Opis działania zasilacza BN44

Opis działania zasilacza BN44-00358B firmy Samsung
Opis działania zasilacza BN44-00358B firmy
Samsung (cz.2)
Karol Świerc
4. Przetwornica rezonansowa
Ta jest główna i jej powinniśmy poświęcić najwięcej
miejsca. Objętość materiału jednak na to nie pozwala. Rezonansowy charakter pracy zasilacza został już
(przez uważnych Czytelników „Serwisu Elektroniki”) dobrze poznany. Jest się do czego odwoływać i bieżący
opis skracać. Przetwornice rezonansowe, początkowo
bardzo rozbudowane, stają się coraz bardziej zwarte.
To głównie dzięki kontrolerowi, który integruje coraz
więcej funkcji, a jego ilość nóżek – maleje. Przyjrzymy się ICE1HS01G, o samej idei pracy w rezonansie
nie rozpisując się. W tym zakresie odsyłamy do wcześniejszych artykułów, także ich nie wymieniając. Wystarczy w spisie treści „SE” poszukać hasła – „przetwornica rezonansowa”.
Układ ICE1HS01G to, podobnie jak sterownik zasilacza standby, element należący do „nowej generacji” (o czym także sposób oznaczania układu scalonego sugeruje).
Układ ICE1HS01G – „malutki” (8-nóżkowa obudowa SMD), a szczyci się następującymi cechami i parametrami. Maksymalna częstotliwość kluczowania – do
600kHz. Programowane fMIN, współczynnik wypełnienia, oczywiście 50%. Aplikacja wymaga niewielu elementów zewnętrznych, zaś szczególną uwagę położono na obwody zabezpieczeń. Jest ich kilka. „Dwupoziomowy” Overcurrent protection, Open-loop- i Over-load
protection, Mains-input (czyli od napięcia wejściowego
sieci) under-voltage protection. Wbudowany nieliniowy
(kompensujący nieliniowość systemu) Soft-Start. Rozbudowane obwody zabezpieczeń i „opieka” nad stopniem kluczującym, to charakterystyczna cecha współczesnych przetwornic. Podobnie jak w punkcie poświęconym przetwornicy standby, tu też na nie zwrócimy
szczególną uwagę. Zaczynamy natomiast od nóżek
układu scalonego. 1 – FMIN (minimum switching frequency), programowane jednym rezystorem. 2 – CS Current Sense, kontrola prądu, która w konfiguracji rezonansowej jest trudna; wejście 2 stanowi główny obwód
zabezpieczenia. 3 – to FB (Feedback). Aplikacja najprostsza z możliwych, wysysanie prądu z tego wejścia
kontroluje częstotliwość oscylatora między fMIN i fMAKSIMUM. Potencjał wejścia FB jest także nadzorowany obwodami protection. Nóżka 4 – VINS (Mains Input Voltage Sense) – wyprowadzenie przewidziane dla „monitoringu” napięcia zasilania. Druga funkcja tego wyprowadzenia, to ustalenia czasu Blanking Time dla zabezpieczenia Over Load Protection. Nóżka 5 – to masa
– Signal ground. 6 i 7, to wyjścia, wyprowadzenia sterujące tranzystorami kluczującymi półmostka. Nóżka
8 – VCC – IC Power Supply.
Bloki funkcjonalne omówimy w bardzo dużym skrócie, zwracając baczniejszą uwagę (jak powiedziano
wyżej) na obwody zabezpieczeń. Podstawowy (blok)
w sterowniku Resonant Controllera, to oczywiście oscylator. Tu, jego częstotliwość jest odpowiednikiem PWM
w konfiguracjach klasycznych. Klasyczny generator
relaksacyjny polegający na przeładowywaniu (w dół
i w górę) kondensatora. Poziomy (komparacji) ustalone, kondensator wewnętrzny. Jedyny stopień swobody
w programowaniu częstotliwości stanowi zewnętrzny
rezystor podłączony do dedykowanego wyprowadzenia n.1. Wyprowadzenie jest opisane jako FMIN, jednak źródło prądowe które programuje ten rezystor ma
wpływ na pracę oscylatora w całym jego zakresie. FMINIMUM to wtedy, gdy częstotliwości nie podnoszą inne
czynniki. A są nimi przede wszystkim: sygnał z toru feedback, potencjał wyprowadzenia Current Sense i obwody miękkiego startu. Pamiętajmy, Resonant Converter pracuje na tylnym zboczu obwodu rezonansowego, czyli przetwarzana moc rośnie wraz z obniżaniem
częstotliwości kluczowania. Nie można przejść poza
„kolano” rezonansu, dlatego F MINIMUM jest tak ważne.
