Raport z działalności zakładu w 2003

ZAK£AD FIZYKI I TECHNOLOGII STRUKTUR
NISKOWYMIAROWYCH
Kierownik:prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI
e-mail: [email protected]
tel. (0-prefiks-22) 548 79 32, fax 847 06 31
Zespó³:
prof. dr hab. in¿. Bohdan Mroziewicz, dr hab. Kazimierz Regiñski,
dr Janusz Kaniewski, dr in¿. Jan £ysko, dr Jan Muszalski,
dr Tomasz Przes³awski, dr in¿. Micha³ Szymañski,
dr Tomasz Ochalski, dr in¿. Mariusz Zbroszczyk, dr Kamil Kosiel,
mgr in¿. Emil Kowalczyk, mgr in¿. Leszek Ornoch,
mgr in¿. Marek Nikodem, mgr in¿. Tomasz Piwoñski,
mgr in¿. Pawe³ Sajewicz, mgr in¿. Anna Wójcik,
mgr in¿. Anna Szerling, mgr in¿. Dorota Wawer,
mgr in¿. Micha³ Kosmala, mgr in¿. Hanna Wrzesiñska,
mgr in¿. Marianna Górska, mgr in¿. Krzysztof Hejduk
1. Realizowane projekty badawcze
W 2003 r. w Zak³adzie Fizyki i Technologii Struktur Niskowymiarowych zosta³y
zrealizowane nastêpuj¹ce prace:
• “Badania nad strukturami niskowymiarowymi ze zwi¹zków pó³przewodnikowych
III-V i przyrz¹dami optoelektronicznymi wytwarzanymi z tych struktur" (temat statutowy nr 1.01.030),
• “Badania kinetyki nanoszenia oraz w³asnoœci mechanicznych i trybologicznych
supersieci ceramicznych pod k¹tem ich zastosowania w mikroin¿ynierii krzemowej” (projekt badawczy nr 2.01.084, 7 T11B 051 20),
• “Detektory podczerwieni z In(GaAl)As zintegrowane z mikrooptyk¹ refrakcyjn¹"
(projekt badawczy nr 2.01.088, 7 T11B 029 21),
• “Lasery du¿ej mocy i linijki laserowe z InGaAIAs/GaAs na pasmo 780 – 810 nm"
(projekt badawczy nr 2.01.089, 7 T11B 021 21),
• “Heteroz³¹czowy czujnik pola magnetycznego z In0,53Ga0,47As na pod³o¿u z InP,
wytwarzany metod¹ epitaksji z wi¹zek molekularnych” (projekt badawczy nr
2.01.093, 4 T11B 066 22),
• “Analiza wzmocnienia w obszarze czynnym lasera pó³przewodnikowego z pojedyncz¹ lub wielokrotn¹ studni¹ kwantow¹” (projekt badawczy nr 2.01.098,
4 T11B 037 23),
• “Detektory podczerwieni z optyczn¹ wnêk¹ rezonansow¹ na pasmo 1,55 µm”
(projekt badawczy nr 2.01.103, 4 T11B 015 25),
2
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
• “Szerokokontaktowe, koherentne lasery do wzmacniaczy œwiat³owodowych
domieszkowanych erbem. Badanie rozk³adów temperatur zwierciade³ i mechanizmów degradacji laserów pó³przewodnikowych" (projekt badawczy finansowany przez Uniê Europejsk¹ WILD-EAST nr PZ 5.01.016, IST-1999-10787-E),
• Centrum Doskona³oœci ”Fizyka i Technologia Nanostruktur dla Fotoniki” CEPHONA
(projekt badawczy finansowany przez UE nr 5.01.024, G5MA-CT-2002-72100).
2. Najwa¿niejsze osi¹gniêcia naukowo-badawcze
W Zak³adzie prowadzone s¹ prace nad strukturami niskowymiarowymi ze
zwi¹zków pó³przewodnikowych III-V i przyrz¹dami optoelektronicznymi wytwarzanymi z tych struktur. Nowoczesne przyrz¹dy pó³przewodnikowe s¹ wytwarzane metod¹ epitaksji z wi¹zek molekularnych (Molecular Beam Epitaxy MBE)
w reaktorze RIBER 32P. Typowymi materia³ami wytwarzanymi t¹ metod¹ s¹ takie
zwi¹zki podwójne, jak GaAs, AlAs, InAs oraz ich zwi¹zki potrójne InGaAs, AlGaAs
i poczwórne InGaAlAs.
Prace prowadzone w 2003 r. koncentrowa³y siê na dwóch typach przyrz¹dów
optoelektronicznych: pó³przewodnikowych Ÿród³ach promieniowania i detektorach
podczerwieni. W zakresie Ÿróde³ prace dotyczy³y w g³ównej mierze projektowania,
technologii wytwarzania i w³aœciwoœci laserów pó³przewodnikowych du¿ej mocy.
Badania te obejmowa³y zarówno elementy dyskretne, jak i linijki laserowe. Badano
równie¿ procesy generacji w laserach, których dzia³anie jest oparte na wykorzystaniu specyficznych efektów zwi¹zanych z niestabilnym rezonatorem Fabry’ego-Perota. Prace dotycz¹ce detektorów bliskiej podczerwieni z InAs koncentrowa³y siê
na badaniu sposobów poprawy ich detekcyjnoœci poprzez zastosowanie nowej konstrukcji oraz mikrosoczewek.
2.1. Lasery pó³przewodnikowe du¿ej mocy
2.1.1.Technologia struktur laserowych na pasmo 808 nm
W 2003 r. prowadzono prace w dziedzinie wytwarzania struktur MBE laserów
du¿ej mocy. Obejmowa³y one zagadnienia technologii materia³ów pó³przewodnikowych wchodz¹cych w sk³ad struktur, zagadnienia technologii wytwarzania
testowych struktur wielowarstwowych oraz pe³nych struktur laserów pó³przewodnikowych. Badania skoncentrowano na strukturach laserowych z obszarem
czynnym zawieraj¹cym studniê kwantow¹ ze zwi¹zku czterosk³adnikowego
InAlGaAs z barierami AlGaAs. Przyk³ad struktury lasera du¿ej mocy na pasmo
808 nm jest przedstawiony na rys. 1.
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
gruboϾ
3
sk³ad
domieszkowanie
19
-3
18
-3
17
-3
17
-3
18
-3
18
-3
0.02 mm
GaAs:Be
p = 1.0×10 cm
0.23 mm
GaAs:Be
p = 5.0×10 cm
1.20 mm
Al0.40Ga0.60As:Be
p = 3.8×10 cm
0.14 mm
°
80 A
In0.24Al0.19Ga0.57 undoped
Al0.25Ga0.75As undoped
0.14 mm
Al0.25Ga0.75As undoped
1.20 mm
Al0.40Ga0.60As:Si
n = 3.0×10 cm
0.75 mm
buffer GaAs:Si
n = 3.0×10 cm
substrate GaAs:Si
n = 2.0×10 cm
Rys. 1. Struktura lasera du¿ej mocy na pasmo 808 nm
Na rys. 2 przedstawiono przyk³adowe widmo luminescencji omawianej struktury.
