów i forma: Rodzaj przedmiotu: Kod przedmiotu Grupa kursów Przyrządy i układy półprzewodnikowe II Semiconductor devices and circuits II Optyka Inżynieria Optyczna i Fotoniczna I; stacjonarne wybieralny FTP001249L NIE Wykład Liczba godzin zajęć zorganizowanych w Uczelni (ZZU) Liczba godzin całkowitego nakładu pracy studenta (CNPS) Forma zaliczenia Ćwiczenia Laboratorium Projekt 30 Seminarium 90 zaliczenie na ocenę Dla grupy kursówzaznaczyć kurs końcowy (X) Liczba punktów ECTS w tym liczba punktów odpowiadająca zajęciom o charakterze praktycznym (P) w tym liczba punktów ECTS odpowiadająca zajęciom wymagającym bezpośredniego kontaktu (BK) 3 2 2 *niepotrzebne skreślić WYMAGANIA WSTĘPNE W ZAKRESIE WIEDZY, UMIEJĘTNOŚCI I INNYCH KOMPETENCJI 1. Zaliczony kurs FTP 002061W 2. Elementarna wiedza z zakresu rachunku różniczkowego i całkowego. \ CELE PRZEDMIOTU C1Poznanie podstaw fizycznych działania przyrządów półprzewodnikowych i układów ich pracy. C2 Nabycie umiejętności przeprowadzenia podstawowych pomiarów fotoelektrycznych przyrządów półprzewodnikowych C3 Nabycie umiejętności napisania raportu z przeprowadzonego eksperymentu C4 Nabycie umiejętności pracy w zespole 1 PRZEDMIOTOWE EFEKTY KSZTAŁCENIA Z zakresu wiedzy: PEK_W01 zna podstawy fizyczne działania wybranych przyrządów półprzewodnikowych PEK_W02zna podstawowe układy pracy wybranych przyrządów półprzewodnikowych Z zakresu umiejętności: PEK_U01 potrafi wyjaśnić podstawy fizyczne działania wybranych przyrządów półprzewodnikowych i układy ich pracy PEK_U02 potrafi zestawić prosty układ do pomiaru podstawowych charakterystyk wybranych przyrządów półprzewodnikowych PEK_U03 potrafi napisać raport z wykonanych pomiarów PEK_U04 potrafi korzystać z literatury naukowej, w tym docierać do materiałów źródłowych oraz dokonywać ich przeglądu Z zakresu kompetencji społecznych: PEK_K01potrafi poszukiwać rozwiązania i realizować postawione zadania w zespole. PEK_K02 rozumie potrzebę samokształcenia Forma zajęć - laboratorium La1 La2 La3 La4 La5 La6 La7 La8 La9 Liczba godzin Wprowadzenie do laboratorium. Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych diody półprzewodnikowej w funkcji temperatury (I-U-T). Wyznaczenie zależności temperaturowej potencjału wbudowanego od temperatury. Wyznaczenie przerwy wzbronionej półprzewodnika, z którego wykonano diodę. Pomiar charakterystyk statycznych dla tranzystora bipolarnego w normalnym układzie pracy. Wyznaczenie parametrów małosygnałowych tranzystora. Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora polowego JFET. Wyznaczenie konduktancji wyjściowej i transkonduktancji. Pomiar charakterystyk I-U diody prostowniczej i diod Zenera metodą punkt po punkcie oraz metodą oscyloskopową. Wyznaczenie napięcia Zenera. Obserwacja oscylogramów przebiegów czasowych na wyjściu diody prostowniczej i diody Zenera w układzie prostownika jednopołówkowego. Pomiar charakterystyk elektrycznych tyrystora. Obserwacja charakterystyk prądowo – napięciowych tyrystora w stanie blokowania i w stanie przewodzenia. Pomiar charakterystyk I-V tyrystora w stanie przewodzenia. 3 3 Pomiar charakterystyk stałoprądowych oraz pasma przenoszenia wzmacniacza operacyjnego 741 Badanie cyfrowych układów elektronicznych TTL Pomiar rezystancji metalu i półprzewodnika w funkcji temperatury, w zakresie 80K-300K. Wyznaczenie przerwy wzbronionej półprzewodnika i współczynnika rozszerzalności metalu. 3 3 3 3 3 3 3 2 La10 Odróbka zajęć Suma godzin 3 30 STOSOWANE NARZĘDZIA DYDAKTYCZNE N1 E-materiały do laboratorium: instrukcje robocze i wstępy teoretyczne umieszczone w Internecie. N2 Konsultacje i kontakt pocztą elektroniczną. N3 Praca własna – przygotowanie do laboratorium OCENA OSIĄGNIĘCIA PRZEDMIOTOWYCH EFEKTÓW KSZTAŁCENIA Oceny(F – formująca (w trakcie semestru), P – podsumowująca (na koniec semestru) F1 Numer efektu kształcenia Sposób oceny osiągnięcia efektu kształcenia PEK_U01,PEK_U02, PEK_U03, PEK_U04 PEK_K01, PEK_K02, Odpowiedź ustna i raport z ćwiczenia laborator. P1 = średnia ze wszystkich ocen F1 LITERATURA PODSTAWOWA I UZUPEŁNIAJĄCA LITERATURA PODSTAWOWA: [1] Materiały do laboratorium, dostępne poprzez internet: www.if.pwr.wroc.pl\~popko [2] E.Płaczek-Popko, „Fizyka odnawialnych źródeł energii” Skrypt DBC [3] W.Marciniak “Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone” WNT Warszawa 1987 [4] S.Kuta „Elementy i układy elektroniczne” Wyd. AGH, wyd. I 2000 LITERATURA UZUPEŁNIAJĄCA: [1] S.M.Sze „ Physics of Semiconductor Devices” J.Wiley and Sons, NY 1981, dostępnawersjaelektroniczna, e-książki, BG P.Wr. [2] M.Rusek, J.Pasierbiński “Elementy i układy elektroniczne w pytaniach i odpowiedziach” WNT Warszawa 1990 OPIEKUN PRZEDMIOTU (IMIĘ, NAZWISKO, ADRES E-MAIL) Ewa Popko [email protected] 3 MACIERZ POWIĄZANIA EFEKTÓW KSZTAŁCENIA DLA PRZEDMIOTU Przyrządy i układy półprzewodnikowe II Z EFEKTAMI KSZTAŁCENIA NA KIERUNKU Optyka I SPECJALNOŚCI Inżynieria Optyczna i Fotoniczna Przedmiotowy efekt kształcenia Odniesienie przedmiotowego efektu do Cele przedmiotu efektów kształcenia zdefiniowanych dla kierunku studiów i specjalności (o ile dotyczy)** Treści programowe Numer narzędzia dydaktycznego PEK_W01 (wiedza) K1OPT_W21_IOF C1 L1-L10 1-4 PEK_W02 PEK_U01 (umiejętności) PEK_U02 PEK_U03 PEK_U04 PEK_K01 K1OPT_W21_IOF K1OPT_U01, K1OPT_U08 C1 C1-C4 L1-L10 L1-L10 1-4 1-4 K1OPT_U01, K1OPT_U08 K1OPT_U01, K1OPT_U08 K1OPT_U01, K1OPT_U08 K1OPT_K01 C1-C4 C1-C4 C1-C4 C4 L1-L10 L1-L10 L1-L10 L1-L10 1-4 1-4 1-4 1-4 K1OPT_K03 C1 L1-L10 1-4 (kompetencje) PEK_K02