DZPIE/003/NZU/672/2015 Warszawa, 2 kwietnia 2015 r. Dotyczy

DZPIE/003/NZU/672/2015
Warszawa, 2 kwietnia 2015 r.
Dotyczy udzielenia zamówienia publicznego w trybie "przetargu nieograniczonego" na
„Uniwersalna linia technologiczna do badań procesów wytwarzania nanostruktur i
prototypów przyrządów półprzewodnikowych, nadprzewodnikowych i metalicznych”.
Instytut Fizyki PAN w trybie art. 38 ust. 4 Ustawy PZP, dokonuje niniejszym zmiany treści
SIWZ w zakresie wymagań stawianym urządzeniu w pkt. 7, 11, 16, 17, i 19 dla ICP-RIE oraz
5, 8, 10, 12, 13, 16 i 18 dla ICP-PECVD :
Przed zmianami:
Lp.
7.
11.
Wymagania
(wymagane parametry minimalne)
Stanowisko do trawienia związkami chloru ICP –
RIE (Inductively-Coupled Plasma for Reactive
Ion Etching)
System wytwarzania próżni w komorze reaktora:
- system próżni „suchej” składający się z układu pompy
próżni wstępnej i właściwej,
- do wytworzenia próżni wstępnej musi być wykorzystana
pompa bezolejowa o wydajności min.
32m3/h,
- do wytworzenia próżni właściwej musi być
wykorzystana pompa turbomolekularna z łożyskami
magnetycznymi, o wydajności min. 500l/s,
- pompa próżni wstępnej zainstalowana w pomieszczeniu
technicznym,
- układ próżniowy odporny na gazy korozyjne,
- układ zapewniający próżnię 5x10-6mbar
lub lepszą,
- automatyczna kontrola próżni wstępnej oraz próżni
podczas procesów trawienia.
Sterowanie Urządzenia:
sterowanie
komputerowe
z
dedykowanym
oprogramowaniem,
- sterowanie musi odbywać się za pomocą szybkiego
sterownika PLC (Programmable Logic Controller) z
analogowym i cyfrowym I/O,
- oprogramowanie musi pozwalać na: logowanie danych
procesowych dla każdego procesu oddzielnie (możliwość
wyboru parametrów cyfrowych i analogowych, które mają
podlegać logowaniu), pokazywanie w czasie rzeczywistym
zadanych i
aktualnych parametrów procesów, sterowanie ręczne, jak
również za pomocą wcześniej tworzonych przez
użytkowników receptur
procesów technologicznych o długości min. 25ms,
Kolumna do wypełnienia przez
oferenta
Należy potwierdzić lub opisać *
automatyczną kontrolę nieszczelności oraz kalibracji
kontrolerów MFC, a także powinno posiadać
wielopoziomowy mechanizm nadawania praw
dostępu i uprawnień dla użytkowników, także dla
wybranych procesów,
- komputer sterujący (z systemem operacyjnym Windows
7) wraz z monitorem minimum 19” LCD (zestaw
komputerowy kompletny) zapewniający
ergonomiczną, płynną i bezproblemową pracę Urządzenia
przy korzystaniu z dedykowanego oprogramowania.
- Oprogramowanie musi pracować pod systemem
operacyjnym Windows 7.
- Oprogramowanie musi mieć funkcje wstrzymania
„hold” (plazma ON w momencie przechodzenia do
kolejnego etapu procesu, plasma on when switching to a
new process step) i przycisk skoku „jump” (
dla ręcznego przełączenia).
W ramach testu akceptacyjnego zostanie przeprowadzone
sprawdzenie poprawności działania wszystkich układów i
elementów Urządzenia
poprzez przeprowadzenie testów sprawdzających według
norm producenta oraz następujące testy,
obejmujące
wykonanie
minimum
2
procesów
technologicznych charakteryzujących się następującymi
parametrami
(Procesy
zostaną
wybrane
przez
Zamawiającego):
16.
1. Trawienie GaN
- Szybkość trawienia: ~75nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 0,8:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°
2.Trawienie GaN
- Szybkość trawienia: ~250nm/min ±5%
- Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej
10:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >85°
3.Trawienie Polikrzemu
- Szybkość trawienia: ~50nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 2:1
-Jednorodność procesu: ±5%
-Nachylenie ścian trawionych okien: >88°
4. Trawienie Dwutlenku hafnu (HfO2)
- Szybkość trawienia: większa niż 1nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 3:1
- Selektywność do dwutlenku krzemu:
co najmniej 4:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >85°
5. Trawienie Trójtlenku aluminium (Al2O3)
- Szybkość trawienia: ~5nm/min ±5%
- Selektywność do niklu Ni: co najmniej 7:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°
6. Trawienie ZnO
- Szybkość trawienia: ~50nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1:1
- Selektywność do niklu Ni: co najmniej 7:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°,
7. Trawienie GaAs/AlGaAs
- Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 4:1
- Selektywność do GaAs:AlGaAs: co najmniej 50:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >88°
8. Trawienie CdTe
- Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°
9. Trawienie ZnSe
- Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°
17.
19.
Testy te muszą zostać przeprowadzone na podłożach
dostarczonych przez Zmawiającego. Do pomiarów
spełnienia przez Urządzenie testów akceptacyjnych mogą
zostać
wykorzystane
urządzenia
pomiarowo
diagnostyczne znajdujące się w laboratoriach Instytutu
Fizyki PAN. Do testów anizotropii trawionych profili
wykorzystany zostanie posiadany przez Zamawiającego
skaningowy mikroskop elektronowy.
Gazy robocze:
- urządzanie musi być podłączone do posiadanej instalacji
czystych gazów,
- linie gazowe doprowadzające gazy reakcyjne muszą być
wykonane ze stali nierdzewnej elektropolerowanej,
- spawania tylko orbitalne, system odprowadzania gazów
poreakcyjnych z pomp oraz z dozownika gazów powinien
być wyposażony w niezbędne
(wynikające z wykorzystywanych gazów i odpowiednich
przepisów) urządzenia utylizacji gazów poreakcyjnych
(scrubber), które pozwalają podłączyć ich wylot
bezpośrednio do instalacji wyciągowej. Scrubber/y muszą
być wyposażone w
wskaźnik zanieczyszczenia.
Neutralizator lub neutralizatory muszą być właściwe dla
gazów wymienionych.
Wymaga się wykonanie bezpłatnych przeglądów
technicznych po dwóch latach w okresie gwarancji,
obejmujących również serwisowanie, wymianę materiałów
ulegających zużyciu lub wymagających wymiany. Koszty
transportu, przeglądu, koszty materiałów wymienianych
oraz koszty wymiany tych materiałów ponosi Wykonawca
Lp.
Wymagania (wymagane parametry minimalne)
Stanowisko do trawienia związkami fluoru z
funkcjonalnością osadzania związków krzemu
ICP-PECVD (Inductively -Coupled Plasma–
Plasma - Enhanced Chemical Vapour Deposition)
5.
Elektroda górna:
- aluminiowa elektroda zintegrowana z wlotem gazów
roboczych do komory reaktora,
- budowa odpowiednia do jednorodnego rozprowadzania
gazów roboczych,
Kolumna do wypełnienia przez
oferenta
Należy potwierdzić lub opisać *
8.
10.
12.
13.