Prócz piku odpowiadaj¹cego emisji ze studni kwantowej InGaAlAs widaæ na nim
piki od GaAs i AlGaAs.
#566 InGaAlAs PL @ RT
PL (a.u)
edge of sample
14 mm
Rys. 2. Widmo fotoluminescencji ze struktury lasera
pó³przewodnikowego
ze
studni¹
kwantow¹
In0,24Al0,19Ga0,57As/Al0,25Ga0,75As. Widmo zosta³o
zdjête w œrodku p³ytki. Pik 810 nm pochodzi ze studni
kwantowej, pozosta³e piki z innych warstw struktury.
QW ~ 810 nm
AlGaAs ~ 695 nm
GaAs ~ 877 nm
660 680 700 720 740 760 780 800 820 840 860 880 900 920
Wavelength (nm)
W wyniku przeprowadzonych badañ opracowano technologiê MBE struktur
laserów du¿ej mocy z obszarem czynnym zawieraj¹cym studniê kwantow¹ ze
zwi¹zku czterosk³adnikowego InAlGaAs z barierami AlGaAs noœników wymagan¹
w strukturze laserowej. Otrzymane struktury by³y badane metodami fotoluminescencji.
2.1.2. Pokrycia zwierciade³ w laserach pó³przewodnikowych
Zwierciad³a laserów pó³przewodnikowych z rezonatorem Fabry’ego-Perota
powstaj¹ zwykle w wyniku mechanicznego rysowania i ³upania p³ytki pó³przewodnikowej zawieraj¹cej strukturê laserow¹. Od³upanie chipu laserowego
zachodzi zazwyczaj w p³aszczyŸnie {110}. Wspó³czynnik odbicia zwierciade³
4
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
wynika z ró¿nicy wspó³czynników za³amania pó³przewodnik-powietrze. Dla
materia³ów grupy AIII-BV wynosi on ok. 32%. Umo¿liwia to uzyskanie wydajnej
akcji laserowej, jednak nie pozwala na wykorzystanie pe³nej mocy optycznej
generowanej przez laser (po³owa jest emitowana przez tylne zwierciad³o) oraz na
osi¹gniêcie maksymalnej sprawnoœci kwantowej. Ponadto naturalne zwierciad³a
z ods³oniêtymi interfejsami obszaru czynnego s¹ nara¿one na degradacjê z powodu
oddzia³ywania z otaczaj¹c¹ je atmosfer¹. Proces degradacji jest zwiêkszony przez
zjawiska rekombinacji niepromienistej, które prowadz¹ do raptownego uszkodzenia
zwierciad³a, okreœlanego terminem COD (Catastrophic Optical Damage).
Problemy te mog¹ byæ rozwi¹zane poprzez pokrycie zwierciade³ pow³okami
dielektrycznymi, które pozwalaj¹ uzyskaæ wspó³czynniki odbicia o wymaganej
wartoœci, a tak¿e zabezpieczaj¹ zwierciad³o lasera przed wp³ywem otoczenia
i os³abiaj¹ intensywnoœæ niepromienistej rekombinacji na jego powierzchni.
Pojedyncza warstwa SiO2 mo¿e byæ wykorzystana do utworzenia pokrycia AR, a do
utworzenia pokrycia HR mo¿na zastosowaæ kilka naprzemiennych warstw Si/SiO2
o odpowiednio dobranej gruboœci.
Analizê pracy lasera w zale¿noœci od wspó³czynnika odbicia przeprowadzono przy
u¿yciu programu PICS3D firmy Crosslight. Przyk³adowe wyniki tych obliczeñ s¹
przedstawione na rys. 3.
0,40
Wall-plug Efficiency
0,35
0,30
L= 700 mm
R2= 0.98
rs= 0.15 W
0,25
0,20
R1= 0.02
R1= 0.05
R1= 0.07
R1= 0.09
R1= 0.12
R1= 0.15
0,15
0,10
0,05
0,00
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
Current Density [kA/cm2]
2,5
3,0
Rys. 3. Zale¿noœæ sprawnoœci hE od gêstoœci pr¹du
zasilaj¹cego wykreœlona dla laserów o ró¿nej d³ugoœci wnêki L, których przednie zwierciad³o zosta³o
pokryte warstwami refleksyjnymi o ró¿nej wartoœci
wspó³czynnika odbicia
Znaczna asymetria we wspó³czynnikach odbicia przedniego i tylnego zwierciad³a
lasera ze studniami kwantowymi powoduje trudnoœci w okreœleniu wspó³zale¿noœci
miêdzy wzmocnieniem optycznym a stratami we wnêce lasera, a tym samym w okreœleniu wp³ywu tych parametrów na sprawnoœæ kwantow¹ lasera.
Obliczenia wykaza³y, ¿e zmiany w wielkoœci R1 lub L powoduj¹ mniejsze ni¿
oczekiwano (> 5%) zmiany w hE, natomiast w istotny sposób wp³ywaj¹ na pr¹d progowy
lasera. Wp³yw ten mo¿na zmniejszyæ przez odpowiednie zaprojektowanie lasera.
Uzyskane wyniki upraszczaj¹ kryteria optymalizacji lasera pod k¹tem minimalizacji
sprawnoœci energetycznej. Ustalono, ¿e mo¿na uzyskaæ zwiêkszenie wartoœci hE o 12%
poprzez pokrycie przedniego zwierciad³a pow³ok¹ o odpowiednim wspó³czynniku
odbicia. Korzyœæ ta jednak maleje do 4,5% w przypadku laserów z rezonatorami
d³u¿szymi od 700 µm.
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
5
2.1.3. W³aœciwoœci termiczne laserów krawêdziowych
Istotnym problemem maj¹cym decyduj¹cy wp³yw na pracê lasera jest kontrola
zjawisk termicznych w przyrz¹dzie. Na etapie projektowania przyrz¹du prowadzone
s¹ intensywne prace teoretyczne umo¿liwiaj¹ce symulacjê tych zjawisk w laserach
o ró¿nej konstrukcji. Przyk³adowe wyniki dotycz¹ rozk³adu temperatury w przekroju
poprzecznym krawêdziowego lasera pó³przewodnikowego w p³aszczyŸnie równoleg³ej do zwierciade³.
Rysunki 4–7 ilustruj¹ transwersalne profile temperatury dla x = 0. Analiza wzrostu
temperatury w zale¿noœci od generacji ciep³a w wybranej warstwie jest
przedstawiona na rys. 4. Wykres potwierdza znany fakt, ¿e laser grzeje siê g³ównie
wskutek zjawisk zachodz¹cych w warstwie aktywnej, czyli rekombinacji niepromienistej oraz reabsorpcji promieniowania.