Wszystkie inne czynniki tę częstotliwość podnoszą. Zatem układ startuje od FMAKS (standardowo ok. 5 × FMIN),
nad czym czuwa Soft Start. Soft Start, nie taki „zwykły”: „nonlinear” i „digital”. Nieliniowy, bo kompensuje nieliniowość całego systemu, „digital” – bo pracuje
w oparciu o licznik. W 32 krokach (po 1ms), stopniowo częstotliwość oscylatora ulega redukcji, aż do momentu w którym „zaskoczy” feedback i pętla ujemnego
sprzężenia przejmie kontrolę nad punktem pracy obwodu. Tak jest w poprawnie działającym układzie; jeśli nie, kontrolę przejmą obwody „opieki”, ale o tym dalej. Oscylator generuje przebieg piłozębny o wolno narastającym i szybko opadającym zboczu. Czas opadania jest ważny, bo to dead time, czas martwy między
„aktywnością” jednego a drugiego klucza. Zabezpiecza półmostek przed destrukcyjnym zjawiskiem równoczesnego włączenia obu kluczy. Zatem, drivery kluczy generują przebieg o wypełnieniu nie 50, a lekko
poniżej 50 procent. Będziemy jednak dalej zakładali,
że to 50%, czas dead time jest na poziomie 380 nanosekund. Przebiegi jednakowe, o równym wypełnieniu
i przesunięciu w fazie o 180° zapewnia dzielnik FlipFlop, dzielący częstotliwość oscylatora przez 2. Tym
samym, częstotliwość kluczowania jest dwukrotnie niższa od fOSC. W przypadku sterownika ICE1HS01G pracy oscylatora (oscyloskopem) nie zobaczymy. Kondensator jest wewnętrzny, a na wyprowadzeniu FMIN panuje napięcie stałe, ma być 1.5V. Utrudnia to nieco prace serwisowe i stwierdzenie, czy driver „żyje”. Niekoniecznie (gdy żyje), musi generować przebiegi na swoich wyjściach. Chwila uwagi nad obwodem regulacji,
wiadomo podstraja on oscylator. Informacja do układu
scalonego trafia w możliwie najprostszy sposób, wy-
SERWIS ELEKTRONIKI
Opis działania zasilacza BN44-00358B firmy Samsung
sysając prąd z wyprowadzenia FB, co daje szczególnie prostą aplikację, gdy elementem pośredniczącym
jest transoptor. Kierunek regulacji: wyższe napięcie na
wyjściu – silniej wysterowany transoptor – niższy potencjał na wejściu Feedback – układ skutkuje wyższą
częstotliwością kluczowania – mniejsza przetwarzana moc – powrót do zadanego napięcia UWY. Widzimy,
że aby zapewnić ujemne sprzężenie w pętli regulacji,
charakterystyka f(UFB) musi być opadająca. Efektywny zakres napięcia Fedback to 0.9 do 3.9V (to łatwo
zmierzyć, lecz ostrożnie!). W tym przedziale napięcia
i przy rezystorze RFMIN = 20kΩ (tak jest na płycie BN44-00358B) zakres częstotliwości kluczowania mieści
się między 70 i 170kHz. To można zmierzyć, lecz tylko
wtedy, gdy „nie bardzo trzeba”, gdy układ pracuje. Pamiętajmy, ten zakres (częstotliwości) musi być w bardzo odpowiedniej relacji do charakterystyki obwodu rezonansowego: transformator-CREZ, tu CM817, nie zapominając o obciążeniu; stan obciążenia przenosi się
na indukcyjność uzwojenia głównego. Charakteryzując wyprowadzenie FB układu scalonego dopowiemy
tylko, że napięcie z tego wejścia „tłumaczone” jest na
prąd podstrajający oscylator, przewidzianym do tego
transkonduktancyjnym wzmacniaczem operacyjnym.
Teraz już – obwody zabezpieczeń.