- zasilana ze źródła RF (13,56 MHz) oraz chłodzona wodą,
- ruchoma pneumatycznie/mechanicznie (w kierunku
góra/dół/bok) w celu łatwego dostępu do podłoży.
System wytwarzania próżni w komorze procesowej:
- układ dwóch pomp próżni wstępnej i właściwej,
- do wytworzenia próżni wstępnej musi być wykorzystana
pompa bezolejowa,
- układ zapewniający próżnię ≤ 4x10-6 mbar,
- czas uzyskania próżni w komorze procesowej od
ciśnienia atmosferycznego do ciśnienia ≤4x10-6 mbar
wynosi t ≤12 godzin,
- układ próżniowy odporny na gazy korozyjne,
- układ zawierający pompę obrotową i turbomolekularną z
magnetycznymi łożyskami o wydajności minimum 500 l/s,
- automatyczna kontrola próżni wstępnej oraz próżni
podczas procesów osadzania i trawienia.
System musi mieć możliwość podłączenia w przyszłości
komory załadowczej/śluzy (vacuum loadlock) która
umożliwi transfer próbek o różnych kształtach i
wymiarach od 5 mm x 5 mm do minimum 2 cali do
komory reakcyjnej. Producent musi zagwarantować
możliwość
podłączenia
śluzy
w
laboratorium
Zamawiającego.
Gazy robocze:
- urządzanie musi być podłączone do posiadanej instalacji
czystych gazów,
- system odprowadzania gazów poreakcyjnych z pomp
oraz z dozownika gazów powinien być wyposażony w
niezbędne (wynikające z wykorzystywanych gazów i
odpowiednich przepisów) urządzenia utylizacji gazów
poreakcyjnych (scrubber), które pozwalają podłączyć ich
wylot bezpośrednio do instalacji wyciągowej. Scrubber/y
muszą być wyposażone w wskaźnik zanieczyszczenia.
Neutralizator lub neutralizatory muszą być właściwe dla
gazów wymienionych.
Sterowanie Urządzenia:
sterowanie
komputerowe
z
dedykowanym
oprogramowaniem,
- sterowanie musi odbywać się za pomocą szybkiego
sterownika PLC (Programmable Logic Controller) z
analogowym i cyfrowym I/O,
- oprogramowanie musi pozwalać na: logowanie danych
procesowych dla każdego procesu oddzielnie (możliwość
wyboru parametrów cyfrowych i analogowych),
pokazywanie w czasie rzeczywistym zadanych i
aktualnych parametrów procesów, sterowanie ręczne, jak
również za pomocą wcześniej tworzonych przez
użytkowników receptur procesów technologicznych o
długości min. 25ms, automatyczną kontrolę nieszczelności
oraz kalibracji kontrolerów MFC, a także powinno
posiadać wielopoziomowy mechanizm nadawania praw
dostępu i uprawnień dla użytkowników, także dla
wybranych procesów,
- komputer sterujący (z systemem operacyjnym Windows
7) wraz z monitorem minimum 19” LCD (zestaw
komputerowy kompletny) zapewniający ergonomiczną,
płynną i bezproblemową pracę Urządzenia przy
korzystaniu z dedykowanego oprogramowania.
- Oprogramowanie musi pracować pod systemem
operacyjnym Windows 7.
16.
- Oprogramowanie musi mieć funkcje wstrzymania „hold”
(plazma ON w momencie przechodzenia do kolejnego
etapu procesu, plasma on when switching to a new process
step) i przycisk skoku „jump” (dla ręcznego przełączenia).
W ramach testu akceptacyjnego zostanie przeprowadzone
sprawdzenie poprawności działania wszystkich układów i
elementów Urządzenia poprzez przeprowadzenie testów
sprawdzających według norm producenta oraz następujące
testy, obejmujące wykonanie minimum 3 procesów
technologicznych charakteryzujących się następującymi
parametrami
(Procesy
zostaną
wybrane
przez
Zamawiającego):
1. Trawienie SiO2:
- Szybkość trawienia: 50nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1:1
- Selektywność do aluminium: co najmniej 50:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >87°
- głębokość trawienia w zakresie od 10 nm do min. 3 μm
2. Trawienie poliamidu:
- Szybkość trawienia: ~500nm/min ±5%
- Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 20:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >85°
3. Trawienie emulsji fotolitograficznych z powierzchni
półprzewodników i dielektryków:
- Szybkość trawienia: >100nm/min ±5%
- Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 50:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >70°
4. Trawienie Si:
- Szybkość trawienia: ~2000nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 50:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >88°
5. Trawienie SixNy:
- Szybkość trawienia: ~150nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1.5:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >85°
6. Osadzanie SiO2:
- Szybkość osadzania: co najwyżej 30nm/min
- Jednorodność procesu: ±3%
- Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co
najmniej 5 MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm)
- Współczynnik załamania światła dla 630nm ~1.45-1.5
6. Osadzanie azotek krzemu (SixNy):
- Szybkość osadzania: co najwyżej 10nm/min
- Jednorodność procesu: ±3%
- Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,9÷2,1
- Jednorodność grubości warstwy: ±2% (na podłożu
50mm),
- Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co
najmniej 5 MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm),
7. Osadzanie tlenko-azotku krzemu (SiOxNy):
- Szybkość osadzania: co najwyżej 15nm/min,
- Jednorodność procesu: ±3%,
- Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,5÷1,8
- Jednorodność grubości warstwy: ±2% (na podłożu
50mm),
- Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co
najmniej 5 MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm),
8. Osadzanie krzemu amorficznego (a-Si):
- Szybkość osadzania: co najwyżej 15nm/min,
- Jednorodność procesu: ±3%,
- Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,5÷1,8,
- Jednorodność grubości warstwy: ±3% (na podłożu
50mm).
9. Sprawdzenie selektywności procesu trawienia warstw
dielektrycznych (SiO2, Si3N4) względem różnych emulsji
fotolitograficznych oraz sprawdzenie powtarzalności
procesu trawienia.
18.
Testy te muszą zostać przeprowadzone na podłożach
dostarczonych przez Zmawiającego. Do pomiarów
spełnienia przez Urządzenie testów akceptacyjnych mogą
zostać
wykorzystane
urządzenia
pomiarowodiagnostyczne znajdujące się w laboratoriach Instytutu
Fizyki PAN. Do testów anizotropii trawionych profili
wykorzystany zostanie posiadany przez Zamawiającego
skaningowy mikroskop elektronowy.
Wymaga się wykonanie bezpłatnych przeglądów
technicznych po dwóch latach w okresie gwarancji,
obejmujących również serwisowanie, wymianę materiałów
ulegających zużyciu lub wymagających wymiany. Koszty
transportu, przeglądu, koszty materiałów wymienianych
oraz koszty wymiany tych materiałów ponosi Wykonawca.
Po zmianach:
Lp.
7.
11.
Wymagania
(wymagane parametry minimalne)
Stanowisko do trawienia związkami chloru ICP –
RIE (Inductively-Coupled Plasma for Reactive
Ion Etching)
System wytwarzania próżni w komorze reaktora:
- system próżni „suchej” składający się z układu pompy
próżni wstępnej i właściwej,
- do wytworzenia próżni wstępnej musi być wykorzystana
pompa bezolejowa o wydajności min.