6
4
2
warstwy falowodowe
pod³o¿e
0
-600 -500 -400 -300 -200 -100 0
y [mm]
3,0
T [stopnie]
8
warstwa aktywna QW
górna krawêdŸ struktury
T [stopnie]
10
dolna krawêdŸ struktury
12
2,5
2,0
górna warstwa falowodowa
dolna warstwa falowodowa
1,5
-20
100
-10
0
y [mm]
10
20
10
5
0
-600 -500 -400 -300 -200 -100 0
y [mm]
100
T [degrees]
15
bottom of the device
T [degrees]
20
top of the device
Rys. 4. Transwersalne profile (x = 0) wk³adów do Rys. 5. Powiêkszenie wykresów temperatury wzglêdtemperatury wzglêdnej lasera wynikaj¹ce z generacji nej wynikaj¹cej z generacji ciep³a w warstwach falociep³a w ró¿nych warstwach
wodowych
20
18
16
14
12
10
8
6
0
œrodek dolnej warstwy
falowodowej (y= -0.15 mm)
œrodek pokrycia
(y= -1.925 mm)
ch³odnica (y= -100 mm)
50
100
150
x [mm]
200
250
Rys. 6. Ca³kowita temperatura wzglêdna w przekro- Rys. 7. Profile boczne dla temperatury wzglêdnej dla
ju transwersalnym przy x = 0
ró¿nej wartoœci wspó³rzêdnej y
W analizowanym przypadku warstwy falowodowe s¹ identyczne pod wzglêdem
gruboœci i sk³adu. S¹ one od siebie oddzielone jedynie bardzo cienk¹ warstw¹
aktywn¹. Dlatego wk³ady do temperatur pochodz¹ce od ciep³a wydzielanego w tych
6
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
y [mm]
warstwach s¹ niemal identyczne (warstwy falowodowe na rys. 4). Rozró¿nienie
wykresów jest mo¿liwe jedynie na powiêkszeniu (rys. 5). Okazuje siê, ¿e górna
warstwa falowodowa podgrzewa laser nieco bardziej ni¿ dolna. Strumieñ ciep³a
skierowany jest g³ównie ku ch³odnicy. Tak wiêc im mniejsza jest odleg³oœæ danego
Ÿród³a od górnego kontaktu, tym wiêkszy obserwuje siê wzrost temperatury.
Ca³kowita temperatura wzglêdna w przekroju transwersalnym jest sum¹ wk³adów
od poszczególnych Ÿróde³ (rys. 6). Boczne profile temperatury wzglêdnej dla
ró¿nych wartoœci wspó³rzêdnej y s¹ zaprezentowane na rys. 7, a ca³kowity rozk³ad
temperatury wzglêdem przekroju lasera na rys. 8. Z wykresu wynika, ¿e temperatura
jest najwy¿sza w pobli¿u warstwy aktywnej i szybko spada w kierunku ch³odnicy.
Mapa potwierdza zatem tezê o s³abej wymianie ciep³a przez kontakt typu n i kluczowej roli ch³odnicy.
80 15
60
40
16
20
12 11
0
14
-20
8,3
-40
9,6
-60
-80
-100
0 20 40 60 80 100 120 140
x [mm]
Rys. 8. Konturowa mapa temperatury wzglêdnej lasera
w przekroju poprzecznym równoleg³ym do jego
zwierciade³
b)
6
w=50 mm, d=75 mm
w=50 mm, d=137.5 mm
w=50 mm, d=200 mm
4
2
0
0
500
1000 1500
x [mm]
2000
temperatura wzglêdna [stopnie]
a)
temperatura wzglêdna [stopnie]
Opracowany model analityczny pozwala uwzglêdniæ ró¿norodne mechanizmy
wydzielania ciep³a. Po niewielkich modyfikacjach model ten mo¿e byæ zastosowany
tak¿e do linijki laserowej. Przyk³adowe wyniki symulacji dotycz¹ przyrz¹du
sk³adaj¹cego siê z jedenastu pasków o szerokoœci w = 50 mm, oddalonych od siebie
o odleg³oœæ d. Profile boczne temperatury wzglêdnej na styku heterostruktury i ch³odnicy dla linijki zamontowanej kontaktem typu p do do³u i do góry s¹ przedstawione
na rys. 9. W pierwszym przypadku warstwa aktywna, czyli g³ówne Ÿród³o ciep³a
5
4
3
2
1
0
0
500
1000 1500
x [mm]
2000
Rys. 9. Boczny profil temperatury wzglêdnej w przekroju linijki laserowej zamontowanej kontaktem typu p
do do³u (a) i do góry (b)
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
7
temperatura wzglêdna [stopnie]
w przyrz¹dzie, le¿y w pobli¿u styku i na wykresie widaæ wyraŸne zafalowania
pochodz¹ce od ka¿dego ze Ÿróde³ z osobna. Przy monta¿u kontaktem typu p do góry
odleg³oœæ styku od Ÿróde³ ciep³a jest znacznie wiêksza za spraw¹ grubego pod³o¿a i z tego
powodu zafalowania s¹ prawie niewidoczne.
Badania objê³y termiczn¹ analizê pracy linijki laserowej w zale¿noœci od gêstoœci
upakowania chipów. Na rys. 10 przedstawiono wykres maksymalnej temperatury
Rys. 10. Maksymalna temperatura wzglêdna w funkcji
przestrzennego wspó³czynnika wype³nienia
8,0
7,5
7,0
6,5
6,0
5,5
5,0
4,5
4,0
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
w=8 mm
w=50 mm
w=100 mm
0,7 0,8 0,9 1,0
t=w/(w+d)
wzglêdnej znalezionej w przekroju przyrz¹du w funkcji przestrzennego wspó³czynnika
wype³nienia zdefiniowanego jako t = w/(w +d) przy za³o¿eniu sta³ej mocy. Z wykresu
tego wynika, ¿e najlepsze warunki termiczne (najni¿sze przyrosty temperatury)
osi¹ga siê w przypadku linijki z wieloma w¹skimi paskami. Zaprojektowanie linijki
z mniejsz¹ liczb¹ pasków o wiêkszej szerokoœci prowadzi do uzyskania wy¿szych
temperatur.
