czujniki pola elektromagnetycznego na przykładzie sond pola
Transkrypt
czujniki pola elektromagnetycznego na przykładzie sond pola
Materiały XXXVI Międzyuczelnianej Konferencji Metrologów MKM’04 _________________________________________________________________________________ Paweł BIEŃKOWSKI Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji i Akustyki Laboratorium Wzorców i Metrologii Pola Elektromagnetycznego CZUJNIKI POLA ELEKTROMAGNETYCZNEGO NA PRZYKŁADZIE SOND POLA ELEKTRYCZNEGO MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI Praca prezentuje podstawowe cechy metrologii pola elektromagnetycznego zwłaszcza w zastosowaniu do bezpieczeństwa pracy i ochrony środowiska przed szkodliwym działaniem pola, gdzie pomiary są prowadzone w polu bliskim. Dokonano analizy czujnika pola elektrycznego z krótką anteną dipolową. Przedstawiono możliwości kształtowania parametrów na przykładzie sond z zakresu ELF i VLF (10Hz – 100kHz). Zaprezentowano sondę o kształtowanej charakterystyce częstotliwościowej zgodnej z polskimi przepisami ochronnymi, a analizy teoretyczne zweryfikowano pomiarami sondy w polu wzorcowym. LOW FREQUENCY ELECTROMAGNETIC FIELD PROBES AS AN EXAMPLE OF ELECTROMAGNETIC FIELD SENSORS In the paper are presented the basic features of the electromagnetic field metrology, especially in application to the labour safety and general public protection against electromagnetic field hazard, where the measurements are mostly performed in the near field. The author analyzed the electromagnetic field sensor with short dipole antenna. Furthermore, the author discussed possibilities of modifying sensor parameters by the example of the probes from range ELF and VLF (10Hz – 100kHz). He presented the probe with shaped frequency response in accordance with polish protection standards, and verified theoretical analysis with measurements with the probe in a standard field. 1. WSTĘP Metrologia pola elektromagnetycznego (PEM) stanowi podstawowe narzędzie dla większości badań związanych z oddziaływaniem PEM na materię ożywioną i nieożywioną, bezpieczeństwem pracy przy urządzeniach wytwarzających PEM czy ochroną środowiska przed niepożądanym działaniem PEM. Większość tych badań odbywa się w polu bliskim źródła, co narzuca dosyć rygorystyczne wymogi na czujniki pola i stosowane metody pomiaru. W celu przybliżenia potrzeb pomiarowych na rysunku 1 przedstawiono wyciąg z polskich przepisów dotyczących bezpieczeństwa pracy w PEM dla składowej elektrycznej [1]. Przedstawione na wykresie wartości natężenia pola odpowiadają dopuszczalnemu narażeniu w czasie zmiany roboczej (granica strefy pośredniej i zagrożenia - E1(f)). Wartości graniczne dla pozostałych stref wyznaczane są według zależności: -strefa niebezpieczna (wartość graniczna między strefą niebezpieczną i zagrożenia): E2(f)=10E1(f), H2(f)=10H1(f) , Paweł BIEŃKOWSKI _________________________________________________________________________________ 168 -strefa pośrednia (wartość graniczna między strefą pośrednią i bezpieczną): E0(f)=E1(f)/3, H0(f)=H1(f)/3 . Powyższe zależności wyznaczają jednocześnie wymagany zakres mierzonych pól w funkcji częstotliwości. 