Dyfuzja anizotropowa w ewolucji powierzchni swobodnych
Transkrypt
Dyfuzja anizotropowa w ewolucji powierzchni swobodnych
Nr wniosku: 147476, nr raportu: 12168. Kierownik (z rap.): prof. dr hab. Piotr Rybka Popularyzatorski opis rezultatów projektu o nr. rej. 2011/01/B/ST1/01197 Dyfuzja anizotropowa w ewolucji powierzchni swobodnych Piotr Rybka – kierownik W przypadkach wielu interesujących procesów fizycznych lub przemysłowych jedną z niewiadomych jest położenie ruchomej powierzchni lub krzywej, będącej szukaną. Taką powierzchnię nazywa się swobodną. Przykładem może służyć powierzchnia rosnącego kryształu lub kontury analizowanego obrazu. Interesują nas takie procesy, których opisy opierają się na dyfuzji wspomnianej powierzchni swobodnej. Dokładniej, badamy przypadki, gdy ta dyfuzja istotnie zależy od kierunku i jest gwałtowna. To znaczy może powodować wypłaszczanie powierzchni swobodnej w szczególnych kierunkach, a nawet prowadzi do powstawania naroży. Zwracamy uwagę, że zazwyczaj dyfuzja zaokrągla kanty. Tutaj jest inaczej. Ważnym przedmiotem naszych badań są ścianki ewoluujących powierzchni/krzywych. Kierunki ścianek są wyznaczone przez anizotropię badanego układu. Wspomniane wcześniej wypłaszczanie odbywa się tylko w szczególnych kierunkach. 1) Nasze wyniki dotyczą głównie technicznej strony matematycznego opisu ewolucji. Jeden z naszych (technicznych) wyników można oddać następująco. Załóżmy, że w chwili początkowej jedna powierzchnia swobodna, będąca wykresem funkcji u jest poniżej powierzchni swobodnej będącej wykresem v. Wtedy w każdej późniejszej chwili wykres u jest poniżej v. Ten wynik nazwiemy Zasadą Porównawczą. Oczywiście, ścisły zapis wygląda zupełnie inaczej. Zasada Porównawcza przez swój fundamentalny charakter będzie miała wielkie znaczenie dla rozwoju dziedziny zwanej teorią lepkościowych rozwiązań osobliwych równań parabolicznych. 2) Ten dość teoretyczny wynik pozwala na wyciąganie wniosków o strukturze powierzchni swobodnych, skonstruowanych w serii wcześniejszych prac. Na przykład, udało nam się ustalić, że rozważane przez nas krzywe, które nazywaliśmy wygiętymi prostokątami, istotnie zasługują na swoją nazwę, bo zachowują naroża a ich boki są wygięte. Co więcej udało nam się wykazać, jedyność rozwiązań danego opisu, tzn. podanie położenia początkowego krzywej przesądza o dalszej ewolucji. 3) W innej pracy badaliśmy układy, w których występują ścianki o różnych, można powiedzieć konkurencyjnych, kierunkach. Wykazaliśmy, że liczba ścianek i ich geometryczne konfiguracje nie mogą być dowolne. Pokazaliśmy też, że wspomniana wyżej Zasada Porównawcza pozwala na oszacowanie czasu, po którym ewolucja w układzie zamiera. 4) Badaliśmy też układy, odmienne od tych rozważanych w 2), w których występują ścianki, na które działa siła zewnętrzną. Zbadaliśmy szereg przykładów takich oddziaływań. Pokazaliśmy, że w szczególnych przypadkach siła zewnętrzna nie prowadzi do wykształcenia nowej ścianki. 5) Zbadaliśmy model samoorganizacji nano-struktur cienkich błon napylanych wiązką jonową. Pokazaliśmy, że model jest nie tylko dobrze postawiony, tj. że podanie stanu początkowego jednoznacznie określa ewolucję układu, ale również badaliśmy jego zachowanie dla długich czasów. Wykazaliśmy istnienie zbioru przyciągającego (globalnego atraktora). Jednocześnie symulacje numeryczne sugerują, że dynamika dla długich czasów może być bardzo złożona. 6) Jednym z celów projektu było zbadanie pełnego modelu wzrostu kryształu, składającego się z prawa Gibbsa-Thomsona, opisującego ewolucję powierzchni swobodnej, sprzężonego z równaniem opisującym dyfuzję materii. Ważnym elementem takiego opisu jest eksperymentalnie ustanowiony efekt Berga, mówiący, że koncentracja materii jest rosnącą funkcją odległości od środka ścianki. Przeprowadzona ścisła analiza modelu tego zjawiska pokazała, że z matematycznego punktu widzenia, efekt Berga jest rzadki. Dlatego koniecznie trzeba przemyśleć wszystkie próby analizy pełnego modelu wzrostu kryształu, opierające się na efekcie Berga. Z tego względu nasze odkrycie odegra znaczącą rolę w badaniu modeli wzrostu kryształu opartych na prawie Gibbsa-Thomsona. 1