3. Detektory bliskiej podczerwieni z InGaAlAs
3.1. Immersja optyczna
Jednym ze sposobów poprawy parametrów fotodetektora jest zwiêkszenie jego
optycznych rozmiarów w stosunku do rozmiarów rzeczywistych. Uzyskuje siê to
przez zastosowanie soczewki pó³sferycznej lub hiperpó³sferycznej. Soczewki mog¹
byæ wykonywane z GaAs, poniewa¿ materia³ ten jest czêsto wykorzystywany jako
pod³o¿e dla struktur przyrz¹dowych. GaAs jest przezroczysty dla promieniowania
w szerokim zakresie widma od (0,9 ¸ 20) mm. Ponadto wspó³czynnik za³amania dla
tego materia³u jest stosunkowo du¿y i wynosi n = 3,4. Z tego powodu zastosowanie
monolitycznej integracji detektora pozwala na istotn¹ poprawê wielu parametrów
detektora. W tab. 1 przedstawiono ile razy poprawiaj¹ siê parametry detektora z soczewk¹ pó³sferyczn¹ i soczewk¹ hiperpó³sferyczn¹ w porównaniu do detektora bez
soczewki o takiej samej powierzchni optycznej.
8
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
Tabela 1. Wp³yw immersji optycznej na w³asnoœci fotodetektora z soczewk¹
z GaAs
WielkoϾ
Soczewka pó³kulista
Soczewka hyperpó³kulista
Rozmiar liniowy
n2
(»3,4)
n2
(»12)
Powierzchnia
n2
(»12)
n4
(»134)
Czu³oœæ napiêciowa
n2
(»12)
n4
(»134)
WykrywalnoϾ D*
n2
(»3,4)
n2
(»12)
(»12)
4
PojemnoϾ elektryczna
2
n
n
(»134)
Soczewki do struktur detektorowych wyhodowanych w Zak³adzie s¹ wykonywane
w firmie Vigo System. Mikrosoczewki w pojedynczych strukturach w o œrednicy od
0,5 do 1 mm s¹ wytwarzane metod¹ szlifowania mechanicznego po³¹czon¹ z polerowaniem chemicznym. Typow¹ mikrosoczewkê wykonan¹ t¹ technik¹ przedstawia rys. 11.
Rys. 11. Mikrosoczewka o œrednicy 1 mm wykonana technik¹ szlifowania mechanicznego i polerowania
chemicznego
Rys. 12. Fragment matrycy soczewek o œrednicy 50 mm Rys. 13. Przekrój mikrosoczewki o œrednicy 50 mm
(widok z góry)
wykonanej metod¹ trawienia jonowego i chemicznego
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
9
Mikrosoczewki o œrednicy mniejszej od 0,5 mm s¹ wykonywane metod¹ kolejnych trawieñ jonowych i chemicznych na powierzchniach definiowanych fotolitograficznie. Metoda ta szczególnie dobrze nadaje siê do wykonywania matryc
zarówno jedno-, jak i dwuwymiarowych.
Na rys. 12 jest przedstawiony fragment matrycy mikrosoczewek uzyskany przy
u¿yciu elektronowego mikroskopu skaningowego, a na rys. 13 przekrój jednej
mikrosoczewki. Przy module mikrosoczewek 50 mm wysokoϾ soczewki wynosi ok.
15 mm. Wa¿n¹ cech¹ tej techniki jest jej du¿a powtarzalnoœæ oraz mo¿liwoœæ uzyskiwania soczewek o ró¿nym kszta³cie.
3.2. Konwencjonalny detektor typu p-i-n z In(Al)As/GaAs
Wszystkie wymagania stawiane fotodiodom dotycz¹ce struktury i konstrukcji
zosta³y wykorzystane przy opracowaniu detektora z InAs na pod³o¿u z GaAs.
Przyrz¹d ten jest produkowany obecnie we wspó³pracy ITE i Vigo System. Strukturê
detektora przedstawiono schematycznie na rys. 14.
Rys. 14. Struktura detektora z InAs z monolityczn¹ soczewk¹ immersyjn¹ z GaAs
Elementem aktywnym jest oœwietlana od do³u heterostruktura typu n+nP+p+. Przy
tej konstrukcji obszar aktywny mo¿e byæ dwa razy cieñszy, poniewa¿ promieniowanie po odbiciu od kontaktu metalicznego na powierzchni przechodzi drugi
raz przez warstwê absorbuj¹c¹. Takie rozwi¹zanie zapewnia du¿¹ sprawnoœæ
detektora i jednoczeœnie stosunkowo du¿¹ szybkoœæ dzia³ania ze wzglêdu na
mniejsz¹ gruboœæ obszaru aktywnego.
Detektor z InAs charakteryzuje siê dobr¹ wykrywalnoœci¹ D*, wynosz¹ca w temperaturze pokojowej 7×1010 cmHz1/2/W w T =300K oraz 4×1011 cmHz1/2/W w T =
= 225K. Sta³a czasowa RC detektorów bez polaryzacji wynosi poni¿ej ok. 1 ns. Przy
10
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
polaryzacji –0,2 V jest mniejsza i wynosi 100 ps. Pikosekundowa sta³a czasowa
zosta³a uzyskana dla fotodiod o du¿ej optycznej powierzchni wynosz¹cej 1 mm2.
By³o to mo¿liwe dziêki redukcji pojemnoœci z³¹cza o ponad dwa rzêdy wielkoœci i zastosowaniu immersji optycznej. Fotodiody te wykazuj¹ sprawnoœæ kwantow¹
powy¿ej 60%. Jest to jedynie nieznacznie mniej ani¿eli wynika z ograniczeñ wskutek
odbicia. Wartoœæ sprawnoœci mo¿e zostaæ poprawiona poprzez zastosowanie pokryæ
antyodbiciowych.
3.3. Detektor typu p-i-n z In(GaAl)As/InP z wnêk¹ rezonansow¹
Istotn¹ poprawê czasu odpowiedzi detektora uzyskuje siê przez zastosowanie
konstrukcji z wnêk¹ rezonansow¹ (rys. 15). Tego typu nowoczesny detektor,
przeznaczony do detekcji promieniowania o d³ugoœci fali l = 1,548 mm, zosta³
opracowany w Zak³adzie. Jest on oœwietlany od strony pod³o¿a z InP. Dolne
zwierciad³o Bragga jest wykonane z wielu par silnie domieszkowanych warstw
In0,52Al0,48As i In0,53Ga0,47As. Wnêka rezonansowa sk³ada siê z warstwy absorpcyjnej
z In0,53Ga0,47As znajduj¹cej siê pomiêdzy dwoma warstwami niedomieszkowanymi
In0,52Al0,48As. Górne zwierciad³o jest wykonane z wielu warstw dielektrycznych
Si3N4/SiO2 oraz cienkiej warstwy Al.
Rys. 15. Schemat detektora typu p-i-n z In(GaAl)As/InP z wnêk¹ rezonansow¹
Rozk³ad pola elektromagnetycznego w tej strukturze jest przedstawiony na rys. 16.
Struktura detektora by³a optymalizowana przy u¿yciu metody macierzy przejœcia.
Zmiany absorpcji w funkcji gruboœci warstwy aktywnej w detektorze ze
zwierciad³ami wykonanymi z dziewiêciu par warstw InGaAs/InAlAs i piêciu par
SiO2/Si3N4 przedstawiono na rys. 17.
