SiEMBM instrukcja "Opis XAFS"
Transkrypt
SiEMBM instrukcja "Opis XAFS"
Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów Część I Metody XAFS Autor: dr inŜ. Anna Pietnoczka e-mail: [email protected] Spis treści: 2 3 4 5 1. Absorpcja promieniowania rentgenowskiego: 1.1 Oddziaływanie promieni Roentgena z materią 1.2 Subtelna struktura widma absorpcji promieniowania rentgenowskiego 1.3 Metoda EXAFS 1.3.1 Funkcja EXAFS 1.3.2 Analiza danych doświadczalnych 1.3.3 Dopasowanie widma teoretycznego EXAFS do widma doświadczalnego 1.4 Metoda XANES 1.4.1 Analiza danych doświadczalnych Metody pomiaru współczynnika absorpcji Laboratorium Sprawozdanie Przykładowe pytania 1. Absorpcja promieniowania rentgenowskiego 1.1. Oddziaływanie promieni Roentgena z materią. Podczas przejścia promieniowania rentgenowskiego przez materię następuje zmniejszenie jego natęŜenia w wyniku następujących zjawisk fizycznych (wzór 1.1): − efekt fotoelektryczny; − rozpraszanie Comptona (nieelastyczne); − rozpraszanie Thomsona (elastyczne); − tworzenie par. I = I 0 exp (− µt ) gdzie: I0 – I– µ– t– natęŜenie promieniowania padającego na próbkę; natęŜenie promieniowania po przejściu przez próbkę; współczynnik absorpcji; grubość próbki. (1.1) Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS Przy stosunkowo małych energiach fotonów promieniowania, z jakimi zwykle spotykamy się w rentgenografii strukturalnej, osłabienie natęŜenia promieniowania przy przejściu przez materię jest spowodowane głównie absorpcją w wyniku efektu fotoelektrycznego. Przekrój czynny na efekt fotoelektryczny jest 2-3 rzędy wielkości większy od przekroju czynnego na rozpraszanie (rys 1.1). Rysunek 1.1. Przekrój czynny na absorpcję fotonu dla miedzi [52]. Krzywa przekroju czynnego na efekt fotoelektryczny (rys. 1.1) wykazuje serię nieciągłości przy pewnych wartościach energii fotonu. Nieciągłości te, to krawędzie absorpcji, które są charakterystyczną cechą energetycznej zaleŜności współczynnika absorpcji. Występują one, gdy energia padającego promieniowania X osiągnie wartości energii wiązania elektronu w atomie, wówczas elektrony znajdujące się na wewnętrznych powłokach K, L, M zostają przeniesione na wyŜsze poziomy energetyczne lub do kontinuum stanów (rysunek 1.2). Przejścia dipolowe elektryczne spełniają poniŜsze reguły wyboru: ∆l= ±1; ∆s=±1; ∆j=±1; ∆m=±1; gdzie: l,s,j,m – oznaczenia liczb kwantowych. Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS Rysunek 1.2. Przejścia cia elektronów w atomie pod wpływem promieniowania X: a) schemat przejść z powłok K, L, M, b) zaleŜność współczynnika absorpcji promieniowania w funkcji długoś długości długo fali padającego cego promieniowania. 1.2. Subtelna struktura widma absorpcji promieniowania rentgenowskiego Widmo absorpcji promieniowania synchrotronowego dla danej krawędzi krawę kraw posiada charakterystyczny przebieg, który zawiera informacj informację o strukturze atomowej i elektronowej badanego układu. Widmo to moŜna podzieli podzielić na dwie części (rys 1.3): 1. XANES (X-ray Absorption Near-Edge Structure ) – do ok. 50 eV ponad krawędzią absorpcji; 2. EXAFS (Extended X-ray Absorption Fine Structure) – powyŜej 50 eV ponad krawędzią absorpcji. 