90m3/h,
- do wytworzenia próżni właściwej musi być
wykorzystana pompa turbomolekularna z łożyskami
magnetycznymi, o wydajności min. 500l/s,
- pompa próżni wstępnej zainstalowana w pomieszczeniu
technicznym,
- układ próżniowy odporny na gazy korozyjne,
- układ zapewniający próżnię 5x10-6mbar
lub lepszą,
- automatyczna kontrola próżni wstępnej oraz próżni
podczas procesów trawienia.
Sterowanie Urządzenia:
sterowanie
komputerowe
z
dedykowanym
oprogramowaniem,
- sterowanie musi odbywać się za pomocą szybkiego
sterownika PLC (Programmable Logic Controller) z
analogowym i cyfrowym I/O,
- oprogramowanie musi pozwalać na: logowanie danych
procesowych dla każdego procesu oddzielnie (możliwość
wyboru parametrów cyfrowych i analogowych, które mają
Kolumna do wypełnienia przez
oferenta
Należy potwierdzić lub opisać *
podlegać logowaniu), pokazywanie w czasie rzeczywistym
zadanych i
aktualnych parametrów procesów, sterowanie ręczne, jak
również za pomocą wcześniej tworzonych przez
użytkowników receptur
procesów technologicznych o długości min. 25ms PLC,
automatyczną kontrolę nieszczelności oraz kalibracji
kontrolerów MFC, a także powinno posiadać
wielopoziomowy mechanizm nadawania praw dostępu i
uprawnień dla użytkowników, także dla wybranych
procesów,
- komputer sterujący (z systemem operacyjnym Windows
7) wraz z monitorem minimum 19” LCD (zestaw
komputerowy kompletny) zapewniający
ergonomiczną, płynną i bezproblemową pracę Urządzenia
przy korzystaniu z dedykowanego oprogramowania.
- Oprogramowanie musi pracować pod systemem
operacyjnym Windows 7.
- Oprogramowanie musi mieć funkcje wstrzymania
„hold” (plazma ON w momencie przechodzenia do
kolejnego etapu procesu, plasma on when switching to a
new process step) i przycisk skoku „jump” (
dla ręcznego przełączenia).
W ramach testu akceptacyjnego zostanie przeprowadzone
sprawdzenie poprawności działania wszystkich układów i
elementów Urządzenia
poprzez przeprowadzenie testów sprawdzających według
norm producenta oraz następujące testy,
obejmujące
wykonanie
minimum
2
procesów
technologicznych charakteryzujących się następującymi
parametrami
(Procesy
zostaną
wybrane
przez
Zamawiającego):
1. Trawienie GaN
- Szybkość trawienia: ~75nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 0,8:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°
16.
2.Trawienie GaN
- Szybkość trawienia: ~250nm/min ±5%
- Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej
10:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >85°
3.Trawienie Polikrzemu
- Szybkość trawienia: ~50nm/min ±5%
- Selektywność do SiO2: co najmniej 2:1
-Jednorodność procesu: ±5%
-Nachylenie ścian trawionych okien: >85°
4. Trawienie Dwutlenku hafnu (HfO2)
- Szybkość trawienia: większa niż 1nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >85°
5. Trawienie Trójtlenku aluminium (Al2O3)
- Szybkość trawienia: ~5nm/min ±5%
- Selektywność do niklu Ni: co najmniej 7:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°
6. Trawienie ZnO
- Szybkość trawienia: ~50nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1:1
- Selektywność do niklu Ni: co najmniej 7:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°,
7. Trawienie GaAs/AlGaAs
- Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 4:1
- Selektywność do GaAs:AlGaAs: co najmniej 50:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >88°
8. Trawienie CdTe
- Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°
9. Trawienie ZnSe
- Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°
17.
19.
Testy te muszą zostać przeprowadzone na podłożach
dostarczonych przez Zmawiającego. Do pomiarów
spełnienia przez Urządzenie testów akceptacyjnych mogą
zostać
wykorzystane
urządzenia
pomiarowo
diagnostyczne znajdujące się w laboratoriach Instytutu
Fizyki PAN. Do testów anizotropii trawionych profili
wykorzystany zostanie posiadany przez Zamawiającego
skaningowy mikroskop elektronowy.
Gazy robocze:
- urządzanie musi być podłączone do posiadanej instalacji
czystych gazów,
- linie gazowe doprowadzające gazy reakcyjne muszą być
wykonane ze stali nierdzewnej elektropolerowanej,
- spawania tylko orbitalne, system odprowadzania gazów
poreakcyjnych z pomp oraz z dozownika gazów powinien
być wyposażony w niezbędne
(wynikające z wykorzystywanych gazów i odpowiednich
przepisów) urządzenia utylizacji gazów poreakcyjnych
(scrubber), które pozwalają podłączyć ich wylot
bezpośrednio do instalacji wyciągowej. Scrubber/y
muszą mieć możliwość pomiaru przez użytkownika
wartości pH.
Neutralizator „absorber” musi być właściwy dla gazów
wymienionych.
Wymaga się wykonanie bezpłatnego przeglądu
technicznych po pod koniec okresu gwarancji,
obejmujących również serwisowanie, wymianę materiałów
ulegających zużyciu lub wymagających wymiany. Koszty
transportu, przeglądu, koszty materiałów wymienianych
oraz koszty wymiany tych materiałów ponosi Wykonawca.
Lp.
5.
8.
10.
12.
13.
Wymagania (wymagane parametry minimalne)
Stanowisko do trawienia związkami fluoru z
funkcjonalnością osadzania związków krzemu
ICP-PECVD (Inductively -Coupled Plasma–
Plasma - Enhanced Chemical Vapour Deposition)
Skasowano ten podpunkt.
System wytwarzania próżni w komorze procesowej:
- układ dwóch pomp próżni wstępnej i właściwej,
- do wytworzenia próżni wstępnej musi być wykorzystana
pompa bezolejowa,
- układ zapewniający próżnię ≤ 4x10-6 mbar,
- czas uzyskania próżni w komorze procesowej od
ciśnienia atmosferycznego do ciśnienia ≤4x10-6 mbar
wynosi t ≤12 godzin,
- układ próżniowy odporny na gazy korozyjne,
- układ zawierający pompę obrotową i turbomolekularną z
magnetycznymi łożyskami o wydajności minimum 500 l/s
oraz pompy wstępnej bezolejowej o wydajności
minimum 90m3/godzinę,
- automatyczna kontrola próżni wstępnej oraz próżni
podczas procesów osadzania i trawienia.
System musi mieć możliwość podłączenia w przyszłości
komory załadowczej/śluzy (vacuum loadlock) czy komory
załadowczej w postaci klastera (loadlock for clustering)
która umożliwi transfer próbek o różnych kształtach i
wymiarach od 5 mm x 5 mm do minimum 2 cali do
komory reakcyjnej. Producent musi zagwarantować
możliwość
podłączenia
śluzy
w
laboratorium
Zamawiającego.
Gazy robocze:
- urządzanie musi być podłączone do posiadanej instalacji
czystych gazów,
- system odprowadzania gazów poreakcyjnych z pomp
oraz z dozownika gazów powinien być wyposażony w
niezbędne (wynikające z wykorzystywanych gazów i
odpowiednich przepisów) urządzenia utylizacji gazów
poreakcyjnych (scrubber), które pozwalają podłączyć ich
wylot bezpośrednio do instalacji wyciągowej. Scrubber/y
muszą mieć możliwość pomiaru przez użytkownika
wartości pH.
Neutralizator „absorber” musi być właściwy dla gazów
wymienionych.