Current Sense. Jak zmierzyć prąd kluczującego stopnia mocy? Nie jest to takie proste jak w przetwornicy tradycyjnej, gdzie wystarczy wpiąć niskoomowy rezystor
w emiterze/źródle klucza. Stosuje się mało elegancki, lecz skuteczny „środek zastępczy”. Napięcie na kondensatorze rezonansu (który zwykle, tak jak i w tym BN44-00358B ulokowany jest od strony masy) jest sumą
dwu składowych: stałej (ok. połowa napięcia zasilania,
tj. ok. 200V) i zmiennej. Silnie zmiennej z prądem płynącym w obwodzie rezonansowym. Tę informację wykorzystano. Separowanie (składowej stałej), różniczkowanie, prostowanie i do wejścia CS układu scalonego. Elementy te łatwo rozpoznamy na analizowanym schemacie. Over Current Protection realizowany jest w oparciu
o monitorowanie wejścia CS (Current Sense). OCP jest
dwupoziomowy. Przekroczenie 1. progu (0.8V) skutkuje
wzrostem częstotliwości oscylatora (aby ograniczyć moc
pompowaną do wyjścia). Powrót do normalnej regulacji
następuje z histerezą 50mV (UCS<0.75V). Gdy przekroczenie 1. progu OCP utrzymuje się przez 1.5 milisekundy,
częstotliwość wzrasta do maksimum. Przykładowe wartości: dla RFMIN = 30kΩ, zakres normalnej pracy to 50 do
130kHz, częstotliwość OCP to ok. 200kHz, zaś absolutnie
maksymalna sięga 600kHz. Gdy pierwszy poziom ograniczenia prądowego jest nieskuteczny, UCS dalej wzrasta, kontroler wstrzyma kluczowanie przy drugim progu,
ok. 1.6V. Tu należy się spodziewać zabezpieczenia typu
Latch, wznowienie pracy wymaga wyłączenie napięcia
zasilania. Poza Over Current Protection, układ rozróżnia
Over Load Protection, aczkolwiek nazewnictwo jest mylone, mylące i często zamieniane. OLP działa w oparciu
o „monitoring” napięcia Feedback. Gdy Feedback „nie
wyrabia” lub wręcz, uszkodzenie polega na przerwaniu
pętli sprzężenia zwrotnego, napięcie wyprowadzenia FB
rośnie poza zakres „normalnej pracy”. W układzie scalo-
nym znajduje się rezystor pull-up podłączony do napięcia
referencyjnego o wartości +5V. OLP rozpoznaje sytuację
awaryjną, gdy potencjał FB przekroczy poziom 4.5V. Aby
uchronić układ przed fałszywymi zabezpieczeniami w stanach przejściowych, w tor ten (podobnie jak czynił to sterownik ICE3BR0665JZ) wtrącony jest tzw. Blanking Time.
Dopuszcza on sytuację awaryjną do 20 milisekund. Po
przekroczeniu uruchamiany jest następny timer, zwany
Extended Blanking Timer. Ten „szumnie” nazwany timer
realizowany jest w oparciu o stałą czasową zewnętrznego kondensatora podwieszonego na wyprowadzeniu FB
(w omawianej aplikacji widzimy R i C w szereg; jakie to
ma znaczenie?) i wewnętrznego rezystora pull-up. Kondensator jest rozładowywany wewnętrznym tranzystorem
i ładowany. Tak, do 512 razy. Jeśli licznik zliczy tyle faultów (błędów – przekroczenia UFB>4.5V), układ wstrzyma
kluczowanie. W tym czasie częstotliwość kluczowania
nie jest kontrolowana pętlą stabilizacji, jest ustalona wewnętrznym źródłem prądowym, ma nad nim także pieczę
obwód kontrolowany ograniczeniem OCP. To nie koniec
inteligencji zabezpieczenia OLP. Gdy układ powróci do
„stanu równowagi” przed zliczeniem 512 fault-ów, podejmuje normalną pracę (pod kontrolą feedbacku), aczkolwiek licznik błędów wyzeruje się dopiero „nieco później”.
Jednak, nawet gdy wejdzie w stan zabezpieczenia OLP,
obwody sterujące są gotowe do kolejnych prób „powstania” przetwornicy. Tym razem z fazą miękkiego startu. Odbędzie się to po czasie, jak kolejny licznik zliczy stan aż
2048. Mimo niewielkiej ilości nóżek układu scalonego, na
czas ten mamy (ma konstruktor aplikacji układu scalonego i serwisant) wpływ. Licznik ten realizowany jest w oparciu o pojemność kondensatora podwieszonego na nóżce VINS, o której głównej funkcji zaraz powiemy. Kontrola napięcia wejściowego (tu ok. 400V zza przetwornicy
PFC). Po co i „na co”? To zabezpieczenie undervoltage,
pozwalające „nie męczyć” się układowi w fazie wyłączania. Sprecyzowanie warunków pracy przetwornicy rezonansowej od strony wartości napięcia wejściowego (zasilania) jest bardzo pożądane. Podstawowa aplikacja przewiduje na wejściu VINS dzielnik napięcia między masą
i UIN. Napięcie UIN rozpoznawane jest jako OK, gdy VINS
przekracza poziom 1.25V. A co, gdy jest na granicy tego
napięcia? Nietrudno domyśleć się, że pożądana jest tu
histereza. Oczywiście jest. Realizuje ją źródło prądowe
12µA włączane (wewnątrz układu scalonego) na wejściu
INS. Takie rozwiązanie jest proste i pozwala na regulację szerokości histerezy. Stosunek rezystancji zewnętrznego dzielnika wyznacza poziom zabezpieczenia undervoltage, ich rezystancja zastępcza wyznacza zaś szerokość histerezy.