10 000 10000 E [V/m] 1000 100 100 20 10 1 0.1 1 10 1k 1G 1M 1000 GHz Rys. 1. Przebieg dopuszczalnego natężenia pola E w funkcji częstotliwości dla narażenia odpowiadającego zmianie roboczej Fig. 1. Frequency limit value of E-field strength for workers and continuous exposure over a full working day 2. CZUJNIKI POLA ELEKTRYCZNEGO W pomiarach pola bliskiego składowej elektrycznej stosuje się różne rodzaje czujników. Pierwszą klasą są czujniki wymagające do prawidłowej pracy ziemi odniesienia (ang. groundreferenced meters). Do tej klasy zalicza się mierniki z elektrodami płaskimi i niesymetrycznymi antenami prętowymi. Zdaniem autora mierniki takie są mało przydatne do pomiarów inspekcyjno-kontrolnych ze względu na bardzo restrykcyjne wymagania dotyczące warunków pomiaru wynikających z dużej wrażliwości czujnika na sprzężenia związane z występowaniem w otoczeniu punktu pomiarowego elementów przewodzących, czy też osoby wykonującej pomiar. Drugą klasą mierników są mierniki z symetrycznymi antenami dipolowymi (ang. free-body meters), które właśnie dzięki symetrii są dużo mniej wrażliwe na pasożytnicze sprzężenia. Czujniki tej klasy zostaną poddane analizie w tej pracy. Ca Rf Cf D Rf Rf Lp linia transparentowa ea Cp+f C Rys. 2. Czujnik pola elektrycznego i jego schemat zastępczy Fig. 2. E-field sensor and its equivalent circuit R Um Czujniki pola elektromagnetycznego na przykładzie sond pola elektrycznego ... 169 _________________________________________________________________________________ Budowę typowego czujnika pola elektrycznego oraz jego schemat zastępczy przedstawiono na rysunku 2. Napięcie indukowane w antenie reprezentuje źródło o SEM ea sprzężone z resztą układu przez pojemność anteny. Ca, Cp i Lp reprezentują odpowiednio pojemności i indukcyjności pasożytnicze związane z montażem i niedoskonałością elementów. W rozpatrywanym zakresie częstotliwości wpływ tych czynników jest pomijalny, ale dla kompletności analizy zostały uwzględnione w schemacie zastępczym. Cf i Rf to elementy filtru dolnoprzepustowego pozwalającego na kształtowanie charakterystyki częstotliwościowej czujnika zwłaszcza w zakresie wysokich częstotliwości. C i R reprezentują parametry detektora. Transmitancja takiego układu [2], rozumiana jako stosunek napięcia na detektorze do napięcia wyindukowanego w antenie, opisana jest zależnością (1): T f ( jω ) = 1 L p C p+ f C p+ f + C 1 1 + + 1 + + jω R Ca Ca jωRC a + R f C a + C p+ f ( ) + 1 C p+ f + jω 3 L p C p + f R f C − ω 2 L p C 1 + C a . (1) Analiza przebiegu funkcji (1) pozwala wyróżnić trzy charakterystyczne zakresy częstotliwości: • zakres niskich częstotliwości, przy których transmitancja rośnie i wynosi: T ( jω ) ≅ ωRC a , • (2) zakres średnich częstotliwości, gdzie transmitancja jest stała: T ( jω ) ≅ Ca . C + Ca + C p+ f (3) Jest to najbardziej interesujący ze względów metrologicznych zakres, którego granice wyznaczają częstotliwości 3dB spadku transmitancji: -dolna: fd = 1 , 2π ⋅ R C a + C p + f + C ( ) (4) ), (5) -górna: fg = Ca + C p+ f + C ( 2π ⋅ RC a C p + f + C • zakres częstotliwości, wysokich, gdzie ujawnia się wpływ filtru antenowego: T ( jω ) ≅ 1 . ωR f C + C p + f ( ) (6) Paweł BIEŃKOWSKI _________________________________________________________________________________ 170 Z powyższych zależności wynikają możliwości korygowania zarówno kształtu charakterystyki częstotliwościowej jak i wartości transmitancji, co ma bezpośredni wpływ na czułość układu. Na rysunku 3 przedstawiono wyniki analiz uwzględniające charakterystyczne zakresy częstotliwości pracy sond pomiarowych. 