Sterowanie Urządzenia:
sterowanie
komputerowe
z
dedykowanym
oprogramowaniem,
- sterowanie musi odbywać się za pomocą szybkiego
sterownika PLC (Programmable Logic Controller) z
analogowym i cyfrowym I/O,
- oprogramowanie musi pozwalać na: logowanie danych
procesowych dla każdego procesu oddzielnie (możliwość
wyboru parametrów cyfrowych i analogowych),
pokazywanie w czasie rzeczywistym zadanych i
aktualnych parametrów procesów, sterowanie ręczne, jak
również za pomocą wcześniej tworzonych przez
użytkowników receptur procesów technologicznych o
długości min. 25ms PLC, automatyczną kontrolę
nieszczelności oraz kalibracji kontrolerów MFC, a także
powinno
posiadać
wielopoziomowy
mechanizm
nadawania praw dostępu i uprawnień dla użytkowników,
także dla wybranych procesów,
Kolumna do wypełnienia przez
oferenta
Należy potwierdzić lub opisać *
16.
- komputer sterujący (z systemem operacyjnym Windows
7) wraz z monitorem minimum 19” LCD (zestaw
komputerowy kompletny) zapewniający ergonomiczną,
płynną i bezproblemową pracę Urządzenia przy
korzystaniu z dedykowanego oprogramowania.
- Oprogramowanie musi pracować pod systemem
operacyjnym Windows 7.
- Oprogramowanie musi mieć funkcje wstrzymania „hold”
(plazma ON w momencie przechodzenia do kolejnego
etapu procesu, plasma on when switching to a new process
step) i przycisk skoku „jump” (dla ręcznego przełączenia).
W ramach testu akceptacyjnego zostanie przeprowadzone
sprawdzenie poprawności działania wszystkich układów i
elementów Urządzenia poprzez przeprowadzenie testów
sprawdzających według norm producenta oraz następujące
testy, obejmujące wykonanie minimum 3 procesów
technologicznych charakteryzujących się następującymi
parametrami
(Procesy
zostaną
wybrane
przez
Zamawiającego):
1. Trawienie SiO2:
- Szybkość trawienia: 30nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1:1
- Selektywność do aluminium: co najmniej 50:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >87°
- głębokość trawienia w zakresie od 10 nm do min. 3 μm
2. Trawienie poliamidu:
- Szybkość trawienia: ~500nm/min ±5%
- Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 20:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >85°
3. Trawienie emulsji fotolitograficznych z powierzchni
półprzewodników i dielektryków:
- Szybkość trawienia: >100nm/min ±5%
- Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 50:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >70°
4. Trawienie Si:
- Szybkość trawienia: ~2000nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 50:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >88°
5. Trawienie SixNy:
- Szybkość trawienia: ~150nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1.5:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >85°
6. Osadzanie SiO2:
- Szybkość osadzania: co najwyżej 8nm/min
- Jednorodność procesu: ±3%
- Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co
najmniej 5 MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm)
- Współczynnik załamania światła dla 630nm ~1.45-1.5
7. Osadzanie azotek krzemu (SixNy):
- Szybkość osadzania: co najwyżej 8nm/min
- Jednorodność procesu: ±3%
- Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,9÷2,1
- Jednorodność grubości warstwy: ±2% (na podłożu
50mm), na podłożach większych niż 2 cale ±5%,
- Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co
najmniej 5 MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm),
8. Osadzanie tlenko-azotku krzemu (SiOxNy):
- Szybkość osadzania: co najwyżej 8nm/min,
- Jednorodność procesu: ±3%,
- Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,5÷1,8
- Jednorodność grubości warstwy: ±2% (na podłożu
50mm), na podłożach większych niż 2 cale ±5%,
- Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co
najmniej 5 MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm),
9. Osadzanie krzemu amorficznego (a-Si):
- Szybkość osadzania: co najwyżej 7nm/min,
- Jednorodność procesu: ±3%,
- Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,5÷1,8,
- Jednorodność grubości warstwy: ±2% (na podłożu
50mm), na podłożach większych niż 2 cale ±5%,
10. Sprawdzenie selektywności procesu trawienia warstw
dielektrycznych (SiO2, Si3N4) względem różnych emulsji
fotolitograficznych oraz sprawdzenie powtarzalności
procesu trawienia.
18.
Testy te muszą zostać przeprowadzone na podłożach
dostarczonych przez Zmawiającego. Do pomiarów
spełnienia przez Urządzenie testów akceptacyjnych mogą
zostać
wykorzystane
urządzenia
pomiarowodiagnostyczne znajdujące się w laboratoriach Instytutu
Fizyki PAN. Do testów anizotropii trawionych profili
wykorzystany zostanie posiadany przez Zamawiającego
skaningowy mikroskop elektronowy.
Wymaga się wykonanie bezpłatnego przeglądu
technicznych po pod koniec okresu gwarancji,
obejmujących również serwisowanie, wymianę materiałów
ulegających zużyciu lub wymagających wymiany. Koszty
transportu, przeglądu, koszty materiałów wymienianych
oraz koszty wymiany tych materiałów ponosi Wykonawca.
Pełen opis w załączniku.
……………………………
……………………………
pieczęć adresowa Oferenta
data
Stanowisko do trawienia związkami chloru ICP-RIE (Inductively-Coupled Plasma for
Reactive Ion Etching) i związkami fluoru z funkcjonalnością osadzania związków
krzemu (ICP-PECVD – Inductively-Coupled Plasma – Plasma-Enhanced Chemical
Vapour Deposition) wchodzących w skład uniwersalnej linii technologicznej do badań
procesów wytwarzania nanostruktur i prototypów przyrządów półprzewodnikowych,
nadprzewodnikowych i metalicznych.
Wymagania (wymagane parametry minimalne)
Lp.
1.
2.
3.
4
Stanowisko do trawienia związkami chloru ICP-RIE
(Inductively-Coupled Plasma for Reactive Ion Etching)
Selektywne, kontrolowane i powtarzalne trawienie metodą ICP-RIE
warstw technologicznych w plazmie opartej o związki chloru.
Urządzenie stanowi integralną całość, ale musi zostać zapewniona
możliwość dołączenia Urządzenia do systemu urządzeń (ang. „cluster
tool”). Dozownik gazów roboczych (ang. gaspod/gasbox) oraz źródło
zasilania nie muszą być integralnymi częściami Urządzenia.
Urządzenie musi umożliwić trawienie miedzy innymi takich
materiałów jak: GaAs, GaAs/AlGaAs, InP, GaN, ZnO, Al, CdTe, ZnSe,
HfO2.
Komora procesowa:
- wykonana w całości z jednego bloku aluminiowego (full block of
Al),
- z połączeniem kołnierzowym o średnicy nie mniejszej niż
150mm dla efektywnego odpompowywania,
- flansza wejściowa o średnicy nie mniejszej niż 40mm z oknem
obserwacyjnym,
- dodatkowa flansza o średnicy nie mniejszej niż 40mm do
systemu detekcji końca procesu,
- wewnątrz brak połączeń skręcanych i spawanych,
- wykonywanie procesów dla płytek o wielkości od 5 mm x 5 mm
do 2’’ oraz dla płytek o nieregularnych kształtach,
- grzanie komory (np. rezystancyjnie) do co najmniej 60°C.