Po garści informacji na temat sterownika, przechodzimy do najważniejszego – jego aplikacji w BN44-00358B który jest tematem artykułu (aczkolwiek
„co w ramach samego układu scalonego” – już powiedziano). Półmostek kluczujący nietrudno na schemacie przeoczyć, znacznie trudniej odszukać, gdzie „ten
obwód rezonansowy”. To uzwojenie pierwotne transformatora z kondensatorem CM817 - 22nF/630V, który musi być bardzo porządny. Warunki jego pracy …,
przemilczymy, jest awaryjny. Klucze, bardzo porząd-
SERWIS ELEKTRONIKI
Opis działania zasilacza BN44-00358B firmy Samsung
ne tranzystory (FDPF10N50FT - 10A, 500V), oba jednakowe. To nie dobrze (dla układu sterowania). Gdyby była to para komplementarnych tranzystorów MOSFET, driver mógłby być prostszy. W tej sytuacji zastosowano pośredniczący transformator impulsowy. Nielubiany to element (zarówno przez konstruktorów, jak
i serwisantów), ale trudno. Obwód wyjściowy – symetryczny, jednakowy dla górnego i dolnego tranzystora MOSFET. Na to można sobie w tym przypadku pozwolić, a warunkuje to także symetria przebiegów. Brak jakichkolwiek tranzystorów bipolarnych, tak
często „dokładanych” w driverze bramek. Przeładowanie ich pojemności załatwi transformator, a jedynie widoczne tu diody optymalizują czasy włączania i wyłączania. Obwód wejściowy transformatora TM803 symetryczny i stosowny do stopni wyjściowych zawartych
w układzie scalonym. Jedynie zwraca uwagę kondensator CM802. Mimo pełnej symetrii przebiegów na wyjściach LG i HG układu scalonego, w szereg z uzwojeniem pierwotnym transformatora TM803 zastosowano kondensator sprzęgający. „Dla pewności”, aby zniwelować wszelkie niezrównoważenie składowej stałej na wyjściach driverów. Równocześnie, kondensator ten nie musi mieć dużej pojemności, a więc takie
załatwienie problemu jest akceptowalne i w pełni zadowalające. Ponad stopień drivera kluczy, po stronie
gorącej zasilacza rezonasowego znajdujemy elementy
zgodne z przewidywaniami aplikacji układu scalonego
ICE1HS01G. Ponad „normę” rozbudowane są jedynie
obwody w „okolicy” wyprowadzeń VINS i CS. Te należą do dodatkowych zewnętrznych obwodów zabezpieczeń, dlatego ich opis przeniesiono do punktu następnego. Dzielnik „INS” to nie tylko 2 rezystory. Nietrudno
jednak przeliczyć, że podział to ok. 0.0045. Przy napięciu wejściowym 400V, daje to napięcie 1.8V. Takie
powinniśmy zmierzyć. Na to więc warto zwrócić uwagę, gdyż jak wiadomo wysokoomowe rezystory pracujące na dużym napięciu, ulegają awarii najczęściej.
1.8V to znaczny zapas ponad próg 1.25V. Undervoltage Protection zadziała, gdy UWE spadnie o 30%, tj. do
ok. 280V. Histerezę wyznacza rezystancja zastępcza
ww. rezystorów, tu ok. 27kΩ. Nie trudno przeliczyć, że
histereza wyniesie ok. 25% (Ihys = 12µA).
Co po stronie wtórnej? Zasilacz wypracowuje 3 napięcia: Vdrv dla inwertera, +18V dla wzmacniacza fonii i systemowe +12V. Vdrv jest na schemacie nieopisane. Jego
wartości należy się jednak spodziewać na poziomie 170V.
Zanim zasili inwerter jest i tak jeszcze podbijane (około
dwukrotnie) dwiema przetwornicami step-up (nieklasyczne rozwiązanie inwertera Samsunga). Wszystkie napięcia pozyskiwane są w sposób symetryczny (na głównym
obciążeniu – Graetz), na co pozwala symetria przebiegów na transformatorze Resonant Convertera. Feeedback po stronie zimnej – klasyczny, proponujemy odszukać elementy kompensacji częstotliwościowej. Elementów po stronie wtórnej sporo, lecz większość z nich realizuje funkcje dodatkowych zabezpieczeń. Dlatego ich
opis przenosimy do kolejnego punktu.