1 |T(jω)| AE-1 AE-3' 0.1 10 -2 10 -3 10 -4 10 -5 1 AE-3 AE-4' AE-4 1k 1M 1G f [Hz] Rys. 3. Charakterystyki częstotliwościowe sond pomiarowych w różnych zakresach częstotliwości Fig. 3. Frequency response of E-field sensors in different frequency ranges Symbolem AE-1 oznaczono charakterystykę sondy do pomiaru w zakresie radiofal (0.1-300 MHz) przeznaczoną do współpracy z miernikiem MEH. Dwie kolejne krzywe narysowane linią ciągłą obowiązują dla modyfikacji tej sondy, przeznaczonej do pracy w paśmie VLF (AE-3: 1-100kHz) i ELF (AE-4: 30 – 1000 Hz). Zmianę charakterystyki uzyskano dzięki korekcie parametrów filtra CfRf. Pozwoliło to co prawda na uzyskanie wymaganego przebiegu charakterystyki częstotliwościowej, ale kosztem znacznego spadku czułości. Analiza wykresów z rysunku 1 pozwala stwierdzić, że przy założeniu wystarczającej czułości sondy AE-1, sondy AE-3 i AE-4 będą miały za małą czułość. Wartość transmitancji czujnika przy zachowaniu kształtu charakterystyki częstotliwościowej można zwiększyć podnosząc rezystancję detektora. Charakterystyki otrzymane tą drogą przedstawione są na rysunku 3 linią przerywaną. Efekt taki można uzyskać dobierając odpowiednią diodę detekcyjną (optymalizowaną na maksimum iloczynu CR, nawet kosztem obniżenia górnej częstotliwości pracy, która i tak jest tu sztucznie ograniczana) lub przez zastosowanie specjalnych rozwiązań układowych. Zestawienie parametrów typowych sond pomiarowych opracowanych w ITA Politechniki Wrocławskiej przystosowanych do współpracy z miernikiem MEH przedstawiono w tabeli na końcu tej pracy. Czujniki pola elektromagnetycznego na przykładzie sond pola elektrycznego ... 171 _________________________________________________________________________________ 3. ELF (10Hz – 1 kHz) Prawidłowo skonstruowany szerokopasmowy miernik PEM na dowolny zakres częstotliwości powinien mieć znaną charakterystykę częstotliwościową w całym paśmie pomiarowym, a poza tym pasmem jego czułość nie powinna być dla żadnej częstotliwości wyższa niż w paśmie pracy. Nabiera to szczególnego znaczenia w zakresie ELF, ze względu na to, że najbardziej powszechnym źródłem pola elektrycznego w tym paśmie jest energetyczna sieć wysokiego napięcia. Skutkuje to tym, że na rynku są dostępne mierniki nazywane czasami „miernikami sieciowymi” (ang. power line meter) lub miernikami „50Hz”. Doświadczenie uczy, że mierniki takie zwykle mają bliżej nieokreśloną (a czasami wręcz nieznaną nawet producentowi) charakterystykę częstotliwościową, a są jedynie wzorcowane dla częstotliwości 50Hz (lub 60Hz w USA). Jeżeli spojrzymy na rysunek 3, to łatwo zauważyć, że również sonda AE-1 może pełnić rolę takiego czujnika. Wystarczy wyskalować ją dla częstotliwości 50Hz. Pomiary wykonane takim miernikiem mogą być poprawne jedynie w przypadku występowania w punkcie pomiarowym czystego pola harmonicznego o częstotliwości 50Hz. Już pojawienie się harmonicznych przebiegu podstawowego lub np. pól z zakresu radiofal o stosunkowo niewielkim natężeniu w sposób znaczący zafałszuje wyniki pomiaru. Niestety rozwiązania takie autor spotykał w praktyce wielokrotnie. 