Tranzystory złączowe JFET - budowa, oznaczenia, zasada działania

Transkrypt

Tranzystory złączowe JFET - budowa, oznaczenia, zasada działania
Temat: Tranzystory złączowe (JFET) – oznaczenia, budowa, zasada działania
1. Konstrukcja tranzystora złaczowego.
nośniki poruszają się od źródła do drenu
złącze bramka – kanał jest polaryzowane zaporowo
2. Oznaczenia elektrod
S – źródło
G- bramka
D – dren
3. Symbole tranzystorów unipolarnych złączowego
a) z kanałem typu N
b) z kanałem typu P
4. Zasada działania tranzystora złączowego: a) brak polaryzacji; b) rozszerza się warstwa
zaporowa wyniku przyłożonego napięcia U DS ; c) odcięcie kanału; d) nasycenie tranzystora
U p = U GSoff - napięcie odcięcia kanału.
5. Opis zasady działania
Jeżeli napięcie U GS = 0 i U DS ma małą wartość (rys.a) to prąd zmienia się liniowo w funkcji
przyłożonego napięcia (tranzystor zachowuje się jak rezystor) Podczas narastania napięcia
U DS złącze kanał – bramka (PN) jest coraz silniej polaryzowane zaporowo, przy czym
polaryzacja ta jest silniejsza w pobliżu drenu (rys.b). Przy pewnej wartości napięcia
U DS = U DSsat = U p , następuje zamknięcie (odcięcie) kanału (rys.c) przy drenie. Dalszy
wzrost napięcia powoduje, że kanał jest zamykany coraz bliżej źródła. Tranzystor wchodzi w
stan nasycenia, a prąd przez niego płynący jest prądem nasycenia.
6. Schematy polaryzacji: a) z kanałem typu N; b) z kanałem typu P

Podobne dokumenty