5. Zewnętrzne obwody zabezpieczeń
zasilacza rezonansowego
Zasilacz tego typu trudno jest zabezpieczyć. Nie skutkuje
ograniczenie prądowe „Cycle-By-Cycle”. Czy to stwierdzenie
jest prawdziwe po zapoznaniu się z poprzednim punktem
niniejszego opracowania? Sam sterownik zawiera ich kilka,
co wyeksponowano. Ponadto, płyta zasilacza BN44-00358B
naszpikowana jest dodatkowymi obwodami zabezpieczeń.
Wyodrębnimy je w niniejszym punkcie. Zaczynamy od obwodów ulokowanych po stronie gorącej.
VINS realizuje Undervoltage napięcia UWE. Przydałoby
się jeszcze Overvoltage. I jest. To obwód z „431” wykorzystujący wspólne dzielniki rezystancyjne co Undervoltage.
Nie trudno przeliczyć, że w warunkach „normalnych” (UWE =
400V), napięcie na bramce ICM803 wyniesie ok. 2.27V. Gdy
zatem podniesie się o ok. 10%, osiągnie 2.5V, a to próg włączenia sterowanej diody „431”. Skutkiem będzie wyłączenie
tranzystora QS802, o którym pisaliśmy w punkcie 1. Spowoduje to wyłączenie zasilania dla sterowników przetwornic
PFC i Resonant. Zabezpieczenie w 100% skuteczne. Kolejne (dodatkowe zabezpieczenie) zrealizowano na nóżce CS. Charakterystykę wyprowadzenia Current Sense
podano w punkcie poprzednim. Trwałe podanie tu napięcia powyżej 1.6V wyłączy przetwornicę rezonansową na
trwałe, a to czyni transoptor PCM802S. Na wyprowadzeniu CS są zatem dwa zabezpieczenia: OCP ze strony pierwotnej i OCP/OVP przeniesione wyżej wymienionym transoptorem. Sumy obu zabezpieczeń dokonują (jak w technice DTL) dwie diody (DM816). W dalszej kolejności należy przeanalizować, jakie sygnały wprowadzają transoptor
PCM802S w stan przewodzenia. Jesteśmy po stronie wtórnej zasilacza. Tu sprawdzanych jest kilka napięć na overvoltage. Najbardziej pieczołowicie kontrolowane jest Vdrv.
Zastosowano tu kolejny „431” (ICM806), który nie trudno
przeliczyć, uruchomi się, gdy Vdrv przekroczy poziom 235V.
Wtedy włączony zostanie tranzystor QM804, w którego kolektorze (za RM848) widzimy już klasyczną sumę logiczną kilku sygnałów zabezpieczeń. Dioda Zenera ZDM806
kontroluje zasilanie wzmacniacza fonii, którego nominalna
wartość ma być na poziomie 18V. ZDM806 to dioda Zenera 24-woltowa. Zapas dość spory; jeszcze ok.1.5V trzeba
dodać na DM830 i napięcie bazy QM805. 16-woltowa dioda kontroluje +12V (też 1.5V należy dodać). Największe
zdziwienie budzi fakt, że kontrolowane jest też 5.3V (dioda
Zenera 6.8V – ZDS803). To napięcie, aczkolwiek obecne
tylko w trybie ON, pochodzi z zasilacza standby. Omawiany protection wyłącza natomiast przetwornicę główną. Sygnał PROT przeniesiony jest na stronę gorącą transoptorem PCM802, dalej, po zsumowaniu z OCP trafia na wejście Current Sense sterownika ICE1HS01Q.
Tym stwierdzeniem kończymy opis zasilacza BN4400358B. Miał być krótki. Jest kompromisem między wnikliwością, a wiedzą niezbędną dla naprawy (nie ograniczającej się do wymiany płytki i ewentualnie kondensatorów elektrolitycznych na niej). W artykule zrezygnowano ze „wspomagających” opis rysunków. Odwołujemy się
bezpośrednio do schematu, który zamieszczono na końcu
artykułu. Wyeksponowano obwody istotne dla prac serwisowych, wszelkie zabezpieczenia.
