Referaty zaproszone - Aktualności KEiT PAN
Transkrypt
Referaty zaproszone - Aktualności KEiT PAN
Metody analizy zawartości repozytoriów multimedialnych, archiwizacji i wyszukiwania materiału dźwiękowego Bożena Kostek Streszczenie Celem prezentacji jest przegląd kluczowych zagadnień związanych z automatycznym wyszukiwaniem informacji muzycznej MIR - Music Information Retrieval. W pierwszej kolejności przedstawiono aktualne kierunki badań i rozwiązań systemowych związane z archiwizacją, wyszukiwaniem i rekomendacją muzyki. Automatyczna analiza i wyszukiwanie materiału dźwiękowego w repozytoriach i archiwach muzycznych nabiera obecnie coraz większego znaczenia za sprawą rozrastającego się elektronicznego rynku wymiany muzyki (m.in. serwisy muzyczne, jak np. iTunes, Amazon, Lastfm, Pandora, itd.). Problemem przy porównywaniu skuteczności różnych algorytmów z dziedziny MIR jest wykorzystywanie przez autorów serwisów różnych baz muzycznych, różnej taksonomii i materiału dźwiękowego o różnej długości. Dlatego w prezentowanych badaniach opracowano własną bazę muzyczną o kontrolowanej zawartości, tak aby można było przeprowadzić systematyczne badania nad skutecznością klasyfikacji. Drugim elementem badań są narzędzia algorytmiczne do poprawy jakości materiału fonicznego w trybie on-line, udostępnione wszystkim zainteresowanym za pośrednictwem specjalnie do tego celu utworzonego portalu internetowego. W prezentacji przedstawione zostaną opracowane dwa serwisy: klasyfikacji nagrań muzycznych (Synat) oraz archiwizacji i rekonstrukcji nagrań (YouArchive). Wspólnym elementem obu serwisów jest możliwość przeszukiwania bazy utworów za pomocą metadanych, zawartych w plikach muzycznych. Światłowody aktywne - konstrukcje i technologia Dominik Dorosz Politechnika Białostocka [email protected] Światłowody domieszkowane lantanowcami znane są głównie z zastosowań telekomunikacyjnych i laserów dużej mocy (Yb3+, Nd3+). W referacie przedstawiony zostanie aktualny stan technologii oraz kierunki rozwoju konstrukcji światłowodów aktywnych stosowanych do budowy włóknowych źródeł promieniowania. Na przykładzie wybranych konstrukcji włókien dwupłaszczowych, wielordzeniowych oraz ze spiralnie ukształtowanym rdzeniem, omówione zostaną światłowody charakteryzujące się luminescencją w zakresie widzialnym oraz 0,3 - 2,1 µm. Uzyskanie linii luminescencji w powyższym zakresie widma możliwe jest niekiedy jedynie w wyniku ko-domieszkowania rdzenia kilkoma lantanowcami. Zaprezentowane zostaną wymagania stawiane szkłom światłowodowym domieszkowanym jonami m.in.: Tm3+/Ho3+, Yb3+/Ho3+, Yb3+/Tm3+, Yb3+/Er3+/Tm3+. Przedstawione zostaną wyniki badań autora nad wpływem parametrów technologicznych na właściwości luminescencyjne szkieł rdzeniowych i włókien oraz wskazane zostaną różnice w kształcie ich widm luminescencji. Posiedzenie Komitetu Elektroniki i Telekomunikacji PAN ITE, Al. Lotników 32/46 24 października 2014 r. Tranzystory mikrofalowe HEMT AlGaN/GaN na monokrystalicznych podłożach GaN Anna Piotrowska Instytut Technologii Elektronowej Zakład Mikro- i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych Azotek galu (GaN) i związki pokrewne (AlGaN, InGaN, InAlN) to bez wątpienia najważniejsza grupa materiałów półprzewodnikowych jakie pojawiły się w elektronice od czasu krzemu. Ich intensywne badania rozpoczęto już ponad 30 lat temu, ale prawdziwy przełom uzyskano nie więcej niż 15 lat temu demonstrując pierwsze niebieskie diody elektroluminescencyjne i laserowe, a niewiele później pierwsze tranzystory mikrofalowe typu HEMT (High Electron Mobility Transistor). Kolejne lata prac badawczych ugruntowały powszechne dziś przekonanie, że GaN reprezentuje nieomal idealny materiał bazowy dla wytwarzania mikrofalowych przyrządów wysokiej częstotliwości i dużej mocy oraz układów MMIC (od pasma S do V). W chwili obecnej mikro- i nanoelektronika oparte o GaN zaliczane są do tzw. Key Enabling Technologies (KET) dla zastosowań More then Moore, w szczególności dla sektorów telekomunikacji i obronnego, energoelektroniki, przemysłu oświetleniowego, energii odnawialnej, transportu. W referacie przedstawione zostaną wyniki prac konsorcjum PolHEMT (Instytut Technologii Elektronowej, Instytut Radioelektroniki PW, Ammono S. A., Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Instytut Fizyki PAN, TOP-GAN Sp. z o.o.) nad tranzystorami polowymi AlGaN/GaN dla potrzeb radiolokacji. Innowacyjność podejścia, w skali światowej, polega na wykorzystaniu do tego celu struktur półprzewodnikowych AlGaN/GaN hodowanych na podłożach z monokrystalicznego GaN. Omówiona zostanie strategia i zakres prowadzonych prac oraz najważniejsze osiągnięcia na poszczególnych etapach pełnego procesu technologicznego. Miarą postępu prac w projekcie jest wykonanie tranzystorów HEMT, które charakteryzują się, przy długości bramki 1 µm, następującymi parametrami: prąd drenu ID = 800 mA/mm dla napięcia bramka - źródło VGS = 3 V i transkonduktancją na poziomie gm ≥ 140 mS/mm. Wyniki pomiarów macierzy rozproszenia w paśmie do 24 GHz potwierdziły oczekiwane właściwości mierzonych tranzystorów GaN HEMT. Maksymalne dostępne wzmocnienie MAG w funkcji częstotliwości osiągało następujące wartości: 14.2 dB dla 2 GHz, 8 dB dla 4 GHz i 0 dB dla 9.8 GHz przy zasilaniu tranzystora napięciem VDS = 28 V. Poziom mocy wyjściowej dla 2bramkowej struktury HEMT AlGaN/GaN oszacowano na poziomie 2.2 W dla VDS = 28 V. W zakończeniu referatu omówione zostaną aktualne trendy w technologii przyrządów i podzespołów elektronicznych na bazie GaN, ze szczególnym uwzględnieniem wdrożeń przemysłowych.