Obudowa Urządzenia:
- elementy kontrolne pracy Urządzenia zintegrowane w obudowie,
- obudowa zawiera w sobie pompy turbomolekularne i wszelkie
zawory.
Elektroda dolna:
- średnica elektrody dostosowana do przeprowadzania procesów
technologicznych na podłożach o wymiarach od 5mm x 5mm do
podłoży o średnicy co najmniej 50mm (2 cale),
- chłodzona wodą,
- zasilana ze źródła RF (13,56 MHz),
- aluminiowa przesłona maskująca uziemiona (osłona ‘ciemnego’
regionu - ang. dark space shield),
- regulacja temperatury elektrody podłożowej w minimalnym
zakresie od -30°C do 80°C przy dostarczonym chłodzeniu
wodnym, sterowanie za pomocą komputera,
- regulacja temperatury elektrody podłożowej w minimalnym
zakresie od -150°C do 400°C przy chłodzeniu LN2 włączając He
(ang. helium backside cooling),
- musi być dostarczony transfer do chłodzenia (transfer do
Kolumna do wypełnienia
przez oferenta
Należy potwierdzić lub
opisać *
.
5.
6.
7.
8.
9.
- połączenia elektrody podłożowej z posiadanym Dewar-em),
- średnica elektrody w zakresie od 200 mm do 220 mm.
Generator plazmy RF:
- generator RF o częstotliwości 13,56 MHz o mocy od co
najwyżej 30W do co najmniej 300W z układem automatycznego
dopasowania impedancji,
- kontrola mocy wychodzącej i/lub ujemnego potencjału
autopolaryzacji,
- wstępne niezależne, automatyczne dopasowanie impedancji
poprzez kondensatory dopasowujące dla każdego etapu procesu
sterowane z zaprogramowanych pozycji sterowanych za pomocą
komputera (work in automatic matching mode with preset
positions (from the PC, for each step)),
- praca z ustalonymi pozycjami kondensatorów sterowanych za
pomocą komputera na każdym etapie procesu (work with fixed
capacitor positions (from the PC, for each step)),
- praca w trybie automatycznego dopasowania impedancji (work in
automatic matching mode).
Źródło plazmy ICP:
- średnica źródła zoptymalizowana do przeprowadzania procesów
na podłożach do 50 mm (2 cale), z jednorodnością procesu ±5%,
- zoptymalizowane do pracy z małymi próbkami (5x5mm)do
maksymalnej średnicy 75 mm,
- źródło typu helical,
- generator o częstotliwości minimum 13,56 MHz o mocy od co
najwyżej 30W do co najmniej 300 W z układem automatycznego
dopasowania impedancji,
- układ dopasowania mocy wejściowej jako parametr procesowy
(Matching unit capacitor positions selectable as process
parameters),
- ekranowanie elektrostatyczne w celu minimalnego defektowania
podłoża oraz trawionych okien w trakcie procesu (With no
capacitance component, ie electrostatic shielding),
- flansza o średnicy 25mm w górnej elektrodzie do instalacji i
elipsometru laserowego - interferometru laserowego.
System wytwarzania próżni w komorze reaktora:
- system próżni „suchej” składający się z układu pompy próżni
wstępnej i właściwej,
- do wytworzenia próżni wstępnej musi być wykorzystana pompa
bezolejowa o wydajności min.
90m3/h,
- do wytworzenia próżni właściwej musi być wykorzystana pompa
turbomolekularna z łożyskami magnetycznymi, o wydajności min.
500l/s,
- pompa próżni wstępnej zainstalowana w pomieszczeniu technicznym,
- układ próżniowy odporny na gazy korozyjne,
- układ zapewniający próżnię 5x10-6mbar
lub lepszą,
- automatyczna kontrola próżni wstępnej oraz próżni podczas procesów
trawienia.
System pomiaru próżni w komorze reaktora:
- pomiar próżni do 100 mTorr,
- rozdzielczość wskaźnika co najmniej 1 mTorr,
- kompensacja temperaturowa.
System dostarczania gazów roboczych:
- dozownik gazów (ang. gaspod/gasbox) umożliwiający
dystrybucję minimum 8 typów gazów roboczych,
- dozownik gazów (ang. gaspod/gasbox) wyposażony w
przepływomierze (MFC) wykalibrowane na następujące gazy:
sześciofluorek siarki (SF6), chlor (Cl2), trójchlorek boru (BCl3),
10.
11.
12.
metan (CH4), azot analityczny (N), tlen (O2), argon (Ar), wodór
(H2),
- linie gazów szczególnie niebezpiecznych wyposażone w systemy
dodatkowego przedmuchu oraz tzw. „bypass”,
- linie gazowe doprowadzające gazy technologiczne do komory
procesowej elektropolerowane, spawane orbitalnie,
- każda linia gazowa wyposażona w filtr pyłów,
elektropneumatyczny zawór odcinający, linie gazowe z
„bypassem” powinny być wyposażone w min. 3 zawory,
- linie dostarczające gazy robocze oparte o chlor i bromowodór
charakteryzujące się dodatnim gradientem temperatury do
przepływomierza w celu eliminacji efektu kondensacji,
konieczność zachowania dodatniego gradientu temperatury od
butli z gazem aż do przepływomierza, tj. w przypadku
przechowywania butli w temp. ~20°C, linia gazowa musi być
utrzymywana w temperaturze ~35°C, natomiast przepływomierz
~40°C; zapobiega to kondensacji gazu w linii,
- wykorzystane złączki tylko typu VCR,
- system musi być wyposażony w odpowiedni komin i podłączony
do posiadanego systemu wentylacji.
Automatyczna komora załadowcza/śluza (vacuum loadlock):
- wykonana w całości z jednego bloku aluminiowego,
- objętość komory nie większa niż 5 litrów,
- wyposażona we własny system wytwarzający próżnię – pompa
próżni suchej wstępnej o wydajności min. 15m3/h i pompa
turbomolekularna o wydajności min. 70 l/s
- wyposażona w próżniomierze typu Pirani i Penning oraz zawory,
- komora załadowcza wyposażona w transfer do transportu próbek
o różnych kształtach o wymiarach od 5 mm x 5 mm do
minimum 2 cali do komory reakcyjnej.
Sterowanie Urządzenia:
- sterowanie komputerowe z dedykowanym oprogramowaniem,
- sterowanie musi odbywać się za pomocą szybkiego sterownika PLC
(Programmable Logic Controller) z analogowym i cyfrowym I/O,
- oprogramowanie musi pozwalać na: logowanie danych procesowych
dla każdego procesu oddzielnie (możliwość wyboru parametrów
cyfrowych i analogowych, które mają podlegać logowaniu),
pokazywanie w czasie rzeczywistym zadanych i
aktualnych parametrów procesów, sterowanie ręczne, jak również za
pomocą wcześniej tworzonych przez użytkowników receptur
procesów technologicznych o długości min. 25ms PLC, automatyczną
kontrolę nieszczelności oraz kalibracji kontrolerów MFC, a także
powinno posiadać wielopoziomowy mechanizm nadawania praw
dostępu i uprawnień dla użytkowników, także dla wybranych procesów,
- komputer sterujący (z systemem operacyjnym Windows 7) wraz z
monitorem minimum 19” LCD (zestaw komputerowy kompletny)
zapewniający
ergonomiczną, płynną i bezproblemową pracę Urządzenia przy
korzystaniu z dedykowanego oprogramowania.