Na rys. 18 pokazano zmiany absorpcji w cienkiej warstwie aktywnej gruboœci
67 nm w zale¿noœci od liczby par warstw w obu zwierciad³ach. Uzyskanie 90%
absorpcji jest mo¿liwe, gdy zwierciad³a Bragga s¹ wykonane z dziewiêciu par
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
18
11
6
n
k
mode
4
Wavelength [nm]
16
1580
d=66.7nm
2
2
Mode [a.u.]
Index (n,k)
14
0
0
-2
0
-2
1560
1520
2000 4000 6000 8000 10000 12000
In depth [nm]
0.3
1540
0.5
0.7
0.9
0.1
0
20 40 60 80 100 120 140 160
In0.53Ga0.47As layer thickness [nm]
Number of Si3N4/SiO2 pairs
Rys. 16. Rozk³ad pola elektromagnetycznego w struk- Rys. 17. Absorpcja promieniowania w strukturze deturze detektora In(GaAl)As/InP z wnêk¹ rezonansow¹ tektora In(GaAl)As/InP z wnêk¹ rezonansow¹
Rys. 18. Zale¿noœæ absorpcji promieniowamia
w warstwie gruboœci 67 nm od liczby par warstw
w obu zwierciad³ach Bragga
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
l=1554nm
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
Number of In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As pairs
warstw In0,52Al0,48As/In0,53Ga0,47–xAlx oraz piêciu par warstw Si3N4 i SiO2. Wynik
ten jest bardzo korzystny. Ze wzglêdu na ma³¹ iloœæ niezbêdnych warstw do wytworzenia zwierciade³ Bragga procesy technologiczne ulegaj¹ znacznemu
uproszczeniu. Kierunkowa zale¿noœæ absorpcji struktury In(GaAl)As/InP z wnêk¹
rezonansow¹ jest przedstawiona na rys. 19.
120
90
60
30
150
180
1
0.5
0.0
0.5
1
0
Rys. 19. Charakterystyka kierunkowa detektora
In(GaAl)As/InP z wnêk¹ rezonansow¹
W optymalizowanej strukturze detektor pracuje wydajnie jedynie wtedy, gdy
promieniowanie pada pod k¹tem zbli¿onym do normalnego. Sprawnoœæ detektora nie
zmienia siê, gdy k¹t ten jest mniejszy od ok. 10°. Dla wiêkszych k¹tów sprawnoœæ
gwa³townie maleje.
12
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
4. Wspó³praca miêdzynarodowa
W 2003 r. Zak³ad wspó³pracowa³ z nastêpuj¹cymi oœrodkami zagranicznymi:
• National Microelectronics Research Center, Cork, Irlandia,
przedmiot wspó³pracy – lasery pó³przewodnikowe du¿ej mocy;
• University Collage, Department of Physics, Cork, Irlandia,
przedmiot wspó³pracy – badania dynamiki laserów na kropkach kwantowych;
• Katholieke Universiteit Nijmegen, Research Institute for Materials Experimental
Solid State Physics, Nijmegen, Holandia,
przedmiot wspó³pracy – spektroskopia optyczna struktur azotkowych;
• Department of Electrical Engineering & Computer Science Ohio University, College of Engineering and Technology, Athens, USA,
przedmiot wspó³pracy – zjawiska transportu w warstwach tlenkowych;
• Center for High Technology Materials, The University of New Mexico, Albuquerque, USA
przedmiot wspó³pracy – lasery VCSEL; teoria i modelowanie komputerowe.
P UBLIKACJE ’ 2003
Publikacje
[P1] B¥K-MISIUK J., SHALIMOV A., KANIEWSKI J., MISIUK A., DYNOWSKA E., REGIÑSKI K., TRELA J.,
PRZES£AWSKI T., HÄRTWIG J.: Stress-Induced Structural Changes in Thin InAs Layers Grown on
GaAs Substrate. Crystal Res. a. Technol. 2003 vol. 38 nr 3–5 s. 302–306.
[P2] BUGAJSKI M.: Nanotechnologie fotoniczne. Mat. XXXVII Zjazdu Fizyków Polskich, Gdañsk,
paŸdziernik 2003.
[P3] DZIUBA Z., GÓRSKA M., DYBKO K., PRZES£AWSKI T., REGIÑSKI K.: Analysis of Electrical Conduction in an n-Type GaAs Epilayer. Appl. Phys. A 2003 vol. 77 s. 937.
[P4] EKWIÑSKA M., WRZESIÑSKA H., CHIZHIK S. A., RYMUZA Z.: Surface Topography and Adhesive
Properties of Ultrathin Superlattice Nitride Films Deposited on Silicon. Proc. of 2nd Int. Conf. on
Global Research and Education “Inter-Academia 2003” Warszawa, 8–12.09.2003, s. 53.
[P5] GÓRSKA M., WRZESIÑSKA H., MUSZALSKI J., RATAJCZAK J., MROZIEWICZ B.: A Simple Method
of Mesa Fabrication on DBR Containing Heterostructures. Mater. Sci. in Semicond. Process. 2003
vol. 5 s. 505.
[P6] K¥TCKI J., RATAJCZAK J., £ASZCZ A., PHILLIPP F., MUSZALSKI J., BUGAJSKI M., CHEN J. X.,
FIORE A.: Electron Microscopy Study of Advanced Heterostructures for Optoelectronics. Mater.
Chem. a. Phys. 2003 vol. 81 nr 2–3 s. 244–248.
[P7] £YSKO J. M.: Anisotropic Etching of Silicon Crystal Surface Free Energy Model. J. of Sci. in
Semicond. Process. 2003 vol. 6 s. 2235.
[P8] £YSKO J. M.: Model anizotropii trawienia krzemowych struktur MEMS. Kraj. Konf. Elektroniki
KKE’03, Ko³obrzeg, 9–12.06.2003, Politechnika Koszaliñska. Mat. konf. T. I s. 91.
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
13
[P9] £YSKO J. M., LATECKI B., NIKODEM M., GÓRSKA M., MRÓZ J., MA£ACHOWSKI M.: Silicon
TCD for the Methane and Carbon Monoxide Detection. Proc. of the IEEE 6th Symp. "Diagnostics and
Yield", Warszawa, 22–25.06.2003 (CD ROM).
[P10] £YSKO J. M., LATECKI B., WRZESIÑSKA H., HEJDUK K., GÓRSKA M., NIKODEM M.: Lift-Off
and Anisotropic Etching Implementation in the TCD Silicon Technology. Proc. of the III Int. Symp.
"New Electrical and Electronic Technologies and Their Industrial Implementation" NEET'03,
Zakopane, 13–16.05.2003, s. 128–130.
