Tranzystory złączowe JFET - budowa, oznaczenia, zasada działania
Transkrypt
Tranzystory złączowe JFET - budowa, oznaczenia, zasada działania
Temat: Tranzystory złączowe (JFET) – oznaczenia, budowa, zasada działania 1. Konstrukcja tranzystora złaczowego. nośniki poruszają się od źródła do drenu złącze bramka – kanał jest polaryzowane zaporowo 2. Oznaczenia elektrod S – źródło G- bramka D – dren 3. Symbole tranzystorów unipolarnych złączowego a) z kanałem typu N b) z kanałem typu P 4. Zasada działania tranzystora złączowego: a) brak polaryzacji; b) rozszerza się warstwa zaporowa wyniku przyłożonego napięcia U DS ; c) odcięcie kanału; d) nasycenie tranzystora U p = U GSoff - napięcie odcięcia kanału. 5. Opis zasady działania Jeżeli napięcie U GS = 0 i U DS ma małą wartość (rys.a) to prąd zmienia się liniowo w funkcji przyłożonego napięcia (tranzystor zachowuje się jak rezystor) Podczas narastania napięcia U DS złącze kanał – bramka (PN) jest coraz silniej polaryzowane zaporowo, przy czym polaryzacja ta jest silniejsza w pobliżu drenu (rys.b). Przy pewnej wartości napięcia U DS = U DSsat = U p , następuje zamknięcie (odcięcie) kanału (rys.c) przy drenie. Dalszy wzrost napięcia powoduje, że kanał jest zamykany coraz bliżej źródła. Tranzystor wchodzi w stan nasycenia, a prąd przez niego płynący jest prądem nasycenia. 6. Schematy polaryzacji: a) z kanałem typu N; b) z kanałem typu P