4. VLF (1-100kHz) W przypadku sond z zakresu VLF należy zwrócić szczególną uwagę na dwa aspekty: oddziaływanie na sondę pól ELF i charakter pracy źródeł PEM z zakresu VLF. Analizując przebieg transmitancji sondy AE-3 (rys. 3) poniżej częstotliwości pracy można wyznaczyć tłumienie dla częstotliwości sieci energetycznej – 50 Hz. Wynosi ono ok. 20dB, czyli tylko 10 razy. 1 0 .0 0 T/To 1 .0 0 0 .1 0 0 .0 1 - AE-3e - AE-3 [Hz] 1 .0E + 1 1.0E + 2 1 .0 E + 3 1 .0E + 4 1 .0E + 5 1 .0E + 6 f1.0 E+7 Rys. 4. Charakterystyki częstotliwościowe sond pomiarowych AE-3 i AE-3e Fig. 4. Frequency response of E-field sensors AE-3 and AE-3e Paweł BIEŃKOWSKI _________________________________________________________________________________ 172 W wielu przypadkach może to być za mało przy jednoczesnym występowaniu pól z zakresu VLF na tle ELF. Jest zjawisko dosyć powszechne, gdyż zwykle źródła PEM zasilane są z sieci energetycznej i pola z tych zakresów bywają nierozłączne. Metodą na wyeliminowanie błędów pomiarowych może być dodatkowy pomiar sondą ELF w otoczeniu źródeł pól VLF i oszacowanie udziału pól ELF w wyniku uzyskanym sondą VLF lub modyfikacja czujnika VLF w celu lepszego tłumienia sygnałów z zakresu ELF. Możliwość taka istnieje przez wtrącenie w obwód antenowy filtra górnoprzepustowego przed detektorem. Rozwiązanie takie zastosowano w sondzie AE-3e, w której dodatkowo rozszerzono pasmo pracy do 1 MHz. Uzasadnienie tego ostatniego rozwiązania znajdujemy po przeanalizowaniu charakteru pracy źródeł PEM z zakresu VLF. Są to zwykle urządzenia przemysłowe, pracujące impulsowo lub z dużymi zniekształceniami przebiegów prądu czy napięcia. Skutkuje to pojawieniem się w widmie częstotliwości harmonicznych często o wartościach nie do pominięcia. Rozszerzenie zakresu pracy sondy pozwala uwzględnić te składniki pola. Na rysunku 4 przedstawiono unormowane wyniki pomiarów sondy AE-3 i AE-3e. 5. SONDY O KSZTAŁTOWANEJ CHARAKTERYSTYCE CZĘSTOTLIWOSCIOWEJ W rozdziale 4 zasygnalizowano możliwość kształtowania przebiegu charakterystyki częstotliwościowej sondy przez zastosowanie w układzie antenowym filtrów. Wielokrotne stosowanie tej metody pozwala teoretycznie na dowolne kształtowanie charakterystyki częstotliwościowej w celu np. dostosowania charakterystyki sondy do przebiegu dopuszczalnych wartości PEM określonych przez przepisy ochronne. Dopasowanie rzeczywistego (ciągłego i gładkiego) przebiegu charakterystyki sondy do zwykle quasiciągłego przebiegu wartości normatywnych jest możliwe tylko z pewną dokładnością. Doświadczenie wskazuje, że nie udaje się zwykle uzyskać odwzorowania lepszego niż z odchyleniem mniejszym od ±2dB. Jako przykład takiego rozwiązania na rysunku 5 przedstawiono przebieg charakterystyki sondy AE-3x dopasowanej do przebiegu wartości dopuszczalnych w zakresie 300Hz-1MHz. +2 dB [dB] 0 -2 dB -10 -20 100 1k 10k 100k 1MHz Rys. 5. Charakterystyki częstotliwościowe sondy pomiarowej AE-3x Fig. 5. Frequency response of E-field sensor AE-3x Czujniki pola elektromagnetycznego na przykładzie sond pola elektrycznego ... 