[P11] £YSKO J. M., MRÓZ J., MA£ACHOWSKI M., LATECKI B., NIKODEM M.: Gas Flow Detection
with the Silicon TCD Detector. Proc. of the III Int. Symp. "New Electrical and Electronic Technologies
and Their Industrial Implementation" NEET'03, Zakopane, 13–16.05.2003, s. 125–127.
[P12] £YSKO J. M., MRÓZ J., MA£ACHOWSKI M., LATECKI B., NIKODEM M., WRZESIÑSKA H.,
BUDZYÑSKI T.: Detekcja gazów kopalnianych z u¿yciem TCD. Kraj. Konf. Elektroniki KKE’03,
Ko³obrzeg, 9–12.06.2003, Politechnika Koszaliñska. Mat. konf. T. II s. 597–601.
[P13] MROZIEWICZ B.: Pó³przewodnikowe diody elektroluminescencyjne (LED) Czêœæ I. HB-LED
diody o wysokiej jaskrawoœci. Elektronizacja 2003 nr 5 s. 29.
[P14] MROZIEWICZ B.: Pó³przewodnikowe diody elektroluminescencyjne (LED) Czêœæ II. Rewolucja
w optoelektronice – LED emituj¹ce œwiat³o niebieskie. Elektronizacja 2003 nr 6 s. 10.
[P15] MROZIEWICZ B.: Pó³przewodnikowe diody elektroluminescencyjne (LED) Czêœæ III. Diody
LED emituj¹ce œwiat³o bia³e. Elektronizacja 2003 nr 7 s. 7.
[P16] MROZIEWICZ B., ZBROSZCZYK M., BUGAJSKI M.: Analysis of Threshold Current and Wall-Plug
Efficiency of Diode Lasers with Asymmetric Facet Reflectivity. Optic. a. Quantum Electron. (w druku).
[P17] MROZIEWICZ B., ZBROSZCZYK M., BUGAJSKI M.: Power Efficiency of Diode Lasers with
Asymmetric Mirror Losses. Proc. SPIE 2003 vol. 5230 s. 66.
[P18] PIJANOWSKA D. G., REMISZEWSKA E., £YSKO J. M., JAiWIÑSKI J., TORBICZ W.: Immobilisation of Bioreceptors for Microreactors. Sensors & Actuators 2003 vol. 91 s. 152.
[P19] PIOTROWSKA A., KAMIÑSKA E., BARCZ A., GO£ASZEWSKA K., WRZESIÑSKA H., PIOTROWSKI T. T., DYNOWSKA E., JAKIE£A R.: Stable Ohmic Contacts on GaAs and GaN Devices for High
Temperatures. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2003 vol. 743 s. V11.57.1-6.
[P20] PIOTROWSKI J., MUCHA H., ORMAN Z., PAWLUCZYK J., RATAJCZAK J., KANIEWSKI J.: Refractive GaAs Microlenses Monolithically Integrated with InGaAs and HgCdTe Photodetectors. Proc.
SPIE 2003 vol. 5074 s. 1–8.
[P21] PISARKIEWICZ T., MAZIARZ W., KOSZUR J., JAiWIÑSKI J., £YSKO J. M.: Gas Microsensor
Based on Semiconductors Deposited onto Silicon Membrane. Proc. of the 27th Int. Conf. and Exhib.
IMAPS - Poland 2003, Podlesice-Gliwice, 16–19.09.2003, s. 227–230.
[P22] PIWOÑSKI T., WAWER D., BUGAJSKI M., MROZIEWICZ B., DEICHSEL E., CORBETT B.:
Thermoreflectance Study of Facet Heating in High Power Lasers with Dry-Etched Mirrors. IEEE J.
Quantum Electron. (zg³.).
[P23] PRZES£AWSKI T. R., WOLKENBERG A., REGIÑSKI K., KANIEWSKI J.: Sensitive InGaAs/InP (SI)
Magnetic Field Sensors. phys. stat. sol. (c) (zg³.).
[P24] REGIÑSKI K., KANIEWSKI J., KOSIEL K., PRZES£AWSKI T., B¥K-MISIUK J.: MBE Growth and
Characterization of InAs/GaAs for Infrared Detectors. phys. stat. sol. (a) (zg³.).
[P25] SARZA£A R. P., MENDLA P., WASIAK M., MAÆKOWIAK P., BUGAJSKI M., NAKWASKI W.: Comprehensive Self-Consistent Three-Dimensional Simulation of an Operation of GaAs-Based
14
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
Oxide-Confined 1,3 mm Quantum-Dot (InGa)As/GaAs Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers. Optic. a. Quantum Electron. 2003 vol. 35 s. 676–692.
[P26] SARZA£A R. P., WASIAK M., CZYSZANOWSKI T., BUGAJSKI M., NAKWASKI W.: Threshold
Simulation of 1,3 mm Oxide-Confined In-Plane Quantum-Dot (InGa)As/GaAs Lasers. Optic. a. Quantum Electron. 2003 vol. 35 s. 675.
[P27] SZYMAÑSKI M.: Theoretical Analysis of Broad-Area Semiconductor Lasers with Laterally
Shifted Modal Reflectors. Optic. a. Quantum Electron. 2003 vol. 35 s. 147.
[P28] SZYMAÑSKI M., ZBROSZCZYK M., MROZIEWICZ B.: The Influence of Different Heat Sources on
Temperature Distributions in Broad-Area Diode Lasers and 1-D Laser Arrays. Proc. SPIE (zg³.)
[P29] WASIAK M., BUGAJSKI M., SARZA£A R. P., MAÆKOWIAK P., CZYSZANOWSKI T., NAKWASKI W.:
Output Power Saturation in InAs/GaAs Quantum Dot Lasers. phys. stat. sol. 2003 vol. 0 nr 4
s. 1351–1354.
[P30] WOLKENBERG A., PRZES£AWSKI T., KANIEWSKI J., REGIÑSKI K.: Experimental Confirmation
by Galvanomagnetic Methods of the Complex Transport Model in Layers of In0.53Ga0.47As Deposited
by MBE on SI-InP. J. of Phys. a. Chem. of Solids 2003 vol. 64 s. 7.
[P31] WRZESIÑSKA H., EKWIÑSKA M., MISIAK M., CHIZHIK S. A., RYMUZA Z.: Surface Morphology,
Nanomechnical and Tribological Behaviours of Ultrathin Nitride Superlattice Films. J. of Alloys
a. Comp. (zg³.).
[P32] WRZESIÑSKA H., ILKA L., WAWER D., HEJDUK K., KUD£A A., BUGAJSKI M., £USAKOWSKA E.:
Investigation of Indium Thin Oxide (ITO) Films for the VCSEL Laser with Dielectric Bragg Reflectors. phys. status sol. (zg³.).
