przewodnik po przedmiocie - Wydział Podstawowych Problemów

Transkrypt

przewodnik po przedmiocie - Wydział Podstawowych Problemów
Zał. nr 4 do ZW 33/2012
WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI
KARTA PRZEDMIOTU
Nazwa w języku polskim:
Nazwa w języku angielskim:
Kierunek studiów:
Specjalność:
Stopień studiów i forma:
Rodzaj przedmiotu:
Kod przedmiotu
Grupa kursów
Przyrządy i układy półprzewodnikowe II
Semiconductor devices and circuits II
Optyka
Inżynieria Optyczna i Fotoniczna
I; stacjonarne
wybieralny
FTP001249L
NIE
Wykład
Liczba godzin zajęć
zorganizowanych w Uczelni
(ZZU)
Liczba godzin całkowitego
nakładu pracy studenta
(CNPS)
Forma zaliczenia
Ćwiczenia
Laboratorium Projekt
30
Seminarium
90
zaliczenie na
ocenę
Dla grupy kursówzaznaczyć
kurs końcowy (X)
Liczba punktów ECTS
w tym liczba punktów
odpowiadająca zajęciom
o charakterze praktycznym (P)
w tym liczba punktów ECTS
odpowiadająca zajęciom
wymagającym bezpośredniego
kontaktu (BK)
3
2
2
*niepotrzebne skreślić
WYMAGANIA WSTĘPNE W ZAKRESIE WIEDZY, UMIEJĘTNOŚCI I INNYCH
KOMPETENCJI
1. Zaliczony kurs FTP 002061W
2. Elementarna wiedza z zakresu rachunku różniczkowego i całkowego.
\
CELE PRZEDMIOTU
C1Poznanie podstaw fizycznych działania przyrządów półprzewodnikowych i układów ich
pracy.
C2 Nabycie umiejętności przeprowadzenia podstawowych pomiarów fotoelektrycznych
przyrządów półprzewodnikowych
C3 Nabycie umiejętności napisania raportu z przeprowadzonego eksperymentu
C4 Nabycie umiejętności pracy w zespole
1
PRZEDMIOTOWE EFEKTY KSZTAŁCENIA
Z zakresu wiedzy:
PEK_W01 zna podstawy fizyczne działania wybranych przyrządów półprzewodnikowych
PEK_W02zna podstawowe układy pracy wybranych przyrządów półprzewodnikowych
Z zakresu umiejętności:
PEK_U01 potrafi wyjaśnić podstawy fizyczne działania wybranych przyrządów
półprzewodnikowych i układy ich pracy
PEK_U02 potrafi zestawić prosty układ do pomiaru podstawowych charakterystyk wybranych
przyrządów półprzewodnikowych
PEK_U03 potrafi napisać raport z wykonanych pomiarów
PEK_U04 potrafi korzystać z literatury naukowej, w tym docierać do materiałów źródłowych
oraz dokonywać ich przeglądu
Z zakresu kompetencji społecznych:
PEK_K01potrafi poszukiwać rozwiązania i realizować postawione zadania w zespole.
PEK_K02 rozumie potrzebę samokształcenia
Forma zajęć - laboratorium
La1
La2
La3
La4
La5
La6
La7
La8
La9
Liczba godzin
Wprowadzenie do laboratorium.
Pomiary
charakterystyk
prądowo-napięciowych
diody
półprzewodnikowej w funkcji temperatury (I-U-T). Wyznaczenie
zależności temperaturowej potencjału wbudowanego od temperatury.
Wyznaczenie przerwy wzbronionej półprzewodnika, z którego
wykonano diodę.
Pomiar charakterystyk statycznych dla tranzystora bipolarnego w
normalnym
układzie
pracy.
Wyznaczenie
parametrów
małosygnałowych tranzystora.
Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora polowego JFET.
Wyznaczenie konduktancji wyjściowej i transkonduktancji.
Pomiar charakterystyk I-U diody prostowniczej i diod Zenera metodą
punkt po punkcie oraz metodą oscyloskopową. Wyznaczenie napięcia
Zenera. Obserwacja oscylogramów przebiegów czasowych na
wyjściu diody prostowniczej i diody Zenera w układzie prostownika
jednopołówkowego.