SERWIS ELEKTRONIKI
Schemat inwerterów Samsung BN44-00358B / BN44-00359B
RS827
47KRF
RS825
Jumper
5
1
0.1µF 50V
CS818 35V 470µF (NXH)
1MRF
CS806
RS811
820RF
RS812
1KRF
RS814
10KRF
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
1
2
RS821
NC
RS815
10KRF
CS811
0.1µF 50V
CS810
100pF 50V
ICS802
AS431ANTR-G1
RS817
2.2KRF
RS818
10KRF
DS811
BAV70LT3G
LX801S
TC930110CS(3A 11mH)
QS803
MMBT2222ALT1G
PWR On/Off
Vamp_18V
STBY_5.2V
Vamp_18V
5.3V
5.3V
GND
5.3V
GND
GND
H-Sync
GND
PWM_DIM
D12V
BLU_On/Off
D12V
Vdrv_DET
D12V
CNM801
SMAW200A-18C3
RS820
4.7KRF
CX801S
275V 0.1µF
PWM_DIM
RM834
750KRF 2012
QM801
FDPF10N50FT
DM801
13
31GF4
DM804
31GF4
DM803
43T
31GF4
31GF4
RM842
CM814
47nF 50V
RM824
6.8KRF
JR806
0RJ
JR807
0RJ
JR809
0RJ
JR808
0RJ
JR810
0RJ
JR811
0RJ
PCM802S
EL817M(B)(DT)
BY801
BAS3550TO
CY812S
N.C POINT : CY824S, CS809, CS813, CM852
RS802, RS821, RM843, R9106, R9206, R9119, R9219
BY803
BAS3550TO
1
4
JR805
0RJ
CY811S
400V 100pF(K)
400V 100pF(K)
CY813S
400V 100pF(K)
3
JR804
0RJ
CM815
1µF 16V
ZDM804
BZX84B16LT1
1.5KRF 3216
RM843
NC
BY804
SERWIS ELEKTRONIKI
BAS3550TO
CY814S
QM804
MMBT2907ALT1G
RM826
24KRF
RM848
3.3KRF
CM852
NC
RM862
3KRF 3216
RM839
3KRF 3216
ZDM806
BZX84C24LT1
RM849
1KRF
RM846
10KRF
RM847
1KRF
RM828
1.8KRF
CM816
0.1µF 50V
RM808
10KRF
ICM806
AS431ANTR-G1
RM822
100RF
RM829
1KRF
** No marking resistor 1608 1% SMD
** No marking capacitor 1608 SMD
400V 1000pF(M)
RM838
3KRF 3216
RM820
3KRF 3216
RM819
3KRF 3216
RM817
3KRF 3216
DM830
BAV70LT3G
DM808
BAV70LT3G
S-GND
P-GND
RM816
270KRF 2012
RM805
270KRF 2012
ICM802
AS431ANTR-G1
QM805
MMBT2222ALT1G 2
JR803
0RJ
1.5KRF 3216
CM805
35V 470µF (NXH)
RM851
CM818
35V 470µF (NXH)
RM852
CM804
35V 470µF (NXH)
EL817M(B)(DT)
JR802
0RJ
RM870
220KRF 3216
S-GND
SERWIS ELEKTRONIKI
RM801
6.2KRF
PCM801S
RM867
220KRF 3216
RM866
220KRF 3216
2
20KRF
3
RM812
3KRF
1µF 16V
RM864
220KRF 3216
RM861
220KRF 3216
CM822
10nF 50V
CM819
RM823
5.1KRF
P-GND
DM811
FCU10A20
620RF
DM817
BAV70LT3G
12 1T
1.5KRF 3216
CM808
10nF 50V
RM869
220KRF 3216
2
3
1KRF
DM809
BAV70LT3G
4
RM802
560RF
RM865
220KRF 3216
RM868
220KRF 3216
1
11 3T
RS813
DM816
BAV70LT3G
RM860
220KRF 3216
RM863
220KRF 3216
2
2KRF
RM814
10KRF
3
RM853
RM813
DM806
22RF 3216 BAV70LT3G
1
10
RM815
1KRF
TM803
EE1011H
9 3T
RM844
3.9KRF
RM811
100RF 3216
CM801
250V 68µF
DM810
VFT2080C
1
6
QM802
FDPF10N50FT
6
52T
630V / 22nF
8
0.47µF 25V 2012
CM823
1µF 16V
CM812
470pF 50V
8 1T
3
30T 7
CM806
CM813
CM809
470pF 50V
0.1µF 50V
CM802
RM809
10KRF
CM817
DM814
EP05H10
DM815
EP05H10
4
Vdrv
14
1KV 10pF