0,8 EXAFS XANES 0,6 ln (I0 / It) 0,4 0,2 0,0 -0,2 12600 12800 13000 13200 13400 energia (eV) Rysunek 1.3. Schematycznie zaznaczony zakres XANES i EXAFS spektroskopii subtelnej struktury widma absorpcji Uzasadnienie fizyczne i wyjaśnienie wyjaśnienie podziału na dwa obszary subtelnej struktury promieniowania X jest następujące: pujące: Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS W obszarze XANES, w którym energia kinetyczna fotoelektronów, wygenerowanych w wyniku absorpcji, równa się maksymalnie 50 eV, dominującą rolę odgrywają wielokrotne rozproszenia. W obszarze EXAFS energia kinetyczna fotoelektronów jest równa od 50 eV do 1000 eV i dominują w nim jednokrotne rozproszenia. Pominięcie wielokrotnych rozproszeń w obszarze EXAFS umoŜliwia istotne uproszczenie opisu matematycznego zachodzących zjawisk. Na poniŜszym rysunku schematycznie zaznaczone są pojedyncze i wielokrotne rozproszenia: Rysunek 1.4. Schemat pojedynczych i wielokrotnych rozproszeń. Zaletą obu metod jest selektywność ze względu na rodzaj atomu oraz duŜa czułość, co pozwala na stosowanie ich do próbek o małej zawartości absorbentu. 1.3. EXAFS Przyczyną powstawania subtelnego widma absorpcji w obszarze EXAFS jest interferencja funkcji falowej fotoelektronu z funkcją falową tego samego fotoelektronu rozproszonego wstecznie na atomach z sąsiedztwa atomu absorbującego (rys. 1.5). Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS Rysunek 1.5. Mechanizm powstawania EXAFS Zmieniając długość fali fotoelektronu uzyskuje się si interferencję konstruktywn konstruktywną bądź destruktywną,, co w widmie absorpcji uwidacznia się si w postaci kolejnych maksimów i minimów (rys. 1.6). Analizując ąc oscylacje funkcji EXAFS moŜemy mo uzyskaćć informacje o rodzaju, liczbie i połoŜeniu eniu sąsiednich sąsiednich atomów, oraz o termicznym i strukturalnym nieporządku. Konstruktywna interferencja Destruktywna interferencja Rysunek 1.6. Wpływ rodzaju interferencji na widmo EXAFS. Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS 1.3.1. Funkcja EXAFS ZaleŜność pomiędzy współczynnikiem absorpcji a wektorem falowym fotoelektronów w obszarze struktury subtelnej jest wyraŜona wzorem: µ(k) = µ0 (k)*[1+ χ(k)] (1.2) gdzie: µ0(k) – wartość współczynnika absorpcji dla izolowanego atomu centralnego; χ(k) – poprawka do absorpcji uwzględniająca efekt interferencji, czyli strukturę subtelną krzywej µ(k), tzw. funkcja EXAFS. PoniewaŜ przyjmuje się, Ŝe w obszarze EXAFS dominują pojedyncze rozproszenia i fala fotoelektronu jest falą płaską, funkcję EXAFS moŜna opisać równaniem: χ (k ) = ∑ j 2R j 2 − exp − 2k 2σ 2j sin (2kR j + δ j (k )) ( ) S T k , Z exp 0 j j 2 kR j λ (k ) Nj ( ) (1.3) gdzie: j– Nj – Rj – Tj(k, Zj) – λ– sin(2kRj +δj(k)) – δj(k) – numer kolejnej strefy koordynacyjnej wokół atomu absorbującego; ilość atomów w danej strefie koordynacyjnej; odległość j-tej strefy od atomu absorbującego; amplituda rozpraszania; średnia droga swobodna; czynnik interferencyjny; funkcja opisująca przesunięcie fazowe. Przesunięcie fazowe jest sumą przesunięcia fazowego pochodzącego od atomu absorbującego i przesunięcia fazowego pochodzącego od atomu rozpraszającego. Przesunięcie fazowe i amplituda rozpraszania zaleŜą od liczby falowej k i od rodzaju atomu, dzięki czemu moŜliwe jest rozpoznanie rodzaju atomu w metodzie EXAFS. Parametr S02(k) uwzględnia wzbudzenia wieloelektronowe i odpowiedzialny jest za redukcję amplitudy funkcji EXAFS. Jego wartość w zaleŜności od atomu absorbującego i energii fotoelektronu wynosi od 0,7 do 0,9. 