Pomiar charakterystyk elektrycznych tyrystora. Obserwacja
charakterystyk prądowo – napięciowych tyrystora w stanie
blokowania i w stanie przewodzenia. Pomiar charakterystyk I-V
tyrystora w stanie przewodzenia.
3
3
Pomiar charakterystyk stałoprądowych oraz pasma przenoszenia
wzmacniacza operacyjnego 741
Badanie cyfrowych układów elektronicznych TTL
Pomiar rezystancji metalu i półprzewodnika w funkcji temperatury, w
zakresie
80K-300K.
Wyznaczenie
przerwy
wzbronionej
półprzewodnika i współczynnika rozszerzalności metalu.
3
3
3
3
3
3
3
2
La10
Odróbka zajęć
Suma godzin
3
30
STOSOWANE NARZĘDZIA DYDAKTYCZNE
N1 E-materiały do laboratorium: instrukcje robocze i wstępy teoretyczne umieszczone w
Internecie.
N2 Konsultacje i kontakt pocztą elektroniczną.
N3 Praca własna – przygotowanie do laboratorium
OCENA OSIĄGNIĘCIA PRZEDMIOTOWYCH EFEKTÓW KSZTAŁCENIA
Oceny(F – formująca
(w trakcie semestru), P
– podsumowująca (na
koniec semestru)
F1
Numer efektu
kształcenia
Sposób oceny osiągnięcia efektu kształcenia
PEK_U01,PEK_U02,
PEK_U03, PEK_U04
PEK_K01, PEK_K02,
Odpowiedź ustna i raport z ćwiczenia
laborator.
P1 = średnia ze wszystkich ocen F1
LITERATURA PODSTAWOWA I UZUPEŁNIAJĄCA
LITERATURA PODSTAWOWA:
[1] Materiały do laboratorium, dostępne poprzez internet: www.if.pwr.wroc.pl\~popko
[2] E.Płaczek-Popko, „Fizyka odnawialnych źródeł energii” Skrypt DBC
[3] W.Marciniak “Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone” WNT Warszawa 1987
[4] S.Kuta „Elementy i układy elektroniczne” Wyd. AGH, wyd. I 2000
LITERATURA UZUPEŁNIAJĄCA:
[1] S.M.Sze „ Physics of Semiconductor Devices” J.Wiley and Sons, NY 1981,
dostępnawersjaelektroniczna, e-książki, BG P.Wr.
[2] M.Rusek, J.Pasierbiński “Elementy i układy elektroniczne w pytaniach i odpowiedziach”
WNT Warszawa 1990
OPIEKUN PRZEDMIOTU (IMIĘ, NAZWISKO, ADRES E-MAIL)
Ewa Popko
[email protected]
3
MACIERZ POWIĄZANIA EFEKTÓW KSZTAŁCENIA DLA PRZEDMIOTU
Przyrządy i układy półprzewodnikowe II
Z EFEKTAMI KSZTAŁCENIA NA KIERUNKU Optyka
I SPECJALNOŚCI Inżynieria Optyczna i Fotoniczna
Przedmiotowy
efekt
kształcenia
Odniesienie przedmiotowego efektu do Cele przedmiotu
efektów kształcenia zdefiniowanych dla
kierunku studiów i specjalności (o ile
dotyczy)**
Treści
programowe
Numer
narzędzia
dydaktycznego
PEK_W01
(wiedza)
K1OPT_W21_IOF
C1
L1-L10
1-4
PEK_W02
PEK_U01
(umiejętności)
PEK_U02
PEK_U03
PEK_U04
PEK_K01
K1OPT_W21_IOF
K1OPT_U01, K1OPT_U08
C1
C1-C4
L1-L10
L1-L10
1-4
1-4
K1OPT_U01, K1OPT_U08
K1OPT_U01, K1OPT_U08
K1OPT_U01, K1OPT_U08
K1OPT_K01
C1-C4
C1-C4
C1-C4
C4
L1-L10
L1-L10
L1-L10
L1-L10
1-4
1-4
1-4
1-4
K1OPT_K03
C1
L1-L10
1-4
(kompetencje)
PEK_K02