1. Materiał GaAs. 2. Koncentracja w buforze 1e15 cm

1. Materiał GaAs.
2. Koncentracja w buforze 1e15 cm-3 jednorodna; w warstwach n+ rozkład gaussowski 2e19cm-3 ; w warstwie
aktywnej 1e17cm-3
3. „Brakujące” dane należy wymyśleć ;-)
4. O ile nie da się zamodelować „nachylonych” krawędzi – należy „postawić” je pionowo.
5. Oczekiwany efekt – nasycanie się charakterystyki I=f(U); o ile nie wystąpi to należy w zagłębieniu posadowić
bramkę ze złota.
6. LF=1µm
Dod. Info (niestety po niemiecku) tu:
http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/lindorfer/node38.html