173 _________________________________________________________________________________ Innym przykładem sondy o kształtowanej charakterystyce jest sonda AE-43. Zastosowano w niej przełączane filtry, dzięki czemu zależnie od położenia przełącznika jej parametry odpowiadają sondzie AE-4 lub AE-3. 6. PODSUMOWANIE W pracy przedstawiono, na przykładzie sond pola elektrycznego, zasady kształtowania parametrów szerokopasmowych czujników pola elektromagnetycznego przeznaczonych do pomiarów w polu bliskim. Przedstawione rozwiązania można stosować w szerokim zakresie częstotliwości od pól VLF aż do mikrofal, należy jednak pamiętać, że dla wyższych częstotliwości zaczynają nabierać dużego znaczenia elementy pasożytnicze i związane z nimi rezonanse, które wpływają na przebieg charakterystyki częstotliwościowej czujników. W zakresie bardzo wielkich częstotliwości należy dodatkowo zwracać uwagą na spełnienie przez antenę warunku anteny krótkiej elektrycznie. Jako przykład możliwości doboru parametrów czujników PEM w poniższej tabeli zebrano parametry wybranych sond pomiarowych opracowanych w ITA politechniki Wrocławskiej. TYP SONDY POLE AE HP AE 1 AE 2 AE 21 AE 2e AE 3 AE 3e AE 4 AE 41 E E E E E E E E E AE 43 E AH 1 AH 2 AH 27 AH 3 AH 3p AH 42 AH 4 AES 1 AES 2 AES 3 H H H H H H H E,S E,S E,S ZAKRES CZĘSTOTLIWOŚCI 0.1 - 30 MHz 0.1 - 300 MHz 10 - 300 MHz 0.1 - 600 MHz 0.1 - 300 MHz 1 - 100 kHz 1 - 1000 kHz 10 - 2000 Hz 10 - 2000 Hz 50 Hz - 100 kHz 1 - 100 kHz 0.1 - 10 MHz 10 - 30 MHz 10 - 60 MHz 1 - 100 kHz 1 - 100 kHz 40 - 1000 Hz 40 - 1000 Hz 0.3 - 3 GHz 0.6- 18 GHz 0.3 - 38 GHz ZAKRES POMIARU POLA 0.1-10 V/m 5-1000 V/m 0.5-25 V/m 1-100 V/m 1-50 V/m 5-1000 V/m 5-1000 V/m 1-30 kV/m 0.1-15 kV/m 0.2 - 15 kV/m 5 - 1000 V/m 1-250 A/m 1-250 A/m 0.04-15 A/m 1-250 A/m 1-250 A/m 5-500 A/m 50-5000 A/m 0.05-150 W/m2 0.5-50 W/m2 0.05-15 W/m2 E- pole elektryczne, H – pole magnetyczne, S – gęstość mocy Paweł BIEŃKOWSKI _________________________________________________________________________________ 174 7. LITERATURA 1. Rozporządzenie Ministra Pracy i Polityki Społecznej z dnia 29. 11. 2002 r w sprawie dopuszczalnych stężeń i natężeń czynników szkodliwych dla zdrowia w środowisku pracy. (Dz. U. nr 217 z dnia 18. 12. 2002 r. poz.1833) 2. P. Bieńkowski: Dozymetria pola pola elektromagnetycznego Politechnika Wrocławska 1992 praca magisterska ABSTRACT In the paper are presented basic features of the electromagnetic field metrology, especially in application to the labour safety and general public protection against electromagnetic field hazard where the measurements are mostly performed in the near field. Preview of Polish EMF protection standards for workers are presented (fig.1). The author analyzed the electromagnetic field sensor with short dipole antenna (fig. 2). Furthermore, the author discussed possibilities of modifying sensor parameters: frequency response and sensitivity on basis of sensor transmittance (equation 1 and fig. 3). Examples of the probes from range ELF and VLF (10Hz – 100kHz) are presented. Fig. 4 showed measurements results of two type of VLF probes. Author presented the probe with shaped frequency response in accordance with polish protection standards (fig. 5), and verified theoretical analysis with measurements with the probe in a standard field.