2R j , związany z parametrem zwanym średnią drogą swobodną Czynnik: exp − λ ( k ) λ(k), uwzględnia skończony czas Ŝycia układu: wzbudzony atom – fotoelektron. Za ten efekt Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS są odpowiedzialne dwa procesy fizyczne. Skończony czas Ŝycia dziury na wewnętrznej powłoce atomu centralnego oraz skończony czas Ŝycia fotoelektronu dla procesów nie spręŜystych w próbce. ( Czynnik Debye’a - Wallera: exp − 2k 2σ 2j ) określa nieporządek termiczny i strukturalny. Zakłada się, Ŝe odległości atomów od atomu centralnego i drgania termiczne atomów wokół połoŜenia równowagi opisuje rozkład Gaussa o średniej odległości rj i odchyleniu standardowym σj2. W metodzie EXAFS wartość odchylenia standardowego σj2 jest uznawana za miarę nieporządku termicznego i strukturalnego i nazywana jest czynnikiem Debye’a - Wallera. Analiza czynników redukujących amplitudę funkcji EXAFS wykazuje, Ŝe funkcja ta jest czuła na najbliŜsze otoczenie atomu centralnego (maksymalnie ok. 1nm). Dzięki temu oscylacje w zakresie EXAFS moŜna zaobserwować zarówno dla kryształów, jak i próbek amorficznych. Nie jest istotny takŜe stan skupienia próbki, pod warunkiem, Ŝe zachowane jest uporządkowanie krótkozasięgowe. WaŜną zaletą metody jest moŜliwość stosowania jej przy jednoczesnym oddziaływaniu na badany preparat. MoŜna dzięki temu kontrolować wpływ innych parametrów fizycznych takich jak np.: ciśnienie, temperatura, wartość pola magnetycznego lub elektrycznego. EXAFS ma teŜ słabe strony, o których trzeba powiedzieć. Nie jest moŜliwe rozróŜnienie pierwiastków znajdujących się obok siebie w układzie okresowym. Podobny przebieg amplitud wstecznego rozpraszania i funkcji przesunięć fazowych, uniemoŜliwia rozróŜnianie takich atomów wśród sąsiadów. W takiej sytuacji moŜna określić tylko ile atomów obu pierwiastków jest wokół atomu absorbującego. Analogicznym przypadkiem jest sytuacja, gdy funkcje przesunięć fazowych róŜnią się w przybliŜeniu o wielokrotność π. Problem występuje równieŜ, gdy kilka stref koordynacyjnych tego samego rodzaju atomów mieści się w zakresie analizowanego maksimum transformaty Fouriera funkcji χ(k), poniewaŜ konieczne staje się nieliniowe dopasowywanie zakładanego układu atomów do danych doświadczalnych z duŜą liczbą parametrów dopasowywania. 1.3.2. Analiza danych doświadczalnych Pierwszy i najwaŜniejszy krok w analizie danych polega na wyznaczeniu, na podstawie zmierzonego widma (µ(E)), doświadczalnej krzywej EXAFS (χ(k)) (wzór 1.2). Krzywą EXAFS otrzymuje się w trzech etapach analizy: Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS 1. Wyznaczanie tła - Krzywą tła otrzymuje się poprzez dopasowanie jej do punktów widma EXAFS poniŜej progu absorpcji. Kształt wyznaczonego przebiegu zaleŜy od zakresu danych pomiarowych poniŜej progu. Najczęściej stosowaną funkcją tła jest tzw. Victoreen, wielomian o postaci ogólnej Aλ3-Bλ4, gdzie λ to długość fali promieniowania, zaś A i B to współczynniki. Postać tego wielomianu jest czysto empiryczna. Otrzymane tło, po ekstrapolacji do obszaru powyŜej progu, odejmuje się od krzywej wyznaczonej doświadczalnie. 2. Wyznaczanie współczynnika absorpcji dla izolowanego atomu (µ0) - Wielkości µ0 jest to hipotetyczny przebieg współczynnika absorpcji dla atomu izolowanego, czyli nieposiadającego w swoim sąsiedztwie innych atomów. Wartość ta zostaje przybliŜona wielomianem, który jest otrzymywany poprzez dopasowanie monotonicznej krzywej (tzw. funkcji wygładzania - z ang.: smoothing spline) do wartości µ powyŜej progu absorpcji. Metoda „wygładzania” polega na wyznaczeniu funkcji µ0 jako złoŜenia wielomianów róŜnego stopnia. 