[P33] WRZESIÑSKA H., MA£YSKA K., RYMUZA Z.: Characterization of Surface of TiN/CrN and
TiN/NbN Superlattices Deposited on Microelectronic Materials Using Atomic Force Microscopy.
Phys. a. Chem. of Solid St. (zg³.)
[P34] WRZESIÑSKA H., RATAJCZAK J., STUDZIÑSKA K., K¥TCKI J.: Transmission Electron Microscopy of Hard Ceramic Superlattices Applied in Silicon Micro Electro Mechanical Systems. Mater.
Chem. a. Phys. 2003 vol. 81 nr 2–3 s. 265–268.
[P35] WRZESIÑSKA H., RYMUZA Z., MA£YSKA K.: Nanomechanical Behaviour of Ultrathin Nitride
Films Deposited on Silicon. ZEM (w druku).
[P36] WYROBEK J. T., MALYSKA K., WRZESIÑSKA H., RYMUZA Z.: Surface Topography and
Nanomechanical-Tribological Behaviour of Ultrathin Nitrides Films PVD Deposited on Silicon without and with SiO2 or Si3N4 Ultrathin Films as Underlayer Material. Z. für Metallkunde (zg³.).
[P37] YASTRUBCHAK O., B¥K-MISIUK J., £USAKOWSKA E., KANIEWSKI J., WOSIÑSKI T., SHALIMOV A.,
REGIÑSKI K., KUD£A A.: Strain Release in InGaAs/InxAl1-xAs/InP Heterostructures. Physica B 2003
vol. 340–342 s. 1082–1085.
[P38] ZBROSZCZYK M., BUGAJSKI M.: Design Optimization of InGaAlAs/GaAs Single and Double
Quantum Well Lasers Emitting at 808 nm. Proc. SPIE 2003 (w druku).
Konferencje
[K1] ARABASZ S., ADAMOWICZ B., PETIT M., GRUZZA B., PIWOÑSKI T., BUGAJSKI M., HASEGAWA H.:
Room Temperature Photoluminescence Studies of Nitrided InP(100) Surfaces. III Int. Workshop on
Semiconductor Surface Passivation, Ustroñ,14–17.09.2003 (plakat).
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
15
[K2] BUGAJSKI M.: Nanotechnology for High Power Semiconductor Lasers. Euronanoforum 2003,
Triest, W³ochy , 8–12.12.2003 (ref.).
[K3] BUGAJSKI M., OCHALSKI T., PIWONSKI T., WAWER D., MROZIEWICZ B., CORBETT B.,
DEICHSEL E.: Thermoreflectance Study of Facet Heating in High Power Semiconductor Lasers. Fourth
Seminar – Nanostructures: Research, Technology and Applications, Bachotek, 21–24.05.2003 (ref.).
[K4] BUGAJSKI M., OCHALSKI T., PIWONSKI T., WAWER D., MROZIEWICZ B., CORBETT B.,
DEICHSEL E.: Thermoreflectance Study of Facet Heating in High Power Semiconductor Lasers. Int.
Workshop on GaAs Based Lasers for the 1.3 to 1.5 mm Wavelength Range, Wroc³aw, 24–26.04.2003
(ref.).
[K5] KANIEWSKI J.: Detektory podczerwieni z InGaAs: fizyka i technologia. XVII Szko³a Optoelektroniki “Fotowoltaika – ogniwa s³oneczne i detektory”, Kazimierz Dolny, Polska, 13–16.10.2003
(ref. zapr.).
[K6] KOSIEL K., REGIÑSKI K., KANIEWSKI J., PRZES£AWSKI T.: MBE Technology of InAs Layers
Grown on GaAs Substrates. Fourth Seminar – Nanostructures: Research, Technology and Applications, Bachotek, 21–24.05.2003 (kom.).
[K7] £YSKO J. M.: Model anizotropii trawienia krzemowych struktur MEMS.
Elektroniki KKE’03, Ko³obrzeg, 9–12.06.2003 (ref.).
II Kraj. Konf.
[K8] £YSKO J. M., LATECKI B., NIKODEM M., GÓRSKA M., MRÓZ J., MA£ACHOWSKI M.: Silicon
TCD for the Methane and Carbon Monoxide Detection. IEEE 6th Symp. "Diagnostics and Yield",
Warszawa, 22–25.06.2003 (plakat).
[K9] £YSKO J. M., LATECKI B., NIKODEM M.: Gas Micro-Flow-Metering with the In-Channel Pt Resistors. IEEE 6th Symp. "Diagnostics and Yield", Warszawa, 22–25.06.2003 (plakat).
[K10] £YSKO J. M., LATECKI B., WRZESIÑSKA H., HEJDUK K., GÓRSKA M., NIKODEM M.: Lift-Off
and Anisotropic Etching Implementation in the TCD Silicon Technology. III Int. Symp. "New Electrical and Electronic Technologies and Their Industrial Implementation" NEET'03, Zakopane,
13–16.05.2003 (ref.).
[K11] £YSKO J. M., MRÓZ J., MA£ACHOWSKI M., LATECKI B., NIKODEM M., WRZESIÑSKA H.,
BUDZYÑSKI T.: Detekcja gazów kopalnianych z u¿yciem TCD. II Kraj. Konf. Elektroniki KKE’03,
Ko³obrzeg, 9–12.06.2003 (ref.).
[K12] £YSKO J. M., MRÓZ J., MA£ACHOWSKI M., LATECKI B., NIKODEM M.: Gas Flow Detection
with the Silicon TCD Detector. III Int. Symp. “New Electrical and Electronic Technologies and Their
Industrial Implementation”, Zakopane, Poland, 13–16.05.2003 (plakat).
[K13] PAPIS E., HEJDUK K., MUSZALSKI J., WAWER D.: Dielectric Mirrors Deposite by PECVD for
Photonic Devices. Europ. Vacuum Congr., Berlin, Niemcy, 23–26.06.2003 (plakat).
[K14] PIOTROWSKI J., MUCHA H., ORMAN Z., PAWLUCZYK J., RATAJCZAK J., KANIEWSKI J.: Refractive GaAs Microlenses Monolithically Integrated with InGaAs and HgCdTe Photodetectors.
AeroSense 2003, Orlando, USA, 21–27.04.2003 (ref.).
[K15] PIERSCINSKI K., SZLACHTA K., ZIELINSKI M., BUGAJSKI M.,MROZIEWICZ B., PIWONSKI T.,
WAWER D., NIKODEM M., FRELAK A.: Spatial and Spectral Properties of Radiation Emitted by High
Power Semiconductor Lasers. Fourth Seminar – Nanostructures: Research, Technology and Applications, Bachotek, 21–24.05.2003 (plakat).
[K16] PIWOÑSKI T., WAWER D., SZYMAÑSKI M., MROZIEWICZ B., BUGAJSKI M.: Study of Facet
Heating and Degradation Mechanisms in Etched Facet Lasers. Ultrabright-Wild Workshop,
Würtzburg, Niemcy, 17.01.03 (ref.).
