Przyrządy półprzewodnikowe

Karta informacyjna przedmiotu
Przedmiot: Przyrządy półprzewodnikowe
Obowiązkowy
Wydział:
Fakultatywny
Elektroniki
Rodzaj studiów:
Kierunek:
Specjalność:
Studia magisterskie
Elektronika i telekomunikacja
Wszystkie specjalności
godzin w semestrze/ rygor ( egz., zal.)
Semestr Razem
wykłady ćwiczenia
laboratoria
projekt
przejściowy
seminarium
Pracownia
problemowa
Punkty ECTS
II
45
25 / zal.
4
16 / zal.
4
III
45
29 /egz.
4
12 / zal.
4
Osoba odpowiedzialna: dr hab. inż. Kazimierz Pluciński, prof. WAT
Jednostka realizująca:
Zakład Układów Elektronicznych / IPE
CELE KSZTAŁCENIOWE:
Nauczyć budowy, zasad działania, charakterystyk elektrycznych i parametrów oraz schematów zastępczych
typowych elementów półprzewodnikowych, prawidłowego wykorzystania elementów w układach elektronicznych,
zasad korzystania z danych katalogowych.
BEZPOŚREDNIE POWIĄZANIE PRZEDMIOTU Z INNYMI PRZEDMIOTAMI :
wymagane wiadomości z:
Matematyki
Fizyki
Obwodów i sygnałów elektrycznych
podbudowuje przedmioty:
Kształcenia specjalistycznego
TREŚĆ PROGRAMU :
Cz.1.
Elementy fizyki i technologii półprzewodników. Energetyczny model pasmowy, mechanizmy transportu nośników.
+
+
Złącze p-n. Charakterystyki I(U), praca statyczna, małosygnałowa, wielkosygnałowa; złącza p - n . Złącza m-s.
Podstawowe zjawiska fizyczne, charakterystyki statyczne. Heterozłącza. Podstawowe zjawiska fizyczne,
charakterystyki. Diody półprzewodnikowe. Diody prostownicze, uniwersalne, stabilizacyjne, impulsowe,
ładunkowe, tunelowe, mikrofalowe. Tranzystory bipolarne. Struktura, układy włączenia, charakterystyki, zakresy
pracy, praca statyczna, małosygnałowa, częstotliwości graniczne, praca wielkosygnałowa, tranzystory mocy,
wielkich częstotliwości, parametry szumowe elementu czynnego.
Cz.2.
Tranzystory polowe złączowe. Budowa, zasada działania, charakterystyki i parametry elektryczne. Tranzystory
z izolowaną bramką. Struktura MIS, podstawowe zjawiska fizyczne; konstrukcja tranzystorów SCMIS oraz
BCMIS; praca statyczna, małosygnałowa, wielkosygnałowa; struktury CCD; szumy w tranzystorach MIS; tetroda
MIS. Tranzystory IGBT. Budowa, zasada działania. Przyrządy mikrofalowe aktywne. Diody przelotowe, TE;
tranzystory MESFET, MODFET. Elementy przełącznikowe. Tranzystor jednozłączowy, tyrystory. Elementy
optoelektroniczne. Fotodetektory, fotoogniwa; diody elektroluminescencyjne, transoptory, charakterystyki,
parametry, zastosowania.
LITERATURA :
1. K. Pluciński, Przyrządy półprzewodnikowe – Wydanie II, Warszawa WAT, 2000
2. W. Brejwo, J. Ćwirko, M. Miczuga, J. Pietrzak, Laboratorium przyrządów półprzewodnikowych, Warszawa
WAT, 2003
METODY OCENY :
Kolokwia - po cz. 1.
Laboratorium – kolokwia wstępne, sprawozdania.
Egzamin – w formie pisemnej, można przystąpić pod warunkiem zaliczenia cz. 1 oraz ćwiczeń laboratoryjnych.