3. Wyliczanie energii progu absorpcji – etap ten polega na przekształceniu dziedziny funkcji χ(E) na dziedzinę liczby falowej fotoelektronu k zgodnie ze wzorem: k= 2m(E − E0 ) ℏ2 (1.6) gdzie: m– E0 – masa elektronu; wartość energii progu absorpcji. Otrzymana w ten sposób funkcja EXAFS zawiera oscylacje pochodzące od poszczególnych stref koordynacyjnych, a częstotliwość tych oscylacji zaleŜy od odległości atomów od atomu absorbującego. Funkcja χ(k) jest określona w przestrzeni wektora falowego k. WaŜną własnością tej przestrzeni jest jej sprzęŜenie przez transformatę Fouriera z przestrzenią wektora r. Wykonując transformatę Fouriera otrzymuje się krzywa przypominającą radialny rozkład wokół badanego atomu. Transformatę Fouriera funkcji χ(k) oblicza się korzystając z zaleŜności: FT (r ) = gdzie: 1 2π kmax ∫k kmin n χ (k )W (k ) exp(2ikr )dk (1.7) Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS funkcja okna, którą stosuje się w celu zmniejszenia błędów odcięcia wynikających z faktu, Ŝe doświadczalne dane stanowią zbiór skończony; czynnik waŜący, przez który mnoŜy się funkcję EXAFS, aby wzmocnić słabe oscylacje dla duŜych wartości k (n=1,2,3). W(k) – kn – Moduł transformaty Fouriera wykazuje maksima dla poszczególnych promieni koordynacyjnych. Pozwala to wyznaczyć liczbę widocznych w EXAFS stref koordynacyjnych oraz bezpośrednio z wykresu odczytać wartość Rj dla kaŜdej strefy. NaleŜy jednak pamiętać, Ŝe otrzymane maksima występują dla mniejszych wartości R niŜ rzeczywiste odległości międzyatomowe, a jest to spowodowane pominięciem przesunięć fazowych występujących przy rozproszeniu. Rysunek 1.7 przedstawia przykład modułu transformaty Fouriera. W dalszej części pracy moduł transformaty Fouriera opisywany będzie symbolem |χ(R)|. 2,0 -3 |χ(R)|(Å ) 1,5 1,0 0,5 0,0 0 1 2 3 4 5 6 R (Å ) Rysunek 1.7. Moduł transformaty Fouriera (|χ(R)|) GaMnAs (krawędź K manganu). 1.3.3. Dopasowanie widma teoretycznego EXAFS do widma doświadczalnego Następny krok w analizie danych doświadczalnych to uzyskanie informacji o strukturze badanego materiału. Informacje te uzyskuje się poprzez dopasowanie widma teoretycznego EXAFS (χT) do widma eksperymentalnego (χE). Aby obliczyć widmo teoretyczne naleŜy wyznaczyć przesunięcia fazowe i amplitudy rozpraszania. Pochodzą one z obliczeń Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS teoretycznych lub z pomiarów struktur wzorcowych. W wyniku dopasowania otrzymuje się parametry: Rj, Nj, σj (wzór 1.3). Dopasowywanie funkcji EXAFS moŜna wykonywać w przestrzeni wektora falowego k lub w przestrzeni r. W obu przestrzeniach dopasowywanie przeprowadzane jest w skończonym przedziale. W przestrzeni k określenie przedziału polega na pominięciu krawędzi absorpcji dla małych k i silnego szumu pomiarowego dla duŜych k. W przestrzeni r obszar dopasowywania jest ograniczony do wybranych stref koordynacyjnych poprzez wybranie odpowiadających im pików w |χ(R)|. MoŜliwe jest teŜ przeprowadzenie dopasowania w przestrzeni k dla jednej powłoki koordynacyjnej. W tym celu wybiera się daną strefę koordynacyjną i wykonuje się odwrotną transformatę Fouriera tej strefy. Obliczając odwrotną transformatę Fouriera odseparowanej strefy, otrzymujemy wkład do funkcji EXAFS pochodzący od j-tej strefy. Istnieją róŜne metody oszacowania jakości dopasowania. W programie Artemis jakość dopasowania opisują trzy parametry: χ2; χν2; R–factor. W programie tym parametr χ2 zdefiniowany jest następująco: 2 χ = N idp Nε 2 N ∑ {[Re( f )] + [Im( fi )] } 2 2 (1.8) i i =1 gdzie: N– ε– liczba punktów pomiarowych w obszarze dopasowywania: N=2(Rmax– Rmin)/δr bądź N=2(kmax–kmin)/δk (odpowiednio w przestrzeni r i k). Liczba ta zaleŜy od dobranego przedziału oraz kroku δr lub δk, czyli odległości pomiędzy sąsiednimi punktami dopasowania; niepewność pomiarowa. Zakłada się stałą wartość ε dla wszystkich punktów pomiarowych; fi – funkcja, której sumę kwadratów róŜnic pomiędzy widmem eksperymentalnym a teoretycznym minimalizuje się w procesie dopasowywania: - dla dopasowywania w przestrzeni k: fi = χdata (ki) - χmodel (ki); - dla dopasowywania w przestrzeni r: fi = χdata (Ri) - χmodel (Ri); Nidp – liczba niezaleŜnych punktów pomiarowych w widmie. N idp = 2(k max − k min )(Rmax − R min ) π + 2. (1.9) Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS Dla kaŜdego punktu pomiarowego dopasowywana jest jedna wartość rzeczywista i jedna urojona, więc oddzielnie obliczana jest część rzeczywista i część urojona sumy kwadratów róŜnic. Ocena dopasowania oparta tylko na wartości χ2 jest niewystarczająca, jeŜeli chcemy porównać jakość dopasowania tych samych danych wykorzystując róŜną ilość parametrów dopasowania. W przypadku, gdy zwiększymy ilość parametrów dopasowania to jakość dopasowania na pewno się poprawi. Aby moŜna było ocenić, słuszność wprowadzenia większej liczby parametrów do dopasowania wykorzystuje się parametr χν2, który zdefiniowany jest następująco: χν2 = χ2 ν (1.10) gdzie: ν – liczba stopni swobody w dopasowaniu, jej wartość wynosi ν = Nidp – Nvarys (Nvarys liczba parametrów dopasowania). Uzyskanie mniejszej wartości χν2 usprawiedliwia wprowadzenie dodatkowego parametru do dopasowania. Trzeci parametr określający jakość dopasowania to R–factor : N ∑ {[Re( f )] + [Im( f )] } 2 i R= 2 i i =1 N ∑ {[Re(χ 2 2 datai )] + [Im( χ datai )] } (1.11) i =1 Czynnik „R–factor ” jest proporcjonalny do wartości χ2, ale poniewaŜ nie zaleŜy od N, Nidp i ε, dlatego jego interpretacja jest inna. Określa on procentową zgodność dopasowania z danymi i jeŜeli jego wartość spełnia zaleŜność R–factor ≤ 0.02 przyjmuje się, Ŝe dopasowanie jest dobre. 1.4. XANES Obszar XANES związany jest z przejściami elektronów pomiędzy odpowiednimi stanami. Ograniczenia przejść, które wynikają z reguł wyboru (rozdz. 1.1), pozwalają na określenie rodzaju przejść. I tak dla krawędzi K i L1 moŜliwe są przejścia z powłok 1s lub 2s (l=0) do stanów p (l=1). Natomiast dla krawędzi L3 i L4 elektron ze stanów p przechodzi do stanów s i d (l=2). Dzięki tak zdefiniowanym przejściom moŜliwe jest porównanie widm XANES dla róŜnych krawędzi z odpowiednimi gęstościami stanów (s,p,d). Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS W EXAFS uwzględnia się tylko pojedyncze rozproszenia i na ich podstawie otrzymuje się jedynie geometryczną informację o badanym materiale (średnie wartości promieni, średnie wartości liczby koordynacyjnej). Natomiast w XANES, gdzie dominują wielokrotne rozproszenia, zawarta jest bardziej szczegółowa informacja o układzie. XANES dostarcza informacji o strukturze atomowej (poza średnimi odległościami między atomami pozwala określić równieŜ kierunek wiązań pomiędzy atomami), strukturze elektronowej, hybrydyzacji wiązań i stopniu utlenienia. Porównanie widm XANES dla róŜnych związków zawierających mangan, pokazuje w jak duŜym stopniu kształt krawędzi zaleŜy od otoczenia badanego atomu i stanu ładunkowego (rys. 1.8). Rysunek 1.8. Widma XANES dla róŜnych związków manganu. PoniewaŜ metody XANES nie moŜna opisać jednym równaniem to informacje o badanym materiale są trudniejsze do uzyskania, niŜ w przypadku metody EXAFS. Zaletą metody XANES jest łatwiejsze i szybsze wykonanie pomiarów, poniewaŜ związane są one z mniejszym zakresem energii. Silniej zaznaczona struktura tych widm pozwala na pomiar dla mniejszych koncentracji i gorszych jakościowo próbek. Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS 1.4.1. Analiza danych doświadczalnych Metoda XANES w zaleŜności od potrzeb dostarcza informacji jakościowej bądź ilościowej o danym układzie. Dlatego teŜ metody analizy widm dzielimy na jakościowe i ilościowe. W przypadku analizy jakościowej wykonuje się pomiary dla jednej krawędzi danego pierwiastka w róŜnych związkach, a potem z porównania wyników wyciąga się wnioski dotyczące struktury. MoŜna równieŜ zmieniać zawartość procentową domieszek w związku i badać zmiany widma. Przykładem analizy jakościowej jest rysunek 1.9 pokazujący krawędź K Ŝelaza dla róŜnych związków. Analizując przesunięcie krawędzi absorpcji moŜemy ustalić wartościowość Ŝelaza w tych związkach. Rysunek 1.9. Jakościowa analiza wartościowości Ŝelaza na podstawie przesunięcia krawędzi absorpcji [69]. Analiza jakościowa jest prosta w wykonaniu jednakŜe jej duŜą wadą jest fakt, Ŝe na jej podstawie moŜna otrzymać informacje o względnym stopniu utlenienia, czy teŜ o zmianie struktury, ale nie dane o konkretnym otoczeniu atomów. Szczegółowe informacje o otoczeniu atomu absorbującego, o strukturze elektronowej, o hybrydyzacji wiązań moŜemy uzyskać na podstawie analizy, w której w oparciu o teorię, zakłada się strukturę badanego związku, oblicza się dla niego widmo absorpcji, a następnie porównuje z widmem eksperymentalnym. Obliczenia teoretyczne wymagają przypisania określonych połoŜeń atomów. W analizie teoretycznej stosuje się dwie metody opisu widm XANES: 1. Rozpraszanie wielokrotne w przestrzeni rzeczywistej (RSMS – Real Space Multiple Scattering) (rozdz. 3.4.1.1); Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS 2. Obliczenia struktury pasmowej. Metoda RSMS polega na obliczeniu kształtu widma absorpcji jako efektu wielokrotnych rozproszeń fali fotoelektronu w przestrzeni rzeczywistej. Analiza widm XANES polegająca na obliczeniach struktury pasmowej wykorzystuje fakt, Ŝe widmo absorpcji promieniowania rentgenowskiego blisko krawędzi (15 - 20 eV) odzwierciedla jednoelektronową gęstość stanów. W przeciwieństwie do metody RSMS moŜe być uŜywana tylko w przypadku struktur periodycznych i nie pozwala na uwzględnienie nieregularnie rozłoŜonych defektów. Pewnym ograniczeniem z punktu widzenia analizy XAFS napotykanym w tej metodzie jest nieuwzględnienie efektów związanych z powstałą podczas absorpcji kwantu promieniowania dziurą rdzeniową (z ang.: core hole). Efekty te mogą istotnie wpływać na jednoelektronową gęstość stanów i kształt widm absorpcji. 2. Metody pomiaru współczynnika absorpcji Rozwój spektroskopii subtelnej struktury absorpcji rentgenowskiej był moŜliwy dzięki promieniowaniu synchrotronowemu. Dopiero uŜycie tego promieniowania pozwoliło na efektywne badanie subtelnej struktury pojawiającej się powyŜej krawędzi absorpcji. Promieniowanie synchrotronowe to silne źródło promieniowania elektromagnetycznego, którego widmo sięga od podczerwieni do dalekiego obszaru rentgenowskiego. Maksimum widma odpowiada długościom fal promieniowania X. MoŜliwość wycięcia z widma ciągłego monochromatycznej wiązki z dokładnością ∆λ/λ = 10-4- 10-6 stwarza szczególnie korzystne warunki dla zastosowań przy spektroskopii rentgenowskiej. Istnieją trzy podstawowe metody pomiaru współczynnika absorpcji: metoda transmisji (rys. 2.1); metoda fluorescencji (rys. 2.2); metoda total yield (rys. 2.2). Rysunek 2.1. Schemat układu do pomiaru współczynnika absorpcji metodą transmisji. Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS Metoda transmisji jest to najprostsza metoda pomiaru współczynnika absorpcji. Mierząc natęŜenie wiązki padającej (I0) i przechodzącej przez próbkę (It) moŜemy obliczyć współczynnik absorpcji korzystając z zaleŜności: It = I0 exp(- µ(E)t) (2.1) µ(E) ~ ln(It/I0) (2.2) gdzie: t– I0 – It – grubość próbki; natęŜenie padającej wiązki promieniowania; natęŜenie wiązki transmisji. Metodę transmisji stosuje się do skoncentrowanych i średnio rozrzedzonych próbek, poniewaŜ w tego rodzaju materiałach łatwo wyeliminować tzw. efekty grubości (z ang.: thickness effects). Pojawiają się one, gdy w mierzonej próbce występują dziury i wówczas część padającego promieniowania nie jest osłabiana przez próbkę lub, gdy część padającego promieniowania ma inną energię. Jakość pomiaru moŜemy kontrolować dobierając odpowiednią grubość próbki tak, aby spełniona była zaleŜność: ∆µ (E)t ≈ 1. Rysunek 2.2. Schemat układu do pomiaru współczynnika absorpcji metodami: fluorescencji i total yield. Metoda fluorescencji mierzy emitowane promieniowanie X o energii równej róŜnicy energii poziomów NatęŜenie rdzeniowych. promieniowania fluorescencyjnego jest proporcjonalne do współczynnika absorpcji: µ(E) ~ IF / I0 (2.3) gdzie: IF – natęŜenie fluorescencji. Metoda ta jest szczególnie waŜna w przypadku materiałów zawierających małe stęŜenie atomów absorbujących. W takim przypadku natęŜenie wiązki przechodzącej przez Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS próbkę ulega małemu osłabieniu i wyodrębnienie widma subtelnej struktury ze zmierzonego widma jest obarczone duŜym błędem lub jest wręcz niemoŜliwe. Metoda fluorescencji polega na zaniku dziury rdzeniowej powstałej w procesie absorpcji. Istnieją dwa procesy związane z zanikiem dziury rdzeniowej: fluorescencja i efekt Auger’a (rys. 2.3). Rysunek 2.3. Schemat emisji elektronów Auger’a i promieniowania fluorescencyjnego. RóŜnica pomiędzy detekcją tych dwóch procesów polega na tym, Ŝe sygnał mierzony w procesie fluorescencji pochodzi z głębszych obszarów próbki. Średnia droga swobodna elektronów fluorescencji ma długość rzędu mikrona, podczas gdy średnia droga swobodna elektronów Auger’a jest rzędu nanometra, dlatego metodę pomiaru elektronów Auger’a stosuje się jako technikę badania powierzchni materiałów. Wspomnieć naleŜy teŜ metodę total yield (rys. 2.2), w której wielkością proporcjonalną do absorpcji jest prąd elektronów emitowanych przez próbkę (zarówno fotoelektronów jak i elektronów wtórnych): µ (E ) ~ I (2.4) gdzie: I– natęŜenie prądu emitowanego przez próbkę. Metoda ta jest bardzo czuła na jakość emitującej powierzchni. 3. Laboratorium PoniewaŜ podczas laboratorium nie ma moŜliwości zmierzenia widm absorpcji promieniowania synchrotronowego dlatego celem laboratorium będzie nauka analizy danych. W tym celu kaŜdy student proszony jest o przyniesienie na laboratorium swojego komputera Spektroskopowe i elektryczne metody badania materiałów – XAFS oraz zainstalowanie na nim pakietu programów Demeter. Pakiet jest darmowy i dostępny na stronie: https://bruceravel.github.io/demeter/ Na pierwszym laboratorium wszyscy uczestnicy będą się uczyć analizy EXAFS na wzorcowym związku. Na kolejnym kaŜdy student dostanie zmierzone widmo absorpcji wybranego materiału, który będzie musiał samodzielnie opracować i przedstawiać wyniki analizy w sprawozdaniu. 4. Sprawozdanie Sprawozdanie powinno zawierać następujące punkty: 1. Cel laboratorium 2. Opis zagadnienia 3. Analiza wyników. 4. Uzyskany na podstawie analizy materiałów opis lokalnej struktury. 5. Analizę niepewności wyznaczonych parametrów 6. Wnioski wyciągnięte z analizy danych. 7. Odpowiedź na pytanie: Jaki problem podjęty w Twojej pracy inŜynierskiej pomogłoby rozwiązać wykorzystanie metod XAFS? 5. Przykładowe pytania: 1. Mechanizm powstania subtelnej struktury promieniowania X. 2. Opisz wady i zalety metody EXAFS. 3. Jakie informacje są „zakodowane” w funkcji EXAFS? 4. Co zawiera opis lokalnej struktury atomowej otrzymywany metodą XAFS? 5. Metody pomiaru współczynnika absorpcji.