- Oprogramowanie musi pracować pod systemem operacyjnym
Windows 7.
- Oprogramowanie musi mieć funkcje wstrzymania
„hold” (plazma ON w momencie przechodzenia do kolejnego etapu
procesu, plasma on when switching to a new process step) i przycisk
skoku „jump” (
dla ręcznego przełączenia).
Układ chłodzenia:
- wymaga się dostarczenia odpowiedniego układu do chłodzenia
zapewniającego stabilną prace całego systemu (układ chłodzenia
może być wspólny dla urządzeń ICP-RIE i ICP-PECVD),
-
13.
14.
15.
musi zapewniać chłodzenie pompy turbo, generatora plamy,
podłoża oraz innych komponentów urządzenia,
- układ do chłodzenia woda-powietrze,
- przepływ minimum 10 l/minutę,
- temperatura chłodziwa od 10 do 25°C.
Elipsometr laserowy - interferometr laserowy:
- wymaga się dostarczenia dedykowanego systemu do
monitorowania głębokości trawienia in-situ heterostruktur,
- monitorowanie głębokości trawienia in-situ heterostruktur dla
małych próbek 5x5mm oraz większych do minimum 50 mm,
- wyposażonego w kamerę CCD, stolik x/y z przesuwem w
zakresie ± 1cm oraz w dedykowany laser o długości 675 nm.
- wyposażony w odpowiednie oprogramowanie do pomiaru
głębokości trawienia heterostruktur.
- oprogramowanie do obsługi elipsometru laserowego musi być
zintegrowane z oprogramowaniem do obsługi ICP-RIE oraz ICPPECVD używając sygnału z elipsometru i jego pierwszej
pochodnej.
- system musi mieć możliwość przenoszenia i wykonywania
pomiarów zarówno u rządzeniu ICP-RIE i ICP-PECVD.
System efektywnego chłodzenia (kriogenicznego) elektrody
podłożowej zapewniający doskonały kontakt termiczny podłoża
półprzewodnikowego z elektrodą - dodatkowe wyposażenie w klemę
przytrzymującą podłoże, wykonaną z SiO2 lub innego materiału o
podobnej odporności, dostosowaną do podłoży: od 5x5mm do
minimum 50mm.
System musi być przystosowany do pracy w pomieszczeniu typu clean
room, minimum klasy 1000.
W ramach testu akceptacyjnego zostanie przeprowadzone sprawdzenie
poprawności działania wszystkich układów i elementów Urządzenia
poprzez przeprowadzenie testów sprawdzających według norm
producenta oraz następujące testy,
obejmujące wykonanie minimum 2 procesów technologicznych
charakteryzujących się następującymi parametrami (Procesy zostaną
wybrane przez Zamawiającego):
1. Trawienie GaN
- Szybkość trawienia: ~75nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 0,8:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°
16.
2.Trawienie GaN
- Szybkość trawienia: ~250nm/min ±5%
- Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej
10:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >85°
3.Trawienie Polikrzemu
- Szybkość trawienia: ~50nm/min ±5%
- Selektywność do SiO2: co najmniej 2:1
-Jednorodność procesu: ±5%
-Nachylenie ścian trawionych okien: >85°
4. Trawienie Dwutlenku hafnu (HfO2)
- Szybkość trawienia: większa niż 1nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >85°
5. Trawienie Trójtlenku aluminium (Al2O3)
- Szybkość trawienia: ~5nm/min ±5%
- Selektywność do niklu Ni: co najmniej 7:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°
6. Trawienie ZnO
- Szybkość trawienia: ~50nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1:1
- Selektywność do niklu Ni: co najmniej 7:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°,
7. Trawienie GaAs/AlGaAs
- Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 4:1
- Selektywność do GaAs:AlGaAs: co najmniej 50:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >88°
8. Trawienie CdTe
- Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°
9. Trawienie ZnSe
- Szybkość trawienia: ~100nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >80°
17.
18.
Testy te muszą zostać przeprowadzone na podłożach
dostarczonych przez Zmawiającego. Do pomiarów spełnienia przez
Urządzenie testów akceptacyjnych mogą zostać wykorzystane
urządzenia pomiarowo - diagnostyczne znajdujące się w laboratoriach
Instytutu Fizyki PAN. Do testów anizotropii trawionych profili
wykorzystany zostanie posiadany przez Zamawiającego skaningowy
mikroskop elektronowy.
Gazy robocze:
- urządzanie musi być podłączone do posiadanej instalacji czystych
gazów,
- linie gazowe doprowadzające gazy reakcyjne muszą być wykonane ze
stali nierdzewnej elektropolerowanej,
- spawania tylko orbitalne, system odprowadzania gazów
poreakcyjnych z pomp oraz z dozownika gazów powinien być
wyposażony w niezbędne
(wynikające z wykorzystywanych gazów i odpowiednich przepisów)
urządzenia utylizacji gazów poreakcyjnych (scrubber), które pozwalają
podłączyć ich wylot bezpośrednio do instalacji wyciągowej. Scrubber/y
muszą mieć możliwość pomiaru przez użytkownika wartości pH.
Neutralizator „absorber” musi być właściwy dla gazów wymienionych.
Maksymalne wymiary systemu (footprint): szerokość 68 cm, długość
190 cm, wysokość 200 cm.
19.
Wymaga się wykonanie bezpłatnego przeglądu technicznych po pod
koniec okresu gwarancji, obejmujących również serwisowanie,
wymianę materiałów ulegających zużyciu lub wymagających wymiany.
Koszty transportu, przeglądu, koszty materiałów wymienianych oraz
koszty wymiany tych materiałów ponosi Wykonawca.
20.
Wszystkie wtyczki, gniazda elektryczne, zasilanie, złącza wodne etc.
muszą być zgodne z polskimi standardami.
21.
22.
23.
24.
Producent musi potwierdzić, że posiada własne laboratorium
aplikacyjne od minimum 20 lat w zakresie aparatury ICP i posiada tam
minimum 4 systemy ICP.
Producent musi potwierdzić, że posiada zainstalowanych minimum 100
urządzeń to trawienia plazmowego ICP z śluzą.
Urządzenie musi posiadać Certyfikat zgodności z normą ISO
14001:2004 (zarządzanie środowiskiem).
System musi posiadać i spełniać wymogi norm CE:
- Dyrektywa Maszynowa - 2006/42 / WE,
- Dyrektywa niskonapięciowa LVD - 2006/95 / WE,
- Dyrektywa dotycząca kompatybilność elektromagnetycznej EMC
2004/108 / WE.
Wymagania (wymagane parametry minimalne)
Lp.
Stanowisko do trawienia związkami fluoru z
funkcjonalnością osadzania związków krzemu ICP-PECVD
(Inductively-Coupled Plasma – Plasma-Enhanced Chemical
Vapour Deposition)
1.
Selektywne, kontrolowane i powtarzalne trawienie metodą ICPPECVD warstw technologicznych w plazmie opartej o związki fluoru
(trawienia warstw dielektrycznych: SiO2, SiC, Si, Si3N4 oraz
krzemowych warstw półprzewodnikowych, usuwanie emulsji
fotolitograficznych oraz masek dielektrycznych z powierzchni
półprzewodników) z funkcją osadzania warstw dielektrycznych, m.in.:
osadzania dwutlenku krzemu (SiO2), azotku krzemu (Si3N4), tlenkuazotku krzemu (SiOxNy) oraz półprzewodnikowych (amorficznego
krzemu – a-Si) na podłożach półprzewodnikowych o średnicy do co
najmniej 50mm. Urządzenie stanowi integralną całość, ale musi zostać
zapewniona możliwość dołączenia Urządzenia do systemu urządzeń
(ang. „cluster tool”). Dozownik gazów roboczych (ang. gaspod/gasbox)
oraz źródło zasilania nie muszą być integralnymi częściami urządzenia.