16
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
[K17] PRZES£AWSKI T., WOLKENBERG A., KANIEWSKI J., REGIÑSKI K.: Sensitive In0.53Ga0.47As/InP
(SI) Magnetic Field Sensors. E-MRS’2003 Fall Meet., Warszawa, 15–19.09.2003 (plakat).
[K18] REGIÑSKI K., KANIEWSKI J., KOSIEL K., PRZES£AWSKI T., B¥K-MISIUK J.: MBE Growth and
Characterization of InAs/GaAs for Infrared Detectors, E-MRS’2003 Fall Meet., Warszawa,
15–19.09.2003 (plakat).
[K19] SAJEWICZ P.: Semiconductor Lasers. Fourth Seminar – Nanostructures: Research, Technology
and Applications, Bachotek, 21–24.05.2003 (ref.).
[K20] SARZA£A R. P., MENDLA P., WASIAK M., MAÆKOWIAK P., NAKWASKI W., BUGAJSKI M.:
Three-Dimensional Comprehensive Self-Consistent Simulation of a Room Temperature ContinuousWave Operation of GaAs-Based 1,3 mm Quantum-Dot (InGa)As/GaAs Vertical Cavity Surface
Emitting Lasers, ICTON 2003, Miedzeszyn (ref.).
[K21] SZERLING A., SAJEWICZ P., PIWOÑSKI T., MUSZALSKI J., MROZIEWICZ B., BUGAJSKI M.:
AR/HR Dielectric Coatings and Their Influence on InGaAs/GaAs (980nm) Semiconductor Lasers.
Fourth Seminar – Nanostructures: Research, Technology and Applications, Bachotek, 21–24.05.2003
(ref.).
[K22] SZYMAÑSKI M.: Heat Transport in High Power Lasers: Simulation and Experiment.
1st CEPHONA Workshop, Warszawa, 14.11.2003 (ref. zapr.).
[K23] SZYMAÑSKI M., PIWOÑSKI T., WAWER D., MROZIEWICZ B., BUGAJSKI M.: Temperature Distributions in Broad Contact Diode Lasers and 1-D Laser Arrays. Int. Workshop on GaAs Based Lasers for
the 1.3 to 1.5 mm Wavelength Range, Wroc³aw, 24–26.04.2003 (plakat).
[K24] SZYMAÑSKI M., ZBROSZCZYK M., MROZIEWICZ B.: The Influence of Different Heat Sources on
Temperature Distributions in Broad-Area Diode Lasers and 1-D Laser Arrays Conf. on Advanced Optoelectronics and Lasers (CAOL’2003), Alushta, Ukraina, 16–20.09.2003 (plakat).
[K25] WAWER D., SZERLING A., PIWOÑSKI T., HEJDUK K., MUSZALSKI J., K¥TCKI J.: Reflectance
Study of SiO2/Si3N4 Dielectric Bragg Reflectors for Vertical Cavity Surface Emitting Lasers. Fourth
Seminar – Nanostructures: Research, Technology and Applications, Bachotek, 21–24.05.2003 (ref.).
[K26] WAWER D., PIWONSKI T., WÓJCIK A., OCHALSKI T., MROZIEWICZ B., BUGAJSKI M.: Spectroscopic Techniques for Mapping of Strain and Temperatute in Laser Bar. 1st CEPHONA Workshop,
Warszawa, 14.11.2003 (ref. zapr.).
[K27] WÊGRZECKI M., GRABIEC P., BAR J., WÊGRZECKA I., GRODECKI R., S£YSZ W., USZYÑSKI A.,
GRYNGLAS M., KRZEMIÑSKI S., BUDZYÑSKI T., ZABOROWSKI M., PANAS A., STUDZIÑSKA K.,
WRZESIÑSKA H., CIE¯ M., GANDURSKA J., MAREK A.: Prace nad krzemowymi monokrystalicznymi
ogniwami fotowoltaicznymi prowadzone w ITE. XVII Szko³a Optoelektroniki “Fotowoltaika – ogniwa
s³oneczne i detektory”, Kazimierz Dolny, 13–16.10.2003 (plakat).
[K28] WRZESIÑSKA H., EKWIÑSKA M., MISIAK M., CHIZHIK S. A., RYMUZA Z.: Surface Morphology,
Nanomechnical and Tribological Behaviours of Ultrathin Nitride Superlattice Films. E-MRS 2003 Fall
Meet., Warszawa, 15–19.09.2003 (plakat).
[K29] WRZESIÑSKA H., ILKA L., WAWER D., HEJDUK K., KUD£A A., BUGAJSKI M., £USAKOWSKA E.:
Investigation of Indium Thin Oxide (ITO) Films for the VCSEL Laser with Dielectric Bragg Reflectors. E-MRS 2003 Fall Meet., Warszawa, 15–19.09.2003 (plakat).
[K30] WRZESIÑSKA H., MA£YSKA K., RYMUZA Z.: Characterization of Surface of TiN/CrN and
TiN/NbN Superlattices Deposited on Microelectronic Materials Using Atomic Force Microscopy. III
Int. Symp. "New Electrical and Electronic Technologies and Their Industrial Implementation"
NEET'03, Zakopane, 13–16.05.2003 (plakat).
Zak³ad Fizyki i Technologii Struktur...
17
[K31] WRZESIÑSKA H., RYMUZA Z., MA£YSKA K.: Nanomechanical Behaviour of Ultrathin Nitride
Films Deposited on Silicon. XXVI Szko³a Tribologiczna “Problemy Tribologiczne w Przyrodzie
i Technice”, Niedzica, 16–19.09.2003 (ref.).
[K32] WRZESIÑSKA H., RYMUZA Z., MISIAK M., MA£YSKA K.: Nanomechanical and Wear Behaviour
of Ultrathin Superlattice Films. 14th Int. Conf. on Wear of Materials, Waszyngton, USA,
30.03–3.04.2003 (plakat).
[K33] WYROBEK J. T., MALYSKA K., WRZESIÑSKA H., RYMUZA Z.: Surface Topography and
Nanomechanical-Tribological Behaviour of Ultrathin Nitrides Films PVD Deposited on Silicon without and with SiO2 or Si3N4 Ultrathin Films as Underlayer Material. Int. Conf. on Tribology,
Hückelhoven, Niemcy, 23–25.09.2003.
[K34] YASTRUBCHAK O., B¥K-MISIUK J., £USAKOWSKA E., KANIEWSKI J., DOMAGA£A J. Z.,
WOSIÑSKI T., SHALIMOV A., REGIÑSKI K., KUD£A A.: Strain Release in InGaAs/InxAl1-xAs/InP
heterostructures. 22nd Int. Conf. on Defects in Semiconductors, Aarhus, Dania, 28.07–1.08.2003
(plakat).