8
7
6
5
30T
6.2KRF
Vcc
HG
LG
GND
1 30T
TM801S
EFD5055S(420µH)
2
RM827
FMIN
CS
FB
VINS
ICM803
AS431ANTR-G1
RM803
10KRF
RM818
10KRF
47nF 50V
CM810
27KRF
RM821
CM820
CN801S
1KRF
1nF 50V
1
RM837 33KRF
N
2
RM840
L
1
2
3
4
RM810
1.5MR 2012
RM804
3.6KRF
S-GND
FS804S
T5AH250V
RM825
4R7F 3216
ICM801
ICE1HS01G
RM836
1.5MRF 2012
RM807
DM805
22RF 3216 BAV70LT3G
CM811
50V 47µF(HXB)
CY824S
NC
FS801S
T5AH250V
DM802
RM835
750KRF 2012
RM832
CY823S
400V 100pF(K)
+12V
S-GND
RM806
100RF 3216
RM850
VX801S
14D751K
BLU_On/Off
RS822
51KRF
CS812
0.1µF 50V
RM833
750KRF 2012
JR801
0RJ
RS807
RS810
680RF
2
3
4
RS819
100RF
3
BZX84B16LT1
CS814
1
ZDS802
0.1µF 50V
2
ZDS801
1N4744A
DS806
Drain
4
QS802
KTD1691
PCS801S
EL817M(B)(DT)
1
BAV70LT3G
GND
VCC
PCS802S
EL817M(B)(DT)
DS805
1N
N4007GP
8
7
CS809
NC
CS815
1nF 50V
35V 470µF (NXH)
DS804
1N4007GP RS809
0R 3216 18T
50V 47µF(HXB)
BA
FB
CS
N.C
CS803
3
35V 470µF (NXH)
5
BS801
BAS3550TO
RS816
1W 0R65
CS817
RP824
RP823
RS828
47KRF
DSS803
GP15M
RG
2.2nF 50V
390KRF
15KRF
50V 47µF(HXB)
0.1µF 50V
CP819
CP816
CP818
1nF 50V
ZDP801
BZX84C4V3LT1
CP817
2.2nF 50V
20KRF
BAV70LT3G
8
7
6
5
ICP801
FA5591N
RP810
68KRF
10nF 50V
82nF 50V
10nF 50V
RP820
CP815
CP823
0.47µF 16V
Vcc
OUT
GND
IS
DS801
VFT2080C
10,11
ZDS803
BZX84C6V8LT1
SX802S
TSA-A1-601M
RX801S
1MR 1/2W
CP813
CY821S
400V 330pF(K)
CX802S
275V 0.47µF
CP814
RP821
100KRF
CY822S
400V 330pF(K)
FB
COMP
RT
RTZC
5T
+5.3V
QS801
MDS1653
CS802
CS816
450V 39µF
3
RM845
120KRF
PD55AF1U_ZHS / PD55AF1U_ZHS
RP802
560KRF 2012
CS801
6330V 2.2nF
RS801
2W 47K
1
2
3
4
DP807
SX801S
TSA-A1-601M
LX802S
TC935080CS(3.5A 8mH)
1
2
3
4
DS802
NC
1
8,9
TS801S
EPC3028(600µH)
6
60T
RS823
1KRF
39KRF
2
RP803
560KRF 2012
450V 53µF
7
ICS801
ICE3BR0665JZ
CX803S
275V 0.47µF
RS802
BAS3550TO
CS808
RP817
22RF 3216
QS806
MMBT2222ALT1G
RS829
4.7MRF
CS804
2.2µF 16V
BS802
50V 47µF(HXB)
RP818
10KRF
RP813
10KRF
RP809
RP812
22RF 3216
47RF 3216
RP811
100RF 2012
DP804
BAV70LT3G
RP819
RP816
2W 0.14R
47RF 3216
DP803
BAV70LT3G
CP804
QP802
STF13NM60
450V 53µF
CP809
1KV 220pF(R)
CP801
QP801
STF13NM60
4
RS824
10KRF
NT802S
15D080
NT801S
15D080
DS8009
1N54408
DS810
1N5408
FS802S
T2AL 250V
RP804
560KRF 2012
BP806
BAS3550TO
CP808
1KV 220pF(R)
450V 53µF
4
BP802
BAS3550TO
LP801
PQ3811(140µH 30T)
DP808
1N5408
FS803S
T3.15AL 250V
CS807
BP805
BAS3550TO
BD801S
TS6B05G
RP815
2W 0.14R
RP801
560KRF 2012
MUR460
CP802
-
MUR460
DP802
1KV 220pF(R)
~
DP809
DS808
BAV70LT3G
QS804
2N7002
CP807
3
6
CP803
450V/1µF
1N5408
3
1
+
BP801
BAS3550TO
1
~
1
2
2
DP801
NC
PD55AF1U_ZHS / PD55AF1U_ZHS