2.
Komora procesowa:
- wykonana w całości z jednego bloku aluminiowego
- z połączeniem kołnierzowym o średnicy nie mniejszej niż
150mm w celu zapewnienia efektywnego pompowania komory–
jednakże pod warunkiem spełnienia parametrów związanych ze
sprawnością odpompowywania,
- flansza wejściowa o średnicy nie mniejszej niż 40 mm z oknem
obserwacyjnym,
- flansza dla systemu detekcji końca procesu,
- wewnątrz brak połączeń skręcanych i spawanych,
- wykonywanie procesów dla płytek o wielkości od 5 mm x 5 mm
do 2’’ oraz dla płytek o nieregularnych kształtach,
- grzanie ścian komory (np. rezystancyjnie) do co najmniej 60°C,
- grzanie układu pompowania, pump cylinder.
Kolumna do wypełnienia
przez oferenta
Należy potwierdzić lub
opisać *
3.
4.
5.
6.
7.
8.
Obudowa Urządzenia:
- elementy kontrolne pracy Urządzenia zintegrowane są w
obudowie,
- zawiera w sobie pompy i wszelkie zawory. (nie musi zawierać
pomp wstępnych).
Elektroda dolna:
- średnica elektrody dostosowana do przeprowadzania procesów
technologicznych na podłożach o wymiarach do minimum 50
mm,
- zasilana ze źródła RF (13,56 MHz),
- możliwość programowanego podgrzewania elektrody do min.
400°C z dokładnością ±10°C
- chłodzenie wodą bądź innym czynnikiem chłodzącym.
- aluminiowa przesłona maskująca uziemiona (osłona ‘ciemnego’
regionu - ang. dark space shield),
- regulacja temperatury elektrody podłożowej w minimalnym
zakresie od -30°C do 80°C,
- regulacja temperatury elektrody podłożowej w minimalnym
zakresie od -150°C do 400°C przy chłodzeniu LN2 włączając He
(ang. helium backside cooling), Zamawiający zapewnia LN2
dewar,
- średnica elektrody w zakresie od 200 mm do 220 mm.
Skasowano ten podpunkt.
Generacja plazmy RF:
- generator o częstotliwości 13,56 MHz o mocy od co najwyżej
30W do co najmniej 300 W z układem automatycznego
dopasowania impedancji,
- możliwość kontroli mocy wychodzącej i/lub ujemnego potencjału
autopolaryzacji,
- wstępne niezależne, automatyczne dopasowanie impedancji
poprzez kondensatory dopasowujące dla każdego etapu procesu
sterowane z zaprogramowanych pozycji sterowanych za pomocą
komputera (work in automatic matching mode with preset
positions (from the PC, for each step)),
- praca z ustalonymi pozycjami kondensatorów sterowanych za
pomocą komputera na każdym etapie procesu (work with fixed
capacitor positions (from the PC, for each step)),
- praca w trybie automatycznego dopasowania impedancji (work in
automatic matching mode).
Źródło plazmy ICP zoptymalizowane dla próbek maksymalnie 2
calowych:
- średnica źródła zoptymalizowana do przeprowadzania procesów
na podłożach do 50 mm (2 cale), z jednorodnością procesu ±5%,
- zoptymalizowane do pracy z małymi próbkami (5x5mm) do
maksymalnej średnicy 75 mm,
- źródło typu helical
- generator RF (f =13,56 MHz) z automatycznym dopasowaniem
impedancji,
- minimalna moc generatora P = 300 W,
- układ dopasowania mocy wejściowej jako parametr procesowy
(Matching unit capacitor positions selectable as process
parameters),
- z ekranowaniem elektrostatycznym (with no capacitance
component, ie electrostatic shielding),
- flansza o średnicy 25 mm w górnej elektrodzie do instalacji
elipsometru - interferometru laserowego.
System wytwarzania próżni w komorze procesowej:
- układ dwóch pomp próżni wstępnej i właściwej,
- do wytworzenia próżni wstępnej musi być wykorzystana pompa
bezolejowa,
9.
10.
11.
12.
13.
- układ zapewniający próżnię ≤ 4x10-6 mbar,
- czas uzyskania próżni w komorze procesowej od ciśnienia
atmosferycznego do ciśnienia ≤4x10-6 mbar wynosi t ≤12 godzin,
- układ próżniowy odporny na gazy korozyjne,
- układ zawierający pompę obrotową i turbomolekularną z
magnetycznymi łożyskami o wydajności minimum 500 l/s oraz pompy
wstępnej bezolejowej o wydajności minimum 90m3/godzinę,
- automatyczna kontrola próżni wstępnej oraz próżni podczas procesów
osadzania i trawienia.
System pomiaru próżni w komorze reaktora:
- pomiar próżni do 100 mTorr,
- rozdzielczość wskaźnika co najmniej 1 mTorr,
- kompensacja temperaturowa.
System musi mieć możliwość podłączenia w przyszłości komory
załadowczej/śluzy (vacuum loadlock) czy komory załadowczej w
postaci klastera (loadlock for clustering) która umożliwi transfer
próbek o różnych kształtach i wymiarach od 5 mm x 5 mm do
minimum 2 cali do komory reakcyjnej. Producent musi zagwarantować
możliwość podłączenia śluzy w laboratorium Zamawiającego.
System dostarczania gazów roboczych:
- dozownik gazów (gaspod/gasbox) umożliwiający dystrybucję co
najmniej 9 typów gazów roboczych,
- dozownik gazów (gaspod/gasbox) wyposażony w
przepływomierze (MFC) wykalibrowane na następujące gazy:
silan (SiH4), podtlenek azotu (N2O), tlen (O2), argon (Ar), wodór
(H2), azot (N2), sześciofluorek siarki (SF6), trifluorometan
(CHF3), octafluorocyclobutane (C4F8),
- linie gazów szczególnie niebezpiecznych (np. silan, czterofluorek
węgla) wyposażone w systemy dodatkowego przedmuchu oraz
tzw. ‘bypas’,
- pierścień do dystrybucji gazów umożliwiający procesy ICP
PECVD,
- linie gazowe doprowadzające gazy technologiczne do komory
procesowej elektropolerowane, spawane orbitalnie,
- wszystkie zastosowane złączki typu VCR,
- każda linia gazowa wyposażona w filtr pyłów,
elektropneumatyczny zawór odcinający, natomiast linie gazowe z
‘bypasem’ powinny być wyposażone w min. 3 zawory,
- system musi być wyposażony w odpowiedni komin i podłączony
do posiadanego systemu wentylacji.
Gazy robocze:
- urządzanie musi być podłączone do posiadanej instalacji czystych
gazów,
- system odprowadzania gazów poreakcyjnych z pomp oraz z
dozownika gazów powinien być wyposażony w niezbędne (wynikające
z wykorzystywanych gazów i odpowiednich przepisów) urządzenia
utylizacji gazów poreakcyjnych (scrubber), które pozwalają podłączyć
ich wylot bezpośrednio do instalacji wyciągowej. Scrubber/y muszą
mieć możliwość pomiaru przez użytkownika wartości pH.
Neutralizator „absorber” musi być właściwy dla gazów wymienionych.
Sterowanie Urządzenia:
- sterowanie komputerowe z dedykowanym oprogramowaniem,
- sterowanie musi odbywać się za pomocą szybkiego sterownika PLC
(Programmable Logic Controller) z analogowym i cyfrowym I/O,
- oprogramowanie musi pozwalać na: logowanie danych procesowych
dla każdego procesu oddzielnie (możliwość wyboru parametrów
cyfrowych i analogowych), pokazywanie w czasie rzeczywistym
zadanych i aktualnych parametrów procesów, sterowanie ręczne, jak
również za pomocą wcześniej tworzonych przez użytkowników
receptur procesów technologicznych o długości min. 25ms PLC,
14.
15.
16.
automatyczną kontrolę nieszczelności oraz kalibracji kontrolerów
MFC, a także powinno posiadać wielopoziomowy mechanizm
nadawania praw dostępu i uprawnień dla użytkowników, także dla
wybranych procesów,
- komputer sterujący (z systemem operacyjnym Windows 7) wraz z
monitorem minimum 19” LCD (zestaw komputerowy kompletny)
zapewniający ergonomiczną, płynną i bezproblemową pracę
Urządzenia przy korzystaniu z dedykowanego oprogramowania.
- Oprogramowanie musi pracować pod systemem operacyjnym
Windows 7.
- Oprogramowanie musi mieć funkcje wstrzymania „hold” (plazma ON
w momencie przechodzenia do kolejnego etapu procesu, plasma on
when switching to a new process step) i przycisk skoku „jump” (dla
ręcznego przełączenia).
Układ chłodzenia:
- wymaga się dostarczenia odpowiedniego układu do chłodzenia
zapewniającego stabilną prace całego systemu (układ chłodzenia
może być wspólny dla urządzeń ICP-RIE i ICP-PECVD),,
- musi zapewniać chłodzenie pompy turbo, generatora plamy,
podłoża oraz innych komponentów urządzenia,
- układ do chłodzenia woda-powietrze,
- przepływ minimum 10 l/minutę,
- temperatura chłodziwa od 10 do 25°C.
System musi być przystosowany do pracy w pomieszczeniu typu clean
room, minimum klasy 1000.
W ramach testu akceptacyjnego zostanie przeprowadzone sprawdzenie
poprawności działania wszystkich układów i elementów Urządzenia
poprzez przeprowadzenie testów sprawdzających według norm
producenta oraz następujące testy, obejmujące wykonanie minimum 3
procesów technologicznych charakteryzujących się następującymi
parametrami (Procesy zostaną wybrane przez Zamawiającego):
1. Trawienie SiO2:
- Szybkość trawienia: 30nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1:1
- Selektywność do aluminium: co najmniej 50:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >87°
- głębokość trawienia w zakresie od 10 nm do min. 3 μm
2. Trawienie poliamidu:
- Szybkość trawienia: ~500nm/min ±5%
- Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 20:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >85°
3.
Trawienie
emulsji
fotolitograficznych
z
powierzchni
półprzewodników i dielektryków:
- Szybkość trawienia: >100nm/min ±5%
- Selektywność do dwutlenku krzemu: co najmniej 50:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >70°
4. Trawienie Si:
- Szybkość trawienia: ~2000nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 50:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >88°
5. Trawienie SixNy:
- Szybkość trawienia: ~150nm/min ±5%
- Selektywność do fotorezystu: co najmniej 1.5:1
- Jednorodność procesu: ±5%
- Nachylenie ścian trawionych okien: >85°
6. Osadzanie SiO2:
- Szybkość osadzania: co najwyżej 8nm/min
- Jednorodność procesu: ±3%
- Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co najmniej 5
MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm)
- Współczynnik załamania światła dla 630nm ~1.45-1.5
7. Osadzanie azotek krzemu (SixNy):
- Szybkość osadzania: co najwyżej 8nm/min
- Jednorodność procesu: ±3%
- Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,9÷2,1
- Jednorodność grubości warstwy: ±2% (na podłożu 50mm), na
podłożach większych niż 2 cale ±5%,
- Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co najmniej 5
MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm),
8. Osadzanie tlenko-azotku krzemu (SiOxNy):
- Szybkość osadzania: co najwyżej 8nm/min,
- Jednorodność procesu: ±3%,
- Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,5÷1,8
- Jednorodność grubości warstwy: ±2% (na podłożu 50mm), na
podłożach większych niż 2 cale ±5%,
- Natężenie pola elektrycznego przebicia warstwy: co najmniej 5
MV/cm (dla warstwy o grubości 200nm),
9. Osadzanie krzemu amorficznego (a-Si):
- Szybkość osadzania: co najwyżej 7nm/min,
- Jednorodność procesu: ±3%,
- Współczynnik załamania światła (dla ~630nm): 1,5÷1,8,
- Jednorodność grubości warstwy: ±2% (na podłożu 50mm), na
podłożach większych niż 2 cale ±5%,
10. Sprawdzenie selektywności procesu trawienia warstw
dielektrycznych (SiO2, Si3N4) względem różnych emulsji
fotolitograficznych oraz sprawdzenie powtarzalności procesu trawienia.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
Testy te muszą zostać przeprowadzone na podłożach dostarczonych
przez Zmawiającego. Do pomiarów spełnienia przez Urządzenie testów
akceptacyjnych mogą zostać wykorzystane urządzenia pomiarowodiagnostyczne znajdujące się w laboratoriach Instytutu Fizyki PAN. Do
testów anizotropii trawionych profili wykorzystany zostanie posiadany
przez Zamawiającego skaningowy mikroskop elektronowy.
Maksymalne wymiary systemu (footprint): szerokość 68 cm, długość
190 cm, wysokość 200 cm.
Wymaga się wykonanie bezpłatnego przeglądu technicznych po pod
koniec okresu gwarancji, obejmujących również serwisowanie,
wymianę materiałów ulegających zużyciu lub wymagających wymiany.
Koszty transportu, przeglądu, koszty materiałów wymienianych oraz
koszty wymiany tych materiałów ponosi Wykonawca
Wszystkie wtyczki, gniazda elektryczne, zasilanie, złącza wodne etc.
muszą być zgodne z polskimi standardami.
Producent musi potwierdzić, że posiada własne laboratorium
aplikacyjne od minimum 20 lat w zakresie aparatury ICP i posiada tam
minimum 4 systemy ICP.
Producent musi potwierdzić, że posiada zainstalowanych minimum 100
urządzeń to trawienia plazmowego ICP z śluzą.
Urządzenie musi posiadać Certyfikat zgodności z normą ISO
14001:2004 (zarządzanie środowiskiem).
System musi posiadać i spełniać wymogi norm CE:
- Dyrektywa Maszynowa - 2006/42 / WE,
- Dyrektywa niskonapięciowa LVD - 2006/95 / WE,
- Dyrektywa dotycząca kompatybilność elektromagnetycznej EMC
2004/108 / WE.
* Nieprecyzyjne lub niedokładne wypełnienie kolumny tabeli skutkować będzie odrzuceniem
oferty.
…………………………
podpis i pieczęć imienna Oferenta