LP802
T069-16O3(40µH 28.5T)
QS805
MMBT2222ALT1G
RS826
47KRF
Schemat zasilaczy Samsung BN44-00358B / BN44-00359B
DS807
BAV70LT3G
330RF 3216
RL801S
F3PA005V
CS813
BN44-00358B / BN44-00359B
RS808
Schemat zasilaczy Samsung BN44-00358B / BN44-00359B
Schemat inwerterów Samsung BN44-00358B / BN44-00359B
Schemat zasilaczy Samsung BN44-00358B / BN44-00359B
BN44-00358B / BN44-00359B PPD55AF1U_ZHS / PD55AF1U_ZHS
D9101
MUR460
L9101
C9102
EPC1716(350µH 75T)
IC9101
MAP3201
1
Q9101
FQU5N40TU
2
C9103
1nF 50V 3
4
D9102
BAV70LT3G
5
R9103
100RF
6
C9101
4.7nF 50V
7
R9102
2W 0.27R
R9105
499KRF
C9104
820pF 50V
8
VCC
FBN
ISET
FBP
GATE
COMP
GND
PWMI
CS
OVP
AUTO
PWMO
REF
RT
SYNC
CLIM
C910
09
1nF 50V
R9115
200KR 3216
R9123
100KRF
16
NC
C9110
350V 10µF
15
C9
9107
1nF 50V
14
R9117
13
1KRF
12
9118
R9
C9108
30
0KRF
10nF 50V
R9114
220KR 3216
R9112
10KRF
D9103
R9111
11
Q9104
FQU5N40TU
10
R9106
NC
C9106
1nF 50V
R9
9110
10
0KRF
R9108
150KRF
R9107
13KRF
BAV70LT3G
1KRF
R9109
100KRF
9
R9116
3.9KRF
C9105
0.15µF 25V
CNL801
IW40008-LP1
R9120
560RF
C9111
820pF 50V
R9121
2W 4.7R
L9201
EPC1716(350µH 75T)
D9201
MUR460
C9202
1µF 16V
IC9201
MAP3201
R9222 91KRF
R9201
43RF
Q9201
FQU5N40TU
1
2
C9203
1nF 50V 3
4
D9202
BAV70LT3G
5
R9203
100RF
C9201
4.7nF 50V
6
7
C9204
820pF 50V
R9202
2W 0.27R
R9205
499KRF
8
VCC
FBN
ISET
FBP
GATE
COMP
GND
PWMI
CS
OVP
AUTO
PWMO
RT
REF
SYNC
CLIM
16
R9
9219
NC
C9
9209
1nF 50V
C9
9207
1nF 50V
R9215
200KR 3216
R9223
100KRF
C9210
350V 10µF
15
14
R9217
13
1KRF
12
R9
9218
C9208
30
0KRF
10nF 50V
R9212
10KRF
R9214
220KR 3216
R9211
D9203
1KRF
BAV70LT3G
Q9204
FQU5N40TU
11
10
R9209
100KRF
9
R9206
NC
R9208
150KRF
R9207
13KRF
10
R921
10KR
RF
C9206
1nF 50V
R9216
3.9KRF
C9205
0.15µF 25V
R9220
560RF
C9211
820pF 50V
R9221
2W 4.7R
Q9002
MMBT2907A
ALT1G
+12V
R901
11
1KRF
F
PWM-DIM
R9017
750RF
STB5.2V
R9015
20KRF
R9016
3KRF
Q9003
MMBT2222ALT1G
+5.3V
R9012
10KRF
R9013
10KRF
BLU On/Off
ZD9001 BZX84C15LT1
R9018
10KRF
R9020
15KRF
2
1
D9001
EP05H10
VR9001
5K variable
R9003
11KRF
R9019
18KRF
C9003
0.1µF 50V
R9010
10KRF
1
2
3
4
O1
I1N1+
GND
Vcc
O2
I2N2+
8
7
6
5
IC9001
LM358F
R900
02
RF
5.1KR
ICT9001
AS431ANTR-G1
** No marking resistor 1608 1% SMD
** No marking capacitor 1608 SMD
R9001
5.1KRF
C9001
0.1µF 50V
C9004
0.1µF 50V
R9004
5.6KRF
R9005
180KRF 2012
CNJ801
SMW200-02P
R9006
150KRF 2012
R9014
470KRF
SERWIS ELEKTRONIKI
1
2
3
4
5
6
7
8
SERWIS ELEKTRONIKI
PD55AF1U_ZHS / PD55AF1U_ZHS
R9122 91KRF
R9101
43RF
R911
19
Schemat inwerterów Samsug BN44-00358B / BN44-00359B
1µF 16V
Q9004
MMBT2222ALT1G
Vdrv